KR20040049858A - 근적외선 흡수 필름 - Google Patents

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KR20040049858A
KR20040049858A KR10-2004-7004891A KR20047004891A KR20040049858A KR 20040049858 A KR20040049858 A KR 20040049858A KR 20047004891 A KR20047004891 A KR 20047004891A KR 20040049858 A KR20040049858 A KR 20040049858A
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가부시키가이샤 브리지스톤
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Abstract

본 발명의 넓은 파장에 걸쳐 가시광의 투과성이 우수한 근적외선 흡수 필름은 베이스 필름과 승온 속도 10℃/분에서의 시차 주사 열량 측정(DSC 측정)에 있어서 온도 220℃ 이상에서 흡열 피크를 갖는 디이모늄계 화합물을 함유하는 근적외선 흡수층을 갖는다. 상기 근적외선 흡수층은 시아닌 화합물, 프탈로시아닌 화합물, 나프탈로시아닌 화합물 또는 니켈착체 화합물을 더 포함하더라도 좋다. 또한, 근적외선 흡수층은 켄처 화합물을 함유하더라도 좋다.

Description

근적외선 흡수 필름{NEAR-INFRARED RADIATION ABSORBING FILM}
플라즈마 디스플레이(PDP)의 전면에 배치되는 전자파 실드성 광투과 창재 등에 있어서, PDP측에 근적외선 흡수 필름이 점착되는 경우가 있다. 이 근적외선 흡수 필름은 다른 주변 전자기기의 오작동을 유발하는 근적외선을 흡수한다. 종래의 근적외선 흡수 필름으로서는 인산계 유리에 구리나 철 등의 금속 이온을 함유한 필터; 기판상에 굴절율이 다른 층을 적층하여, 투과광을 간섭시킴으로써 특정 파장을 투과시키는 간섭 필터; 구리 이온을 함유시킨 아크릴계 수지 필터; 폴리머 중에 색소를 분산시킨 구성의 필터 등이 있다.
폴리머 중에 색소를 분산시킨 구성의 근적외선 흡수 필름에 있어서, 열, 산화 등에 의해 색소가 열화하면 필터의 근적외선 흡수 특성이 감소된다.
발명의 개요
본 발명의 근적외선 흡수 필름은 베이스 필름과 상기 베이스 필름상에 형성된 근적외선 흡수층을 갖는 근적외선 흡수 필름에 있어서, 상기 근적외선 흡수층은 승온 속도 10℃/분에서의 시차 주사 열량 측정(DSC 측정)에 있어서 온도 220℃ 이상에서 흡열 피크를 갖는 디이모늄계 화합물을 함유하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 근적외선 흡수 필름에 관한 것이다.
발명의 개시
근적외선 흡수 필름은 베이스 필름과 상기 베이스 필름상에 형성된 근적외선 흡수층을 가지며, 또한 그 밖의 층을 갖더라도 좋다.
근적외선 흡수층은 디이모늄계 화합물을 함유하고, 또한 그 밖의 성분을 함유하더라도 좋다.
디이모늄계 화합물은 승온 속도 10℃/분에서의 시차 주사 열량 측정(DSC 측정)에 있어서 220℃ 이상에서 흡열 피크를 갖는다. 이 디이모늄계 화합물은 순도가 높고, 근적외선 흡수 필름의 내구성을 향상시킨다.
디이모늄계 화합물은 승온 속도 10℃/분에서의 시차 주사 열량 측정(DSC 측정)에 있어서 225℃ 이상에서 흡열 피크를 갖는 것이 바람직하며, 225∼240℃에서 흡열 피크를 갖는 것이 보다 바람직하다.
시차 주사 열량 측정(DSC 측정)은 열유속 DSC 장치를 이용하여, 측정 대상 물질 및 기준 물질의 온도를 프로그램에 따라서 변화시키면서 대상 물질 및 기준 물질에 대한 에너지 입력의 차이를 온도의 함수로서 측정하는 방법이다. 흡열 피크에서의 온도는 흡열 피크의 양측의 최대 경사 점에서 그린 접선의 교점에 있어서의 온도(융점)를 가리킨다.
디이모늄계 화합물은 바람직하게는 하기 화학식 (I) 또는 (II)의 화합물이다.
화학식 (I) 및 (II)에 있어서, R7∼R10은 알킬기, 아릴기, 방향족고리를 갖는 기, 수소 원자 및 할로겐 원자중 적어도 어느 하나이며, X-는 1가의 음이온이며, Y2-는 2가의 음이온이다.
X-로 표현한 1가의 음이온은 I-, Cl-, Br-, F-등의 할로겐 이온; NO3 -, BF4 -, PF6 -, ClO4 -, SbF6 -등의 무기산 이온; CH3COO-, CF3COO-, 안식향산 이온 등의 유기카르복실산 이온; CH3SO3 -, CF3SO3 -, 벤젠술폰산 이온, 나프탈렌술폰산 이온 등의 유기술폰산 이온이라도 좋다.
Y2-로 표현한 2가의 음이온은 술폰산기를 2개 갖는 방향족디술폰산 이온이 바람직하며, 구체적으로는, 나프탈렌-1,5-디술폰산, R산, G산, H산, 벤조일 H산(H산의 아미노기에 벤조일기가 결합된 것), p-클로르벤조일 H산, p-톨루엔술포닐 H산, 클로르 H산(H산의 아미노기가 염소 원자로 치환된 것), 클로르아세틸 H산, 메타닐 γ산, 6-술포나프틸-γ산, C산, ε산, p-톨루엔술포닐 R산, 나프탈렌-1,6-디술폰산, 1-나프톨-4,8-디술폰산 등의 나프탈렌디술폰산 유도체, 카르보닐 J산, 4,4-디아미노스틸벤-2,2'-디술폰산, 디J산, 나프탈산, 나프탈렌-2,3-디카르복실산, 디펜산, 스틸벤-4,4'-디카르복실산, 6-술포-2-옥시3-나프토에산, 안트라퀴논-1,8-디술폰산, 1,6-디아미노안트라퀴논-2,7-디술폰산, 2-(4-술포페닐)-6-아미노벤조트리아졸-5-술폰산, 6-(3-메틸-5-피라졸로닐)-나프탈렌-1,3-디술폰산, 1-나프톨-6-(4-아미노-3술포)아닐리노-3-술폰산의 이온일 수 있다. 이들 중에서도 나프탈렌디술폰산 이온이 바람직하며, 하기 화학식 (III)의 이온이 특히 바람직하다.
화학식 (III)에 있어서, R11및 R12는 저급알킬기, 수산기, 알킬아미노기, 아미노기, -NHCOR13, -NHSO2R13, -OSO2R13(단, R13은 아릴기 및 알킬기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 어느 하나를 나타내고, R13은 치환기를 갖고 있더라도 좋다), 아세틸기, 수소 원자 및 할로겐 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이다.
디이모늄계 화합물은 화학식 (IV)의 화합물이 적합하다.
화학식 (IV)에 있어서, R은 탄소수 1∼8의 알킬기이며, n-부틸기가 특히 바람직하다. 1가의 음이온인 X-는 BF4 -, PF6 -, ClO4 -또는 SbF6 -이 적합하다. 하기 화학식 (V)는 R이 부틸기이며, X-가 SbF6 -인 상기 디이모늄계 화합물을 나타낸다.
근적외선 흡수층은 상기한 디이모늄계 화합물 중 1종만을 함유하더라도 좋고, 2종 이상을 함유하더라도 좋다. 상기 디이모늄계 화합물은 상기 근적외선 흡수층에 약 0.1∼10 중량%의 양으로 함유되는 것이 바람직하다.
근적외선 흡수층은 디이모늄계 화합물 이외의 화합물을 포함하더라도 좋고, 그와 같은 화합물은 시아닌계 화합물, 프탈로시아닌계 화합물, 나프탈로시아닌계화합물, 니켈착체계 화합물, 켄처 화합물이라도 좋다.
시아닌계 화합물은 하기 화학식 (VI)의 화합물이라도 좋다.
화학식 (VI) 중, A는 에틸렌기를 포함하는 2가의 연결기이며, 특히,
,
,
또는
(단, D는 알킬기, 디페닐아미노기, 할로겐 원자 및 수소 원자 중 어느 하나이다)가 바람직하다. 즉, 화학식 (VI)의 시아닌계 화합물은 구체적으로는 하기 화학식 (VII), (VIII) 또는 (IX)가 바람직하며, 이들 시아닌계 화합물은 근적외선 흡수층의 가시광 투과성 및 색조를 바람직한 것으로 한다.
화학식 (VI)∼(IX)에 있어서, R1및 R2는 탄소 원자를 포함하는 1가의 기이며, 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 술포닐알킬기 또는 시아노기일 수 있다. Z-는 1가의 음이온이며, I-, Br-, ClO4 -, BF4 -, PF6 -, SbF6 -, CH3SO4 -, NO3 -또는 CH3-C6H4-SO3 -일 수 있다.
근적외선 흡수층은 상기 디이모늄계 화합물 100 중량부를 기준으로 50 중량부 이하 포함하더라도 좋고, 바람직하게는 0.1∼50 중량부 이하, 보다 바람직하게는 1∼50 중량부의 시아닌계 화합물을 포함한다.
시아닌계 화합물의 0.1 중량부 이상의 함유량은 근적외선의 차단성을 향상시키지만, 50 중량부를 넘으면 가시광의 투과율이 부족하게 되는 경우가 있다.
근적외선 흡수층이 포함해도 좋은 프탈로시아닌계 화합물은 하기 화학식 (X)의 화합물일 수 있다.
화학식 (X)에 있어서, A1∼A16은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기, 히드록시술포닐기, 아미노술포닐기 및 탄소수 1∼20의 치환기 중 어느 하나를 나타낸다. 탄소수 1∼20의 치환기는 질소 원자, 황 원자, 산소 원자 및 할로겐 원자 중 어느 하나를 포함하고 있더라도 좋다. 또, 인접하는 2개의 치환기는 연결기를 통해 연결되어 있더라도 좋다. 단, A1∼A16중 적어도 4개는 황 원자를 통하는 치환기 및 질소 원자를 통하는 치환기의 적어도 어느 하나이다. M1은 2개의 수소 원자, 2가의 금속 원자, 3가 또는 4가의 치환 금속 원자 및 옥시 금속의 어느 하나를 나타낸다.
근적외선 흡수층이 함유하더라도 좋은 나프탈로시아닌계 화합물은 하기 화학식 (XI)의 화합물일 수 있다.
화학식 (XI)에 있어서, B1∼B24는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기, 히드록시술포닐기, 아미노술포닐기 및 탄소수 1∼20의 치환기 중 어느 하나를 나타낸다. 탄소수 1∼20의 치환기는 질소 원자, 황 원자, 산소 원자 및 할로겐 원자를 포함하고 있더라도 좋고, 인접하는 2개의 치환기는 연결기를 통해 연결되어 있더라도 좋다. 단, B1∼B24중 적어도 4개는 산소 원자를 통하는 치환기, 황 원자를 통하는 치환기 및 질소 원자를 통하는 치환기의 적어도 어느 하나이다. M2는 2개의 수소 원자, 2가의 금속 원자, 3가 또는 4가의 치환 금속 원자 및 옥시 금속의 어느 하나를 나타낸다.
근적외선 흡수층이 함유하더라도 좋은 켄처 화합물은 하기 화학식 (XII) 또는 (XIII)의 금속 화합물, 또는 화학식 (XIV)의 아미늄 화합물일 수 있다.
화학식 (XII) 및 (XIII)에 있어서, M은 Ni, Cu, Co, Pt 또는 Pd이다.
화학식 (XIV)에 있어서ㅡ R3∼R6은 알킬기, 아릴기, 방향족고리를 갖는 기, 수소 원자 및 할로겐 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이다. G-는 I-, Br-, ClO4 -, BF4 -, PF6 -, SbF6 -, CH3SO4 -, NO3 -또는 CH3-C6H4-SO3 -이다.
화학식 (XII)의 금속 화합물은 1,2-벤젠티올구리착체계 화합물 또는 1,2-벤젠티올니켈착체 화합물이라도 좋고, 구체적으로는 화학식 (XV) 또는 (XVI)의 화합물이라도 좋고, 이들은 근적외선 흡수층의 산화를 방지하여, 내구성을 높인다. (t)Bu는 t-부틸기이며, (n)Bu는 n-부틸기이다.
화학식 (XIII)의 금속 화합물은 화학식 (XVII)의 착체라도 좋고, 이것은 근적외선 흡수층의 산화를 방지하여, 내구성을 높인다.
근적외선 흡수층은 상기 디이모늄계 화합물 100 중량부를 기준으로 바람직하게는 100 중량부 이하, 보다 바람직하게는 0.01∼100 중량부 함유하며, 더욱 바람직하게는 0.1∼50 중량부의 켄처 화합물을 함유한다.
켄처 화합물은 근적외선 흡수층의 내열성, 내산화성 및 내습성 등의 내구성을 향상시키지만, 지나치게 많으면 근적외선 흡수층이 착색되어 버려 근적외선 흡수 필름의 외관이 나빠지는 경우가 있다.
근적외선 흡수층에 포함되어도 좋은 니켈착체계 화합물은 근적외선 흡수 작용을 갖는다.
근적외선 흡수층은 또한 그 밖의 성분을 포함하더라도 좋고, 예컨대, 여러가지의 결합제 수지, 근적외선 흡수제(예컨대, 아조계, 폴리메틴계, 디페닐메탄계, 트리페닐메탄계, 퀴논계 등의 근적외선 흡수제), 켄처 화합물 이외의 산화방지제(예컨대, 페놀계, 아민계, 힌다드페놀계, 힌다드아민계, 유황계, 인산계, 아인산계, 금속착체계 등의 산화방지제), 자외선흡수제, 필름의 외관을 양호하게 하기 위한 착색제, 안료, 색소 등을 들 수 있다.
결합제 수지는 폴리에스테르 수지; 아크릴 수지; 메타크릴 수지; 우레탄 수지; 실리콘 수지; 페놀 수지; (메트)아크릴산에스테르의 단독 중합체 또는 공중합체일 수 있다. 이들 중에서도 디이모늄계 화합물 등의 분산성이 우수하고, 내구성이 양호한 점에서 아크릴 수지 및 폴리에스테르 수지 등이 바람직하다.
상기 근적외선 흡수층의 두께는 0.5∼50 ㎛일 수 있고, 이것은 흡수층의 근적외선의 흡수성 및 가시광 투과성을 바람직한 것으로 하지만, 이것에 한정되지 않는다.
베이스 필름은 합성 수지제이며, 구체적으로는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀계 수지; 폴리에스테르계 수지; 아크릴계 수지; 셀룰로오스계 수지; 폴리염화비닐계 수지; 폴리카보네이트계 수지; 페놀계 수지; 우레탄계 수지일 수 있다. 이들 중에서도 투명성이 높고, 보다 낮게 환경 오염적인 폴리에스테르계 수지가 바람직하다. 투명하다는 것은 가시광에 대하여 투명인 것을 의미한다.
상기 베이스 필름의 두께는 50∼200 ㎛일 수 있고, 이 두께는 베이스 필름에 충분한 기계적 강도를 부여한다.
디이모늄계 화합물 및 상기 결합제 수지 등을 용매에 용해시킨 코팅액을 조제하여, 상기 베이스 필름상에 코팅함으로써 근적외선 흡수 필름이 제조될 수 있다. 용매는 디클로로메탄, 메틸에틸케톤, 테트라히드로푸란 또는 시클로헥사논일 수 있다.
근적외선 흡수 필름은 베이스 필름상에 하나의 근적외선 흡수층을 갖더라도 좋고, 2 이상의 근적외선 흡수층을 갖더라도 좋다.
이상 설명한 근적외선 흡수 필름은 근적외선을 충분히 흡수하고, 더구나 넓은 파장 영역에서 가시광을 충분히 투과시킨다. 이 필름은 내구성이 우수하고, 특히, 고온·다습 조건에 있어서의 내구성이 우수하기 때문에 여러 가지의 용도에 적용할 수 있다.
이하에 본 발명의 실시예를 설명하지만, 본 발명은 하기 실시예에 하등 한정되는 것이 아니다.
실시예 1∼4, 비교예 1∼4
[근적외선 흡수 필름의 제조]
우선, 상기 화학식 (V)에 도시하는 디이모늄계 화합물(CIR1081; 일본 카릿트사 제조)을 정제했다. 정제할 때, 순도를 순차적으로 올려, 3종류 순도의 정제 디이모늄계 화합물을 각각 얻었다. 얻어진 각 디이모늄계 화합물을 각각 알루미늄제의 셀 중에 1 mg 평량하여, 시차식 열천평(DSC-3100; MAC Science Co., Ltd. 제조)으로 흡열 피크에서의 온도(융점)를 측정한 바, 각각 227℃, 220℃, 210℃였다. 흡열 피크 측정시의 승온 속도는 10℃/분이다. 상기 CIR1081 디이모늄계 화합물의 융점을 측정한 결과 207℃였다.
상기 각 디이모늄계 화합물 및 표 1에 나타낸 각 결합제 수지를 표 1에 기재한 양으로 디클로로메탄 18.5 g, 테트라히드로푸란 55.5 g 및 초산메틸셀로솔브 18.5 g으로 이루어지는 혼합 용제에 용해함으로써 코팅액을 제조하였다. 그 후, 바코터를 이용하여 코팅액을 폴리에스테르 필름(「T600E/WO7」; 미츠비시 폴리에스테르사 제조, 두께: 100 ㎛)에 도포하여, 100℃에서 3분간 건조시킴으로써 건조 두께 5 ㎛의 근적외선 흡수층을 가진 적외선 흡수 필름을 제조하였다.
[내구성의 평가]
얻어진 근적외선 흡수 필름의 흡광도의 피크값을 분광 광도계(히타치 계측기사 제조: U-4000)로 측정하여, 이것을 초기 흡광도(I0)로 했다. 그 후, 80℃, 60% RH 및 60℃, 90% RH에서 500시간 방치했을 때의 흡광도(I500)를 측정했다. 하기식에 의해 디이모늄계 화합물 잔존율(%)을 산출했다. 디이모늄계 화합물의 잔존율이 92% 이상인 경우를 우수, 90% 이상 92% 미만인 경우를 양호, 90% 미만인 경우를 불가(NG)로 하여 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
디이모늄계 화합물 잔존율(%)=I500/I0
근적외선 흡수제 결합제 수지
화합물 융점(℃) g 화합물 상품명 g
실시예 1 디이모늄계 화합물 227 0.4 폴리에스테르수지 UE3690 7.5
실시예 2 디이모늄계 화합물 220 0.4 폴리에스테르수지 UE3690 7.5
실시예 3 디이모늄계 화합물 227 0.4 PMAA 80N 7.5
실시예 4 디이모늄계 화합물 220 0.4 PMAA 80N 7.5
비교예 1 디이모늄계 화합물 210 0.4 폴리에스테르수지 UE3690 7.5
비교예 2 디이모늄계 화합물 207 0.4 폴리에스테르수지 UE3690 7.5
비교예 3 디이모늄계 화합물 210 0.4 PMAA 80N 7.5
비교예 4 디이모늄계 화합물 207 0.4 PMAA 80N 7.5
(주)「UE3690」은 폴리에스테르 수지(에리텔 UE3690; 유니치카사 제조)이다.
「80N」은 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA 수지)(델펫(delpet) 80N; 아사히 카세이사 제조)이다.
실시예 비교예
1 2 3 4 1 2 3 4
디이모늄계화합물잔존률 80℃, 60%RH500시간 방치후 94.7% 93.9% 92.7% 90.5% 85.4% 84.2% 86.1% 81.4%
60℃, 90%RH500시간 방치후 95.2% 91.0% 93.0% 91.0% 86.2% 83.8% 76.2% 69.1%
평가 80℃, 60%RH500시간 방치후 우수 우수 우수 양호 NG NG NG NG
60℃, 90%RH500시간 방치후 우수 양호 우수 양호 NG NG NG NG
표 2로부터 실시예 1∼4에서는 비교예 1∼4에 비교하여 내구성이 우수한 것을 알 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 근적외선의 차단성, 넓은 파장 영역에서의 가시광의 투과성 및 내구성이 우수한 근적외선 흡수 필름을 제공할 수 있다.

Claims (32)

  1. 베이스 필름과 상기 베이스 필름상에 형성된 근적외선 흡수층을 갖는 근적외선 흡수 필름에 있어서,
    상기 근적외선 흡수층은 승온 속도 10℃/분에서의 시차 주사 열량 측정(DSC 측정)에 있어서 온도 220℃ 이상에서 흡열 피크를 갖는 디이모늄계 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수 필름.
  2. 제1항에 있어서, 상기 디이모늄계 화합물은 승온 속도 10℃/분에서의 시차 주사 열량 측정(DSC 측정)에 있어서 온도 225∼240℃에서 흡열 피크를 갖는 것인 근적외선 흡수 필름.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 디이모늄계 화합물은 하기 화학식 (I) 또는 (II)의 화합물인 근적외선 흡수 필름:
    화학식 I
    화학식 II
    단, R7∼R10은 알킬기, 아릴기, 방향족고리를 갖는 기, 수소 원자 및 할로겐 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이며, X-는 1가의 음이온이며, Y2-는 2가의 음이온이다.
  4. 제3항에 있어서, 상기 X-로 표시한 1가의 음이온은 I-, Cl-, Br-, F-등의 할로겐 이온; NO3 -, BF4 -, PF6 -, ClO4 -, SbF6 -등의 무기산 이온; CH3COO-, CF3COO-, 안식향산 이온 등의 유기 카르복실산 이온; CH3SO3 -, CF3SO3 -, 벤젠술폰산 이온, 나프탈렌술폰산 이온 등의 유기 술폰산 이온인 근적외선 흡수 필름.
  5. 제3항에 있어서, 상기 Y2-로 표현한 2가의 음이온은 술폰산기를 2개 갖는 방향족 디술폰산 이온이 바람직하며, 구체적으로는, 나프탈렌-1,5-디술폰산, R산, G산, H산, 벤조일 H산(H산의 아미노기에 벤조일기가 결합된 것), p-클로르벤조일 H산, p-톨루엔술포닐 H산, 클로르 H산(H산의 아미노기가 염소 원자로 치환된 것), 클로르아세틸 H산, 메타닐 γ산, 6-술포나프틸-γ산, C산, ε산, p-톨루엔술포닐 R산, 나프탈렌-1,6-디술폰산, 1-나프톨-4,8-디술폰산 등의 나프탈렌디술폰산 유도체, 카르보닐 J산, 4,4-디아미노스틸벤-2,2'-디술폰산, 디J산, 나프탈산, 나프탈렌-2,3-디카르복실산, 디펜산, 스틸벤-4,4'-디카르복실산, 6-술포-2-옥시-3-나프토에산, 안트라퀴논-1,8-디술폰산, 1,6-디아미노안트라퀴논-2,7-디술폰산, 2-(4-술포페닐)-6-아미노벤조트리아졸-5-술폰산, 6-(3-메틸-5-피라졸로닐)-나프탈렌-1,3-디술폰산, 1-나프톨-6-(4-아미노-3-술포)아닐리노-3-술폰산의 이온인 근적외선 흡수 필름.
  6. 제5항에 있어서, 상기 Y2-로 표현한 2가의 음이온은 나프탈렌디술폰산 이온인 근적외선 흡수 필름.
  7. 제6항에 있어서, 상기 나프탈렌디술폰산 이온은 바람직하게 하기 화학식 (III)의 화합물인 근적외선 흡수 필름:
    화학식 III
    단, R11및 R12는 저급 알킬기, 수산기, 알킬아미노기, 아미노기, -NHCOR13, -NHSO2R13, -OSO2R13(단, R13은 아릴기 및 알킬기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 어느 하나를 나타내고, R13은 치환기를 갖고 있더라도 좋다), 아세틸기, 수소 원자 및 할로겐 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이다.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 디이모늄계 화합물은 하기 화학식 (IV)의 화합물인 근적외선 흡수 필름:
    화학식 IV
    단, R은 탄소수 1∼8의 알킬기이며, n-부틸기가 특히 바람직하다. 1가의 음이온인 X-는 BF4 -, PF6 -, ClO4 -또는 SbF6 -이다.
  9. 제8항에 있어서, 상기 디이모늄계 화합물은 하기 화학식 (V)의 화합물인 근적외선 흡수 필름:
    화학식 V
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 근적외선 흡수층은 상기 디이모늄계 화합물 0.1∼10 중량%를 함유하는 것인 근적외선 흡수 필름.
  11. 제1항 내지 제10항중 어느 한 항에 있어서, 상기 근적외선 흡수층은 시아닌계 화합물, 프탈로시아닌계 화합물, 나프탈로시아닌계 화합물 및 니켈 착체계 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 것인 근적외선 흡수 필름.
  12. 제11항에 있어서, 상기 시아닌계 화합물은 화학식 (VI)의 화합물인 근적외선 흡수 필름:
    화학식 VI
    단, A는 에틸렌기를 포함하는 2가의 연결기이며, R1및 R2는 탄소 원자를 포함하는 1가의 기이며, Z-는 1가의 음이온이다.
  13. 제12항에 있어서, 상기 A는
    ,
    또는
    이지만, 단, D는 알킬기, 디페닐아미노기, 할로겐 원자 및 수소 원자 중 어느 하나인 근적외선 흡수 필름.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 R1및 R2는 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 술포닐알킬기 또는 시아노기인 근적외선 흡수 필름.
  15. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 Z-는 I-, Br-, ClO4 -, BF4 -, PF6 -, SbF6 -, CH3SO4 -, NO3 -또는 CH3-C6H4-SO3 -인 근적외선 흡수 필름.
  16. 제12항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 근적외선 흡수층은 상기 디이모늄계 화합물 100 중량부를 기준으로 50 중량부 이하의 시아닌계 화합물을 함유하는 것인 근적외선 흡수 필름.
  17. 제12항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 근적외선 흡수층은 상기 디이모늄계 화합물 100 중량부를 기준으로 0.1∼50 중량부의 시아닌계 화합물을 함유하는 것인 근적외선 흡수 필름.
  18. 제11항에 있어서, 상기 프탈로시아닌계 화합물은 하기 화학식 (X)의 화합물인 근적외선 흡수 필름:
    화학식 X
    단, A1∼A16은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기, 히드록시술포닐기, 아미노술포닐기 및 탄소수 1∼20의 치환기 중 어느 하나를 나타내며, 탄소수 1∼20의 치환기는 질소 원자, 황 원자, 산소 원자 및 할로겐 원자 중 어느 하나를 포함하고 있더라도 좋으며, 또한, 인접하는 2개의 치환기는 연결기를 통해 연결되어 있더라도 좋으나, 단, A1∼A16중 적어도 4개는 황 원자를 통하는 치환기 및 질소 원자를 통하는 치환기의 적어도 어느 하나이며, M1은 2개의 수소 원자, 2가의 금속 원자, 3가 또는 4가의 치환 금속 원자 및 옥시 금속중 어느 하나를 나타낸다.
  19. 제11항에 있어서, 상기 나프탈로시아닌계 화합물은 하기 화학식 (XI)의 화합물인 근적외선 흡수 필름:
    화학식 XI
    단, B1∼B24는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기, 히드록시술포닐기, 아미노술포닐기 및 탄소수 1∼20의 치환기 중 어느 하나를 나타내며, 탄소수 1∼20의 치환기는 질소 원자, 황 원자, 산소 원자 및 할로겐 원자를 포함하고 있더라도 좋고, 인접하는 2개의 치환기는 연결기를 통해 연결되어 있더라도 좋으나, 단, B1∼B24중 적어도 4개는 산소 원자를 통하는 치환기, 황 원자를 통하는 치환기 및 질소 원자를 통하는 치환기의 적어도 어느 하나이고, M2는 2개의 수소 원자, 2가의 금속 원자, 3가 또는 4가의 치환 금속 원자 및 옥시 금속의 어느 하나를 나타낸다.
  20. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 근적외선 흡수층은 켄처(Quencher) 화합물을 함유하는 것인 근적외선 흡수 필름.
  21. 제20항에 있어서, 상기 켄처 화합물은 하기 화학식 (XII) 또는 (XIII)의 금속 화합물 또는 화학식 (XIV)의 아미늄 화합물인 근적외선 흡수 필름:
    화학식 XII
    화학식 XIII
    상기 화학식 (XII) 및 (XIII)에 있어서, M은 Ni, Cu, Co, Pt 또는 Pd이고
    화학식 XIV
    상기 화학식 (XIV)에 있어서, R3∼R6은 알킬기, 아릴기, 방향족 고리를 갖는기, 수소 원자 및 할로겐 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이며, G-는 I-, Br-, ClO4 -, BF4 -, PF6 -, SbF6 -, CH3SO4 -, NO3 -또는 CH3-C6H4-SO3 -이다.
  22. 제21항에 있어서, 상기 화학식 (XII)의 금속 화합물은 1,2-벤젠티올구리 착체계 화합물 또는 1,2-벤젠티올니켈 착체 화합물인 근적외선 흡수 필름.
  23. 제22항에 있어서, 상기 1,2-벤젠티올구리 착체계 화합물은 하기 화학식 (XV) 또는 (XVI)의 화합물인 근적외선 흡수 필름:
    화학식 XV
    화학식 XVI
  24. 제21항에 있어서, 상기 화학식 (XIII)의 금속 화합물은 하기 화학식 (XVII)의 착체인 근적외선 흡수 필름:
    화학식 XVII
  25. 제20항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 근적외선 흡수층은 디이모늄계 화합물 100 중량부를 기준으로 100 중량부 이하의 켄처 화합물을 함유하는 것인 근적외선 흡수 필름.
  26. 제1항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 근적외선 흡수층은 결합제 수지를 함유하는 근적외선 흡수 필름.
  27. 제25항에 있어서, 상기 결합제 수지는 폴리에스테르 수지; 아크릴 수지; 메타크릴 수지; 우레탄 수지; 실리콘 수지; 페놀 수지; (메트)아크릴산에스테르의 단독 중합체 또는 공중합체인 근적외선 흡수 필름.
  28. 제1항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 근적외선 흡수층은 근적외선 흡수제(예컨대, 아조계, 폴리메틴계, 디페닐메탄계, 트리페닐메탄계, 퀴논계 등의 근적외선 흡수제), 켄처 화합물 이외의 산화방지제(예컨대, 페놀계, 아민계, 힌더드 페놀계, 힌다드 아민계, 유황계, 인산계, 아인산계, 금속 착체계 등의 산화방지제), 자외선흡수제, 필름의 외관을 양호하게 하기 위한 착색제, 안료, 색소를 더함유하는 것인 근적외선 흡수 필름.
  29. 제1항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 근적외선 흡수층의 두께는 0.5∼50 ㎛인 근적외선 흡수 필름.
  30. 제1항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 베이스 필름은 합성 수지제인 근적외선 흡수 필름.
  31. 제30항에 있어서, 상기 합성 수지는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀계 수지; 폴리에스테르계 수지; 아크릴계 수지; 셀룰로오스계 수지; 폴리염화비닐계 수지; 폴리카보네이트계 수지; 페놀계 수지; 또는 우레탄계 수지인 근적외선 흡수 필름.
  32. 제1항 내지 제31항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 베이스 필름의 두께는 50∼200 ㎛인 근적외선 흡수 필름.
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