JPH06132347A - ワイヤボンダ− - Google Patents

ワイヤボンダ−

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JPH06132347A JP4283163A JP28316392A JPH06132347A JP H06132347 A JPH06132347 A JP H06132347A JP 4283163 A JP4283163 A JP 4283163A JP 28316392 A JP28316392 A JP 28316392A JP H06132347 A JPH06132347 A JP H06132347A
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wire
capillary
height
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正彦 櫻井
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Abstract

(57)【要約】 【目的】この発明は、最適なボンディングパラメ−タを
設定することにより、ボンディングワイヤのオ−プン不
良およびショ−ト不良それぞれの発生を防止するととも
に、ボンディングパラメ−タの設定を短い時間で行う。 【構成】第３の演算部において、第１、第２の演算部に
より算出したボンディングパッドの位置、ボンディング
位置および半導体装置のデ−タ部における設計デ−タか
ら、実際のボンディングワイヤのル−プ長さおよび半導
体チップの上に位置しているボンディングワイヤの長さ
を算出する。次に、自動選択部において、ボンディング
段差のデ−タ部における設計デ−タ、ル−プ高さのデ−
タ部における設計デ−タ、前記第３の演算部において算
出したボンディングワイヤのル−プ長さおよびボンディ
ングワイヤの長さから、最適なボンディングパラメ−タ
を自動選択している。従って、オ−プン不良およびショ
−ト不良の発生を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体チップとイン
ナ−リ−ドとを接続するボンディングワイヤのル−プ形
状を最適にできるワイヤボンダ−に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来のワイヤボンダ−を用いて
ワイヤボンディングされた半導体装置を示す断面図であ
る。リ−ドフレ−ム１はインナ−リ−ド２、アイランド
４および図示せぬタイバ−から構成されている。前記ア
イランド４の上には接着剤３が塗布され、この接着剤３
の上には半導体チップ５が載置される。この半導体チッ
プ５の表面には図示せぬボンディングパッドが設けられ
ている。このボンディングパッドには図示せぬワイヤボ
ンダ−によりボンディングワイヤ７の一端が電気的に接
続され、このボンディングワイヤ７の他端は前記インナ
−リ−ド２の先端と電気的に接続される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記半導体
装置を製造する工程において、従来のワイヤボンダ−に
よって半導体チップ５とインナ−リ−ド２とをボンディ
ングワイヤ７により電気的に接続する際の条件、すなわ
ちボンディングパラメ−タを設定する作業には、作業者
の勘に頼る部分が多かった。このため、最適のボンディ
ングパラメ−タを設定できていないことが多かった。こ
の結果、図７に示すように、ボンディングワイヤ７の一
端におけるボ−ルネック部１１に過度のストレスが残る
ことにより、短時間の熱サイクルテストでオ−プン不良
が発生することがある。さらに、半導体チップ５の上面
からのボンディングワイヤ７の高さＨが低すぎることに
より、半導体チップ５の端部とボンディングワイヤ７と
が接触するショ−ト不良が発生することがある。
【０００４】また、一つの半導体チップ５において複数
のワイヤボンディングを行うため、それぞれのボンディ
ングワイヤ７に最適のボンディングパラメ−タを設定す
ることが要求される。したがって、一品種のボンディン
グパラメ−タを設定する際に多くの時間と大変な労力と
が必要とされる。
【０００５】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は、最適なボンディングパ
ラメ−タを設定することにより、ボンディングワイヤの
オ−プン不良およびショ−ト不良それぞれの発生を防止
するとともに、ボンディングパラメ−タの設定を短い時
間で行うワイヤボンダ−を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、第１の認識部により認識された半導体チ
ップのマウント位置および前記マウント位置の設計デ−
タから前記マウント位置のずれが算出され、このマウン
ト位置のずれから前記半導体チップにおけるボンディン
グパッドの位置が算出される第１の演算部と、第２の認
識部により認識されたリ−ドフレ−ムの位置および前記
位置の設計デ−タから前記位置のずれが算出され、この
位置のずれから前記リ−ドフレ−ムにおけるインナ−リ
−ドのボンディング位置が算出される第２の演算部と、
前記ボンディングパッドの位置、前記ボンディング位置
および半導体装置の設計デ−タから、前記半導体チップ
の上に位置する部分のボンディングワイヤの長さが算出
される第３の演算部と、キャピラリ−を前記ボンディン
グパッドの位置から上方に移動させる際の高さであるリ
バ−ス高さ、このリバ−ス高さまで移動させた前記キャ
ピラリ−を前記ボンディング位置の反対側に移動させる
際の長さであるリバ−ス量、このリバ−ス量だけ移動さ
せた前記キャピラリ−を最高の位置まで移動させる際の
前記半導体チップの上面からの高さであるＺストロ−ク
量および前記最高の位置から前記ボンディング位置に前
記キャピラリ−を移動させる際の前記キャピラリ−の軌
跡が、前記ボンディングパッドの位置および前記ボンデ
ィング位置から算出されるボンディングワイヤのル−プ
長さ、前記半導体チップの上に位置する部分のボンディ
ングワイヤの長さ、前記ボンディングパッドの位置の設
計デ−タおよび前記ボンディング位置の設計デ−タから
算出されるボンディング段差、前記ボンディングパッド
の上方に位置する前記ボンディングワイヤの前記半導体
チップ上面からの高さである第１の設計デ−タおよび前
記半導体チップにおける周縁部の上方に位置する前記ボ
ンディングワイヤの前記半導体チップ上面からの高さで
ある第２の設計デ−タにより自動選択される自動選択部
とを具備することを特徴としている。
【０００７】
【作用】この発明は、第１の演算部において、マウント
位置のずれが補正された半導体チップにおけるボンディ
ングパッドの位置を算出する。第２の演算部において、
リ−ドフレ−ムの位置のずれが補正されたインナ−リ−
ドのボンディング位置を算出する。第３の演算部におい
て、前記半導体チップの上に位置する部分のボンディン
グワイヤの長さを算出する。自動選択部において、ボン
ディングワイヤのル−プ長さ、ボンディングワイヤの長
さ、ボンディング段差、第１の設計デ−タおよび第２の
設計デ−タにより、リバ−ス高さ、リバ−ス量、Ｚスト
ロ−ク量および最高の位置から前記ボンディング位置に
前記キャピラリ−を移動させる際の前記キャピラリ−の
軌跡を自動選択している。このため、前記リバ−ス高
さ、リバ−ス量、Ｚストロ−ク量およびキャピラリ−の
軌跡それぞれを選択する際、作業者の勘に頼ることな
く、最適値を自動的に選択することができる。この結
果、ボンディングワイヤのル−プ形状を最適な形状とす
ることができるため、ボンディングワイヤのオ−プン不
良およびショ−ト不良それぞれの発生を防止することが
できる。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の一実施例に
ついて説明する。
【０００９】図１は、この発明の実施例によるワイヤボ
ンダ−の要部を示すとともに、このワイヤボンダ−によ
り半導体装置をワイヤボンディングする工程を模式的に
示す断面図である。リ−ドフレ−ム２１はインナ−リ−
ド２２、アイランド２３および図示せぬタイバ−から構
成されている。前記アイランド２３の上には接着剤２４
が塗布され、この接着剤２４の上には半導体チップ２５
が載置される。次に、前記半導体チップ２５上に設けら
れた図示せぬボンディングパッドの上に図示せぬ移動手
段によりキャピラリ−３０が移動される。
【００１０】次に、前記キャピラリ−３０からボンディ
ングワイヤ２６の一端が出され、このボンディングワイ
ヤ２６は前記ボンディングパッドと電気的に接続され
る。この後、前記キャピラリ−３０は第１の移動経路３
１に沿って移動される。すなわち、半導体チップ２５の
表面に対して垂直方向に移動される。これにより、前記
キャピラリ−３０は半導体チップ２５の表面からの高
さ、すなわちリバ−ス高さがＲH である第１の位置３１
ａまで移動される。
【００１１】この後、前記キャピラリ−３０は、距離、
いわゆるリバ−ス量がＲS である第２の移動経路３２に
沿って前記第１の位置３１ａから第２の位置３２ａに移
動される。すなわち、前記第１の移動経路３１および前
記ボンディングパッドとインナ−リ−ド２２のボンディ
ング位置３４ａとを結ぶ直線を含む面において、前記第
１の移動経路３１に対して直角方向である第２の移動経
路３２に沿って移動される。前記キャピラリ−３０は前
記面に沿って移動されるものである。尚、キャピラリ−
３０を第２の移動経路３２に沿って第１の位置３１ａか
ら第２の位置３２ａに移動させているが、キャピラリ−
３０を第２の移動経路３２に対してリバ−ス角度Ｒθを
有する第５の移動経路３２ｂに沿って第１の位置３１ａ
から第５の位置３２ｃに移動させることも可能である。
【００１２】次に、前記キャピラリ−３０は、前記第２
の位置３２ａから第３の位置３３ａに第３の移動経路３
３に沿って移動される。この第３の移動経路３３は前記
第２の移動経路３２に対して直角方向を向いている。Ｚ
ストロ−ク量ＺS は、前記第３の位置３３ａの半導体チ
ップ２５の表面からの高さ、すなわち第１の移動経路３
１の距離と第３の移動経路３３の距離との和である。
尚、キャピラリ−３０が前記第５の移動経路３２ｂに沿
って移動された場合は、前記キャピラリ−３０は第５の
位置３２ｃから第３の位置３３ａに移動される。
【００１３】この後、前記キャピラリ−３０は、矢印３
５の方向で曲線からなる第４の移動経路３４に沿って前
記第３の位置３３ａからインナ−リ−ド２２の先端近傍
のボンディング位置３４ａに移動される。次に、前記ボ
ンディング位置３４ａにおいて、前記ボンディングワイ
ヤ２６の他端はインナ−リ−ド２２と電気的に接続され
る。
【００１４】したがって、上記のワイヤボンダ−におい
てキャピラリ−３０を上述したように移動させることに
より、半導体チップ２５とインナ−リ−ド２２とはボン
ディングワイヤ２６により電気的に接続される。この
際、Ｌは、前記ボンディングワイヤ２６のル−プ長さで
ある。このル−プ長さＬは、ボンディングワイヤ２６自
身の長さではなく、ボンディングワイヤ２６を上から視
たときのワイヤ２６の一端と他端との間の長さである。
ｌは、ボンディングワイヤ２６を上から視たとき、半導
体チップ２５の上に位置しているワイヤ２６の長さであ
る。ｈは、半導体チップ２５の表面に対して垂直方向に
おけるボンディングワイヤ２６の一端と他端との高さの
差、すなわちボンディング段差である。Ｈ1 は、前記ボ
ンディングパッドの上方に位置するボンディングワイヤ
２６の半導体チップ２５表面からの高さ、すなわち第１
のル−プ高さである。Ｈ2 は、半導体チップ２５におけ
る周縁部の上方に位置するボンディングワイヤ２６の半
導体チップ２５表面からの高さ、すなわち第２のル−プ
高さである。
【００１５】図２は、図１に示すワイヤボンダ−により
ワイヤボンディングされた半導体装置を示す平面図であ
り、図１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分に
ついてのみ説明する。
【００１６】リ−ドフレ−ム２１はインナ−リ−ド２
２、タイバ−２０およびアイランド２３から構成されて
いる。前記タイバ−２０の一端にはアイランド２３が設
けられており、前記タイバ−２０の一端の近傍にはリ−
ドフレ−ム２１の位置検出用穴２０ａが設けられてい
る。前記アイランド２３の上には半導体チップ２５がマ
ウントされており、この半導体チップ２５には複数のボ
ンディングパッド２７および位置検出用パッド２５ａが
設けられている。このボンディングパッド２７にはボン
ディングワイヤ２６の一端が電気的に接続されており、
このボンディングワイヤ２６の他端は前記インナ−リ−
ド２２の先端と電気的に接続されている。
【００１７】図３は、図２の半導体装置を示す断面図で
ある。リ−ドフレ−ム２１のアイランド２３の上には接
着剤２４が塗布されており、この接着剤２４の上には半
導体チップ２５が載置されている。この半導体チップ２
５の表面には前記ボンディングパッド２７が設けられて
いる。このボンディングパッド２７には前記ワイヤボン
ダ−によりボンディングワイヤ２６の一端が電気的に接
続されており、このボンディングワイヤ２６の他端は前
記インナ−リ−ド２２の先端と電気的に接続されてい
る。
【００１８】図４は、この発明の実施例によるワイヤボ
ンダ−を示す構成図である。第１の設計デ−タ部には、
図２に示す半導体チップ２５における位置検出用パッド
２５ａおよび複数のボンディングパッド２７それぞれの
位置の設計デ−タがあらかじめ記憶されている。
【００１９】第２の設計デ−タ部には、図２に示すリ−
ドフレ−ム２１における位置検出用穴２０ａおよび複数
のインナ−リ−ド２２それぞれの位置の設計デ−タがあ
らかじめ記憶されている。
【００２０】半導体装置のデ−タ部には、半導体チップ
のサイズ等の設計デ−タがあらかじめ記憶されている。
【００２１】ボンディング段差のデ−タ部には、図１に
示すボンディング段差ｈの設計デ−タがあらかじめ記憶
されている。
【００２２】ル−プ高さのデ−タ部には、図１に示す第
１および第２のル−プ高さＨ1 、Ｈ2 の設計デ−タがあ
らかじめ記憶されている。
【００２３】先ず、第１の認識部においては、実際にリ
−ドフレ−ム２１の上にマウントされた半導体チップ２
５における位置検出用パッド２５ａの位置が認識され
る。
【００２４】次に、前記認識された位置検出用パッド２
５ａの位置デ−タおよび前記第１の認識部における位置
検出用パッド２５ａの位置の設計デ−タは、第１の演算
部に送られる。この第１の演算部において、前記認識さ
れた位置デ−タと前記位置の設計デ−タとを比較するこ
とにより、実際の半導体チップ２５のマウント位置と設
計上のマウント位置とのずれが計算される。この後、こ
のマウント位置のずれおよび前記第１の認識部における
ボンディングパッド２７の位置の設計デ−タから、実際
に半導体チップ２５がマウントされた後の全てのボンデ
ィングパッド２７の位置が算出される。すなわち、前記
マウント位置のずれを補正したボンディングパッドの実
際の位置が算出される。
【００２５】この後、第２の認識部においては、実際に
図示せぬボンディング部に送られた図２に示すリ−ドフ
レ−ム２１における位置検出用穴２０ａの位置が認識さ
れる。
【００２６】次に、前記認識された位置検出用穴２０ａ
の位置デ−タおよび前記第２の設計デ−タ部における位
置検出用穴２０ａの位置の設計デ−タは、第２の演算部
に送られる。この第２の演算部において、前記認識され
た位置デ−タと前記位置の設計デ−タとを比較すること
により、実際の位置検出用穴２０ａの位置と設計上の位
置検出用穴２０ａの位置とのずれ、すなわちリ−ドフレ
−ム２１の送りずれが算出される。次に、前記位置検出
用穴２０ａの位置ずれおよび前記第２に設計デ−タ部に
おけるインナ−リ−ド２２の位置の設計デ−タから、実
際にリ−ドフレ−ム２１がボンディング部に送られた後
の全てのインナ−リ−ド２２におけるボンディング位置
が算出される。すなわち、前記位置検出用穴２０ａの位
置ずれを補正したインナ−リ−ド２２における実際のボ
ンディング位置が算出される。
【００２７】この後、第３の演算部においては、前記第
１、第２の演算部において算出されたボンディングパッ
ドの位置、ボンディング位置および前記半導体装置のデ
−タ部における設計デ−タから、図１に示す実際のボン
ディングワイヤ２６のル−プ長さＬおよび半導体チップ
２５の上に位置しているボンディングワイヤ２６の長さ
ｌが算出される。
【００２８】次に、自動選択部においては、前記ボンデ
ィング段差のデ−タ部における設計デ−タ、前記ル−プ
高さのデ−タ部における設計デ−タ、前記第３の演算部
において算出されたボンディングワイヤ２６のル−プ長
さＬおよびボンディングワイヤ２６の長さｌから、最適
なボンディングパラメ−タが自動選択される。
【００２９】この後、前記ボンディングパラメ−タはキ
ャピラリ−に接続されている制御部に送られ、この制御
部により図１に示すようなキャピラリ−３０の動きが制
御される。これにより、半導体装置に最適なル−プ形状
のワイヤボンディングが行われる。
【００３０】前記ボンディングパラメ−タとは、図１に
示すリバ−ス高さＲH 、リバ−ス量ＲS 、リバ−ス角度
Ｒθ、Ｚストロ−ク量ＺS 、第４の移動経路３４の軌跡
関数ｆ（ｔ）およびＺディレイ時間ＺD 等である。前記
Ｚディレイ時間ＺD は、半導体チップ２５表面に対して
垂直方向におけるキャピラリ−３０の移動のタイミング
を遅らせる時間である。これらＲH 、ＲS 、Ｒθ、
ＺS 、ＺD は、Ｌ、ｌ、ｈ、Ｈ1 およびＨ2 等の関数、
即ちＲH （Ｌ，ｌ，ｈ，Ｈ1 ，Ｈ2 ）、ＲS （Ｌ，ｌ，
ｈ，Ｈ1 ，Ｈ2 ）、Ｒθ（Ｌ，ｌ，ｈ，Ｈ1 ，Ｈ2 ）、
ＺS （Ｌ，ｌ，ｈ，Ｈ1 ，Ｈ2 ）、ＺD （Ｌ，ｌ，ｈ，
Ｈ1 ，Ｈ2 ）である。前記ｆ（ｔ）は、Ｌ、ｌ、ｈ、Ｈ
1 、Ｈ2 および時間ｔの関数、即ちｆ（Ｌ，ｌ，ｈ，Ｈ
1 ，Ｈ2 ，ｔ）である。
【００３１】以下、前記ボンディングパラメ−タ、例え
ばＺS の具体的な関数について説明する。
【００３２】図５は、この発明の実施例によるワイヤボ
ンダ−によりワイヤボンディングされた半導体装置の要
部を示す断面図であり、図１と同一部分には同一符号を
付す。
【００３３】ボンディングワイヤ２６の一端から他端ま
での長さをＷｌとし、このＷｌをボンディングワイヤ２
６のル−プ長さＬ、半導体チップ２５の上に位置してい
るボンディングワイヤ２６の長さｌ、第１のル−プ高さ
Ｈ1 、設計上のボンディング段差ｈ、余裕αを用いて示
すと、下記式(1) のようになる。前記余裕αは、アイラ
ンド２３の表面における前記アイランド２３の縁部と半
導体チップ２５の縁部との間の長さである。
【００３４】 Ｗｌ＝Ｈ1 ＋ｌ＋α＋［｛Ｌ−（ｌ＋α）｝2 ＋（Ｈ1 ＋ｈ）2 ］0.5 …(1) 図６は、半導体装置に図５に示すようにワイヤボンディ
ングする工程を示す断面図であり、図１と同一部分には
同一符号を付す。
【００３５】ＺS はＺストロ−ク量であり、ＲH はリバ
−ス高さである。前記ＺS の関数を上記式(1) およびＲ
H を用いて示すと、下記式(2) のようになる。
【００３６】 ＺS ＝Ｒh ＋［｛Ｌ−（ｌ＋α）｝2 ＋（Ｈ1 ＋ｈ）2 ］0.5 …(2) 上記実施例によれば、第１の演算部において、マウント
位置のずれが補正された半導体チップ２５におけるボン
ディングパッド２７の位置を算出する。第２の演算部に
おいて、リ−ドフレ−ム２１の位置のずれが補正された
インナ−リ−ド２２のボンディング位置を算出する。第
３の演算部において、前記半導体チップ２５の上方に位
置する部分のボンディングワイヤ２６の長さｌおよびボ
ンディングワイヤ２６のル−プ長さＬを算出する。自動
選択部において、前記ボンディングワイヤ２６のル−プ
長さＬ、ボンディングワイヤの長さｌ、ボンディング段
差ｈ、第１のル−プ高さＨ1 の設計デ−タおよび第２の
ル−プ高さＨ2 の設計デ−タにより、リバ−ス高さ
ＲH 、リバ−ス量ＲS 、Ｚストロ−ク量Ｚs および第３
の位置３３ａからボンディング位置３４ａにキャピラリ
−３０を移動させる際の前記キャピラリ−３０の軌跡を
自動選択している。このため、前記リバ−ス高さＲH 、
リバ−ス量ＲS 、Ｚストロ−ク量Ｚs およびキャピラリ
−の軌跡関数ｆ（ｔ）それぞれを選択する際、作業者の
勘に頼ることなく、最適な値を自動的に選択することが
できる。この結果、前記自動選択部において選択された
ボンディングパラメ−タの値は、ワイヤボンディングの
前工程における製造ばらつき、例えばマウント位置ずれ
等が補正されている。このため、ボンディングワイヤ２
６のル−プを均一且つ最適な形状とすること、すなわち
前記第１、第２のル−プ高さＨ1 、Ｈ2 を最適な高さと
することができる。したがって、ボンディングワイヤ２
６のオ−プン不良およびショ−ト不良それぞれの発生を
防止することができる。これとともに、ボンディングパ
ラメ−タの設定時間を大幅に短縮することができる。
【００３７】また、この発明のワイヤボンダ−によれ
ば、第１、第２のル−プ高さＨ1 、Ｈ2 を最適な高さと
することができるため、半導体チップ２５を薄型のパッ
ケ−ジに封止する製品に特に有効である。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
自動選択部において、リバ−ス高さ、リバ−ス量、Ｚス
トロ−ク量およびキャピラリ−を移動させる際の前記キ
ャピラリ−の軌跡を自動選択している。したがって、最
適なボンディングパラメ−タを設定することができ、ボ
ンディングワイヤのオ−プン不良およびショ−ト不良そ
れぞれの発生を防止することができる。これとともに、
ボンディングパラメ−タの設定を短い時間で行うことが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例によるワイヤボンダ−の要部
を示すとともに、このワイヤボンダ−により半導体装置
をワイヤボンディングする工程を模式的に示す断面図。
【図２】この発明の図１に示すワイヤボンダ−によりワ
イヤボンディングされた半導体装置を示す平面図。
【図３】図２の半導体装置を示す断面図。
【図４】この発明の実施例によるワイヤボンダ−を示す
構成図。
【図５】この発明の図１に示すワイヤボンダ−によりワ
イヤボンディングされた半導体装置の要部を示す断面
図。
【図６】この発明のワイヤボンダ−を用いて図５に示す
ように半導体装置にワイヤボンディングする工程を示す
断面図。
【図７】従来のワイヤボンダ−を用いてワイヤボンディ
ングされた半導体装置を示す断面図。
【符号の説明】
20…タイバ−、20a …位置検出用穴、21…リ−ドフレ−
ム、22…インナ−リ−ド、23…アイランド、24…接着
剤、25…半導体チップ、25a …位置検出用パッド、26…
ボンディングワイヤ、27…ボンディングパッド、30…キ
ャピラリ−、31…第１の移動経路、31a …第１の位置、
32…第２の移動経路、32a …第２の位置、32b …第５の
移動経路、32c …第５の位置、33…第３の移動経路、33
a …第３の位置、34…第４の移動経路、34a …ボンディ
ング位置、35…矢印、Ｈ1 …第１のル−プ高さ、Ｈ2 …
第２のル−プ高さ、Ｌ…ボンディングワイヤのル−プ長
さ、ｌ…半導体チップの上に位置しているボンディング
ワイヤの長さ、ｈ…ボンディング段差、ｔ…時間、ＲH
…リバ−ス高さ、ＲS …リバ−ス量、Ｒθ…リバ−ス角
度、ＺS …Ｚストロ−ク量、ＺD …Ｚディレイ時間、ｆ
（ｔ）…第４の移動経路の軌跡関数、α…余裕

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１の認識部により認識された半導体チ
    ップのマウント位置および前記マウント位置の設計デ−
    タから前記マウント位置のずれが算出され、このマウン
    ト位置のずれから前記半導体チップにおけるボンディン
    グパッドの位置が算出される第１の演算部と、 第２の認識部により認識されたリ−ドフレ−ムの位置お
    よび前記位置の設計デ−タから前記位置のずれが算出さ
    れ、この位置のずれから前記リ−ドフレ−ムにおけるイ
    ンナ−リ−ドのボンディング位置が算出される第２の演
    算部と、 前記ボンディングパッドの位置、前記インナ−リ−ドの
    ボンディング位置および半導体装置の設計デ−タから、
    前記半導体チップの上に位置する部分のボンディングワ
    イヤの長さが算出される第３の演算部と、 キャピラリ−を前記ボンディングパッドの位置から上方
    に移動させる際の高さであるリバ−ス高さ、このリバ−
    ス高さまで移動させた前記キャピラリ−を前記ボンディ
    ング位置の反対側に移動させる際の長さであるリバ−ス
    量、このリバ−ス量だけ移動させた前記キャピラリ−を
    最高の位置まで移動させる際の前記半導体チップの上面
    からの高さであるＺストロ−ク量および前記最高の位置
    から前記ボンディング位置に前記キャピラリ−を移動さ
    せる際の前記キャピラリ−の軌跡が、前記ボンディング
    パッドの位置および前記ボンディング位置から算出され
    るボンディングワイヤのル−プ長さ、前記半導体チップ
    の上に位置する部分のボンディングワイヤの長さ、前記
    ボンディングパッドの位置の設計デ−タおよび前記ボン
    ディング位置の設計デ−タから算出されるボンディング
    段差、前記ボンディングパッドの上方に位置する前記ボ
    ンディングワイヤの前記半導体チップ上面からの高さで
    ある第１の設計デ−タおよび前記半導体チップにおける
    周縁部の上方に位置する前記ボンディングワイヤの前記
    半導体チップ上面からの高さである第２の設計デ−タに
    より自動選択される自動選択部と、 を具備することを特徴とするワイヤボンダ−。
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