KR20040046479A - 반도체 소자의 제조 방법 - Google Patents
반도체 소자의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040046479A KR20040046479A KR1020020074420A KR20020074420A KR20040046479A KR 20040046479 A KR20040046479 A KR 20040046479A KR 1020020074420 A KR1020020074420 A KR 1020020074420A KR 20020074420 A KR20020074420 A KR 20020074420A KR 20040046479 A KR20040046479 A KR 20040046479A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- gan layer
- predetermined region
- semi
- forming
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 6
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 InP compound Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
- H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
본 발명은 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체인 GaN를 기반으로 하는 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)와 표면 탄성파 필터(SAW)의 집적화하는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 사파이어를 포함하는 다양한 반도체 기판 상부에 고저항을 가지는 반절연성 GaN층 및 AlxGa1-xN층을 적층하여 2차원 전자가스(2 Dimensional Electron Gas)를 형성하여 HEMT를 구성하고, AlxGa1-xN층의 소정 영역을 식각한 이후 반절연성 GaN 표면 상부 또는 식각된 부분에 반절연성 GaN층을 형성하여 표면을 평탄하게 하여 SAW 필터를 제작함으로써 증폭기와 필터를 단일 기판 위에 집적회로(IC)의 형태로 구현할 수 있는 반도체 소자의 제조 방법이 제시된다.
Description
본 발명은 갈륨(Gallium; Ga), 알루미늄(Aluminum; Al), 인듐(Indium; In)등의 Ⅲ족 원소와 질소를 포함하는 Ⅲ-Nitride 반도체를 이용하여 고전자 이동도 트랜지스터(High Electron Mobility Transistor: 이하 "HEMT"라 함)와 표면 탄성파 필터(Surface Acoustic Wave Filter: 이하 "SAW 필터"라 함)를 집적화하는 화합물 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 누설 전류의 방지 및 소자간 분리에 사용되는 고저항의 반절연성 GaN(Semi-Insulating GaN: 이하 "SI-GaN"라 함)층을 이용하여 SAW 필터를 제조함으로써 단일 기판 상부에 증폭기와 필터를 동시에 구현하는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
GaN계 화합물 반도체는 높은 열적ㆍ화학적 안정성, 높은 전자 이동도 및 포화 전자속도, 큰 에너지 밴드갭 등 기존의 GaAs 및 InP계 화합물 반도체에 비하여 뛰어난 물성을 가지고 있어서 고출력 및 고주파 특성이 요구되는 차세대 무선통신 및 위성통신 시스템, 고온 및 내열적 특성이 요구되는 엔진 제어 시스템 등 기존의 화합물 반도체로는 한계성을 가지는 분야로 응용범위가 확대되고 있다. 또한 단결정내에 (0001)방향의 결정성 및 원자간 결합특성에 의한 강한 분극성을 지닌 GaN 반도체는 통신기기 분야에 널리 사용되는 SAW 필터를 GHz 대역 이상에서 구현할 수 있다. 특히 HEMT의 구조에 사용되는 SI-GaN층을 이용하여 SAW 필터를 구현함으로써 차세대 통신기기에 응용될 예정인 RF IC에서 GHz 이상에서 사용되는 증폭기와 필터를 단일 기판 위에 집적화 할 수 있게 된다.
현재 GHz 대역의 SAW 필터를 구현하기 위하여 높은 SAW 전파속도(Propagation Velocity)를 갖는 재료, 서브마이크론(submicron) 이하의 전극패턴을 구현하는 소자 공정기술, 그리고 고조파 모드를 이용하는 SAW 필터의 제작 방법 등이 연구되고 있다. 그러나 이러한 SAW 필터들은 RF IC에서 사용되는 HEMT, HBT 등의 증폭기와는 서로 다른 반도체 재료를 사용하는 관계로 하이브리드(Hybride) 방식외에는 집적회로를 구현할 방법이 없다. 따라서 단일칩으로 구현하기 어려우며, 제작공정이 복잡해지는 단점을 가지고 있다.
본 발명의 목적은 HEMT를 구성하는 SI-GaN층을 이용하여 SAW 필터를 구현하여 증폭기와 필터를 단일 웨이퍼 상에 집적화 할 수 있는 구조를 형성함으로써 증폭기와 필터를 따로 제작해서 집적회로를 구현하는 하이브리드 방식보다 우수한 성능의 RF IC를 제작할 수 있는 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는데 있다.
도 1(a) 내지 도 1(d)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반절연성 GaN층과 AlxGa1-xN층의 이종접합을 이용한 HEMT 소자와 반절연성 GaN층을 이용한 SAW 필터 소자를 집적시킨 반도체 소자의 제조 방법을 설명하기 위해 순서적으로 도시한 소자의 단면도.
도 2(a) 내지 도 2(e)는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반절연성 GaN층과 AlxGa1-xN층의 이종접합을 이용한 HEMT 소자와 반절연성 GaN층을 이용한 SAW 필터 소자를 집적시킨 반도체 소자의 제조 방법을 설명하기 위해 순서적으로 도시한 소자의 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
11 및 21 : 반도체 기판12 및 22 : 반절연성 GaN층
13 및 23 : AlxGa1-xN층14a 및 14b : FET 전극
15 및 26 : SAW 필터 전극16 및 27 : 트렌치
24 : GaN층25a 및 25b : FET 전극
본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 반도체 기판 상부에 반절연성 GaN층 및 AlxGa1-xN층을 적층하여 HEMT 소자를 제작하는 단계와, 상기 AlxGa1-xN층의 소정 영역을 식각한 후 상기 AlxGa1-xN층 상부의 소정 영역에 전극을 형성하여 FET 소자를 제작하는 단계와, 상기 AlxGa1-xN층의 소정 영역을 식각하여 노출된 반절연성 GaN층 상부의 소정 영역에 전극을 형성하여 SAW 필터를 제작하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 반도체 기판 상부에 반절연성 GaN층 및 AlxGa1-xN층을 적층하여 HEMT 소자를 제작하는 단계와, 상기 AlxGa1-xN층의 소정 영역을 식각한 후 상기 AlxGa1-xN층이 식각된 부분에 GaN층을 형성하여 표면을 평탄화시키는 단계와, 상기 AlxGa1-xN층 상부의 소정 영역에 전극을 형성하여 FET 소자를 제작하는 단계와, 상기 GaN층 상부의 소정 영역에 전극을 형성하여 SAW 필터를 제작하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또다른 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 반도체 기판 상부에 제 1 반절연성 GaN층 및 AlxGa1-xN층을 적층하여 HEMT 소자를 제작하는 단계와, 상기 AlxGa1-xN층의 소정 영역을 식각한 후 상기 AlxGa1-xN층이 식각된 부분에 제 2 반절연성 GaN층을 형성하여 표면을 평탄화시키는 단계와, 상기 AlxGa1-xN 상부의 소정 영역에 전극을 형성하여 FET 소자를 제작하는 단계와, 상기 제 2 반절연성 GaN층 상부의 소정 영역에 전극을 형성하여 SAW 필터를 제작하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써 본 발명을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한, 도면상에서 동일 부호는 동일 요소를 지칭한다.
도 1(a) 내지 도 1(d)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 SI-GaN층과 AlxGa1-xN층의 이종접합을 이용한 HEMT 소자와 SI-GaN층을 이용하여 SAW 필터를 집적한 반도체 소자의 제조 방법을 설명하기 위해 순서적으로 도시한 소자의 단면도이다.
도 1(a)를 참조하면, 반도체 기판(11) 상부에 SI-GaN층(12)을 형성한 후 AlxGa1-xN층(13)을 형성한다. 이에 의해 2차원 전자가스(2 Dimensional Electron Gas)가 형성되어 HEMT가 구성된다. 여기서, 반도체 기판(11)은 사파이어 기판, 실리콘 기판, 산화 아연(ZnC) 기판 및 SiC 기판을 포함한다. 그리고, SI-GaN층(12) 및 AlxGa1-xN층(13)은 MOCVD 방법, MBE 방법 또는 HVPE 방법을 이용하여 형성한다.
도 1(b)는 AlxGa1-xN층(13)의 소정 영역을 식각한 후 그 상부의 소정 영역에 제 1 및 제 2 전극(14a 및 14b)을 형성하여 FET 소자를 제작한 상태의 단면도이다. 이때, 과도 식각을 실시하여 SI-GaN층(12)의 일부가 식각되도록 한다. 그리고, FET 소자의 제 1 전극(14a) 및 제 2 전극(14b)은 각각 다른 금속을 이용하여 형성한다.
도 1(c)는 SI-GaN층(12)의 상부의 소정 영역에 전극(15)을 형성하여 SAW 필터를 제작한 상태의 단면도이다.
도 1(d)는 FET와 필터의 분리를 위하여 SI-GaN층(12)을 식각하여 트렌치(16)를 형성한 상태의 단면도이다.
도 2(a) 내지 도 2(e)는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 SI-GaN층과 AlxGa1-xN층의 이종접합을 이용한 HEMT 소자와 GaN 또는 SI-GaN층을 재성장한 후 SAW 필터를 제작하여 집적하는 반도체 소자의 제조 방법을 설명하기 위해 순서적으로 도시한 소자의 단면도이다.
도 2(a)를 참조하면, 반도체 기판(21) 상부에 SI-GaN층(22)을 형성한 후 AlxGa1-xN층(23)을 형성한다. 이에 의해 2차원 전자가스(2 Dimensional Electron Gas)가 형성되어 HEMT가 구성된다. 여기서, 반도체 기판(11)은 사파이어 기판, 실리콘 기판, 산화 아연(ZnC) 기판 및 SiC 기판을 포함한다. 그리고, SI-GaN층(22) 및 AlGaN층(23)은 MOCVD 방법, MBE 방법 또는 HVPE 방법을 이용하여 형성한다.
도 2(b)는 AlxGa1-xN층(23)의 소정 영역을 식각한 후 식각된 AlxGa1-xN층(23)의 부분에 GaN층(24)을 형성하여 표면을 평탄화시킨다. 여기서, AlxGa1-xN층(23)은 과도 식각을 실시하여 SI-GaN층(22)의 일부가 식각되도록 한다. 그리고, GaN층(24) 대신에 SI-GaN층을 형성할 수도 있는데, GaN층(24) 또는 SI-GaN층은 MOCVD 방법으로 형성한다.
도 2(c)는 AlxGa1-xN층(23) 상부의 소정 영역에 제 1 및 제 2 전극(25a 및 25b)을 형성하여 FET 소자를 제작한 상태의 단면도이다. 여기서, FET 소자의 제 1 전극(25a) 및 제 2 전극(25b)은 각각 다른 금속을 이용하여 형성한다.
도 2(d)는 GaN층(24) 상부의 소정 영역에 전극(26)을 형성하여 SAW 필터를 제작한 상태의 단면도이다.
도 2(e)는 FET와 필터의 분리를 위하여 SI-GaN층(22)을 식각하여 트렌치(27)를 형성한 상태의 단면도이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 FET와 SAW 필터의 집적화는 SI-GaN층과 AlxGa1-xN이 적층된 FET 구조에서 필수적인 SI-GaN층을 이용하여 SAW 필터를 구현함으로써 단일 웨이퍼 상에 증폭기와 필터를 동시에 집적화 할 수 있어 RF IC를 구현할 수 있다.
Claims (8)
- 반도체 기판 상부에 반절연성 GaN층 및 AlxGa1-xN층을 적층하여 HEMT 소자를 제작하는 단계;상기 AlxGa1-xN층의 소정 영역을 식각한 후 상기 AlxGa1-xN층 상부의 소정 영역에 전극을 형성하여 FET 소자를 제작하는 단계; 및상기 AlxGa1-xN층의 소정 영역을 식각하여 노출된 반절연성 GaN층 상부의 소정 영역에 전극을 형성하여 SAW 필터를 제작하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 반도체 기판 상부에 반절연성 GaN층 및 AlGaN층을 적층하여 HEMT 소자를 제작하는 단계;상기 AlxGa1-xN층의 소정 영역을 식각한 후 상기 AlxGa1-xN층이 식각된 부분에 GaN층을 형성하여 표면을 평탄화시키는 단계;상기 AlxGa1-xN층 상부의 소정 영역에 전극을 형성하여 FET 소자를 제작하는 단계; 및상기 GaN층 상부의 소정 영역에 전극을 형성하여 SAW 필터를 제작하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 반도체 기판은 사파이어 기판, 실리콘 기판, 산화 아연(ZnC) 기판 및 SiC 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 반절연성 GaN층 및 AlxGa1-xN층은 MOCVD 방법, MBE 방법 또는 HVPE 방법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반절연성 GaN층의 소정 영역을 식각하여 상기 FET와 SAW 필터의 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 GaN층은 MOCVD 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 GaN층의 소정 영역을 식각하여 상기 FET와 SAW 필터의 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 반도체 기판 상부에 제 1 반절연성 GaN층 및 AlxGa1-xN층을 적층하여 HEMT 소자를 제작하는 단계;상기 AlxGa1-xN층의 소정 영역을 식각한 후 상기 AlxGa1-xN층이 식각된 부분에 제 2 반절연성 GaN층을 형성하여 표면을 평탄화시키는 단계;상기 AlxGa1-xN층 상부의 소정 영역에 전극을 형성하여 FET 소자를 제작하는 단계; 및상기 제 2 반절연성 GaN층 상부의 소정 영역에 전극을 형성하여 SAW 필터를 제작하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0074420A KR100466543B1 (ko) | 2002-11-27 | 2002-11-27 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0074420A KR100466543B1 (ko) | 2002-11-27 | 2002-11-27 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040046479A true KR20040046479A (ko) | 2004-06-05 |
| KR100466543B1 KR100466543B1 (ko) | 2005-01-15 |
Family
ID=37342017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0074420A KR100466543B1 (ko) | 2002-11-27 | 2002-11-27 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100466543B1 (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100742050B1 (ko) * | 2005-05-31 | 2007-07-23 | 산요덴키가부시키가이샤 | 화합물 반도체 장치 |
| US7294540B2 (en) | 2004-09-24 | 2007-11-13 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method for manufacturing a nitride based semiconductor device |
| CN110896049A (zh) * | 2018-09-13 | 2020-03-20 | Imec 非营利协会 | 在Si基材上集成III-V器件 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0722848A (ja) * | 1993-06-22 | 1995-01-24 | Nippon Steel Corp | 高周波回路素子 |
| JP3439111B2 (ja) * | 1998-03-09 | 2003-08-25 | 古河電気工業株式会社 | 高移動度トランジスタ |
| JP3369464B2 (ja) * | 1998-03-19 | 2003-01-20 | 日本電信電話株式会社 | 半導体装置 |
| KR100388011B1 (ko) * | 2000-01-17 | 2003-06-18 | 삼성전기주식회사 | ＧａＮ박막 ＳＡＷ필터 및 이를 제조하는 방법 |
| JP2001284576A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Toshiba Corp | 高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 |
-
2002
- 2002-11-27 KR KR10-2002-0074420A patent/KR100466543B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7294540B2 (en) | 2004-09-24 | 2007-11-13 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method for manufacturing a nitride based semiconductor device |
| KR100742050B1 (ko) * | 2005-05-31 | 2007-07-23 | 산요덴키가부시키가이샤 | 화합물 반도체 장치 |
| CN110896049A (zh) * | 2018-09-13 | 2020-03-20 | Imec 非营利协会 | 在Si基材上集成III-V器件 |
| CN110896049B (zh) * | 2018-09-13 | 2024-04-26 | Imec非营利协会 | 在Si基材上集成III-V器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100466543B1 (ko) | 2005-01-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101645740B1 (ko) | 집적 질화물 및 탄화 규소계 소자들 및 집적 질화물계 소자들의 제조 방법 | |
| US6982204B2 (en) | Nitride-based transistors and methods of fabrication thereof using non-etched contact recesses | |
| EP1779437B1 (en) | Nitride-based transistors having laterally grown active region and methods of fabricating same | |
| US8551821B2 (en) | Enhancement normally off nitride semiconductor device manufacturing the same | |
| US11742418B2 (en) | Semiconductor device | |
| US9306049B2 (en) | Hetero junction field effect transistor and method for manufacturing the same | |
| US9082817B2 (en) | Growth of multi-layer group III-nitride buffers on large-area silicon substrates and other substrates | |
| US8937002B2 (en) | Nitride electronic device and method for manufacturing the same | |
| WO2002021601A1 (fr) | Dispositif a semi-conducteur | |
| JP5468286B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| WO2005119787A1 (en) | Methods of fabricating nitride-based transistors having regrown ohmic contact regions and nitride-based transistors having regrown ohmic contact regions | |
| CN102637735B (zh) | 化合物半导体器件及其制造方法 | |
| CN109860288A (zh) | 半导体装置 | |
| JP2011040597A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| CN112216739B (zh) | 低热阻硅基氮化镓微波毫米波器件材料结构及制备方法 | |
| JP5468287B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR20190027700A (ko) | 전계효과 트랜지스터 | |
| TWI523148B (zh) | 提升高電子遷移率電晶體元件崩潰電壓的方法 | |
| KR100466543B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| JP2010062321A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| WO2020004198A1 (ja) | 半導体装置及び高周波モジュール | |
| US20240347629A1 (en) | High-power component based on iii nitride compound semiconductors, intermediate product and process for production of a high-power component | |
| CN114883192A (zh) | 绝缘衬底上硅与iii-v族器件的单片异质集成结构及制备方法 | |
| CN112133632A (zh) | 减少高电子迁移率晶体管hemt应力的方法及hemt | |
| CN116762177A (zh) | 半导体结构及其制备方法、电子设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110104 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |