JP2010062321A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10と、基板10上に配置された窒化物系化合物半導体層12、窒化物系化合物半導体層12に配置され、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)14からなる活性領域と、活性領域を互いに素子分離する素子分離領域24と、素子分離領域24によって囲まれた活性領域上に配置されたゲート電極20、ソース電極18およびドレイン電極26と、ゲート電極20下の一部をエッチングした溝部28a,28bとを備える半導体装置およびその製造方法。
【選択図】図1
Description
(素子構造)
本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成は、図1に示すように表される。また、図1のI−I線に沿う模式的断面構造は、図2に示すように表され、図1のII−II線に沿う模式的断面構造は、図3に示すように表される。
第1の実施の形態に係る半導体装置と従来例に係る半導体装置の電流変化量Idss/Idss0の比較結果を、横軸を時間として、図4に示す。図4において、電流変化量Idss/Idss0は、初期状態のドレイン・ソース間の飽和電流値Idss0に対する飽和電流値Idssの比を表している。ここで、比較対照とする従来例とは、第1の実施の形態に係る半導体装置と同様に、素子分離領域24をイオン注入で形成すると共に、溝部28a,28bを形成しない完全なプレーナ構造の場合に相当する。
第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、基板10上に窒化物系化合物半導体層12を形成する工程と、窒化物系化合物半導体層12上に、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)14からなる活性領域AAを形成する工程と、活性領域AAを互いに素子分離する素子分離領域24を形成する工程と、ゲート電極20の配置予定部分の一部をエッチングして、溝部28a,28bを形成する工程と、素子分離領域24によって囲まれた活性領域AA上にゲート電極20、ソース電極18およびドレイン電極26を形成する工程とを有する。
(素子構造)
第2の実施の形態に係る半導体装置の全体的な模式的平面パターン構成は、図5に示すように表される。また、図5のA部分の拡大図は、図6に示すように表される。基本的な素子断面構造は、第1の実施の形態において示された図2〜図3と同様であるため、各層の説明は省略する。
第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、基板上に窒化物系化合物半導体層を形成する工程と、窒化物系化合物半導体層上に、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)からなる活性領域を形成する工程と、活性領域を互いに素子分離する素子分離領域を形成する工程と、複数のフィンガーを有するゲート電極の配置予定部分の一部をエッチングして、溝部を形成する工程と、素子分離領域によって囲まれた活性領域の第1表面上に、それぞれ複数のフィンガーを有するゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、基板の第1表面上に、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極、ソース端子電極およびドレイン端子電極を形成する工程とを有する。
第2の実施の形態の変形例に係る半導体装置の模式的平面パターン構成は、図7に示すように表される。
上記のように、本発明は第1〜第2の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
12…窒化物系化合物半導体層(GaN層)
14…アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)
18…ソース電極
18a…ソースコンタクト
20…ゲート電極
21…ゲート端子電極
22…絶縁層
24,25…素子分離領域
26…ドレイン電極
26a…ドレインコンタクト
28a,28b…溝部
200…ソース端子電極
220…ドレイン端子電極
240…ゲート端子電極
260…VIAホール
AA…活性領域
Claims (21)
- 基板と、
前記基板上に配置された窒化物系化合物半導体層と、
前記窒化物系化合物半導体層上に配置され、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)からなる活性領域と、
前記活性領域を互いに素子分離する素子分離領域と、
ゲート電極の配置予定分の一部にエッチングにより形成した溝部と、
前記素子分離領域によって囲まれた前記活性領域上に配置されたゲート電極、ソース電極およびドレイン電極と
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記素子分離領域は、前記アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)および前記窒化物系化合物半導体層の深さ方向の一部まで形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記溝部は、前記ゲート電極の先端部において、前記ゲート電極の近傍の前記活性領域の一部を含んで形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極に接続され、前記素子分離領域上に配置されたゲート端子電極をさらに備え、前記溝部は、前記ゲート電極と前記ゲート端子電極との間の活性領域の一部を含んで形成されたことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記素子分離領域は、イオン注入により形成されたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 基板と、
前記基板上に配置された窒化物系化合物半導体層と、
前記窒化物系化合物半導体層上に配置され、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)からなる活性領域と、
前記活性領域を互いに素子分離する素子分離領域と、
複数のフィンガーを有するゲート電極の配置予定分の一部にエッチングにより形成した溝部と、
前記素子分離領域によって囲まれた前記活性領域の第1表面上に配置され、それぞれ複数のフィンガーを有するゲート電極、ソース電極およびドレイン電極と、
前記基板の前記第1表面上に配置され、前記ゲート電極、前記ソース電極および前記ドレイン電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極、ソース端子電極およびドレイン端子電極と
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記素子分離領域は、前記アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)および前記窒化物系化合物半導体層の深さ方向の一部まで形成されたことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 前記溝部は、前記複数のフィンガーを有する前記ゲート電極の先端部において、前記ゲート電極の近傍の前記活性領域を含んで形成されたことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 前記溝部は、前記複数のフィンガーを有する前記ゲート電極の先端部において、前記ゲート電極の近傍の前記活性領域を含んで、前記複数のフィンガー電極の配列方向に平行なストライプ状に形成されたことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 前記溝部は、前記ゲート電極と前記ゲート端子電極との間の活性領域を含んで形成されたことを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置。
- 前記素子分離領域は、イオン注入により形成されたことを特徴とする請求項6〜10のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 基板上に窒化物系化合物半導体層を形成する工程と、
前記窒化物系化合物半導体層上に、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)からなる活性領域を形成する工程と、
前記活性領域を互いに素子分離する素子分離領域を形成する工程と、
ゲート電極の配置予定部分の一部をエッチングして、溝部を形成する工程と、
前記素子分離領域によって囲まれた前記活性領域上にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記素子分離領域を形成する工程において、前記素子分離領域は、前記アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)および前記窒化物系化合物半導体層の深さ方向の一部まで形成することを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記溝部を形成する工程において、前記溝部は、前記ゲート電極の先端部において、前記ゲート電極の近傍の前記活性領域の一部を含んで形成することを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ゲート電極に接続され、前記素子分離領域上にゲート端子電極を形成する工程をさらに有し、前記溝部は、前記ゲート電極と前記ゲート端子電極との間の前記活性領域の一部を含んで形成することを特徴とする請求項12または13に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記素子分離領域を形成する工程において、前記素子分離領域は、イオン注入により形成することを特徴とする請求項12〜15のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板上に窒化物系化合物半導体層を形成する工程と、
前記窒化物系化合物半導体層上に、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)からなる活性領域を形成する工程と、
前記活性領域を互いに素子分離する素子分離領域を形成する工程と、
複数のフィンガーを有するゲート電極の配置予定部分の一部をエッチングして、溝部を形成する工程と、
前記素子分離領域によって囲まれた前記活性領域の第1表面上に、それぞれ複数のフィンガーを有するゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、
前記基板の前記第1表面上に、前記ゲート電極、前記ソース電極および前記ドレイン電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極、ソース端子電極およびドレイン端子電極を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記素子分離領域を形成する工程において、前記素子分離領域は、前記アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)および前記窒化物系化合物半導体層の深さ方向の一部まで形成することを特徴とする請求項17に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記溝部を形成する工程において、前記溝部は、前記複数のフィンガーを有する前記ゲート電極の先端部において、前記ゲート電極の近傍の前記活性領域の一部を含んで形成することを特徴とする請求項17に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記溝部を形成する工程において、前記溝部は、前記複数のフィンガーを有する前記ゲート電極の先端部において、前記ゲート電極の近傍の前記活性領域の一部を含んで、前記複数のフィンガー電極の配列方向に平行なストライプ状に形成することを特徴とする請求項17に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記素子分離領域を形成する工程において、前記素子分離領域は、イオン注入により形成することを特徴とする請求項17〜20のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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