KR20040014308A - 발광 소자 패널의 구동 장치 및 구동 방법 - Google Patents

발광 소자 패널의 구동 장치 및 구동 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 액티브 매트릭스형 EL 표시 장치에 있어서, 점등 시간율을 저하시키는 일없이 EL 소자에 대하여 효과적으로 역바이어스 전압을 인가할 수 있도록 구성하는 것을 목적으로 한다.
하나의 화소(10)를 구성하는 EL 소자(14)는 제어용 TFT(11) 및 구동용 TFT(12)에 의해서 점등 구동된다. 주사 라인(A1)에 대응하여 배열된 EL 소자(14)의 음극측을 공통 접속하는 음극 라인(C1)에는 공통 양극(16)의 전압 레벨을 기준으로 한 순방향 전압, 또는 역바이어스 전압이 인가된다. 음극 라인(C1)에 역바이어스가 인가된 경우에 있어서는, 구동용 TFT(12)를 바이패스하여 다이오드(15)가 도통 상태가 된다. 이에 따라, EL 소자에 대하여 효과적으로 역바이어스 전압을 인가할 수 있다. 예컨대 시분할 계조 표현 수단에 있어서의 동시 소거법(SES)을 병용한 경우에 있어서는, EL 소자의 점등 시간율을 저하시키는 문제도 피할 수 있다.

Description

발광 소자 패널의 구동 장치 및 구동 방법{DEVICE FOR AND METHOD OF DRIVING LUMINESCENT DISPLAY PANEL}
본 발명은 화소를 구성하는 발광 소자를 예컨대 TFT에 의해서 액티브 구동시키는 표시 패널의 구동 장치에 관한 것이며, 특히 상기 발광 소자에 대하여 효과적으로 역바이어스 전압을 가할 수 있는 표시 패널의 구동 장치 및 구동 방법에 관한 것이다.
발광 소자를 매트릭스형으로 배열하여 구성되는 표시 패널을 이용한 디스플레이의 개발이 널리 진행되고 있다. 이러한 표시 패널에 이용되는 발광 소자로서, 예컨대 유기 재료를 발광층에 이용한 유기 EL(전기 루미네선스) 소자가 주목받고있다. 이것은 EL 소자의 발광층에 양호한 발광 특성을 기대할 수 있는 유기 화합물을 사용함으로써 실용에 견딜 수 있는 고효율화 및 장기 수명화가 진행한 것도 배경에 있다.
이러한 유기 EL 소자를 이용한 표시 패널로서, EL 소자를 단순히 매트릭스형으로 배열한 단순 매트릭스형 표시 패널과, 매트릭스형으로 배열한 EL 소자의 각각에, 예컨대 TFT(Thin Film Transistor)로 이루어지는 능동 소자를 더한 액티브 매트릭스형 표시 패널이 제안되어 있다. 후자의 액티브 매트릭스형 표시 패널은 전자의 단순 매트릭스형 표시 패널에 비교해 저소비 전력을 실현할 수 있고, 또한 화소간의 크로스토크가 적은 등의 특질을 구비하고 있고, 특히 대화면을 구성하는 고선명도의 디스플레이에 적합하다.
도 1은 종래의 액티브 매트릭스형 표시 패널에 있어서의 하나의 화소(10)에 대응하는 회로 구성의 일례를 도시하고 있다. 도 1에 있어서 제어용 TFT(11)의 게이트(G)는 주사선(주사 라인(A1))에 접속되고, 소스(S)는 데이터선(데이터 라인(B1))에 접속되어 있다. 또한, 이 제어용 TFT(11)의 드레인(D)은 구동용 TFT(12)의 게이트(G)에 접속되는 동시에, 전하 유지용의 커패시터(13)의 한쪽의 단자에 접속되어 있다.
구동용 TFT(12)의 드레인(D)은 상기 커패시터(13)의 다른쪽의 단자에 접속되는 동시에, 패널 내에 형성된 공통 양극(16)에 접속되어 있다. 또한 구동용 TFT(12)의 소스(S)는 유기 EL 소자(14)의 양극에 접속되고, 이 유기 EL 소자(14)의 음극은 패널 내에 형성된 예컨대 기준 전위점(어스)을 구성하는 공통 음극(17)에접속되어 있다.
도 2는 도 1에 도시한 각 화소(10)를 담당하는 회로 구성을 표시 패널(20)에 배열한 상태를 모식적으로 도시한 것이며, 각 주사 라인(A1∼An)과, 각 데이터 라인(B1∼Bm)과의 교차 위치의 각각에 있어서, 도 1에 도시한 회로 구성의 각 화소(10)가 각각 형성되어 있다. 그리고, 상기한 구성에 있어서는 구동용 TFT(12)의 각 드레인(D)이 도 2에 도시된 공통 양극(16)에 각각 접속되고, 각 EL 소자(14)의 음극이 마찬가지로 도 2에 도시된 공통 음극(17)에 각각 접속된 구성으로 되어 있다. 그리고, 이 회로에서 발광 제어를 실행하는 경우에 있어서는 전압원(E1)의 정전원 단자가 스위치(18)를 통해 표시 패널(20)에 형성된 공통 양극(16)에 접속되며, 또한 전압원(E1)의 부전원 단자가 공통 음극(17)에 접속된다.
이 상태에 있어서, 도 1에 있어서의 제어용 TFT(11)의 게이트(G)에 주사 라인을 통해 온 전압이 공급되면, TFT(11)은 소스(S)에 공급되는 데이터 라인으로부터의 전압에 대응한 전류를 소스(S)로부터 드레인(D)에 흐르게 한다. 따라서, TFT(11)의 게이트(G)가 온 전압의 기간에 상기 커패시터(13)가 충전되어, 그 전압이 TFT(12)의 게이트(G)에 공급되어, TFT(12)에는 그 게이트 전압과 드레인 전압에 기초한 전류를 소스(S)로부터 EL 소자(14)를 통하여 공통 음극(17)에 흐르게 하여, EL 소자(14)를 발광시킨다.
또한 TFT(11)의 게이트(G)가 오프 전압이 되면, TFT(11)은 소위 차단이 되고, TFT(11)의 드레인(D)은 개방 상태가 되지만, 구동용 TFT(12)은 커패시터(13)에 축적된 전하에 의해 게이트(G)의 전압이 유지되어, 다음 주사까지 구동 전류를 유지하여, EL 소자(14)의 발광도 유지된다. 또, 상기한 구동용 TFT(12)에는 게이트 입력 용량이 존재하기 때문에 상기한 커패시터(13)를 특별히 설치하지 않더라도 상기 와 동일한 동작을 행하게 하는 것이 가능하다.
그런데 유기 EL 소자는, 전기적으로는 상기한 대로 다이오드 특성을 갖는 발광 엘리멘트와, 이것에 병렬로 접속된 정전 용량(기생 용량)을 갖고 있고, 이 다이오드 특성의 순방향 전류에 거의 비례한 강도로 발광하는 것이 알려져 있다. 또한, 상기한 EL 소자에 있어서는, 발광에 관여하지 않는 역방향의 전압(역바이어스 전압)을 축차 인가함으로써 크로스토크 발광을 보다 저감시킬 수 있는 동시에, EL 소자의 수명을 연장시킬 수 있는 것이 경험적으로 알려져 있다.
그래서, 예컨대 일본 특허 공개 2001-117534호 공보에는 상기한 공통 양극(16)과 공통 음극(17)과의 사이에 역바이어스 전압을 인가하는 것이 나타나 있다. 즉, 도 2에 도시하는 전압원(E2)은 상기한 역바이어스 전압을 인가할 때에 이용되는 것이며, 역바이어스 전압의 인가시에는 스위치(18)는 전압원(E2)측으로 전환된다. 이에 따라, 공통 음극(17)에 대하여 전압원(E2)의 정전원 단자가, 또한 공통 양극(16)에 전압원(E2)의 부전원 단자가 접속된다. 따라서, 도 1에 도시하는 EL 소자(14)에는 구동용 TFT(12)의 드레인(D)과 소스(S)를 통해 역바이어스 전압이 인가되게 된다.
도 1 및 도 2에 도시하는 종래에 있어서의 표시 패널의 구동 장치에 의하면, 공통 양극(16)과 공통 음극(17)과의 사이에 구동용 TFT(12)을 통해 EL 소자(14)가 접속된 구성으로 되어 있기 때문에, 상기 EL 소자(14)에 대하여 역바이어스 전압을인가하는 경우, 모든 EL 소자를 일시적으로 비점등이 되는 기간을 설정해야 한다. 이 때문에, 상기한 일본 특허 공개 2001-117534호 공보에 개시된 예에 있어서는, 시분할 계조 표현법을 이용한 경우에 있어서, 모든 주사 라인에 스캐닝 신호를 송출이 끝난 어드레스 기간의 종료 시점으로부터 시작되는 제1 서브필드(SF1)의 EL 소자의 점등 기간에 있어서 모든 EL 소자에 대하여 동시에 역전압을 인가하는 기간(Tb)을 설정하도록 제어된다.
이와 같이, 계조 표현을 하기 위한 EL 소자의 점등 시간 및 불점등 시간의 설정과는 별도로, EL 소자에 대한 역전압의 인가를 위한 불점등 시간을 설정하기 위해서 EL 소자의 발광 듀티(Duty)비, 즉 점등 시간율을 저하시키는 것은 피할 수 없다. 그 결과, EL 소자의 실질적인 발광 휘도가 저하하기 때문에 이것을 커버하기 위해서는 EL 소자의 발광시의 구동 전류를 상승시킬 필요가 발생하여, 전원 회로의 부하가 증대한다고 하는 문제를 안게 된다.
또한, 상기한 바와 같은 역전압의 인가 작용에 의하면, 모든 화소에 대응하는 EL 소자 및 전압 유지 기능을 다하는 커패시터를 포함하는 각 회로에 대하여, 동시에 정전압 및 역바이어스 전압의 전환 동작이 이루어지기 때문에, 그 전환 순간에 있어서 부하 전류가 극단적으로 증대하는 것은 피할 수 없다. 이 때문에, 마찬가지로 전원 회로에서 순식간에 흐르는 큰 부하 전류에의 대책도 필요하게 된다.
더구나, 상기한 일본 특허 공개 2001-117534호 공보에 개시된 예에 의하면, 역바이어스 전압의 인가시에 있어서는 구동용 TFT(12)의 드레인(D)과 소스(S)간의 임피던스를 통해 EL 소자(14)에 대하여 역바이어스 전압을 가하지 않을 수가 없다고 하는 문제가 남겨진다. 이 경우, 구동용 TFT(12)은 EL 소자의 안정적인 구동 동작을 보증하기 위해서 정전류 구동이 이루어질 수 있도록 설정되어 있고, 따라서, 드레인(D)과 소스(S)간의 임피던스는 높은 임피던스를 나타내고 있다.
그 때문에, 가령 공통 양극과 공통 음극간에 역바이어스 전압이 인가되더라도, 높은 임피던스를 나타내는 구동용 TFT(12)의 존재에 의해, EL 소자의 기생 용량에 있어서 정바이어스시에 축적된 전하를 바로 밀어낼 수 없고, 결과적으로 EL 소자에 대하여 효과적으로 역바이어스 전압을 인가할 수 없다고 하는 문제가 남겨진다.
본 발명은, 상기한 기술적인 문제점에 착안하여 이루어진 것으로, 점등 시간율을 저하시키는 일없이, EL 소자에 대하여 효과적으로 역바이어스 전압을 인가할 수 있는 발광 표시 패널의 구동 장치 및 구동 방법을 제공하는 것을 주된 과제로 하는 것이다. 또한 본 발명은, 역바이어스 전압의 인가 타이밍에 있어서 집중적으로 발생하는 부하 전류를 시간적으로 분산시킬 수 있는 구동 장치 및 구동 방법을 제공하는 것을 과제로 하는 것이다.
도 1은 종래의 액티브 매트릭스형 표시 패널에 있어서의 하나의 화소에 대응하는 회로 구성의 일례를 도시한 결선도.
도 2는 도 1에 도시한 각 화소의 회로 구성을 표시 패널에 배열한 상태를 모식적으로 도시한 평면도.
도 3은 본 발명에 따른 구동 장치에 있어서의 제1 실시예를 도시한 블럭도.
도 4는 도 3에 도시한 표시 패널에 형성된 각 화소중의 하나의 회로 구성을 도시한 결선도.
도 5는 각 화소를 발광 구동시키는 경우의 구체적인 구성을 도시한 결선도.
도 6은 단위 프레임 기간을 복수의 서브필드에 분할하여 계조 제어를 하는 예를 도시한 타이밍도.
도 7은 도 6에 도시하는 계조 표현을 하는 경우에 채용되는 선순차 표시 방식의 동작을 설명하는 타이밍도.
도 8은 계조 제어로서 아날로그 제어 방식을 채용한 제2 실시예를 도시한 결선도.
도 9는 도 8에 도시하는 실시예에 있어서 역바이어스 전압을 공급하는 제어형태의 일례를 도시한 타이밍도.
도 10은 도 8에 있어서의 제1 게이트 드라이버를 생략한 제3 실시예를 도시한 결선도.
도 11은 본 발명에 따른 구동 장치에 있어서의 제4 실시예를 도시한 블럭도.
도 12는 도 11에 도시한 표시 패널에 형성된 각 화소중의 하나의 회로 구성을 도시한 결선도.
도 13은 도 4에 도시하는 화소 구성예에 있어서의 변형예를 도시한 결선도.
도 14는 도 12에 도시하는 화소 구성예에 있어서의 변형예를 도시한 결선도.
도 15는 본 발명을 적용한 다른 화소 구성예를 도시한 결선도.
도 16은 본 발명을 적용한 또 다른 화소 구성예를 도시한 결선도.
상기한 과제를 해결하기 위해서 이루어진 본 발명에 따른 구동 장치는, 청구항 1에 기재한 대로, 복수의 데이터선 및 복수의 주사선의 교차 위치에 배치되고, 적어도 각각 점등 구동용 트랜지스터를 통해 발광 제어되는 복수의 발광 소자를 구비한 액티브 매트릭스형 표시 패널의 구동 장치로서, 상기 발광 소자에 대하여 점등 구동용 트랜지스터를 통해 순방향 전압을 가하는 점등 모드와, 상기 발광 소자에 대하여 점등 구동용 트랜지스터를 통해 역바이어스 전압을 가하는 역바이어스 전압 인가 모드가 선택되게 되며, 또한 상기 역바이어스 전압 인가 모드를 선택한 경우에 있어서는 상기 점등 구동용 트랜지스터를 바이패스하여 발광 소자에 대하여 역바이어스 전압을 인가하는 역바이어스 전압 인가 수단이 작동하도록 구성한 점에 특징을 갖는다.
이 경우, 바람직한 하나의 형태에 있어서는 청구항 3에 기재한 대로, 상기 주사선에 대응하여 배열된 복수의 발광 소자를 공통 접속하는 전극 라인을 상기 주사선마다 전기적으로 분리하여 형성하고, 상기 각 전극 라인에 대하여 소정의 전압 레벨을 인가함으로써 상기 역바이어스 전압 인가 모드가 선택되도록 구성된다.
한편, 상기한 과제를 해결하기 위해서 이루어진 본 발명에 따른 구동 방법은, 청구항 7에 기재한 대로, 복수의 데이터선 및 복수의 주사선의 교차 위치에 배치되고, 적어도 각각 점등 구동용 트랜지스터를 통해 발광 제어되는 복수의 발광 소자를 구비한 액티브 매트릭스형 표시 패널의 구동 방법으로서, 상기 발광 소자에 대하여 점등 구동용 트랜지스터를 통해 순방향 전압을 가하는 발광 소자의 점등 단계와, 상기 발광 소자에 대하여 점등 구동용 트랜지스터를 통해 역바이어스 전압을 가하는 역바이어스 전압 인가 단계가 실행되는 동시에, 상기 역바이어스 전압 인가 단계가 실행되는 경우에 있어서는, 점등 구동용 트랜지스터를 바이패스하여 발광 소자에 대하여 역바이어스 전압을 인가하는 역바이어스 전압 인가 수단이 동작되는 점에 특징을 갖는다.
이하, 본 발명에 따른 발광 표시 패널의 구동 장치에 관해서 도면에 도시하는 실시예에 기초하여 설명한다. 또, 이하의 설명에 있어서는 상기한 도 1 및 도 2에 있어서 설명한 각부에 해당하는 부분을 동일 부호로 도시하기로 한다. 우선, 도 3은 본 발명에 따른 구동 장치에 있어서의 제1 실시예를 블럭도에 의해서 도시한 것이다. 도 3에 있어서, 입력된 아날로그 영상 신호는 구동 제어 회로(21) 및 아날로그/디지털(A/D) 변환기(22)에 공급된다. 상기 구동 제어 회로(21)는 아날로그 영상 신호 중에서의 수평 동기 신호 및 수직 동기 신호에 기초하여 상기 A/D 변환기(22)에 대한 클록 신호, 및 프레임 메모리(23)에 대한 기록 및 판독 신호를 생성한다.
상기 A/D 변환기(22)는 구동 제어 회로(21)로부터 공급되는 클록 신호에 기초하여 입력된 아날로그 영상 신호를 샘플링하고, 이것을 1화소마다 대응한 화소 데이터로 변환하여 프레임 메모리(23)에 공급하도록 작용한다. 상기 프레임 메모리(23)는 구동 제어 회로(21)로부터의 기록 신호에 의해서 A/D 변환기(22)로부터 공급되는 각 화소 데이터를 프레임 메모리(23)에 순차 기록하도록 동작한다.
이러한 기록 동작에 의해 표시 패널에서의 일화면(m행, n열)분의 데이터의 기록이 종료하면, 메모리(23)는 구동 제어 회로(21)로부터 공급되는 판독 신호에 의해서 제1행으로부터 제m행으로 1행마다 판독한 구동 화소 데이터를 순차 데이터 드라이버(24)에 공급하게 된다.
한편, 이것과 동시에 구동 제어 회로(21)로부터 기록용 게이트 드라이버(25)에 대하여 타이밍 신호가 송출되어, 이것에 기초하여 게이트 드라이버(25)는 후술하는 바와 같이 각 주사 라인에 대하여 순차 게이트 온 전압을 송출한다. 따라서, 상기한 바와 같이 하여 메모리(23)로부터 판독된 1행마다의 구동 화소 데이터는 게이트 드라이버(25)의 주사에 의해서 1행마다 어드레싱된다. 또한, 이 실시예에 있어서는 상기 구동 제어 회로(21)로부터 소거용 음극 드라이버(26)에 대하여 제어 신호가 송출되도록 구성되어 있다.
상기 소거용 음극 드라이버(26)는 구동 제어 회로(21)로부터 제어 신호를 받아, 후술하는 바와 같이 각 주사 라인마다 전기적으로 분리하여 배열된 전극 라인(이 실시예에 있어서는 음극 라인(C1∼Cn)이라 칭함)에 대하여 선택적으로 소정의 전압 레벨을 인가하고, EL 소자에 대하여 순방향 또는 역바이어스 전압을 공급하도록 동작한다.
도 4는 도 3에 도시한 표시 패널(20)에 있어서 매트릭스형으로 배치된 각 화소(10) 중의 하나의 회로 구성을 도시한 것이다. 또, 이 도 4에 있어서는 도 1에 기초하여 이미 설명한 각부에 해당하는 부분을 동일 부호로 나타내고 있으며, 그 해당하는 부분의 상세한 설명은 생략한다. 이 도 4에 도시한 회로 구성에 있어서는, 점등 구동용 TFT(12)의 소스(S)와 드레인(D)과의 사이에 이것을 바이패스하도록 하여 다이오드(15)가 접속되어 있다. 즉, 상기 다이오드(15)는 그 양극(애노드)이 상기한 EL 소자(14)의 양극에 접속되어 있으며, 다이오드(15)의 음극(캐소드)은 공통 양극(16)에 접속되어 있다. 따라서, 상기 다이오드(15)는 다이오드 특성을 갖는 EL 소자(14)의 순방향에 대하여 역방향이 되도록 구동용 TFT(12)의 소스(S)와 드레인(D)과의 사이에 병렬 접속되어 있다.
한편, 도 4에 도시한 회로 구성에 있어서는, EL 소자(14)의 음극(캐소드)은 주사 라인(A1)에 대응하여 형성된 공통의 전극 라인(음극 라인(C1))에 접속되어 있고, 후술하는 바와 같이 도 3에 도시하는 소거용 음극 드라이버(26)에 의해서 이 음극 라인에 소정의 전압 레벨(EL 소자에 대한 순방향 전압 또는 역바이어스 전압)이 인가되게 된다. 즉, 도 5에 도시한 바와 같이, 주사 라인(A1∼An)에 대응하여 각각 음극 라인(C1∼Cn)이 형성되어 있고, 상기한 바와 같이 각 주사 라인(A1∼An)에 대응하여 배치된 각 EL 소자(14)의 음극은 각 음극 라인(C1∼Cn)에 각각 공통 접속된 구성으로 되어 있다.
그리고, 도 5에 도시한 바와 같이 각 음극 라인(C1∼Cn)에는 소거용 음극 드라이버(26)에 의해서 각 음극 라인에 소정의 전압 레벨을 인가할 수 있도록 구성되어 있다. 즉, 여기서는 공통 양극(16)에 가해지는 전압 레벨을 "Va"로 한 경우, 각 음극 라인(C1∼Cn)에는 "Vh" 또는 "Vl"이 선택적으로 인가되게 된다. 상기 "V3"에 대한 "Vl"의 레벨차, 즉 Va-Vl은, EL 소자(14)에 있어서 순방향 전압(예컨대 10 V 정도)이 되도록 설정되어 있고, 따라서, 각 음극 라인(C1∼Cn)에 선택적으로 "Vl"이 설정된 경우에는 각 화소(10)를 구성하는 EL 소자(14)는 발광 가능한 상태가 된다.
또한, 상기 "Va"에 대한 "Vh"의 레벨차, 즉 Va-Vh는, EL 소자(14)에 있어서 역바이어스 전압(예컨대-8 V 정도)이 되도록 설정되어 있고, 따라서, 각 음극 라인(C1∼Cn)에 선택적으로 "Vh"가 인가된 경우에는 각 화소(10)를 구성하는 EL 소자(14)는 비발광(소거) 상태가 되어, 이때, 도 4에 도시한 다이오드(15)는 상기 역바이어스 전압에 의해서 도통 상태가 된다.
상기 각 음극 라인(C1∼Cn)에 대한 "Vh" 또는 "Vl"의 인가 동작은 도 5에 도시한 바와 같이 소거용 음극 드라이버(26)에 배치된 시프트 레지스터(27)에 의해서 제어된다. 즉, 시프트 레지스터(27)에는 도 3에 도시한 구동 제어 회로(21)로부터 시프트 타이밍 신호가 공급되는 동시에, 후술하는 바와 같이 1서브필드분의 데이터 신호가 공급된다. 시프트 레지스터(27)는 시프트 타이밍 신호에 의해서 상기 데이터 신호를 순서대로 시프트 업하여 기억시킨다. 이때의 각 레지스터에 기억된 데이터 신호에 의해서 FET(Field Effect Transistor) 또는 TFT(28a, 28b)가 택일적으로 온 상태가 되고, 상기 각 음극 라인(C1∼Cn)에 대하여 "Vh" 또는 "Vl" 중 어느 하나의 전압 레벨이 인가된다.
한편, 이 실시예에 있어서는 도 3에 도시하는 구동 제어 회로(21)는 입력 영상 신호에 있어서의 단위 프레임 기간을 복수의 서브필드로 분할하고, 각 서브필드 내에서 EL 소자(14)를 점등 제어하여야 할 구동 신호를 각각 상기한 데이터 드라이버(24), 기록용 게이트 드라이버(25), 및 소거용 게이트 드라이버(26)의 각각에 공급하도록 구성되어 있다. 이 단위 프레임 기간을 복수의 서브필드로 분할하는 조작은 계조 표현(가중 시간 계조)을 행하기 위해서 이루어진 것이다. 즉, 각 서브필드에 있어서의 휘도의 상대비, 즉 EL 소자의 발광 시간비가 도 6에 편의적으로 도시한 바와 같이 각 서브필드마다, 1, 1/2, 1/4, 1/8이 되도록 설정되어 있다. 그리고, 이들 서브필드를 선택하여 조합함으로써 다계조 표현을 실현할 수 있다.
또, 도 6에 도시하는 예에 있어서는 도시의 편의상, 단위 프레임 기간을 제1로부터 제4 서브필드(제1 SF∼제4 SF)로 분할한 예를 도시하고 있지만, 이 서브필드에의 분할수가 클수록 다계조의 표현을 실현할 수 있다. 단, 서브필드에의 분할수를 늘릴수록 구동 주파수를 크게 하지 않으면 안 된다. 그래서, 실용상에 있어서는 단위 프레임 기간을 예컨대 8개의 서브필드로 분할하고, 이에 따라 256 계조를 실현시키는 것이 제안되어 있다.
도 3에 도시하는 구동 제어 회로(21)는 설정된 휘도 계조에 기초하여 각 서브필드마다 각 화소의 발광 기간을 제어하도록 동작한다. 즉, 구동 제어 회로(21)로부터는 1서브필드마다의 타이밍에 따라서 기록용 게이트 드라이버(25)에 있어서의 도시하지 않는 시프트 레지스터에 대하여 어드레싱(기록) 신호가 공급된다. 또한, 이것에 동기하여 구동 제어 회로(21)로부터는 데이터 드라이버(24)에 대하여 1서브필드분의 발광 구동 데이터가 각 주사 라인의 주사에 대응하여 순차 공급된다. 또한 구동 제어 회로(21)로부터 소거용 음극 드라이버(26)에 대하여 설정된 휘도 계조에 기초하는 서브필드마다 정해진 발광 패턴에 따르는 데이터가 공급된다. 그 때문에, 각 음극 라인(C1∼Cn)에 대해서는 서브필드마다 정해진 상기 전압 레벨("Vl" 또는 "Vh" 중 어느 하나)가 공급되게 된다.
상기한 서브필드마다의 발광 구동 동작은 제1행째(제1 주사 라인(A1))로부터 제n행(제n 주사 라인(An))을 향하여 순서대로 실행되는 소위 선순차 표시 방식이 채용된다. 도 7은 이 모습을 모식적으로 도시한 것이며, 도 6에 도시한 가중 시간 계조 패턴과 동일한 발광 구동 동작을 실현시키는 예를 도시하고 있다. 도 7에 있어서의 (A)∼(C)는, 예컨대, 제1 주사 라인(A1)∼제3 주사 라인(A3)에 관한 기록신호와 소거 신호의 발생 타이밍이 예를 도시한 것이다. 도 7에 도시한 바와 같이 제1 주사 라인으로부터 제n 주사 라인을 향하여 순서대로 기록 신호가 공급되어 어드레스 기간이 되고, 그 어드레스 기간의 개시는 제1 주사 라인으로부터 제n 주사 라인을 향하여 소정 시간씩 지연된다.
여기서, 도 7에 예시된 제1 서브필드(제1 SF)에 있어서는, 각 음극 라인(C1∼Cn)에는 각각 "Vl"의 전압 레벨이 인가되어 각 화소(10)를 구성하는 EL 소자(14)는 발광 가능한 상태가 된다. 또한 도 7에 예시된 제2 서브필드(제2 SF)에 있어서는, 그 발광 시간비를 1/2로 하는 소거 타이밍에 있어서 각 음극 라인(C1∼Cn)에서의 전압 레벨이 "Vl"로부터 "Vh"로 전환된다. 이때의 소거 동작으로의 전환 타이밍은 각 음극 라인(C1∼Cn)을 향하여 소정 시간씩 지연된다.
이러한 전환 동작은 도 7에 도시하는 예에 있어서는, 제3 서브필드(제3 SF), 및 제4 서브필드(제4 SF)에 있어서도 실행된다. 더구나, 그 전환 타이밍은 음극 라인(C1∼Cn)을 향하여 마찬가지로 소정 시간씩 지연된다. 이와 같이 하여, 표시 패널(20)에 있어서는 가중 시간 계조 제어를 받은 영상 신호가 재생된다.
상기한 제1 실시예는 시분할 계조 표현 수단에 있어서의 동시 소거법(SES=Simultaneous-Erasing-Scan)을 채용한 것이며, 계조 표현을 하기 위해서 화소를 구성하는 EL 소자에 순방향 전압(Va-Vl)을 가하는 점등 모드와, EL 소자에 대하여 역바이어스 전압(Va-Vh)을 가하는 역바이어스 전압 인가 모드(소거 동작)가 선택된다. 그리고, 역바이어스 전압 인가 모드에 있어서는 점등 구동용 트랜지스터를 바이패스하여 EL 소자에 대하여 역바이어스 전압을 인가하는 역바이어스전압 인가 수단, 즉 역바이어스 전압에 의해 도통 상태가 되는 다이오드(15)가 구비되어 있기 때문에, EL 소자에 대하여 효과적으로 역바이어스를 가할 수 있다.
이 경우, 주사 라인에 대응하여 배열된 EL 소자의 음극측을 공통 접속하는 음극 라인을 상기 주사 라인마다 전기적으로 분리하여 배열한 구성으로 하고, 상기한 바와 같은 시간 계조 제어를 병용함으로써 시간 계조 제어에 의한 소거 동작과 동시에, EL 소자에 대하여 역바이어스 전압을 인가할 수 있다. 이에 따라, EL 소자의 발광 듀티비, 즉 점등 시간율을 희생으로 하는 일없이, EL 소자에 대하여 역바이어스 전압을 인가할 수 있다. 또한, 상기한 제1 실시예에 의하면 소거 동작은 선순차 방식에 의해 실행되기 때문에, EL 소자 및 전압 유지 기능을 다하는 커패시터 등에 대한 역바이어스 전압의 인가에 기초하여 발생하는 순간의 피크 전류를 분산시킬 수 있다.
이상 설명한 제1 실시예에 있어서는 가중 시간 계조 제어를 병용한 예에 기초하여 설명했지만, 본 발명에 따른 발광 표시 패널의 구동 장치는 계조 제어로서 예컨대 아날로그 제어 방식을 채용한 구동 장치에도 이용할 수 있다. 도 8은 그 예를 도시하는 제2 실시예에 관해서 설명하는 것이며, 이미 설명한 도 5와 동일한 구성으로 도시하고 있다. 도 8에 도시하는 제2 실시예에 있어서는, 각 주사 라인(A1∼An)은 제1 게이트 드라이버(25)에 의해서 각 라인마다 어드레싱되도록 구성되어 있다. 즉, 이 제1 게이트 드라이버(25)는 도 5에 도시한 기록용 게이트 드라이버(25)와 동일한 기능을 다하도록 작용한다.
그리고, 도 8에 도시하는 실시예에 있어서는, 각 주사 라인(A1∼An)에 대하여 순차 어드레싱할 때에 데이터 드라이버(24)로부터 각 데이터 라인(B1∼Bm)에 대하여 각 EL 소자의 발광 휘도에 대응한 아날로그 출력이 공급되게 된다. 이에 따라, 각 화소(10)를 구성하는 커패시터(13)에는 각 EL 소자의 발광 휘도에 대응한 전압이 각각 충전되고, 이 충전 전하에 기초하여 각 EL 소자의 발광 휘도가 제어된다. 또한, 상기한 각 주사 라인(A1∼An)에 대하여 순차 어드레싱하는 데 동기하여 제2 게이트 드라이버(26)에 있어서는 각 음극 라인(C1∼Cn)에 대하여 선택적으로 역바이어스 전압을 공급하게 된다.
도 9는 도 8에 도시하는 실시예에 있어서 역바이어스 전압을 공급하는 제어 형태의 일례를 도시한 것이다. 이 예에 있어서는 제1∼제4 단위 프레임(제1 F∼제4 F)에 특히 어드레싱 동작이 행해지는 경우를 도시하고 있다. 그리고, 도 9에 있어서의 (A)∼(C)는 예컨대 제1 주사 라인(A1)∼제3 주사 라인(A3)에 관해서, 제1 게이트 드라이버(25)의 주사에 의한 기록 신호의 발생 타이밍(도 9에서는 게이트(1)라 표기)과, 이것에 동기한 제2 게이트 드라이버(26)에 의한 역바이어스 전압의 공급 타이밍(도 9에서는 게이트(2)라 표기)의 관계를 도시하고 있다. 즉, 도 9에 도시한 바와 같이 선순차 표시 방식에 의해 제1 주사 라인으로부터 제n 주사 라인을 향하여 순서대로 기록 신호가 공급되어 어드레스 기간이 되고, 그 어드레스 기간의 개시는 제1 주사 라인으로부터 제n 주사 라인을 향하여 소정 시간씩 지연된다.
또한, 이 실시예에 있어서는, 제2 게이트 드라이버(26)에 있어서는 제1 게이트 드라이버(25)의 주사에 의한 어드레싱의 타이밍에 동기하여 전압 "Vh"을 출력하도록 제어된다. 따라서, 도 8에 도시하는 실시예에 있어서는 어드레스 시간에 대응하여 EL 소자에 대하여 항상 역바이어스 전압이 인가된다. 또, 도 8에 도시하는 실시예에 있어서는 제2 게이트 드라이버(26)에 있어서의 시프트 레지스터(27)에 대하여 공급하는 데이터를 변경함으로써, 각 음극 라인(C1∼Cn)을 통하여 1프레임 기간에 있어서의 어드레싱의 타이밍에 있어서, 예컨대 1도만큼 EL 소자에 대하여 역바이어스 전압을 인가하는 제어 형태를 선택할 수 있다. 또는 임의의 어드레싱의 타이밍에 있어서, EL 소자에 대하여 역바이어스 전압을 인가하는 제어 형태도 선택할 수 있다. 따라서, 상기한 수단을 채용한 경우에 있어서는, EL 소자에 대한 역바이어스 전압을 인가하는 빈도를 조정할 수 있어, 역바이어스 전압을 인가하는 것에 의한 충방전에 따르는 손실을 저감시키는 것에도 기여할 수 있다.
이상 설명한 제2 실시예에 있어서도 점등 시간율을 희생으로 하는 일없이, EL 소자에 대하여 역바이어스 전압을 인가할 수 있다. 그리고, EL 소자에 대하여 역바이어스 전압을 인가한 경우에는 역바이어스 전압에 의해 도통 상태가 되는 다이오드가 구비되어 있기 때문에, EL 소자에 대하여 효과적으로 역바이어스 전압을 가할 수 있다. 또한, 주사 라인에 대응한 각 음극 라인(C1∼Cn)을 통해 선순차 방식에 의해 역바이어스 전압을 인가하도록 되어 있기 때문에, EL 소자 및 전압 유지 기능을 다하는 커패시터 등에 대한 역바이어스 전압의 인가에 기초하여 발생하는 순간의 피크 전류를 분산시킬 수 있다.
다음에 도 10은 제3 실시예를 도시한 것이며, 도 8에 도시한 제1 게이트 드라이버(25)를 생략한 예를 도시하고 있다. 이 제3 실시예에 있어서는, 제1 게이트 드라이버를 생략한 것에 의해, 제어용 TFT의 게이트는 각 음극 라인(C1∼Cn)에 각각 접속되어 있다. 이 구성에 의하면 각 음극 라인(C1∼Cn)에 전압 "Vh"을 공급함으로써 제어용 TFT을 온동작시킬 수 있고, 어드레스 동작과 동시에 역바이어스 전압의 인가를 달성할 수 있다. 따라서, 이 도 10에 도시하는 제3 실시예에 있어서의 역바이어스의 인가 타이밍은 이미 설명한 도 9에 도시하는 제어 형태가 채용된다.
이 도 10에 도시한 제3 실시예에 있어서도 상기한 각 실시예와 같이, 점등 시간율을 희생으로 하는 일없이, EL 소자에 대하여 역바이어스 전압을 인가할 수 있다. 이때, 다이오드(15)를 통해 EL 소자(14)에 대하여 효과적으로 역바이어스 전압을 가할 수 있다. 또한, 주사 라인에 대응한 각 음극 라인(C1∼Cn)을 통해 선순차 방식에 의해 역바이어스 전압을 인가하게 되기 때문에 역바이어스 전압의 인가에 기초하여 발생하는 순간의 피크 전류를 분산시킬 수 있다.
또, 이상 설명한 각 실시예에 있어서는 모두 주사 라인에 대응하여 배열된 각 발광 소자의 음극측이 공통 접속되는 음극 라인(C1∼Cn)이 구비되고, 각 음극 라인에 공급하는 전압과 공통 양극(16)과의 사이의 전위차에 의해 각 EL 소자에 대하여 순방향 전압 또는 역바이어스 전압을 인가하도록 되어 있다. 이에 대하여, 주사라 인에 대응하여 배열된 각 발광 소자의 양극측이 공통 접속되는 양극 라인을 형성하고, 마찬가지로 하여 각 EL 소자에 대하여 순방향 전압 또는 역바이어스 전압을 인가하도록 구성할 수도 있다.
도 11 및 도 12는 그 예를 도시한 것이며, 각각 상기한 도 3 및 도 4에 도시한 각부에 해당하는 부분을 동일 부호로 도시하고 있다. 이 제4 실시예에 있어서의 각 화소(10)는 도 12에 도시한 바와 같이 EL 소자(14)의 음극이 공통 음극(17)에접속되어 있다. 한편, EL 소자(14)의 양극은 구동용 TFT(12)의 드레인(D) 및 소스(S)를 통해 각 주사 라인마다 전기적으로 분리하여 배열된 전극 라인(이 실시예에 있어서는 양극 라인(D1∼Dn)이라 칭함)에 접속되어 있다.
도 11 및 도 12에 도시한 바와 같이 상기 양극 라인(D1∼Dn)은 주사 라인(A1∼An)에 대응하여 배열된 각 발광 소자의 양극측을 공통 접속하는 것이며, 각 양극 라인(D1∼Dn)은 소거용 양극 드라이버(30)에 의해서 그 전위 레벨이 제어되게 된다. 상기 소거용 양극 드라이버(30)는 일례로서 도 5에 도시한 소거용 음극 드라이버(26)와 같이 시프트 레지스터(27)와 스위칭용 FET 또는 TFT(28a, 28b)를 구비한 구성으로 되어 있다.
그리고, 도 12에 도시하는 공통 음극(17)의 전위 레벨을, 예컨대 기준 전위(어스=0 V)로 한 경우, 스위칭용 FET를 통해 양극 라인(D1)에 +10 V 정도의 정전위를 가한 경우에는, EL 소자(14)에 대하여 발광 가능한 순방향 전압을 공급할 수 있다. 또한, 스위칭용 FET를 통해 양극 라인(D1)에 -8 V 정도의 부전위를 가한 경우에는, EL 소자(14)에 대하여 역바이어스 전압을 가할 수 있다.
이렇게 하여, 도 11 및 도 12에 도시하는 제4 실시예에 있어서도 각 양극 라인(D1∼Dn)을 통해 역바이어스 전압을 가할 수 있고, 이 경우에 있어서도 상기한 각 실시예와 같이 다이오드(15)를 통해 EL 소자(14)에 대하여 효과적으로 역바이어스 전압을 가할 수 있다. 또한, 주사 라인에 대응한 각 양극 라인(D1∼Dn)을 통해 선순차 방식에 의해 역바이어스 전압을 인가하게 되어 있기 때문에, 역바이어스 전압의 인가에 기초하여 발생하는 순간의 피크 전류를 분산시킬 수 있다.
이상 설명한 각 실시예에 있어서는 모두 점등 구동용 트랜지스터(12)에 대하여 병렬 접속되어 역바이어스 전압에 의해 도통 상태가 되는 다이오드(15)를 이용한 예를 도시하고 있지만, 다이오드(15) 대신에 점등 구동용 트랜지스터(12)의 드레인·소스간에 스위칭용 TFT를 삽입하도록 하더라도 좋다. 도 13은 그 예를 도시한 것이며, 도 4에 도시한 하나의 화소(10)에 대응하는 회로 구성에 있어서 다이오드(15) 대신에 TFT(19)가 접속되어 있다. 그리고, 이 TFT(19)의 게이트에는 역바이어스 인가 기간에 있어서 TFT(19)가 온동작되는 신호가 공급되도록 제어된다.
도 14도 다이오드(15) 대신에 TFT(19)를 이용한 다른 예를 도시하는 것이며, 이것은 이미 설명한 도 12에 도시한 하나의 화소(10)에 대응하는 회로 구성에 적용한 것이다. 그리고, 이 TFT(19)의 게이트에는 마찬가지로 역바이어스 인가 기간에 있어서 TFT(19)가 온동작되는 신호가 공급되도록 제어된다.
이상 설명한 각 실시예에 있어서는 모두 1화소를 제어용 TFT(11)과 구동용 TFT(12)과의 조합(2트랜지스터)에 의해 구성한 예를 들고 있지만, 다음에 설명하는 회로 구성은 상기 2트랜지스터에 의한 구성을 기본으로 하여, 또 다른 제어용 트랜지스터를 구비한 예를 도시하는 것이다. 즉, 도 15에 도시하는 예는 커패시터(13)에 유지된 전하를 소정의 타이밍에 소거용 TFT에 의해 방전시키는 수단을 채용한 것이며, 소거용 TFT을 이용한 회로예에 본 발명을 적용한 경우의 제5 실시예를 도시한 것이다.
이 도 15에는 표시 패널에 있어서의 하나의 화소(10)에 대응하는 회로 구성이 도시되어 있다. 도 15에 도시한 바와 같이 전압 라인(Va와 Vb) 사이에 구동용TFT(12)과 EL 소자(14)가 직렬 상태로 접속되어 있다. 그리고, 구동용 TFT(12)에 대하여 병렬 접속되어, 역바이어스 전압에 의해 도통 상태가 되는 다이오드(15)가 배치되어 있다. 이 구동용 TFT(12)은 전하 유지용 콘덴서(13)의 단자 전압이 게이트에 인가됨으로써 EL 소자(14)에 정전류를 흐르게 하고, EL 소자(14)를 발광 상태로 할 수 있다.
한편, 제어용 TFT(11)의 게이트는 주사선(주사 라인(A1))에 접속되고, 소스는 기록용 전류원(Id)을 구비한 데이터선(데이터 라인(B1))에 접속되어 있다. 이 구성에 의해 어드레스 기간에 있어서 TFT(32)를 통해 상기 콘덴서(13)에 대하여 전류원(Id)에 의한 전류값에 대응한 전하를 축적하도록 작용한다. 또, 상기 TFT(32)는 상기 구동용 TFT(12)와 같이, 소위 전류 미러 회로를 구성하고 있다. 또한, 소거용 TFT(33)이 구비되어 있고, 이 소거용 TFT(33)의 게이트에는 소거 라인(E1)을 통한 제어 전압이 인가되도록 구성되어 있다.
상기한 도 15의 회로 구성에 있어서, 어드레스 기간에 있어서는 TFT(11) 및 TFT(32)을 통해 콘덴서(13)에 대하여 기록 동작이 이루어진다. 이것에 기초하여 구동용 TFT(12)은 콘덴서(13)의 단자 전압에 대응한 전류를 EL 소자(14)에 흐르게 하고, 단위 프레임 기간에 있어서 EL 소자(14)는 발광을 지속할 수 있다. 이 경우, 상기 단위 프레임 기간에 있어서의 소정의 타이밍에 있어서 소거 라인(E1)에 소거 신호가 공급되게 된다. 이에 따라, 콘덴서(13)에 축적된 전하는 각 TFT(32, 33)를 통해 방전되기 때문에, EL 소자(14)의 발광은 그 타이밍에서 정지된다.
도 15에 도시하는 회로 구성에 있어서도, 전압 라인(Va)을 고정 전압으로 하고, 또한 전압 라인(Vb)을 예컨대 도 5에 도시한 바와 같이 주사 라인(A1∼An)에 대응하여 형성된 음극 라인(C1∼Cn)에 의해 얻도록 구성할 수 있다. 이러한 구성으로 한 경우에는, 음극 라인(C1∼Cn)에 공급하는 전압 레벨을 "Vh" 또는 "Vl"로 함으로써 도 5에 기초하여 설명한 작용과 같이 EL 소자(14)에 대하여 역바이어스 전압 또는 순방향 전압을 가할 수 있다.
또한, 도 15에 있어서의 전압 라인(Va)의 전압 레벨을 변화시키더라도 EL 소자(14)에 대하여 역바이어스 전압 또는 순방향 전압을 가할 수 있다. 이 경우에 있어서는, 전압 라인(Va)의 전압 레벨이 변화되기 때문에, 전류원(Id)에 대하여 전류의 랩어라운드 현상이 발생한다. 이것을 피하기 위해서는 그 전류 경로를 구성하는 TFT(11) 또는 TFT(32)이 오프가 되도록 제어하는 것이 바람직하다.
이 도 15에 도시한 회로 구성에 의한 제5 실시예에 있어서도 다이오드(15)를 통해 EL 소자(14)에 대하여 효과적으로 역바이어스 전압을 가할 수 있다. 또한, 주사 라인에 대응한 각 음극 라인(C1∼Cn)을 통해 선순차 방식에 의해 역바이어스 전압을 인가하게 되기 때문에, 역바이어스 전압의 인가에 기초하여 발생하는 순간의 피크 전류를 분산시킬 수 있다.
다음에 도시한 도 16은 마찬가지로 2트랜지스터에 의해 구성되는 1화소의 구성을 기본으로 하여, 또 다른 제어용 트랜지스터를 구비한 제6 실시예를 도시한 것이며, 이 도 16에 도시하는 회로 구성은 전류 기록 회로라 칭하고 있다. 즉, 전압 라인(Va와 Vb)의 사이에는 스위칭용 TFT(35), 구동용 TFT(12) 및 EL 소자(14)가 직렬 상태로 접속되어 있다.
그리고, 스위칭용 TFT(35) 및 구동용 TFT(12)의 직렬 회로에 대하여 병렬 접속되어, 역바이어스 전압에 의해 도통 상태가 되는 다이오드(15)가 배치되어 있다. 상기 구동용 TFT(12)은 전하 유지용 콘덴서(13)의 단자 전압(게이트 전압)에 기초하여 EL 소자(14)에 정전류를 흐르게 할 수 있고, 이에 따라 EL 소자(14)를 발광 상태로 할 수 있다.
한편, 제어용 제1 TFT(11a) 및 제2 TFT(11b)의 게이트는 주사선(주사 라인(A1))에 접속되어 있고, 기록용 전류원(Id)을 구비한 데이터선(데이터 라인(B1))으로부터의 전류는 제2 TFT(11b)를 통해 콘덴서(13)를 충전하도록 구성되어 있다. 이 구성에 의해 어드레스 기간에 있어서는, 주사 라인(A1)에 있어서의 제어 전압에 의해 스위칭용 TFT(35)은 오프 상태가 되고, 제어용 제1 TFT(11a) 및 제2 TFT(11b)는 모두 온 상태가 된다. 따라서, 콘덴서(13)에는 상기 기록용 전류원(Id)으로부터의 전류에 대응한 전하가 축적된다.
상기한 어드레스 기간의 종료와 동시에, 제어용의 제1 TFT(11a) 및 제2 TFT(11b)는 모두 오프 상태가 되고, 스위칭용 TFT(35)이 온 상태가 됨으로써 상기 전압 라인(Va와 Vb)의 사이에 스위칭용 TFT(35), 구동용 TFT(12) 및 EL 소자(14)가 직렬 상태로 접속된다. 그리고, 구동용 TFT(12)은 콘덴서(13)에 축적된 전하량(즉, 상기 Id에 의한 기록 전류값)에 대응하여 EL 소자(14)를 발광시키도록 작용한다.
도 16에 도시하는 회로 구성에 있어서도, 전압 라인(Va)을 고정 전압으로 하고, 또한 전압 라인(Vb)을 예컨대 도 5에 도시한 바와 같이 주사 라인(A1∼An)에 대응하여 형성된 음극 라인(C1∼Cn)에 의해 얻도록 구성할 수 있다. 이러한 구성으로 한 경우에는 음극 라인(C1∼Cn)에 공급하는 전압 레벨을 "Vh" 또는 "Vl"로 함으로써 도 5에 기초하여 설명한 작용과 같이 EL 소자(14)에 대하여 역바이어스 전압 또는 순방향 전압을 가할 수 있다.
또한, 도 16에 있어서의 전압 라인(Va)의 전압 레벨을 변화시키더라도 EL 소자(14)에 대하여 역바이어스 전압 또는 순방향 전압을 가할 수 있다. 이 경우에 있어서는, TFT(11b) 또는 TFT(35) 중 어느 하나가 오프 상태이면, 전압 라인(Va)의 변동에 의해 기록용 전류원(Id)에 간섭을 부여하는 것을 피할 수 있다.
이 도 16에 도시한 회로 구성에 의한 제6 실시예에 있어서도 다이오드(15)를 통해 EL 소자(14)에 대하여 효과적으로 역바이어스 전압을 가할 수 있다. 또한, 주사 라인에 대응한 각 음극 라인(C1∼Cn)을 통해 선순차 방식에 의해 역바이어스 전압을 인가할 수 있기 때문에, 역바이어스 전압의 인가에 기초하여 발생하는 순간의 피크 전류를 분산시킬 수 있다.
또, 상기한 도 15 및 도 16에 도시하는 회로 구성에 있어서도 도 13 및 도 14에 기초하여 설명한 바와 같이 다이오드(15) 대신에 스위칭용 TFT(19)를 이용하도록 하더라도 좋다. 이와 같이 스위칭용 TFT를 이용한 경우에는 역바이어스 전압의 인가 기간에 있어서 TFT가 온 동작되는 신호가 공급되도록 제어된다.
액티브 매트릭스형 EL 표시 장치에 있어서, 점등 시간율을 저하시키는 일없이 EL 소자에 대하여 효과적으로 역바이어스 전압을 인가할 수 있는 효과가 있으며, 또한 역바이어스 전압의 인가 타이밍에 있어서 집중적으로 발생하는 부하 전류를 시간적으로 분산시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (12)

  1. 복수의 데이터선 및 복수의 주사선의 교차 위치에 배치되고, 적어도 각각 점등 구동용 트랜지스터를 통해 발광 제어되는 복수의 발광 소자를 구비한 액티브 매트릭스형 표시 패널의 구동 장치로서,
    상기 발광 소자에 대하여 점등 구동용 트랜지스터를 통해 순방향 전압을 가하는 점등 모드와, 상기 발광 소자에 대하여 점등 구동용 트랜지스터를 통해 역바이어스 전압을 가하는 역바이어스 전압 인가 모드가 선택되게 되며, 또한 상기 역바이어스 전압 인가 모드를 선택한 경우에 있어서는, 상기 점등 구동용 트랜지스터를 바이패스하여 발광 소자에 대하여 역바이어스 전압을 인가하는 역바이어스 전압 인가 수단이 작동하도록 구성한 것을 특징으로 하는 발광 표시 패널의 구동 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 역바이어스 전압 인가 수단은 상기 점등 구동용 트랜지스터에 대하여 병렬 접속되어, 역바이어스 전압에 의해 도통 상태가 되는 다이오드 또는 TFT을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 표시 패널의 구동 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 주사선에 대응하여 배열된 복수의 발광 소자를 공통 접속하는 전극 라인을 상기 주사선마다 전기적으로 분리하여 형성하고, 상기 각 전극 라인에 대하여 소정의 전압 레벨을 인가함으로써 상기 역바이어스 전압 인가 모드가 선택되도록 구성한 것을 특징으로 하는 발광 표시 패널의 구동 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 전극 라인이 상기 주사선에 대응하여 배열된 각 발광 소자의 음극측을 공통 접속하는 음극 라인인 것을 특징으로 하는 발광 표시 패널의 구동 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 전극 라인이 상기 주사선에 대응하여 배열된 각 발광 소자의 양극측을 공통 접속하는 양극 라인인 것을 특징으로 하는 발광 표시 패널의 구동 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 발광 소자는 유기 화합물을 발광층에 이용한 유기 EL 소자에 의해 구성한 것을 특징으로 하는 발광 표시 패널의 구동 장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 발광 소자는 유기 화합물을 발광층에 이용한 유기 EL 소자에 의해 구성한 것을 특징으로 하는 발광 표시 패널의 구동 장치.
  8. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 발광 소자는 유기 화합물을 발광층에 이용한 유기 EL 소자에 의해 구성한 것을 특징으로 하는 발광 표시 패널의 구동 장치.
  9. 복수의 데이터선 및 복수의 주사선의 교차 위치에 배치되고, 적어도 각각 점등 구동용 트랜지스터를 통해 발광 제어되는 복수의 발광 소자를 구비한 액티브 매트릭스형 표시 패널의 구동 방법으로서,
    상기 발광 소자에 대하여 점등 구동용 트랜지스터를 통해 순방향 전압을 가하는 발광 소자의 점등 단계와, 상기 발광 소자에 대하여 점등 구동용 트랜지스터를 통해 역바이어스 전압을 가하는 역바이어스 전압 인가 단계가 실행되는 동시에, 상기 역바이어스 전압 인가 단계가 실행되는 경우에 있어서는, 점등 구동용 트랜지스터를 바이패스하여 발광 소자에 대하여 역바이어스 전압을 인가하는 역바이어스 전압 인가 수단이 동작되는 것을 특징으로 하는 발광 표시 패널의 구동 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 주사선에 대응하여 배열된 복수의 발광 소자를 공통 접속하는 전극 라인을 상기 주사선마다 전기적으로 분리하여 형성하고, 상기 각 전극 라인마다 시간적으로 중복되지 않도록 하여 역바이어스 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 발광 표시 패널의 구동 방법.
  11. 제10항에 있어서, 단위 프레임 기간을 복수의 서브필드로 분할하고, 각 서브필드마다 정해진 발광 소자의 발광 시간비에 기초하여 다계조 표현을 실행하게 되며, 또한 상기 서브필드 기간 중에 있어서의 발광 소자의 비발광 시간 내에서 상기 전극 라인에 역바이어스 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 발광 표시 패널의 구동 방법.
  12. 제10항에 있어서, 주사선마다 이루어지는 어드레스 기간 중에 있어서, 상기 전극 라인에 역바이어스 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 발광 표시 패널의 구동 방법.
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