JP2883463B2 - ワイヤボンディング装置 - Google Patents

ワイヤボンディング装置

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JP2883463B2 JP3085473A JP8547391A JP2883463B2 JP 2883463 B2 JP2883463 B2 JP 2883463B2 JP 3085473 A JP3085473 A JP 3085473A JP 8547391 A JP8547391 A JP 8547391A JP 2883463 B2 JP2883463 B2 JP 2883463B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造に用
いられるワイヤボンディング装置に係り、特にキャピラ
リの動きを規制しつつ台形状にループさせた金属細線
(ボンディングワイヤ)で半導体チップの電極とリード
フレームの電極とを接続する際に、前記キャピラリの最
適な軌跡パラメータを半導体チップとリードフレームの
基本データを基にして演算できるようにしたワイヤボン
ディング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造に際しては、図3に示
すように、リードフレーム1のダイパッド1a上に半導
体チップ2をマウントした後、この半導体チップ2の電
極(ボンディングパッド)2aとリードフレーム1の電
極(インナーリード)1bとが金属細線(ボンディング
ワイヤ)3で接続され、このボンディングワイヤ3によ
る接続にワイヤボンディング装置が使用される。
【0003】ここに、前記ボンディングワイヤ3のルー
プ形状には、同図(a)に示す三角ループ、即ち半導体
チップ2の表面からネック部高さNh 上昇させた後、こ
のネック部高さNh 及びボンディング段差hの合計の高
さ下降させつつループ長Lだけ側方に直線状に引き出す
ようにした形状と、同図(b)に示す台形ループ、即ち
半導体チップ2の表面からネック部高さNh1上昇させた
後、台形部長さDL分だけ水平方向側方に延ばし、更に
ループ高さNh2及びボンディング段差hの合計の高さ下
降させつつ全体としてループ長Lだけ側方に引き出すよ
うにした形状とがある。
【0004】これは、同一ループ長Lであっても、半導
体チップ2上の電極2aの位置が、半導体チップ2の端
部より異なる場合があり、同図(a)の場合は、電極2
aが半導体チップ2の端部に近い位置にあるため、図の
ような三角ループ形状でも半導体チップ2にボンディン
グワイヤ3が接触してしまうことはない。しかし、同図
(b)の場合、電極2aが半導体チップ2の端部よりか
なり内側にあるため、同図(a)の三角ループのワイヤ
形状ではボンディングワイヤ3が半導体チップ2に接触
してしまう。このため、同図(b)のような台形ループ
のワイヤ形状に形成して、ボンディングワイヤ3と半導
体チップ2との接触を防止しているのである。
【0005】このような台形ループを形成する場合、図
4に示すように、検出カメラ4を介して半導体チップ2
の電極2aやリードフレーム1のインナーリード1b等
の位置を画像処理により求め、図示していないX−Y−
Z軸テーブル上に載置された超音波ホーン5の動き制御
することにより、この超音波ホーン5の先端に取付けら
れたキャピラリ6を図5に示す軌跡にコントロールして
ワイヤボンディングを行うことが一般に行われている。
【0006】即ち、キャピラリ6を、図5に示すよう
に、先ずリバース高さRh だけ上昇させ、更にリバース
量Rだけ半導体チップ2の内方に向けて水平にリバース
させた後、最終的なZ上昇量Sh だけ上昇させ、しかる
後、半導体チップ2の側方に向けて1/4円弧状から直
線状に下降させるようになされている。
【0007】従来、このキャピラリ6での各ボンディン
グワイヤ3に対する各軌跡パラメータ、即ちリバース高
さRh 、リバース量R及びZ上昇量Shの各数値におけ
る条件出しは、オペレータがボンディングワイヤ3を確
認しつつ行うことが一般に行われていた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、同一ル
ープ長Lでも台形部長さDLが異なる場合やボンディン
グ段差hが変わった場合等においては、各ボンディング
ワイヤ3に対するキャピラリ6のリバース量R、リバー
ス高さRh 及びZ上昇量Sh の各軌跡パラメータを変更
しなくてはならず、この作業がオペレータにとってかな
り繁雑で時間がかかるものであるばかりでなく、オペレ
ータに個人差があるためにループ形状にばらつきが生じ
てしまっているのが現状であった。
【0009】本発明は上記に鑑み、台形ループのループ
形状にワイヤボンディングを行う際に、半導体チップ及
びリードフレームに関する基本データを入力するだけで
最適なキャピラリの軌跡パラメータを演算して、キャピ
ラリをこの演算値に従って動かすようにしたものを提供
することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るワイヤボンディング装置は、半導体チ
ップの電極とリードフレームの電極との間を、X−Y−
Z制御部でキャピラリの動きを制御しつつ台形状にルー
プさせた金属細線で接続するようにしたワイヤボンディ
ング装置において、半導体チップとリードフレームの両
電極位置データ及び半導体チップの形状データとを基に
台形ループのループ長、ボンディング段差及び台形部長
さを夫々演算する演算部と、これらの演算値を関数とし
てキャピラリ移動軌跡のリバース量、リバース高さ及び
Z上昇量を夫々演算しこれらの演算値を前記X−Y−Z
制御部に入力する関数演算部とを備えたものである。
【0011】
【作用】上記のように構成した本発明によれば、半導体
チップとリードフレームの両電極位置データ及び半導体
チップの形状データを予め入力するだけで、キャピラリ
の動きの基本軌跡パラメータ、即ちキャピラリのリバー
ス量、リバース高さ及びZ上昇量を演算部と関数演算部
で求め、この演算値に従ってキャピラリを動かしつつワ
イヤボンディングを行うことができる。
【0012】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。
【0013】図1は、制御シーケンス図を示すもので、
半導体チップ電極位置データ7、リードフレーム電極位
置データ8及び半導体チップ形状データ9を夫々入力す
ることにより、図3(b)に示す台形ループ長L、ボン
ディング段差h及び台形部長さDLを演算する演算部1
0と、この演算部10での各演算値を基に、図5に示す
キャピラリ6のリバース量R、リバース高さRh 及びZ
上昇量Sh を求める関数演算部11とが備えられ、この
関数演算部11はX−Y−Z制御部12に接続されてい
る。
【0014】このように、半導体チップ2及びリードフ
レーム1の基本データを基に演算部10で演算された台
形ループ長L、ボンディング段差h及び台形部長さDL
の各値から、関数演算部11でキャピラリ6のリバース
量R、リバース高さRh 及びZ上昇量Sh を求めること
ができるのは、以下の理由による。
【0015】即ち、図2は台形ループの形成過程を示す
図であり、同図から判るように、リバース高さRh とリ
バース量Rによるリバース動作により形成される直線部
分が、そのまま台形部長さDLとネック部高さNh2の合
計の長さとなる。また、Z最大上昇時の時に形作られた
ボンディングワイヤ形状の屈曲角度θ1 と、ワイヤルー
ピング完了後のボンディングワイヤ3の屈曲角度θ2 と
は、等しい関係(θ1=θ2 )となっている。そして、
この時、Z最大上昇時のワイヤ長さとルーピング完了後
のワイヤ長さは、ほぼ等しい関係にある。
【0016】上記の関係により、リバース量R、リバー
ス高さRh 及びZ上昇量Sh は、次式(1)〜(3)の
ように、ループ長L、台形部高さDL及びボンディング
段差hの関数式として、幾何学的に表すことができる。
【0017】 R =f(D,DL,h) …(1) Rh =g(D,DL,h) …(2) Sh=k(D,DL,h) …(3) より具体的な関数式の一例としては、
【0018】
【数1】 と表すことができ、これにより、演算部10で演算した
ループ長L、台形部高さDL及びボンディング段差hの
値を上記(1)′〜(3)′の式に代入することによ
り、リバース量R、リバース高さRh 及びZ上昇量Sh
を求めることができるのである。
【0019】前記X−Y−Z制御部12は、図4に示す
超音波ホーン5を駆動するX−Y−Zテーブルの動作を
制御するものであり、前記関数演算部11で演算された
結果がこのX−Y−Z制御部12に入力され、この制御
部12によってX−Y−Zテーブル及び超音波ホーン5
を介してキャピラリ6が前述のようにして関数演算部1
1で求められた値に従って動作するようなされている。
【0020】これにより、半導体チップ2とリードフレ
ーム1の両電極位置データ7,8及び半導体チップの形
状データ9を予め入力するだけで、キャピラリ6の動き
の基本軌跡パラメータ、即ちキャピラリ6のリバース量
R、リバース高さRh 及びZ上昇量Sh を演算部10と
関数演算部11で求め、この演算値に従ってキャピラリ
6を動かしてワイヤボンディングを行うことができる。
【0021】
【発明の効果】本発明は上記のような構成であるので、
従来、1ワイヤ毎にオペレータが条件出しを行って台形
ループのワイヤボンディングを行っていたものを、半導
体チップとリードフレームの基本データを予め入力する
ことでルーピング軌跡パラメータのリバース量、リバー
ス高さ、Z上昇量を演算して求めることができ、これに
よって、軌跡パラメータ決定の時間の大幅な短縮を図る
とともに、オペレータ毎に差があったループ形状のばら
つきなくして信頼性の高いボンディングループを形成す
ることができるといった効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す制御シーケンス図。
【図2】台形ループの形成過程を示す状態図。
【図3】(a)は三角ループの、(b)は台形ループの
ボンディングループ形状を示す図。
【図4】ワイヤボンディング装置の概要図。
【図5】台形ループ形成時におけるキャピラリ軌跡図。
【符号の説明】
1 リードフレーム 1b 同電極(インナーリード) 2 半導体チップ 2a 同電極(ボンディングパッド) 3 ボンディングワイヤ 6 キャピラリ 7 半導体チップ電極位置データ 8 リードフレーム電極位置データ 9 半導体チップ形状データ 10 演算部 11 関数演算部 12 X−Y−Z制御部

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体チップの電極とリードフレームの電
    極との間を、X−Y−Z制御部でキャピラリの動きを制
    御しつつ台形状にループさせた金属細線で接続するよう
    にしたワイヤボンディング装置において、半導体チップ
    とリードフレームの両電極位置データ及び半導体チップ
    の形状データとを基に台形ループのループ長、ボンディ
    ング段差及び台形部長さを夫々演算する演算部と、これ
    らの演算値を関数としてキャピラリ移動軌跡のリバース
    量、リバース高さ及びZ上昇量を夫々演算しこれらの演
    算値を前記X−Y−Z制御部に入力する関数演算部とを
    備えたことを特徴とするワイヤボンディング装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170091936A (ko) * 2016-02-02 2017-08-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
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