KR20040018918A - 와이어본딩 방법, 와이어본딩 장치 및 와이어본딩 프로그램 - Google Patents

와이어본딩 방법, 와이어본딩 장치 및 와이어본딩 프로그램 Download PDF

Info

Publication number
KR20040018918A
KR20040018918A KR1020030054546A KR20030054546A KR20040018918A KR 20040018918 A KR20040018918 A KR 20040018918A KR 1020030054546 A KR1020030054546 A KR 1020030054546A KR 20030054546 A KR20030054546 A KR 20030054546A KR 20040018918 A KR20040018918 A KR 20040018918A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wire
capillary
bonding point
bonding
loop
Prior art date
Application number
KR1020030054546A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100559797B1 (ko
Inventor
모치다도오루
Original Assignee
가부시키가이샤 신가와
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 신가와 filed Critical 가부시키가이샤 신가와
Publication of KR20040018918A publication Critical patent/KR20040018918A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100559797B1 publication Critical patent/KR100559797B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004Wire welding
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004Wire welding
    • B23K20/005Capillary welding
    • B23K20/007Ball bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48095Kinked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48471Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area being a ball bond, i.e. wedge-to-ball, reverse stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/787Means for aligning
    • H01L2224/78743Suction holding means
    • H01L2224/78744Suction holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512Aligning
    • H01L2224/85148Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518Translational movements
    • H01L2224/85181Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512Aligning
    • H01L2224/85148Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518Translational movements
    • H01L2224/85186Translational movements connecting first outside the semiconductor or solid-state body, i.e. off-chip, reverse stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/207Diameter ranges
    • H01L2924/20752Diameter ranges larger or equal to 20 microns less than 30 microns

Abstract

와이어본딩에서, 와이어 루프가 본딩 대상과 접촉하는 것을 방지하는 것에 있다.
제 1 본딩점(20)에 네크 부분을 형성((a), (b), (c))후, 제 1 소정량 길이의 와이어를 풀어 내면서 캐필러리(14)를 네크 부분으로부터 상승시키고(d), 제 2 본딩점(21)을 향하는 방향으로 캐필러리(14)를 이동시켜서 제 1 변형부여 부분(78)을 형성한다(e). 캐필러리(14)를 하강켜서 제 2 소정량 길이의 와이어를 캐필러리(14)에 흡입시키고(f), 제 2 본딩점(21)과 반대측을 향하는 방향으로 캐필러리(14)를 이동시켜서 제 2 변형부여 부분(76)을 형성한다(g). 캐필러리(14)를 상승시켜서 제 1 변형부여 부분(78)이 캐필러리 선단에 위치할 때까지 와이어를 풀어 내고 그 상태에서 와이어를 유지하고(h), 캐필러리(14)를 제 2 본딩점(21)까지 이동시켜 와이어 루프를 형성한다(i).

Description

와이어본딩 방법, 와이어본딩 장치 및 와이어본딩 프로그램{Wire Bonding Method, Wire Bonding Apparatus and Wire Bonding Program}
본 발명은, 와이어본딩 방법, 와이어본딩 장치 및 와이어본딩 프로그램에 관계되는 것이며, 특히 제 1 본딩점과 제 2 본딩점 사이의 와이어 루프 형성을 제어하는 와이어본딩 방법, 와이어본딩 장치 및 와이어본딩 프로그램에 관한 것이다.
와이어본딩 장치는, 예를 들면, LSI 등의 반도체 칩에서의 입출력 단자 등의 제 1 본딩점과, 반도체 칩이 탑재되는 회로기판의 단자의 제 2 본딩점 사이를 가는 금속 와이어로 접속하는 장치이다. 이 경우에, 제 1 본딩점과 제 1 본딩점 사이가 적절한 형상의 와이어 루프로 접속되는 것이 바람직하다. 즉, 와이어 루프의 높이가 지나치게 높으면 패키지 등의 크기가 커지고, 와이어의 늘어짐이 생기기 쉽다. 와이어 루프가 지나치게 낮으면, 반도체 칩이나 배선 패턴에 와이어가 접촉할 우려가 있다. 그래서, 적절한 와이어 루프를 형성하기 위해서, 와이어본딩 장치의 동작의 제어가 행해진다.
도 4는 종래기술의 와이어 루프 형성 방법의 순서를 도시하는 도면이다. 도면에서, 와이어(12)는, 도시되어 있지 않은 와이어 스풀로부터 캐필러리(14)에 공급된다. 그 때, 에어 텐션에 의해 적당한 장력을 부여할 수 있다. 캐필러리(14)는 통형상의 부재이며, 와이어(12)는 그 중공부분에 삽입 통과되고, 와이어 클램퍼(16)에 의해 유지된다. 와이어 클램퍼(16)는, 와이어를 끼워 지지 또는 개방할 수 있는 부재로, 캐필러리(14)와 함께 이동한다. 본딩 대상(18, 19)은 도시되어 있지 않은 재물대에 유지된다. 본딩 대상(18)의 제 1 본딩점(20)과, 본딩 대상(19)의 제 2 본딩점(21)사이에 와이어 루프를 형성하는데는, 이하에 설명하는 도 4(a)부터 (g)의 공정에 의해, 재물대에 유지된 본딩 대상에 대하여 캐필러리(14)를 상대적으로 이동시켜, 와이어(12)에 필요한 변형이 부여된다.
도 4(a)는, 본딩 대상(18)에 와이어(12)를 접속하는 공정으로, 와이어 클램퍼(16)를 개방 상태로 해서 캐필러리(14)를 하강시키고, 와이어 선단에 미리 형성된 볼을 제 1 본딩점(20)에 본딩한다. 다음에 (b), (c), (d)의 순서로 도시하는 바와 같이, 캐필러리(14)를 조금 상승시키고, 제 2 본딩점을 향하는 방향과 역방향으로 수평이동시키고, 그 후 상승시킨다. 이것으로 와이어(12)에 변형부여 부분(癖付部分; 22, 24)이 형성된다. 변형부여 부분(22)이 있는 이유는, 와이어 선단에 볼을 형성할 때에 와이어가 경화하고, 제 1 본딩점(20)로부터 어떤 범위의 부분은 구부리기 어렵기 때문이다. 또한, 제 1 본딩점(20)로부터 변형부여 부분(22, 24)에 이르는 부분은, 와이어 루프를 형성했을 때에, 제 1 본딩점 근방에서 와이어(12)를 세우는 네크 부분이라 불리는 부분에 해당한다.
(d)에서 캐필러리(14)를 상승시킨 후, (e)에 도시하는 바와 같이, 제 2 본딩점을 향하는 방향과 역방향으로 수평 이동시킨다. 이 것으로 변형부여 부분(26)이 형성된다. 다음에, (f)에 도시하는 바와 같이, 캐필러리(14)를 상승시키면서 제 1 본딩점(20)의 상방에 오도록 수평방향으로도 이동시킨다. 이에 의해 변형부여 부분(28)이 형성된다. 이 때의 캐필러리의 상승량은, 제 1 본딩점(20)으로부터 변형부여 부분(28)까지의 사이에 캐필러리(14)로부터 풀어 내어진 와이어(12)의 길이가, 제 1 본딩점(20)으로부터 제 2 본딩점(21)으로의 와이어 루프의 길이에 상당하도록 하여 정해진다.
(f)에서, 캐필러리(14)가 소정의 높이까지 상승하고, 변형부여 부분(28)을 형성하면, 와이어 클램퍼(16)가 와이어(12)를 끼워 지지한다. 즉, 캐필러리(14)가 이동해도 와이어(12)의 풀어 내기가 행해지지 않게 된다. 이 상태에서 캐필러리(14)를, (g)에 도시하는 바와 같이 원호운동 또는 원호운동후의 하강에 의해, 본딩 대상(19)의 제 2 본딩점(21)까지 이동시킨다. 이 때 제 2 본딩점(21)에는 와이어(12)의 변형부여 부분(28)이 위치하고, 그곳에서 본딩이 행해진다.
이렇게 하여, 제 1 본딩점(20)과 제 2 본딩점(21)사이에, 변형부여 부분(22, 24, 26)을 갖는 와이어 루프(30)가 형성된다. 그러나, 변형부여 부분(28)의 변형이 약한 것과, 와이어 루프(30)의 높이를 어느정도 확보하는데는 변형부여 부분(26)과 변형부여 부분(28)의 간격을 길게 할 필요가 있으므로, 제 2본딩점(21)에서 와이어 루프(30)가 늘어지는 경향이 있다.
도 5는, 다른 종래기술의 와이어 루프 형성 방법에 대해서 그 순서를 도시하는 도면으로, 도 4에 비해, 제 2 본딩점 근방에서 와이어 루프에 기립부를 갖게 할 수 있다. 도면에서, (a)부터 (c)의 공정은 도 4와 동일하게, 소위 네크 부분을 형성하는 공정이다.
(c)에서 캐필러리(14)를 제 2 본딩점을 향하는 방향과 역방향으로 수평 이동시킨 후, (d)에서 상승시키는 양은, 도 4에 비해 많이 잡는다. 그리고 (e)에 도시하는 바와 같이 캐필러리(14)를 제 2 본딩점을 향하는 방향과 역방향으로 수평 이동시키는 양도 도 4에 비해 많이 잡는다. 따라서, 여기에서 형성되는 변형부여 부분(36)은, 도 4에서 대응하는 변형부여 부분(26)에 비해, 제 1 본딩점(20)보다 먼 측, 즉, 제 2 본딩점에 보다 접근한 측에 위치하게 된다.
다음에, (f)에 도시하는 바와 같이, 캐필러리(14)를 상승시키면서 제 1 본딩점(20)의 상방에 오도록 수평방향으로도 이동시킨다. 이 것으로 변형부여 부분(38)이 형성된다. 이 때의 캐필러리의 상승량은, 제 1 본딩점(20)으로부터 변형부여 부분(38)까지의 사이에 캐필러리(14)로부터 풀어 내진 와이어(12)의 길이가, 제 1 본딩점(20)으로부터 제 2 본딩점(21)으로의 와이어 루프의 길이에 상당하도록 하여 정해진다. 공정(d)에서, 상당한 와이어를 풀어 내고 있으므로, 공정(f)에서의 상승량은 적다. 따라서 변형부여 부분(36)과 변형부여 부분(38) 사이는 짧고, 그 사이의 와이어의 형상은 도면에 도시하는 바와 같이 원호 형상으로 된다.
(f)에서, 캐필러리(14)가 소정의 높이까지 상승하고, 변형부여 부분(38)을형성하면, 와이어 클램퍼(16)가 와이어(12)를 끼워 지지하여, 와이어의 풀어 내기를 멈춘다. 이 상태에서 캐필러리(14)를, (g)에 도시하는 바와 같이 원호운동 또는 원호운동후의 하강에 의해, 본딩 대상(19)의 제 2 본딩점(21)까지 이동시킨다. 이 때 제 2 본딩점(21)에는 와이어(12)의 변형부여 부분(38)이 위치하고, 그곳에서 본딩이 행해진다.
이렇게 하여, 제 1 본딩점(20)과 제 2 본딩점(21) 사이에, 변형부여 부분(22, 24, 36)을 갖는 와이어 루프(40)가 형성된다. 이 경우, 변형부여 부분(36)을 제 2 본딩점(21)에 근접시키고, 또한, 변형부여 부분(36)과 변형부여 부분(38) 사이의 형상이 원호 형상이므로, 도 4에 비해, 제 2 본딩점 근방에서 와이어 루프에 기립부를 갖게 할 수 있다.
(특허문헌 1)
일본 특개소 63-42135호 공보(제 2 페이지, 제 1 도, 제 2 도)
(특허문헌 2)
일본 특개평 4-318943호 공보(제 3-4 페이지, 제 2 도)
(특허문헌 3)
일본 특개평 10-189641호 공보(제 2-4 페이지, 제 1-7 도)
그러나, 종래의 와이어 루프 형성 방법에서는, 제 2 본딩점에서의 변형부여 부분의 변형이 약하여, 와이어 루프의 제 2 본딩점에서의 기립 부분이 약간 늘어지는 경향이 있어서, 본딩 대상에 접촉할 우려가 있다. 제 2 본딩점이 회로기판 등의 본딩 리드일 때는, 제 2 본딩점 근방에서 와이어 루프가 늘어져도, 본딩하고자 하는 본딩 리드에 접촉하는 것 만으로 문제가 적다. 이에 반해, 제 2 본딩점이 LSI 등의 소자상의 경우나, 와이어 루프를 극히 낮게 한 소형 또는 박형 패키지의 경우에는, 제 2 본딩점 근방의 와이어 루프의 늘어짐이 예기하지 않은 단락으로 이어질 우려가 있다.
또, 캐필러리가 와이어를 유지해도 원호 운동등으로 제 2 본딩점으로 이동할 때에 와이어 루프의 늘어진 부분이 본딩 대상에 접촉하면, 그 반동으로 와이어 루프의 형상이 변형될 위험이 있다. 또, 제 2 본딩점 근방에서 와이어 루프가 쓰러질 가능성이 있고, 더욱이, 캐필러리의 중공부내에 와이어 루프의 일부가 밀려 들어갈 우려도 있다.
또, 제 2 본딩점에 대응하는 변형부여 부분(도 4의 28, 도 5의 38)까지 와이어를 풀어 낼 때에, 캐필러리를 소정의 높이에서 멈추고, 와이어 클램프에 의해 와이어의 풀어 내기를 멈추어 그곳을 변형부여 부분으로 하므로, 와이어 루프의 전체 길이 및 제 2 본딩점 근방의 기립 부분의 길이가 안정하지 않다. 왜냐하면, 캐필러리의 중공부와 와이어 사이에 마찰이 있고, 또, 와이어에 적절한 장력을 주는 에어 텐션에도 불균일한 격차가 있고, 캐필러리를 소정의 높이에서 멈추어도, 와이어의 풀어 내기량이 일정하지 않기 때문이다.
이와 같이, 종래기술의 와이어 루프 형성 방법에서는, 와이어 루프가 본딩 대상과 접촉할 우려가 있어, 와이어 루프의 높이나 형상을 안정하게 형성할 수 없었다.
본 발명의 목적은, 이러한 종래기술의 과제를 해결하고, 와이어 루프가 본딩 대상과 접촉하는 것을 방지하는 와이어본딩 방법, 와이어본딩 장치 및 와이어본딩 프로그램을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은, 와이어 루프의 형상을 안정하게 형성할 수 있는 와이어본딩 방법, 와이어본딩 장치 및 와이어본딩 프로그램을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명에 관계되는 실시형태에서의 와이어본딩 장치의 블록도이다.
도 2는 본 발명에 관계되는 실시형태에 있어서의 와이어 루프 형성 제어의 상황을 도시하는 도이다.
도 3은 본 발명에 관계되는 실시형태에서의 와이어본딩 장치를 사용하여, 본딩 대상에 와이어본딩을 실시한 예를 도시하는 도면이다.
도 4는 종래기술인 와이어 루프 형성 방법의 순서를 도시하는 도면이다.
도 5는 다른 종래기술의 와이어 루프 형성 방법에 대하여 그 순서를 도시하는 도면이다.
(부호의 설명)
11: 와이어 스풀12: 와이어
13: 캐필러리부14: 캐필러리
16: 와이어 클램퍼17: 재물대
18, 19: 본딩 대상
20: 제 1 본딩점21: 제 2 본딩점
22, 24, 26, 28, 36, 38: 변형부여 부분
30, 40, 80: 와이어 루프
50: 와이어본딩 장치
52: 캐필러리 이동기구
54: 재물대 이동기구
56: 제어장치60: 네크 부분 형성 처리부
62: 제 1 변형부여 처리부64: 제 2 변형부여 처리부
66: 루프 형성 처리부76: 제 1 변형부여 부분
78: 제 2 변형부여 부분
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 관계되는 와이어본딩 방법은, 와이어를 삽입 통과시키고 유지하는 캐필러리를 본딩 대상에 대하여 상대적으로 이동시켜서 와이어를 변형하고, 제 1 본딩점과 제 2 본딩점을 와이어 루프로 접속하는 와이어본딩 방법으로서, 제 1 본딩점에 와이어를 접속후, 제 1 본딩점에서 와이어를 기립시키는 네크 부분 형성 공정과, 상기 와이어 루프의 전장으로부터 상기 네크 부분을 뺀 길이에 상당하는 분량의 와이어를 풀어 내면서 상기 캐필러리를 상기 네크 부분으로부터 상승시키고, 이어서 제 2 본딩점을 향하는 방향으로 상기 캐필러리를 이동시킴으로써 제 2 본딩점에서의 와이어의 제 1 변형부여 부분을 형성하는 제 1 변형부여 공정과, 상기 캐필러리를 하강시켜서 제 2 본딩점에서의 기립부분의 길이에 상당하는 분량의 와이어를 상기 캐필러리에 흡입되게 하고, 이어서 상기 제 2 본딩점과 반대측을 향하는 방향으로 상기 캐필러리를 이동시킴으로써 제 2 본딩점에서의 와이어의 기립 부분의 정점에서의 제 2 변형부여 부분을 형성하는 제 2 변형부여 공정과, 상기 캐필러리를 상승시켜서 상기 제 1 변형부여 부분이 상기 캐필러리 선단에 위치할 때까지 와이어를 풀어 내고 그 상태에서 와이어를 유지하고,상기 캐필러리를 상기 제 2 본딩점까지 이동시키고, 와이어의 상기 제 1 변형부여 부분에서 제 2 본딩점에 접속하여 와이어 루프를 형성하는 루프 형성 공정, 을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의해, 네크 부분 형성에 이어서 와이어를 소정량 풀어 내어 제 2 본딩점에서의 제 1 변형부여 부분을 미리 형성하고, 그 후에 와이어를 소정량 흡입하여 제 2 변형부여 부분을 형성한다. 따라서, 제 2 본딩점에서의 기립부를 규정하는 제 1 변형부여 부분, 제 2 변형부여 부분이 단단하게 변형되므로, 와이어 루프가 제 2 본딩점 근방에서 늘어져서 본딩 대상과 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 또, 와이어 루프 전체의 형상을 정하는 네크 부분, 제 1 변형부여 부분, 제 2 변형부여 부분의 위치가 일정하므로, 와이어 루프의 형상을 안정하게 형성할 수 있다.
또, 본 발명에 관계되는 와이어본딩 장치는, 와이어를 삽입 통과시키고 유지하는 캐필러리와, 본딩 대상을 유지하는 재물대와, 상기 캐필러리를 상기 재물대에 대하여 상대적으로 이동시키는 이동기구와, 상기 캐필러리의 상대적 이동과 상기 와이어의 유지를 제어하고, 상기 본딩 대상의 제 1 본딩점과 제 2 본딩점 사이에 와이어 루프를 형성하여 접속하는 루프 형성 제어수단을 구비하는 와이어본딩 장치로서 상기 루프 형성 제어수단은 제 1 본딩점에 와이어를 접속후, 제 1 본딩점에서 와이어를 기립시키는 네크 부분 형성 처리 수순과, 상기 와이어 루프의 전장으로부터 상기 네크부분을 뺀 길이에 상당하는 분량의 와이어를 풀어 내면서 상기 캐필러리를 상기 네크 부분으로부터 상승시키고, 이어서 제 2 본딩점을 향하는 방향으로상기 캐필러리를 이동시킴으로써 제 2 본딩점에서의 와이어의 제 1 변형부여 부분을 형성하는 제 1 변형부여 처리 수순과, 상기 캐필러리를 하강시켜서 제 2 본딩점에서의 기립 부분의 길이에 상당하는 분량의 와이어를 상기 캐필러리에 흡입시키고, 이어서 상기 제 2 본딩점과 반대측을 향하는 방향에 상기 캐필러리를 이동시킴으로써 제 2 본딩점에서의 와이어의 기립 부분의 정점에서의 제 2 변형부여 부분을 형성하는 제 2 변형부여 처리 수순과, 상기 캐필러리를 상승시켜서 상기 제 1 변형부여 부분이 상기 캐필러리 선단에 위치할 때까지 와이어를 풀어 내고 그 상태에서 와이어를 유지하고, 상기 캐필러리를 상기 제 2 본딩점까지 이동시키고, 와이어의 상기 제 1 변형부여 부분에서 제 2 본딩점에 접속하여 와이어 루프를 형성하는 루프 형성 처리 수순을 실행하는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명에 관계되는 와이어본딩 프로그램은 와이어를 삽입 통과시키고 유지하는 캐필러리와, 본딩 대상을 유지하는 재물대와, 상기 캐필러리를 상기 재물대에 대하여 상대적으로 이동시키는 이동기구와, 상기 캐필러리의 상대적 이동과 상기 와이어의 유지를 제어하고 상기 본딩 대상의 제 1 본딩점과 제 2 본딩점 사이에 와이어 루프를 형성하여 접속하는 루프 형성 제어수단과, 을 구비하는 와이어본딩 장치의 동작을 제어하는 와이어본딩 프로그램으로서, 상기 루프 형성 제어수단에, 제 1 본딩점에 와이어를 접속후, 제 1 본딩점에서 와이어를 기립시키는 네크 부분 형성 처리 수순과, 상기 와이어 루프의 전장으로부터 상기 네크 부분을 뺀 길이에 상당하는 분량의 와이어를 풀어 내면서 상기 캐필러리를 상기 네크 부분으로부터 상승시키고, 이어서 제 2 본딩점을 향하는 방향에 상기 캐필러리를 이동시킴으로써 제 2 본딩점에서의 와이어의 제 1 변형부여 부분을 형성하는 제 1 변형부여 처리 수순과, 상기 캐필러리를 하강시켜서 제 2 본딩점에서의 기립 부분의 길이에 상당하는 분량의 와이어를 상기 캐필러리에 흡입시키고, 이어서 상기 제 2 본딩점과 반대측을 향하는 방향으로 상기 캐필러리를 이동시킴으로써 제 2 본딩점에서의 와이어의 기립 부분의 정점에서의 제 2 변형부여 부분을 형성하는 제 2 변형부여 처리 수순과, 상기 캐필러리를 상승시켜서 상기 제 1 변형부여 부분이 상기 캐필러리 선단에 위치할 때까지 와이어를 풀어 내고 그 상태에서 와이어를 유지하고, 상기 캐필러리를 상기 제 2 본딩점까지 이동시키고, 와이어의 상기 제 1 변형부여 부분에서 제 2 본딩점에 접속하여 와이어 루프를 형성하는 루프 형성 처리 수순을 실행하는 것을 특징으로 한다.
(발명의 실시형태)
이하에, 도면을 사용하여 본 발명에 관계되는 실시형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 도면에서, 도 4, 도 5와 동일한 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙여, 상세한 설명을 생략한다. 도 1은, 와이어본딩 장치(50)의 블록도이다. 와이어본딩 장치(50)는, 와이어(12)의 공급원인 와이어 스풀(11), 와이어(12)를 삽입 통과시키는 캐필러리(14), 와이어(12)를 끼워 지지 또는 개방하는 와이어 클램퍼(16), 본딩 대상(18, 19)을 유지하는 재물대(17), 캐필러리(14)와 와이어 클램퍼(16)을 일체로 하여 이동시키는 캐필러리 이동기구(52), 재물대(17)를 이동시키는 재물대 이동기구(54)와, 이들 구성 요소의 동작을 제어하는 제어장치(56)를 구비한다.
도면에서, 와이어(12)는, 와이어 스풀(11)로부터 캐필러리(14)에 공급되고, 그 때, 에어 텐션에 의해 적절한 장력을 받는다. 와이어(12)는, 예를 들면 직경이 25 미크론미터인 금선을 사용할 수 있다. 캐필러리(14)는 통형상의 부재이고, 와이어(12)는 그 중공부분에 삽입 통과되어, 와이어 클램퍼(16)에 의해 유지된다. 와이어 클램퍼(16)는, 와이어를 끼워 지지 또는 개방할 수 있는 부재이며, 캐필러리(14)와 함께 이동한다. 이와 같이 캐필러리(14)와 와이어 클램퍼(16)는 협동하여 와이어(12)를 이동시키므로, 이 블록을 예를 들면 광의의 캐필러리 또는 캐필러리부(13)라 부를 수 있다. 이하에 단순히, 캐필러리는 와이어를 삽입 통과시키고 유지하는 것으로서 취급할 때는, 협의의 캐필러리와 와이어 클램퍼를 포함하는 광의의 캐필러리를 가리킨다.
재물대(17)는, 수평방향으로 이동가능한 XY테이블로, 표면에 본딩 대상(18, 19)을 유지하는 지그 등을 배치할 수 있다. 본딩 대상(18, 19)을 재물대(17)의 상면에 고정하는데는 예를 들면 진공 흡착 기술을 사용할 수 있다.
캐필러리 이동기구(52)는, 캐필러리부(13)를 재물대(17)로 접근하는 방향과 재물대(17)로부터 이격하는 방향으로 상대적으로 이동시키는 기구로, 예를 들면 재물대(17)에 대하여 수직인 Z방향으로 캐필러리부(13)를 이동시킬 수 있는 서보 모터를 사용할 수 있다. 재물대 이동기구(54)는, 재물대(17)를 캐필러리부(13)에 대하여 수평방향의 면내에서 상대적으로 이동시키는 기구로, 예를 들면 재물대(17)의 상면에 평행한 면내에서 직교하는 2방향인 X축방향 및 Y축방향에 각각 1대씩의 서보 모터를 사용할 수 있다. 캐필러리 이동기구(52)와 재물대 이동기구(54)를 일체화 하여, 캐필러리부(13)를 재물대(17)에 대하여 XYZ의 3축 방향으로 상대적으로 이동시킬 수 있는 기구로 해도 좋다.
제어장치(56)는, 와이어 루프의 형성 제어에 관한 것이고, 본딩 대상(18)의 제 1 본딩점에서 와이어를 기립시키는 네크 부분의 형성을 제어하는 네크 부분 형성 처리부(60), 본딩 대상(19)의 제 2 본딩점에서의 와이어의 기립 부분의 변형부여를 제어하는 제 1 변형부여 처리부(62)와 제 2 변형부여 처리부(64), 제 2 본딩점을 향해서 와이어를 루프 형상으로 형성하는 제어를 행하는 루프 형성 처리부(66)를 포함한다. 제어장치(56)는, 와이어 클램퍼(16)에서의 와이어의 끼워 지지 또는 개방의 제어, 재물대(17)에서의 본딩 대상(18, 19)의 유지 또는 개방의 제어 등의 기능을 갖는다.
제어장치(56)는, 전자회로의 하드웨어로 구성할 수도 있고, 제어 프로그램을 실행하는 컴퓨터로 구성할 수도 있다. 제어 프로그램은, 예를 들면, 네크 부분 형성 처리의 스텝, 제 1 변형부여 처리의 스텝, 제 2 변형부여 처리의 스텝, 루프 형성 처리의 스텝 등으로 구성할 수 있다. 제어 프로그램은 제어장치(56)에 내장되어도 좋고, 또는, 제어 프로그램을 기록한 컴퓨터에 의해 판독가능한 매체로부터 판독함으로써 제어장치(56)에 탑재되어도 좋다.
이러한 구성의 와이어본딩 장치(50)에서의 와이어 루프 형성 제어의 상황을 도 2에 따라 설명한다. 도면에서 본딩 대상(18)의 제 1 본딩점(20)과, 본딩 대상(19)의 제 2 본딩점(21) 사이에 와이어 루프를 형성하는데는, 이하에 설명하는 도 2(a)로부터 (i)의 공정에 의해, 재물대에 유지된 본딩 대상에 대하여캐필러리(14)를 상대적으로 이동시켜, 와이어(12)에 필요한 변형이 부여된다.
(a)부터 (c)의 공정은, 제 1 본딩 대상(18)의 제 1 본딩점(20)에서 와이어(12)를 기립시키는 네크 부분을 형성하는 공정이다. (a)는 본딩 대상(18)에 와이어(12)를 접속하는 공정으로, 와이어 클램퍼(16)를 개방상태로 하여 캐필러리(14)를 하강시키고, 와이어 선단에 미리 형성된 볼을 제 1 본딩점(20)에 본딩한다. 다음에 (b), (c), (d)의 순서로 도시하는 바와 같이, 캐필러리(14)를 조금 상승시키고, 제 2 본딩점을 향하는 방향과 역방향으로 수평 이동시키고, 그 후 상승시킨다. 이 것으로 와이어(12)에 변형부여 부분(22, 24)이 형성되고, 와이어 루프가 형성되었을 때에, 제 1 본딩점(20)에서의 와이어(12)의 기립부분인 네크 부분이 된다.
(d)는 다음 공정(e)에서 형성되는 제 1 변형부여 부분의 위치를 와이어상에 설정하는 공정이다. (c)에서 네크 부분의 변형부여 부분(24)을 형성한 후, 캐필러리(14)를 변형부여 부분(24)으로부터 제 1 소정량 상승시킨다. 제 1 소정량은 제 1 본딩점(20)으로부터 제 2 본딩점(21)에 걸쳐서 루프를 형성하여 접속되는 와이어 루프의 전장으로부터 네크 부분의 와이어의 길이 분량을 뺀 길이에 상당하는 양이다. 즉, (d)에서의 캐필러리(14)의 가장 높은 위치에서의 캐필러리(14) 선단의 와이어의 위치는 와이어 루프를 형성했을 때의 제 2 본딩점의 위치에 대응한다.
(e)는, 제 2 본딩점에서의 제 1 변형부여 부분을 형성하는 제 1 변형부여 공정이다. (d)에서 제 1 의 소정량 상승시킨 캐필러리(14)를, 제 2 본딩점(21)을 향하는 방향으로 이동시킨다. 이것으로, 와이어 루프를 형성했을 때의 제 2 본딩점의 위치에 와이어가 확실하게 변형부여된다. 이 변형부여된 와이어상의 부분을 제 1 변형부여 부분(78)이라고 부르기로 한다.
(f)는 다음 공정(g)에서 형성되는 제 2 변형부여 부분의 위치를 와이어상에서 설정하는 공정이다. (e)에서 와이어에 제 1 변형부여 부분을 형성한 후, 캐필러리(14)를 제 2 소정량 하강시키면서 제 1 본딩점(20)의 상방에 오도록 수평방향으로도 이동시킨다. 따라서 와이어는 제 2 소정량의 길이 분량 캐필러리(14)에 흡입된다. 제 2 소정량은, 제 2 본딩점(21)에서의 기립 부분의 길이에 상당하는 양이다. 즉, (f)에서의 가장 낮은 위치에서의 캐필러리(14)의 선단의 위치는, 와이어 루프를 형성했을 때의 제 2 본딩점에서의 기립 부분의 정점의 위치에 대응한다.
(g)는 제 2 본딩점에서의 기립 부분의 정점에서의 제 2 변형부여 부분을 형성하는 제 2 변형부여 공정이다. (f)에서 제 2 소정량 하강시킨 캐필러리(14)를, 제 2 본딩점과 반대측을 향하는 방향으로 이동시킨다. 이 이동량은, 공정 (c), (e)에서의 이동량보다도 크다. 이 이동에 의해, 와이어 루프를 형성했을 때의 제 2 본딩점에서의 기립 부분의 정점의 위치에, 와이어가 확실하게 변형이 부여된다. 이 변형이 부여된 와이어상의 부분을 제 2 변형부여 부분(76)이라고 부르기로 한다.
(h)는 캐필러리(14)의 선단에, 와이어의 제 1 변형부여 부분(78)의 위치를 맞추는 공정이다. (g)에서 제 2 변형부여 부분(76)을 형성한 후, 캐필러리(14)를 상승시키면서 제 1 본딩점(20)의 상방에 오도록 수평방향으로도 이동시킨다. 이 때, 와이어는 캐필러리로부터 풀려 나가므로, 제 1 변형부여 부분(78)의 위치가 캐필러리(14)의 선단에 왔을 때에 캐필러리(14)의 상승을 멈추고, 와이어 클램퍼(16)로 와이어를 끼워 지지하여 와이어의 풀어 내기를 멈춘다.
이 때, 캐필러리(14)의 수평방향의 이동에 의해, 와이어는, 제 1 변형부여 부분(78)과 제 2 변형부여 부분(76)을 절곡점으로 하여 확실하게 구부린다. 이렇게 하여, 와이어 루프를 형성했을 때의 제 2 본딩점에서의 기립부분은, 제 1 변형부여 부분(78)과 제 2 변형부여 부분(76) 사이에서 직선적으로 기립하는 부분으로서 형성되어, 와이어의 늘어짐을 방지할 수 있다.
(i)는 와이어를 제 2 본딩점에 접속하여 와이어 루프를 형성하는 공정이다. (h)에서 제 1 변형부여 부분(78)을 캐필러리(14)의 선단에 맞춘 후, 그 상태에서 캐필러리(14)를 원호운동 또는 원호운동후의 하강에 의해, 본딩 대상(19)의 제 2 본딩점(21)까지 이동시킨다. 이 때 제 2 본딩점(21)에는 와이어(12)의 변형부여 부분(78)이 위치하고, 그곳에서 본딩이 행해진다.
이렇게 하여, 제 2 본딩점에서의 제 1 변형부여 부분의 위치를 와이어상에서 정하여 미리 형성하고, 그 후에 와이어를 소정량 흡입하여 제 2 본딩점에서의 와이어의 기립 부분의 정점인 제 2 변형부여 부분을 형성함으로써 제 1 변형부여 부분, 제 2 변형부여 부분을 소정의 위치에 확실하게 변형할 수 있다. 따라서, 와이어 루프가 제 2 본딩점 근방에서 늘어져서 본딩 대상과 접촉하는 것을 방지할 수 있어, 또, 와이어 루프의 형상을 안정하게 형성할 수 있다.
또한, 와이어 루프의 길이, 본딩 대상의 높이 등에 따라서, 제 1 변형부여 부분, 제 2 변형부여 부분 이외에 적당한 변형을 행할 수도 있다.
도 3은, 실시형태의 와이어본딩 장치를 사용하여, 본딩 대상에 와이어본딩을 실시한 예이다. (a)는 제 1 본딩점(20)이 설치되는 본딩 대상(18)은 회로기판이며, 제 2 본딩점(21)이 설치되는 본딩 대상(19)은 LSI칩(DIE)인 예이다. 이 경우, 제 2 본딩점(21) 근방에서 와이어 루프(80)가 늘어지는 일이 없으므로, LSI칩과 와이어 루프와의 접촉을 방지할 수 있다. 또, 낮은 루프 높이에서 와이어 루프의 형상을 안정하게 형성할 수 있으므로, 보다 소형, 보다 박형의 패키징이 가능하게 된다.
(b)는, 제 1 본딩점(20)이 설치되는 본딩 대상(18)은 회로기판이며, 제 2 본딩점(21)이 설치되는 본딩 대상(19)은, 소위 적층 칩이라 불리는 2층의 LSI칩에서의 상층측의 LSI칩(DIE)인 예이다. 이 경우는, 제 2 본딩점(21)에서의 와이어 루프의 늘어짐이 (a)에 비해 보다 큰 문제가 될 가능성이 있는데, 본 발명에 관계되는 실시형태에서는, 제 2 본딩점(21) 근방에서 와이어 루프(80)가 늘어지는 일이 없으므로, LSI칩과 와이어 루프와의 접촉을 방지할 수 있다. 또, 낮은 루프 높이로 와이어 루프의 형상을 안정하게 형성할 수 있으므로, 보다 집적도를 올리면서 보다 소형, 보다 박형의 패키징이 가능하게 된다.
본 발명에 관계되는 와이어본딩 방법, 와이어본딩 장치 및 와이어본딩 프로그램에 의하면, 와이어 루프가 본딩 대상과 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 본 발명에 관계되는 와이어본딩 방법, 와이어본딩 장치 및 와이어본딩 프로그램에 의하면, 와이어 루프의 형상을 안정하게 형성할 수 있다.

Claims (3)

  1. 와이어를 삽입 통과시키고 유지하는 캐필러리를 본딩 대상에 대하여 상대적으로 이동시켜서 와이어를 변형하고, 제 1 본딩점과 제 2 본딩점을 와이어 루프로 접속하는 와이어본딩 방법으로서,
    제 1 본딩점에 와이어를 접속후, 제 1 본딩점에서 와이어를 기립시키는 네크 부분 형성 공정과,
    상기 와이어 루프의 전장으로부터 상기 네크 부분을 뺀 길이에 상당하는 분량의 와이어를 풀어 내면서 상기 캐필러리를 상기 네크 부분으로부터 상승시키고, 이어서 제 2 본딩점을 향하는 방향으로 상기 캐필러리를 이동시킴으로써 제 2 본딩점에서의 와이어의 제 1 변형부여 부분을 형성하는 제 1 변형부여 공정과,
    상기 캐필러리를 하강시켜서 제 2 본딩점에서의 기립 부분의 길이에 상당하는 분량의 와이어를 상기 캐필러리에 흡입시키고, 이어서 상기 제 2 본딩점과 반대측을 향하는 방향으로 상기 캐필러리를 이동시킴으로써 제 2 본딩점에서의 와이어의 기립 부분의 정점에서의 제 2 변형부여 부분을 형성하는 제 2 변형부여 공정과,
    상기 캐필러리를 상승시켜서 상기 제 1 변형부여 부분이 상기 캐필러리 선단에 위치할 때까지 와이어를 풀어 내고 그 상태에서 와이어를 유지하고, 상기 캐필러리를 상기 제 2 본딩점까지 이동시키고, 와이어의 상기 제 1 변형부여 부분에서 제 2 본딩점에 접속하여 와이어 루프를 형성하는 루프 형성 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 와이어본딩 방법.
  2. 와이어를 삽입 통과시키고 유지하는 캐필러리와,
    본딩 대상을 유지하는 재물대와,
    상기 캐필러리를 상기 재물대에 대하여 상대적으로 이동시키는 이동기구와,
    상기 캐필러리의 상대적 이동과 상기 와이어의 유지를 제어하고, 상기 본딩 대상의 제 1 본딩점과 제 2 본딩점 사이에 와이어 루프를 형성하여 접속하는 루프 형성 제어수단을 구비하는 와이어본딩 장치로서,
    상기 루프 형성 제어수단은,
    제 1 본딩점에 와이어를 접속후, 제 1 본딩점에서 와이어를 기립시키는 네크 부분 형성 처리 수순과,
    상기 와이어 루프의 전장으로부터 상기 네크 부분을 뺀 길이에 상당하는 분량의 와이어를 풀어 내면서 상기 캐필러리를 상기 네크 부분으로부터 상승시키고, 이어서 제 2 본딩점을 향하는 방향으로 상기 캐필러리를 이동시킴으로써 제 2 본딩점에서의 와이어의 제 1 변형부여 부분을 형성하는 제 1 변형부여 처리 수순과,
    상기 캐필러리를 하강시켜서 제 2 본딩점에서의 기립 부분의 길이에 상당하는 분량의 와이어를 상기 캐필러리에 흡입시키고, 이어서 상기 제 2 본딩점과 반대측을 향하는 방향으로 상기 캐필러리를 이동시킴으로써 제 2 본딩점에서의 와이어의 기립 부분의 정점에서의 제 2 변형부여 부분을 형성하는 제 2 변형부여 처리 수순과,
    상기 캐필러리를 상승시켜서 상기 제 1 변형부여 부분이 상기 캐필러리 선단에 위치할 때까지 와이어를 풀어 내고 그 상태에서 와이어를 유지하고, 상기 캐필러리를 상기 제 2 본딩점까지 이동시키고, 와이어의 상기 제 1 변형부여 부분에서 제 2 본딩점에 접속하여 와이어 루프를 형성하는 루프 형성 처리 수순을 실행하는 것을 특징으로 하는 와이어본딩 장치.
  3. 와이어를 삽입 통과시키고 유지하는 캐필러리와, 본딩 대상을 유지하는 재물대와, 상기 캐필러리를 상기 재물대에 대하여 상대적으로 이동시키는 이동기구와, 상기 캐필러리의 상대적 이동과 상기 와이어의 유지를 제어하고 상기 본딩 대상의 제 1 본딩점과 제 2 본딩점 사이에 와이어 루프를 형성하여 접속하는 루프 형성 제어수단을 구비하는 와이어본딩 장치의 동작을 제어하는 와이어본딩 프로그램으로서,
    상기 루프 형성 제어수단에,
    제 1 본딩점에 와이어를 접속후, 제 1 본딩점에서 와이어를 기립시키는 네크 부분 형성 처리 수순과,
    상기 와이어 루프의 전장으로부터 상기 네크 부분을 뺀 길이에 상당하는 분량의 와이어를 풀어 내면서 상기 캐필러리를 상기 네크 부분으로부터 상승시키고, 이어서 제 2 본딩점을 향하는 방향으로 상기 캐필러리를 이동시킴으로써 제 2 본딩점에서의 와이어의 제 1 변형부여 부분을 형성하는 제 1 변형부여 처리 수순과,
    상기 캐필러리를 하강시켜서 제 2 본딩점에서의 기립 부분의 길이에 상당하는 분량의 와이어를 상기 캐필러리에 흡입시키고, 이어서 상기 제 2 본딩점과 반대측을 향하는 방향으로 상기 캐필러리를 이동시킴으로써 제 2 본딩점에서의 와이어의 기립 부분의 정점에서의 제 2 변형부여 부분을 형성하는 제 2 변형부여 처리 수순과,
    상기 캐필러리를 상승시켜서 상기 제 1 변형부여 부분이 상기 캐필러리 선단에 위치할 때까지 와이어를 풀어 내고 그 상태에서 와이어를 유지하고, 상기 캐필러리를 상기 제 2 본딩점까지 이동시키고, 와이어의 상기 제 1 변형부여 부분에서 제 2 본딩점에 접속하여 와이어 루프를 형성하는 루프 형성 처리 수순을 실행하는 것을 특징으로 하는 와이어본딩 프로그램.
KR1020030054546A 2002-08-27 2003-08-07 와이어본딩 방법, 와이어본딩 장치 및 와이어본딩 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 매체 KR100559797B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002246119A JP3685779B2 (ja) 2002-08-27 2002-08-27 ワイヤボンディング方法、ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディングプログラム
JPJP-P-2002-00246119 2002-08-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040018918A true KR20040018918A (ko) 2004-03-04
KR100559797B1 KR100559797B1 (ko) 2006-03-10

Family

ID=31972404

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030054546A KR100559797B1 (ko) 2002-08-27 2003-08-07 와이어본딩 방법, 와이어본딩 장치 및 와이어본딩 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 매체

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7014095B2 (ko)
JP (1) JP3685779B2 (ko)
KR (1) KR100559797B1 (ko)
TW (1) TWI264100B (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4106039B2 (ja) * 2003-06-27 2008-06-25 株式会社新川 ワイヤボンディング方法
US7494042B2 (en) * 2003-10-02 2009-02-24 Asm Technology Singapore Pte. Ltd. Method of forming low wire loops and wire loops formed using the method
TWI263286B (en) * 2004-02-06 2006-10-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Wire bonding method and semiconductor package using the method
JP2007019415A (ja) * 2005-07-11 2007-01-25 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4881620B2 (ja) 2006-01-06 2012-02-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7780064B2 (en) * 2006-06-02 2010-08-24 Asm Technology Singapore Pte Ltd Wire bonding method for forming low-loop profiles
MY152355A (en) 2011-04-11 2014-09-15 Carsem M Sdn Bhd Short and low loop wire bonding
JP2011244022A (ja) * 2011-09-09 2011-12-01 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
MY181180A (en) 2011-09-09 2020-12-21 Carsem M Sdn Bhd Low loop wire bonding
US9093515B2 (en) * 2013-07-17 2015-07-28 Freescale Semiconductor, Inc. Wire bonding capillary with working tip protrusion
JP6644352B2 (ja) 2017-09-27 2020-02-12 日亜化学工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP7386526B2 (ja) 2020-02-26 2023-11-27 株式会社新川 ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6342135A (ja) 1986-08-08 1988-02-23 Shinkawa Ltd ワイヤボンデイング方法
JP2883463B2 (ja) 1991-04-17 1999-04-19 株式会社東芝 ワイヤボンディング装置
JP3189115B2 (ja) 1996-12-27 2001-07-16 株式会社新川 半導体装置及びワイヤボンディング方法
JP3333413B2 (ja) * 1996-12-27 2002-10-15 株式会社新川 ワイヤボンディング方法
JP3455092B2 (ja) * 1997-10-27 2003-10-06 株式会社新川 半導体装置及びワイヤボンディング方法
JP3377747B2 (ja) * 1998-06-23 2003-02-17 株式会社新川 ワイヤボンディング方法
US6176416B1 (en) * 1999-07-02 2001-01-23 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method of making low-profile wire connection
US6391759B1 (en) * 2000-04-27 2002-05-21 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Bonding method which prevents wire sweep and the wire structure thereof
JP2002280414A (ja) * 2001-03-22 2002-09-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI264100B (en) 2006-10-11
JP2004087747A (ja) 2004-03-18
JP3685779B2 (ja) 2005-08-24
US20040041008A1 (en) 2004-03-04
TW200403826A (en) 2004-03-01
US7014095B2 (en) 2006-03-21
KR100559797B1 (ko) 2006-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100559797B1 (ko) 와이어본딩 방법, 와이어본딩 장치 및 와이어본딩 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 매체
KR100646833B1 (ko) 와이어 루프와, 이를 갖는 반도체 디바이스와, 와이어접착 방법과, 와이어 접착 장치
US6253991B1 (en) Extended travel wire bonding machine
US5816477A (en) Wire bonding apparatus and method
US6595400B2 (en) Wire bonding apparatus
KR101867921B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치 및 와이어 본딩 장치
WO2015125671A1 (ja) 半導体装置の製造方法及びワイヤボンディング装置
KR20070000976A (ko) 와이어 본딩 방법
US20060011710A1 (en) Formation of a wire bond with enhanced pull
KR100660821B1 (ko) 와이어본딩 방법
JPH05191097A (ja) 部品装着装置における加圧力制御装置
JP2005167178A (ja) 半導体装置及びワイヤボンディング方法
JPH0539630Y2 (ko)
JP2000216319A (ja) 電子部品の位置決めリ―ド曲げ装置及び曲げ法
JP3146277B2 (ja) 半導体装置のリード成形加工装置
JPS6173343A (ja) ワイヤボンダ
JP2001230266A (ja) 半導体チップ移送ヘッド
JPH08316260A (ja) ワイヤボンディング方法および半導体製造装置
JPH06104305A (ja) 半導体実装装置または実装ライン
JP2007115873A (ja) 電子部品実装方法及び実装装置
JPH07130785A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH04157760A (ja) 樹脂封止型半導体装置の外部リード成形方法
JPS61113250A (ja) ワイヤボンダにおけるワイヤ接続方法
JPH08115944A (ja) リードボンディング方法および装置
JPH011244A (ja) ワイヤボンディング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130227

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140221

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150227

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160302

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170224

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180223

Year of fee payment: 13