KR20040014239A - 광섬유 프리폼, 그 제조 방법 및 광섬유 프리폼의드로잉에 의해 얻어지는 광섬유 - Google Patents

광섬유 프리폼, 그 제조 방법 및 광섬유 프리폼의드로잉에 의해 얻어지는 광섬유 Download PDF

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Abstract

본 발명의 프리폼을 드로잉하여 얻어지는 광섬유는 수소 분위기에 노출되는 경우에도 드로잉 조건에 관계없이 약 1,385 nm의 파장에서 광섬유의 OH 피크가 증가되지 않는다.

Description

광섬유 프리폼, 그 제조 방법 및 광섬유 프리폼의 드로잉에 의해 얻어지는 광섬유 {OPTICAL FIBER PREFORM, METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF, AND OPTICAL FIBER OBTAINED BY DRAWING THEREOF}
본 발명은 1,385 nm의 파장에서 광의 전송 손실이 작고, 수소 분위기에 노출될 경우에도 수산(OH)기에 기인한 전송 손실의 증가가 작은 광섬유 프리폼, 상기 광섬유 프리폼의 제조 방법 및 광섬유 프리폼을 드로잉하여 얻어지는 광섬유에 관한 것이다.
도 1은 종래의 광섬유 소결장치(100)의 구성예를 나타낸다. 소결장치(100)는 용기(14), 히터(22), 가스 도입관(24) 및 구동원(drive source)(16)을 구비한다. 용기(14)는 실리카 유리로 만들어진다. 히터는 용기(14)를 가열하도록 용기(14)의 외주에 배치된다.
용기(14)의 저부(底部)에는 가스 도입관(24)이 접속되며, 가스 도입관(24)을 통하여 헬륨(He) 가스 등의 불활성 가스 및 염소(Cl2) 가스 등의 탈수 반응 가스의 혼합 가스가 용기(14) 내에 유입된다.
용기(14)의 정상부(頂上部)에는 배기관(20)이 접속되며, 용기(14)의 저부로부터 유입되는 혼합 가스가 배기관(20_으로부터 배출된다. 구동원(16)은 코어 로드(core rod)(10)에 접속된다.
광섬유 프리폼(12)은 탈수 공정에 앞서 VAD법과 같은 방법에 의해 코어로드(10)의 주위에 형성된다. 구동원(16)은 코어 로드(10)를 용기(14) 속으로 강하시킴으로써 프리폼(12)을 용기(14) 내에 삽입한다. 용기(14)는 가스 도입관(24)으로부터 유입된 혼합 가스의 분위기로 채워지고, 용기(14)의 주위는 히터(22)에 의해 가열된다. 따라서, 용기(14) 내에 삽입된 프리폼(12)은 혼합 가스의 분위기 하에서 가열되어 탈수 및 소결된다.
도 2는 종래의 일반적 싱글 모드 광섬유에서의 전송 손실과 파장의 관계를 나타낸다. 통신에 사용되는 광의 파장은 저가의 반도체 레이저를 사용할 수 있기 때문에 주로 1,300 nm 부근 또는 1,550 nm 부근이다. 최근 파장다중(Wavelength Division Multiplexing; WDM) 기술의 진보에 따라, 데이터 전송 용량을 증가하기 위해서 1,300 nm 내지 1,600 nm의 파장 대역에서 광을 이용할 필요가 있다.
그러나, 도 2에 도시한 바와 같이, 일반적 광섬유의 전송 손실은 1,385 nm 부근의 파장에서 급격히 증가한다. 전송 손실이 증가되면, 장거리 전송을 위해 광을 증폭하고 재생하는 재생기(regenerator)를 늘일 필요가 있으며, 이로 인해 전송 시스템 또는 통신 시스템 전체의 비용이 증가된다.
따라서, 1,385 nm 부근의 파장에서의 전송 손실의 급격한 증가를 억제할 필요가 있다.
또한, 도 2에 나타낸 바와 같이, 1,385 nm 부근의 파장에서의 전송 손실의 피크 값과, 도면에 파선으로 나타낸 바와 같이 완만히 감소한 경우의 전송 손실의 값의 차이를 이하에서 OH 피크라 정의한다. 예를 들면, 도 2에 나타낸 OH 피크는약 0.06 dB/km이다. 1,385 nm 부근 파장에서의 전송 손실의 가파른 상승 또는 급격한 증가, 즉 OH 피크는 광섬유에 함유된 OH기의 진동 및 상기 파장의 광의 흡수에 의해 야기된다. 광섬유에 함유된 OH기를 감소시키기 위해서는 광섬유의 모재인 프리폼 내의 OH기를 감소시킬 필요가 있다.
또한, 드로잉 직후 광섬유의 OH 피크가 충분히 작더라도, 어떤 원인에서 광섬유가 수소 분위기에 노출되면 수소가 광섬유 중에 확산되고, 광섬유를 구성하는 유리에 존재하는 결함(defect)과 반응하여 OH기를 발생함으로써 OH 피크가 증대될 가능성이 있다.
도 3에서, 점선은 실선으로 나타낸 OH 피크가 충분히 작은 광섬유를 1% 수소 분위기에 4일간 노출시킨 경우의 전송 손실에 대한 스펙트럼이다. 도 3은 파장 1,385 nm 부근에서 약 0.1 dB/km의 OH 피크의 상승을 나타낸다. 1,240 nm 부근 파장에서의 OH 피크는 광섬유 중의 수소 확산에 기인한다. 광섬유를 대기중에 잠시 노출시키고, 광섬유로부터 수소를 제거하면 OH 피크는 소실된다. 그러나, 파장 1,385 nm 부근에서의 OH 피크의 상승은 비가역적이므로 감소되지 않는다. 따라서 OH 피크의 상승을 야기하는 광섬유 중의 결함을 충분히 줄일 필요가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 종래 기술에 수반된 상기 문제점을 극복할 수 있는 광섬유 프리폼, 광섬유 프리폼의 제조 방법 및 광섬유 프리폼의 드로잉에 의해 얻어지는 광섬유를 제공하는 것이다. 상기 목적을 비롯한 그 밖의 목적은 특허 청구 범위의 독립항에 기재된 특징의 조합에 의해 달성될 수 있다. 또한, 종속항은 본 발명의 더욱 유리한 구체예를 규정한다.
도 1은 광섬유 프리폼 소결장치의 종래 구성의 일례를 나타내는 부분 절개도.
도 2는 일반적 싱글 모드 광섬유의 전송 손실과 파장의 관계를 나타내는 그래프.
도 3은 수소 분위기에 노출되는 광섬유의 전송 손실과 파장의 관계를 나타내는 그래프.
도 4는 본 발명이 적용되는 소결장치에 의해 제조된 프리폼(200)의 일례를 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 실시예 1∼7 및 비교예 4에서 온도 Ts에서의 프리폼의 상대 굴절률 차이와 반경 방향 점도 분포의 관계를 나타내는 그래프.
도 6은 실시예 1∼3에 예시된 바와 같은 온도 Ts에서의 프리폼의 상대 굴절률 차이와 반경 방향 점도 분포의 관계를 나타내는 그래프.
도 7은 본 발명의 실시예 8에 예시된 바와 같은 온도 Ts에서의 프리폼의 상대 굴절률 차이와 반경 방향 점도 분포의 관계를 나타내는 그래프.
본 발명의 제1 관점에 따르면, 광섬유 프리폼의 드로잉(drawing)에 의해 얻어지는 광섬유 내에 파장 1,385 nm의 광이 전파되는 모드 필드 직경(mode field diameter)의 2배에 상당하는 내측 영역 및 외측 영역에서, 내측 영역 내의 광섬유의 반경 방향 점도 분포의 최대치Vo[log(poise)]가 7.60[log(poise)]가 되는 온도를 Ts라 가정할 때, 본 발명의 프리폼은 상기 온도 Ts에서 7.60[log(poise)]보다 큰 광섬유의 반경 방향 점도 분포의 최대치 Vo[log(poise)]를 가진다. 이 경우, 점도 분포의 최대치 Vo는 7.90[log(poise)]보다 클 수도 있다.
본 발명의 프리폼은 외측 영역의 클래드가 2층 이상인 다층 구조로 이루어지고, 내측 클래드층(inner clad layer)의 바깥쪽 클래드층 중, 상기 외측 영역의 가장 내측 영역의 클래드층의 온도 Ts에서의 점도에 비해, 최소한 하나의 온도에서의 점도가 높은 고점도 클래드층을 가진다. 클래드의 가장 가장 외측에는 온도 Ts에서의 점도가 Vo미만인 외측 저점도 클래드층을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 온도 Ts에서 프리폼 표면의 점도는 Vo보다 작은 것이 바람직하다.
반면에, 외측 영역의 클래드는 내측 클래드층과 고점도 클래드층의 2층으로 구성될 수도 있다.
내측 클래드층으로서는 합성 석영 유리를 이용하고, 고점도 플래드층으로서는 결정형 실리카를 함유하는 석영 유리, 예를 들면, 천연 석영 또는 결정화 합성석영 유리를 이용할 수 있다.
또한, 본 발명의 프리폼은 내측 클래드층으로서 염소, 게르마늄, 불소 및 인으로 이루어지는 도펀트(dopant) 중 최소한 1종의 도펀트를 도핑함으로써 순수 합성 석영 유리보다 낮은 점도를 갖는 합성 석영 유리를 사용하고, 고점도 클래드층으로서 도펀트를 함유하지 않거나 또는 소량의 도펀트로 도핑하여 내측 클래드층보다 높은 점도를 갖는 합성 석영 유리를 사용함으로써 제조될 수 있다. 또한, 최소한 코어 및 내측 클래드층을 포함하는 부분은 VAD법, OVD법, MCVD법, PCVD법, 또는 이들의 적절한 조합에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 프리폼의 제조 방법은, 최소한 코어 및 내측 클래드층을 포함하는 로드(rod)의 외주(外周)를 최소한 고점도 클래드층을 포함하는 튜브(tube)로 씌우는 단계, 및 상기 튜브를 가열 및 수축시킴으로써, 또는 고점도 클래드층을 구성하는 유리 입자를 퇴적시키면서 가열함으로써 상기 로드와 상기 튜브를 일체화하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 가열에는 플라즈마 화염(plasma flame)을 이용하는 것이 바람직하다.
최소한 코어 및 내측 클래드층으로 이루어지는 로드의 외주에 규소를 함유하는 유리 원료의 화염 가수분해에 의해 생성된 유리 미립자를 퇴적하여 다공질 프리폼을 형성하고, 상기 다공질 프리폼을 탈수 가스(dehydrating gas) 함유 분위기에서 900∼1,200℃의 온도 범위에서 탈수 처리한 후, 1,400∼1,600℃의 온도에서 유리화(vitrifying)하여 고점도 클래드층을 형성함으로써 프리폼을 제조할 수 있다. 이 경우에 탈수 가스로서 염소 가스가 사용된다.
또한, 본 발명의 프리폼 제조 방법은 최소한 코어, 내측 클래드층 및 고점도 클래드층으로 이루어지는 로드의 외주에 최소한 외측 저점도 클래드층을 포함하는 튜브를 씌우는 단계, 및 상기 튜브를 가열 및 수축시킴으로써 상기 로드와 상기 튜브를 일체화하는 단계를 포함한다. 이와는 달리, 상기 로드의 외주에 규소를 함유하는 유리 원료의 화염 가수분해에 의해 생성된 유리 미립자를 퇴적하여 외측 저점도 클래드층을 형성함으로써 프리폼을 제조할 수도 있다.
또한, 본 발명의 프리폼 제조 방법은 최소한 코어 및 내측 클래드층으로 이루어지는 로드의 외주에 최소한 고점도 클래드층을 포함하는 튜브를 씌우는 단계, 및 상기 튜브를 가열 및 수축시킴으로써 상기 로드와 상기 튜브를 일체화하는 동시에, 규소를 함유하는 유리 원료의 화염 가수분해에 의해 생성된 유리 미립자를 퇴적하여 외측 저점도 클래드층을 형성하는 단계를 포함할 수도 있다. 본 발명의 프리폼 제조 방법은 최소한 코어 및 내측 클래드층으로 이루어지는 로드의 외주에 최소한 고점도 클래드층 및 외측 저점도 클래드층을 포함하는 튜브를 씌우는 단계, 및 상기 튜브를 가열 및 수축함으로써 상기 로드와 상기 튜브를 일체화하는 단계를 포함할 수도 있다.
상기 프리폼을 가열 및 드로잉함으로써 파장 1,385 nm에서의 전송 손실이 0.35 dB/km 이하, 바람직하게는 0.30 dB/km 이하인 광섬유가 얻어진다.
상기 광섬유를 1%의 수소 함유 분위기 중에 4일간 노출시킬 경우에 파장 1,385 nm에서의 전송 손실은 0.35 dB/km 이하이며, 상기 분위기에 노출시키기 전 파장 1,385 nm에서의 전송 손실과 비교해도 실질적으로 변화가 없다.
본 발명의 요약은 반드시 본 발명의 모든 특징을 설명하는 것은 아니다. 또한 본 발명은 전술한 특징들의 부수적 조합일 수도 있다. 상기 및 기타 본 발명의 특징 및 이점은 첨부 도면을 참조하여 후속하는 실시예에 대한 설명으로부터 보다 명백해질 것이다.
[발명의 실시형태]
이하에서 바람직한 실시예에 기초하여 본 발명을 설명하는데, 이들 실시예는 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니고 본 발명을 예시하고자 하는 것이다. 실시예에 기재되는 모든 특징 및 그 조합은 본 발명에 필수적인 것은 아니다.
도 4는 도 1에 예시한 소결장치(100)에 의해 제조된 프리폼(200)의 일례를 나타낸다. 프리폼(200)은 게르마늄으로 도핑된 석영으로 만들어진 원통형 코어(10) 및 상기 코어(10)의 외측 표면 주위에 형성된 석영으로 만들어진 제1의 내측 클래드(32)를 갖는다.
상기 클래드(32)의 두께를 증가시키기 위해 프리폼(200)의 외측 표면 주위에 제2의 외측 클래드(34)를 형성할 수도 있다. 프리폼(20) 내의 OH기 함량은 대략 0.8 ppb 이하이다. 또한, 프리폼(200)의 드로잉에 의해 얻어지는 광섬유의 광 전송 손실을 나타내는 곡선에서 OH 피크의 돌출량은 대략 0.05 dB/km 이하이다. 따라서, 프리폼(200)으로부터 얻어지는 광섬유는 1,300 nm 내지 1,600 nm의 파장 대역에서 광 전송에 이용할 수 있다.
본 발명에 따르면, 프리폼으로부터 연신된 광섬유가 수소 분위기에 노출될 경우에도, 프리폼의 연화 온도(softening temperature) 부근에서의 반경 방향 점도분포를 제어함으로써 파장 1,385 nm에서의 전송 손실(OH 피크)의 상승이 억제된다.
광섬유가 수소 분위기에 노출되면 수소가 광섬유 중에 확산되어 광섬유를 구성하는 유리 중에 존재하는 결함과 반응하고, 그러면 OH기의 생성에 기인하여 OH 피크가 상승한다.
이러한 결함은 처음부터 프리폼 중에 존재하는 것이 아니고, 그 중 다수는 약 2,000℃의 온도 하에 급격한 형상의 변화를 수반하는 드로잉 공정중에 발생된다. 종래의 프리폼을 연신될 경우, 드로잉 공정의 조건에 따라 수소에 대한 OH 피크의 감수성은 크게 변화된다.
이에 반해 본 발명의 프리폼은 드로잉하여 얻어지는 광섬유에서 파장 1,385 nm의 광이 전송할 때의 모드 필드 직경의 2배에 상당하는 영역의 내측 및 외측 영역에서, 내측 영역의 반경 방향 점도 분포의 최대치가 7.60[log(poise)]로 되는 온도로서 Ts를 정의하고, 상기 온도 Ts에서의 외측 영역의 반경 방향 점도 분포의 최대치 Vo[log(poise)]가 7.60[log(poise)]보다 커지도록 한 것이다.
따라서, 본 발명의 프리폼을 드로잉하여 얻어지는 광섬유는 드로잉 조건에 좌우되지 않고 OH 피크의 상승이 현저히 억제되는 우수한 특징을 가진다.
이 온도 Ts는 게르마늄(Ge)을 도핑한 석영이 코어로서 이용되는 통상적 싱글 모드 섬유의 경우에 약 1,600℃이다.
이와 같은 방식으로 제조된 프리폼을 드로잉할 경우, 내측 영역에 비해 외측 영역의 점도가 상대적으로 높기 때문에, 외측 영역에서 받는 드로잉 응력보다 내측영역에서 받는 드로잉 응력이 작으므로, 내측 영역에서의 결함 생성이 억제된다. 반대로 외측 영역에서는 다수의 결함이 생성되지만, 대부분의 광은 내측 영역을 통과하여 전송되기 때문에 수소가 광섬유 중에 확산되어도 OH 피크의 상승은 거의 나타나지 않는다.
일반적으로, 코어에 Ge를 도핑한 싱글 모드 섬유의 경우, 점도 조정을 위해 도펀트를 클래드에 도핑하지 않는 한, 클래드의 점도가 코어의 점도보다 높아지고, 또한 일반적으로 조성이 반경 방향에서 실질적으로 일정하기 때문에, 전술한 바와 같은 점도 분포가 얻어지지 않는다.
본 발명은 외측 영역의 클래드를 2층 이상으로 하고, 그 영역의 가장 내층인 내측 클래드층의 점도를 낮추고, 나머지 클래드층 중에서 최소한 하나의 층의 점도를 높게 한 고점도 클래드층을 형성함으로써, 전술한 점도 분포를 실현한 것이다. 또한, 통상은 저점도인 내측 클래드층과 고점도 클래드층의 2층 구조로 하면 되지만, 고점도 클래드층의 점도와 두께에 따라서는 후술하는 바와 같이 3층 구조로 하는 것이 좋은 경우도 있다.
본 발명에 따르면, 전술한 점도 분포는 외측 영역에 2개 이상의 층을 클래드로서 구비하고, 외측 영역의 가장 안쪽 층의 내측 클래드층의 점도를 낮추고, 다른 클래드층 중 최소한 한 층의 점도를 높여 고점도층을 형성함으로써 달성된다. 통상적으로 광섬유는 저점도인 내측 클래드층과 고점도 클래드층을 포함하는 2층을 갖지만, 이하에서 설명하는 바와 같이 고점도 클래드층의 점도 및 두께에 따라 3층을 가질 수 있다.
모드 필드 직경의 2배에 상당하는 영역의 내측 영역에서, 상기 내측 영역 외부의 반경 방향 점도 분포의 최대치 Vo[log(poise)]가, 동 최대치가 7.60[log(poise)]로 되는 온도 Ts에서, 바람직하게 7.90[log(poise)] 이상으로 하면 본 발명의 소기의 효과를 실현할 수 있다.
클래드를 내측 클래드층과 고점도 클래드층으로 이루어지는 2층 구조로 하고, 내측 클래드층의 직경을 프리폼 외경의 80% 미만으로 한 경우, Vo=7.90이면 OH 피크의 상승은 대략 0.03 dB/km 이내가 된다.
수소에 의한 OH 피크 상승을 억제하기 위해서는 내측 클래드의 외경이 작은 것이 바람직하지만, 고점도 클래드층에 이용하는 유리가 천연 석영 유리와 같이 전송 손실을 현저히 상승시킬 가능성이 높은 재질인 경우, 외경이 충분히 크지 않으면(대략 모드 필드 직경의 6배) 초기 손실이 커질 수 있다.
Vo의 상한은, 예를 들면 프리폼 내측에 합성 석영 유리 및 프리폼 외측에 천연 석영 유리로 이루어지는 프리폼을 제조하는 경우에, 약 9.0이다. 반면에, 내측 영역의 유리를 대량의 도펀트로 도핑한 경우에는 Vo의 상한은 9.0보다 크게 할 수 있고, 도핑에 의해 야기되는 전송 손실과 같은 영향은 그러한 영향이 조성에 크게 의존하기 때문에 한 마디로 정의할 수는 없다.
가장 외부의 층이 고점도 클래드층인 경우, 광섬유 표면의 잔류 응력이 인장 응력으로 바뀜으로써 광섬유의 강도가 저하되는 문제가 일어날 수도 있다. 예를들면, Vo를 높게 하고 고점도 클래드층의 두께를 얇게 한 경우에, OH 피크의 상승 및 초기 손실의 상승을 억제하는 데에는 유리하지만, 광섬유 표면의 잔류 인장 응력이 커져서 드로잉이나 되감기(winding back), 또는 프루프 테스트(proof test) 도중에 광섬유의 파단(破斷)이 일어날 수 있다.
이러한 광섬유 표면의 잔류 인장 응력을 줄이기 위해서는, 고점도 클래드층보다 외측에, 이것보다 점도가 낮은 외측 저점도 클래드층을 부가함으로써 표면의 잔류 인장 응력을 줄이거나 또는 압축 응력으로 변화시킬 수 있어, 광섬유의 강도를 향상시킬 수 있다. 외측 저점도 클래드층의 온도 Ts에서의 점도가 내측 클래드층의 점도와 같은 정도인 7.60[log(poise)]이면 광섬유의 강도는 충분히 향상된다.
내측 클래드층 및 고점도 클래드층을 구성하는 유리의 재질을 변경함으로써 프리폼의 반경 방향으로 점도를 분포시킬 수 있다.
종래의 광섬유용 프리폼에 이용되는 합성 석영 유리는 사염화규소 등의 유리 원료 가스의 산화 또는 화염 가수분해에 의해 제조되는 비정질(amorphous) 구조를 가진다. 이에 반하여, 천연 석영을 가열 및 용융하여 제조되는 천연 석영 유리는 석영에 유래하는 크리스토발라이트(cristobalite)형 나선체(helix) 및 크리스토발라이트형이 전위(轉位)된 석영 타입 나선체의 미세 결정(microcrystal)이 비정질 구조 중에 다수 존재한다. 이들 미세 결정이 유리의 유동을 억제하기 때문에, 천연 석영 유리는 합성 석영 유리에 비해 점도가 높다.
합성 석영 유리 중에 미세 결정을 석출시켜 제조된 결정화 석영 유리는 종래의 합성 석영 유리보다 높은 점도를 갖는다. 또한, 결정화 석영 유리의 점도는 합성 석영 유리에 여러 가지 도펀트를 도핑하여 용이하게 저하시킬 수 있다. 일반적으로 도펀트를 도입하면, 자외선 흡수 또는 적외선 흡수 등에 의해 전송 손실이 증가하지만, 염소, 게르마늄, 불소 및 인 등의 도펀트는 광섬유 통신에 통상적으로 사용되는 1,300∼1,600 nm의 파장 영역에서는 그렇게 큰 손실의 증가를 일으키지 않으므로, 이들 도펀트를 이용하는 것이 바람직하다.
이들 도펀트 중, 점도가 다른 유리를 이용하여 내측 점도를 높이고 외측 점도를 낮춤으로써, 광섬유에서의 광이 전파되는 부분에서 발생되는 결함을 억제함으로써 광섬유가 수소 분위기에 노출되었을 때의 OH 피크의 상승은 현저히 억제된다.
코어부 및 그 주변의 클래드 부분의 제조에는 공지의 VAD법, OVD법, MCVD법, PCVD법 또는 이들을 조합한 방법을 채용할 수 있다. (1) 전송 손실에 대한 영향이 크기 때문에 높은 순도가 요구되는 점 및 (2) 점도가 낮은 편이 좋은 점 때문에, 내측 클래드층용으로는 합성 석영 유리 또는 점도를 저하시키는 도펀트로 도핑된 합성 석영 유리를 이용하는 것이 바람직하고, 내측 클래드층은 내측 영역의 클래드 부분의 연장으로서 형성할 수 있다.
코어부 및 내측 클래드층을 포함하는 로드의 외부를 점도가 높은 고점도 클래드층으로 둘러싸는 제1의 방법은, 고점도 클래드층을 포함하는 튜브 속에 상기 로드를 설치하고, 외부로부터 가열하여 튜브를 수축시킴으로써 로드와 튜브를 일체화하는 단계를 포함한다. 이 경우에, 가열원으로서 산수소(酸水素) 화염, 전기로, 플라즈마 토치 등을 이용할 수 있다.
제2의 방법은, 전술한 로드의 외주 상에 고점도 클래드층을 구성하는 유리 입자를 산포하여 퇴적시키면서 가열함으로써 로드와 유리 입자를 일체화하는 단계를 포함한다. 이 경우에 가열원으로서 플라즈마 토치를 이용하는 것이 바람직하다.
고점도 클래드층으로 둘러싸는 제3의 방법으로서는, OVD법, 즉 상기 로드의 외주에 규소를 함유하는 유리 원료의 화염 가수분해에 의해 생성된 유리 미립자를 퇴적하여 다공질 프리폼을 형성하고, 이 다공질 프리폼을 염소 등의 탈수 가스 함유 분위기 중에서 900∼1,200℃의 온도 범위에서 탈수 처리한 후, 1,400∼1,600℃의 온도 분위기에서 유리화함으로써 고점도 클래드층을 형성하는 방법을 들 수 있다. 이 경우, 고점도 클래드층이 합성 석영 유리로 바뀌기 때문에 내측 클래드층은 점도를 낮추는 도펀트로 도핑할 필요가 있다.
고점도 클래드층의 외부를 외측 저점도 클래드층으로 둘러싸는 제1의 방법은, 상기 로드의 외주를 최소한 외측 저점도 클래드층을 포함하는 튜브로 씌우는 단계 및 상기 튜브를 가열 및 수축시킴으로써 로드와 튜브를 일체화하는 단계를 포함한다.
고점도 클래드층의 외부를 외측 저점도 클래드층으로 둘러싸는 제2의 방법은, 고점도 클래드층을 포함하는 로드의 외주 상에 규소를 함유하는 유리 원료의 화염 가수분해에 의해 생성된 가스 미립자를 퇴적시키는 단계를 포함한다.
내측 클래드층의 외부를 고점도 클래드층 및 외측 저점도 클래드층으로 둘러싸는 제1의 방법은, 최소한 코어와 내측 클래드층으로 이루어지는 로드의 외주를최소한 고점도 클래드층을 포함하는 튜브로 씌운 후, 상기 튜브를 가열 및 수축시켜 로드와 튜브를 일체화하는 동시에, 규소를 함유하는 유리 원료의 화염 가수분해에 의해 생성된 유리 미립자를 퇴적시켜 튜브를 외측 저점도 클래드층으로 씌우는 단계를 포함한다.
또한, 내측 클래드층의 외부를 고점도 클래드층 및 외측 저점도 클래드층으로 둘러싸는 제1의 방법은, 최소한 코어와 내측 클래드층으로 이루어지는 로드의 외주 상에 최소한 고점도 클래드층과 외측 저점도 클래드층을 포함하는 튜브를 씌우고, 이 튜브를 가열 및 수축시켜 로드와 튜브를 일체화하는 단계를 포함한다.
[실시예]
[실시예 1]
도 5에 나타낸 바와 같이, 내측 영역의 코어 주변부의 클래드를 외측 영역의 내측 클래드층과 동일한 조성의 유리로 형성하고, 외측 영역에 내측 클래드층과 고점도 클래드층의 2개 층을 갖는 프리폼을 드로잉 속도 800 m/분 및 드로잉 장력 1.4 N으로 드로잉함으로써, 외경이 125 ㎛이고, 상대 굴절률의 차가 0.34%이며, 파장 1,385 nm에서의 모드 필드 직경이 10 ㎛인 스텝 인덱스형(step index type) 싱글 모드 광섬유를 제조했다.
상기 광섬유의 내측 클래드층의 외경은 광섬유 직경 환산으로 100 ㎛, 고점도 클래드층의 두께는 광섬유 환산으로 12.5 ㎛로 하고, 온도 Ts에서의 고점도 클래드층의 점도 Vo는 7.9[log(poise)]로 했다. 이 광섬유를 1% 수소 함유 분위기에 4일간 노출시킨 후 OH 피크의 상승을 측정한 결과, 0.030 dB/km였다.
도 5 내지 도 7은 프리폼의 상대 굴절률의 차와 온도 Ts에서의 반경 방향 점도 분포를 나타내는 그래프로서, 상단(上段)은 상대 굴절률의 차와 구조의 관계를 나타내고, 하단(下段)은 점도와 광섬유 상당 반경의 관계를 나타낸다.
[실시예 2]
도 5에 나타낸 바와 같이, 내측 영역의 코어 주변부의 클래드를 외측 영역의 내측 클래드층과 동일한 조성의 유리로 형성하고, 외측 영역에 내측 클래드층과 고점도 클래드층의 2개 층을 갖는 프리폼을 드로잉 속도 800 m/분 및 드로잉 장력 1.4 N으로 드로잉함으로써, 외경이 125 ㎛이고, 상대 굴절률의 차가 0.34%이며, 파장 1,385 nm에서의 모드 필드 직경이 10 ㎛인 스텝 인덱스형 싱글 모드 광섬유를 제조했다.
상기 광섬유의 내측 클래드층의 외경은 광섬유 직경 환산으로 90 ㎛, 고점도 클래드층의 두께는 광섬유 환산으로 17.5 ㎛로 하고, 온도 Ts에서의 고점도 클래드층의 점도 Vo는 7.9[log(poise)]로 했다. 이 광섬유를 1% 수소 함유 분위기에 4일간 노출시킨 후 OH 피크의 상승을 측정한 결과, 0.014 dB/km였다.
[실시예 3]
도 5에 나타낸 바와 같이, 내측 영역의 코어 주변부의 클래드를 외측 영역의 내측 클래드층과 동일한 조성의 유리로 형성하고, 외측 영역에 내측 클래드층과 고점도 클래드층의 2개 층을 갖는 프리폼을 드로잉 속도 800 m/분 및 드로잉 장력1.4 N으로 드로잉함으로써, 외경이 125 ㎛이고, 상대 굴절률의 차가 0.34%이며, 파장 1,385 nm에서의 모드 필드 직경이 10 ㎛인 스텝 인덱스형 싱글 모드 광섬유를 제조했다.
상기 광섬유의 내측 클래드층의 외경은 광섬유 직경 환산으로 80 ㎛, 고점도 클래드층의 두께는 광섬유 환산으로 22.5 ㎛로 하고, 온도 Ts에서의 고점도 클래드층의 점도 Vo는 7.9[log(poise)]로 했다. 이 광섬유를 1% 수소 함유 분위기에 4일간 노출시킨 후 OH 피크의 상승을 측정한 결과, 피크의 상승은 전혀 확인되지 않았다.
[실시예 4]
도 5에 나타낸 바와 같이, 내측 영역의 코어 주변부의 클래드를 외측 영역의 내측 클래드층과 동일한 조성의 유리로 형성하고, 외측 영역에 내측 클래드층과 고점도 클래드층의 2개 층을 갖는 프리폼을 드로잉 속도 800 m/분 및 드로잉 장력 1.4 N으로 드로잉함으로써, 외경이 125 ㎛이고, 상대 굴절률의 차가 0.34%이며, 파장 1,385 nm에서의 모드 필드 직경이 10 ㎛인 스텝 인덱스형 싱글 모드 광섬유를 제조했다.
상기 광섬유의 내측 클래드층의 외경은 광섬유 직경 환산으로 35 ㎛, 고점도 클래드층의 두께는 광섬유 환산으로 45 ㎛로 하고, 온도 Ts에서의 고점도 클래드층의 점도 Vo는 7.9[log(poise)]로 했다. 이 광섬유를 1% 수소 함유 분위기에 4일간 노출시킨 후 OH 피크의 상승을 측정한 결과, 피크의 상승은 전혀 확인되지 않았다.
[실시예 5]
도 5에 나타낸 바와 같이, 내측 영역의 코어 주변부의 클래드를 외측 영역의 내측 클래드층과 동일한 조성의 유리로 형성하고, 외측 영역에 내측 클래드층과 고점도 클래드층의 2개 층을 갖는 프리폼을 드로잉 속도 800 m/분 및 드로잉 장력 1.4 N으로 드로잉함으로써, 외경이 125 ㎛이고, 상대 굴절률의 차가 0.34%이며, 파장 1,385 nm에서의 모드 필드 직경이 10 ㎛인 스텝 인덱스형 싱글 모드 광섬유를 제조했다.
상기 광섬유의 내측 클래드층의 외경은 광섬유 직경 환산으로 80 ㎛, 고점도 클래드층의 두께는 광섬유 환산으로 22.5 ㎛로 하고, 온도 Ts에서의 고점도 클래드층의 점도 Vo는 8.5[log(poise)]로 했다. 이 광섬유를 1% 수소 함유 분위기에 4일간 노출시킨 후 OH 피크의 상승을 측정한 결과, 피크의 상승은 전혀 확인되지 않았다.
[비교예 1]
도 6에 나타낸 바와 같이, 코어 주변부의 클래드와 동일 재질로 클래드 전체를 형성한 통상의 프리폼을 드로잉 속도 800 m/분, 드로잉 장력 1.4 N으로 드로잉함으로써, 광섬유 외경이 125 ㎛이고, 상대 굴절률의 차가 0.34%이며 파장 1,385 nm에서의 모드 필드 직경이 10 ㎛인 스텝 인덱스형 싱글 모드 광섬유를 제조했다.
이 광섬유를 1% 수소 함유 분위기에 4일간 노출시킨 후 OH 피크의 상승을 측정한 결과, 0.105 dB/km이었다.
[실시예 6]
도 5에 나타낸 바와 같이, 내측 영역의 코어 주변부의 클래드를 외측 영역의 내측 클래드층과 동일한 조성의 유리로 형성하고, 외측 영역에 내측 클래드층과 고점도 클래드층의 2개 층을 갖는 프리폼을 드로잉 속도 500 m/분 및 드로잉 장력 1.4 N으로 드로잉함으로써, 외경이 125 ㎛이고, 상대 굴절률의 차가 0.34%이며, 파장 1,385 nm에서의 모드 필드 직경이 10 ㎛인 스텝 인덱스형 싱글 모드 광섬유를 제조했다.
상기 광섬유의 내측 클래드층의 외경은 광섬유 직경 환산으로 100 ㎛, 고점도 클래드층의 두께는 광섬유 환산으로 12.5 ㎛로 하고, 온도 Ts에서의 고점도 클래드층의 점도 Vo는 7.9[log(poise)]로 했다. 이 광섬유를 1% 수소 함유 분위기에 4일간 노출시킨 후 OH 피크의 상승을 측정한 결과, 0.011 dB/km이었다.
[비교예 2]
도 6에 나타낸 바와 같이, 코어 주변부의 클래드와 동일 재질로 클래드 전체를 형성한 통상의 프리폼을 드로잉 속도 500 m/분, 드로잉 장력 1.4 N으로 드로잉함으로써, 광섬유 외경이 125 ㎛이고, 상대 굴절률의 차가 0.34%이며 파장 1,385 nm에서의 모드 필드 직경이 10 ㎛인 스텝 인덱스형 싱글 모드 광섬유를 제조했다.
이 광섬유를 1% 수소 함유 분위기에 4일간 노출시킨 후 OH 피크의 상승을 측정한 결과, 0.060 dB/km이었다.
[실시예 7]
도 5에 나타낸 바와 같이, 내측 영역의 코어 주변부의 클래드를 외측 영역의 내측 클래드층과 동일한 조성의 유리로 형성하고, 외측 영역에 내측 클래드층과 고점도 클래드층의 2개 층을 갖는 프리폼을 드로잉 속도 150 m/분 및 드로잉 장력 1.4 N으로 드로잉함으로써, 외경이 125 ㎛이고, 상대 굴절률의 차가 0.34%이며, 파장 1,385 nm에서의 모드 필드 직경이 10 ㎛인 스텝 인덱스형 싱글 모드 광섬유를 제조했다.
상기 광섬유의 내측 클래드층의 외경은 광섬유 직경 환산으로 100 ㎛, 고점도 클래드층의 두께는 광섬유 환산으로 12.5 ㎛로 하고, 온도 Ts에서의 고점도 클래드층의 점도 Vo는 7.9[log(poise)]로 했다. 이 광섬유를 1% 수소 함유 분위기에 4일간 노출시킨 후 OH 피크의 상승을 측정한 결과, 피크의 상승은 전혀 확인되지 않았다.
[비교예 3]
도 6에 나타낸 바와 같이, 코어 주변부의 클래드와 동일 재질로 클래드 전체를 형성한 통상의 프리폼을 드로잉 속도 150 m/분, 드로잉 장력 1.4 N으로 드로잉함으로써, 광섬유 외경이 125 ㎛이고, 상대 굴절률의 차가 0.34%이며 파장 1,385 nm에서의 모드 필드 직경이 10 ㎛인 스텝 인덱스형 싱글 모드 광섬유를 제조했다.
이 광섬유를 1% 수소 함유 분위기에 4일간 노출시킨 후 OH 피크의 상승을 측정한 결과, 0.042 dB/km이었다.
[실시예 8]
도 7에 나타낸 바와 같이, 내측 영역의 코어 주변부의 클래드를 외측 영역의 내측 클래드층과 동일한 조성의 유리로 형성하고, 외측 영역에 내측 클래드층, 고점도 클래드층 및 외측 저점도 클래드층의 3개 층을 갖는 프리폼을 드로잉 속도 800 m/분 및 드로잉 장력 1.4 N으로 드로잉함으로써, 외경이 125 ㎛이고, 상대 굴절률의 차가 0.34%이며, 파장 1,385 nm에서의 모드 필드 직경이 10 ㎛인 스텝 인덱스형 싱글 모드 광섬유를 제조했다
상기 광섬유의 내측 클래드층의 외경은 광섬유 직경 환산으로 105 ㎛, 고점도 클래드층의 두께는 광섬유 환산으로 7 ㎛, 외측 저점도 클래드층의 두께는 광섬유 환산으로 3 ㎛로 하고, 온도 Ts에서의 고점도 클래드층의 점도 Vo는 8.5[log(poise)], 온도 Ts에서의 외측 저점도 클래드층의 점도 Vt는 7.6[log(poise)]로 했다. 이 광섬유에 대한 1% 프루프 테스트를 행하였으나, 광섬유의 파단은 없었다. 또한, 이 광섬유를 1% 수소 함유 분위기에서 4일간 노출시킨 후 OH 피크의 상승을 측정한 결과, 피크의 상승은 전혀 확인되지 않았다.
또한, 본 실시예에서 고점도 클래드층의 두께를 7 ㎛로 했음에도 불구하고 단선이 없는 이유는 클래드의 가장 외측에 외측 저점도 클래드층가 형성되어 있기 때문이다.
[비교예 4]
도 5에 나타낸 바와 같이, 내측 영역의 코어 주변부의 클래드를 외측 영역의 내측 클래드층과 동일한 조성의 유리로 형성하고, 외측 영역에 내측 클래드층과 고점도 클래드층의 2개 층을 갖는 프리폼을 드로잉 속도 800 m/분 및 드로잉 장력 1.4 N으로 드로잉함으로써, 외경이 125 ㎛이고, 상대 굴절률의 차가 0.34%이며, 파장 1,385 nm에서의 모드 필드 직경이 10 ㎛인 스텝 인덱스형 싱글 모드 광섬유를 제조했다.
상기 광섬유의 내측 클래드층의 외경은 광섬유 직경 환산으로 111 ㎛, 고점도 클래드층의 두께는 광섬유 환산으로 7 ㎛로 하고, 온도 Ts에서의 고점도 클래드층의 점도 Vo는 8.5[log(poise)]로 했다. 이 광섬유의 되감기 조작을 행한 경우, 광섬유는 단선되고, 잔존 광섬유의 내부에도 다수의 파손이 확인된다. 클래드의 가장 외측에 외측 저점도 클래드층이 형성되어 있지 않기 때문에 광섬유가 단선된다.
또한, 상기 실시예 1∼8, 비교예 1∼4에서 설명한 결과를 하기 표 1에 종합하여 나타낸다.
[표 1]
Volog(poise) 내측클래드의직경, ㎛ 고점도클래드의두께, ㎛ 외측저점도클래드의두께, ㎛ 드로잉장력N 드로잉속도m/분 OH 피크상승dB/km
실시예 1실시예 2실시예 3실시예 4실시예 5비교예 1 7.97.97.97.98.57.6 10090803580125 12.517.522.54522.50 000000 1.41.41.41.41.41.4 800800800800800800 0.030.014상승없음상승없음상승없음105
실시예 6비교예 2 7.97.6 100125 12.50 00 1.41.4 500500 0.0110.060
실시예 7비교예 3 7.97.6 100125 12.50 00 1.41.4 150150 상승없음0.042
실시예 8비교예 4 8.58.5 105111 77 30 1.41.4 800800 상승없음파단
본 발명은 실시예를 이용하여 설명되었지만, 당업자는 첨부된 청구의 범위에 의해 정의되는 본 발명의 사상과 범위를 벗어나지 않고 많은 변화와 대안을 마련할 수 있음을 이해할 것이다.
이상과 같은 설명으로부터 명백한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면 프리폼을 드로잉하여 얻어지는 광섬유는 수소 분위기에 노출되는 경우에도 드로잉 조건에 관계없이 파장 1,385 nm 부근에서의 광섬유의 OH 피크는 거의 상승되지 않는다.

Claims (23)

  1. 드로잉(drawing)에 의해 광섬유가 제조되는 광섬유 프리폼(preform)으로서,
    상기 광섬유 프리폼이 자신의 드로잉에 의해 제조되는 광섬유를 통해 파장 약 1,385 nm의 광이 전파되는 모드 필드 직경(mode field diameter)의 2배에 상당하는 내측 및 외측 영역에서, 내측 영역 내의 상기 광섬유의 반경 방향 점도 분포의 최대치 Vo[log(poise)]가 7.60[log(poise)]이 되는 온도 Ts에서 7.60[log(poise)]보다 큰 반경 방향 점도 분포의 최대치 Vo[log(poise)]를 가지는
    광섬유 프리폼.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 프리폼이 소정의 온도에서 제1 점도를 갖는 내측 클래드층(inner clad layer) 및 상기 소정의 온도에서 제2 점도를 갖는 외측 클래드층(outer clad layer)을 포함하는 최소한 2개의 클래드층을 포함하는 다층 구조를 가지며, 상기 제2 점도는 상기 제1 점도보다 큰
    광섬유 프리폼.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 내측 클래드층은 합성 석영 유리로 형성되고, 상기 외측 클래드층은 결정형 실리카를 함유하는 석영 유리로 형성되는 광섬유 프리폼.
  4. 제3항에 있어서,
    고점도(高粘度) 클래드층으로서 결정형 실리카를 함유하는 상기 석영 유리가 천연 석영 또는 결정화 합성 석영 유리인 광섬유 프리폼.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 내측 클래드층은 필수적으로 염소, 게르마늄, 불소 및 인으로 이루어지는 도펀트(dopant) 중 최소한 1종의 도펀트로 도핑됨으로써 순수 합성 석영 유리보다 낮은 점도를 갖는 합성 석영 유리로 형성되고, 상기 외측 클래드층은 도핑되지 않거나 소량의 도펀트로 도핑됨으로써 상기 내측 클래드층보다 높은 점도를 갖는 합성 석영 유리로 형성되는 광섬유 프리폼.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 점도 분포의 최대치 Vo가 7.90[log(poise)]보다 큰 광섬유 프리폼.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 클래드층이 내측 클래드층 및 고점도인 외측 클래드층을 포함하는 최소한 2개의 층으로 이루어지는 광섬유 프리폼.
  8. 제1항에 있어서,
    가장 외측의 클래드층이 상기 온도 Ts에서 Vo미만인 점도를 갖는 광섬유 프리폼.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 광섬유 프리폼의 표면은 온도 Ts에서 Vo보다 낮은 점도를 갖는 광섬유 프리폼.
  10. 제1항에 있어서,
    최소한 코어(core) 및 내측 클래드층을 포함하는 부분이 VAD법, OVD법, MCVD법 및 PCVD법, 또는 이들의 적절한 조합에 의해 형성되는 광섬유 프리폼.
  11. 코어 및 다층 클래드를 갖는 광섬유 프리폼을 제조하는 방법으로서,
    최소한 상기 코어 및 내측 클래드층을 포함하는 로드(rod)의 외주(外周)를 최소한 고점도 클래드층을 포함하는 튜브(tube)로 씌우는 단계, 및
    상기 튜브를 가열 및 수축시킴으로써 상기 로드와 상기 튜브를 일체화하는 단계
    를 포함하는 광섬유 프리폼의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    최소한 상기 코어 및 상기 내측 클래드층을 포함하는 상기 로드의 외주에 상기 고점도 클래드층을 형성하는 유리 입자(glass grain)를 퇴적시키면서 가열함으로써 상기 로드와 상기 유리 입자를 일체화시키는 단계를 추가로 포함하는 광섬유 프리폼의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    플라즈마 화염(plasma flame)에 의해 상기 유리 입자를 가열하는 단계를 추가로 포함하는 광섬유 프리폼의 제조 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    최소한 상기 코어 및 상기 내측 클래드층을 포함하는 로드의 외주에 규소를 함유하는 유리 원료의 화염 가수분해(flame hydrolysis)에 의해 생성된 유리 미립자를 퇴적함으로써 다공질 프리폼을 형성하는 단계,
    상기 다공질 프리폼을 탈수 가스(dehydration gas)를 함유하는 분위기에서 900∼1,200℃의 온도 범위에서 탈수 처리하는 단계, 및
    1,400∼1,600℃의 온도에서 유리화(vitrifying)함으로써 고점도 클래드층을 형성하는 단계
    를 추가로 포함하는 광섬유 프리폼의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 탈수 가스가 염소 가스인 광섬유 프리폼의 제조 방법.
  16. 제11항에 있어서,
    최소한 상기 코어, 상기 내측 클래드층 및 상기 고점도 클래드층을 포함하는 로드의 외주에 최소한 상기 외측 저점도 클래드층을 포함하는 튜브를 씌우는 단계, 및
    상기 튜브를 가열 및 수축시킴으로써 상기 로드와 상기 튜브를 일체화하는 단계
    를 추가로 포함하는 광섬유 프리폼의 제조 방법.
  17. 제11항에 있어서,
    최소한 상기 코어, 상기 내측 클래드층 및 상기 고점도 클래드층을 포함하는 로드의 외주에 규소를 함유하는 유리 원료의 화염 가수분해에 의해 생성된 유리 미립자를 퇴적함으로써 상기 외측 저점도 클래드층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 광섬유 프리폼의 제조 방법.
  18. 제11항에 있어서,
    최소한 상기 코어 및 상기 내측 클래드층을 포함하는 로드의 외주에 최소한상기 고점도 클래드층을 포함하는 튜브를 씌우는 단계, 및
    상기 튜브를 가열 및 수축시킴으로써 상기 로드와 상기 튜브를 일체화하는 동시에, 규소를 함유하는 유리 원료의 화염 가수분해에 의해 생성된 유리 미립자를 퇴적함으로써 상기 외측 저점도 클래드층을 형성하는 단계
    를 추가로 포함하는 광섬유 프리폼의 제조 방법.
  19. 제11항에 있어서,
    최소한 상기 코어 및 상기 내측 클래드층을 포함하는 로드의 외주에 최소한 상기 고점도 클래드층 및 상기 외측 저점도 클래드층을 포함하는 튜브를 씌우는 단계, 및
    상기 튜브를 가열 및 수축시킴으로써 상기 로드와 상기 튜브를 일체화하는 단계
    를 추가로 포함하는 광섬유 프리폼의 제조 방법.
  20. 광섬유 프리폼의 가열 및 드로잉에 의해 제조되는 광섬유로서,
    상기 광섬유 프리폼이 자신의 드로잉에 의해 제조되는 광섬유를 통해 파장이 약 1,385 nm인 광이 전파되는 모드 필드 직경의 2배에 상당하는 내측 및 외측 영역에서, 내측 영역 내 광섬유의 반경 방향 점도 분포의 최대치 Vo[log(poise)]가 7.60[log(poise)]이 되는 온도 Ts에서 7.60[log(poise)]보다 큰 반경 방향 점도 분포의 최대치 Vo[log(poise)]를 가지는
    광섬유.
  21. 제20항에 있어서,
    파장 1,385 nm에서의 전송 손실이 0.35 dB/km 이하, 바람직하게는 0.30 dB/km 이하인 광섬유.
  22. 제20항에 있어서,
    1%의 수소를 함유하는 분위기에 상기 광섬유를 4일간 노출시킬 경우에 파장 1,385 nm에서의 전송 손실이 0.35 dB/km 이하인 광섬유.
  23. 제20항에 있어서,
    1%의 수소를 함유하는 분위기에 상기 광섬유를 4일간 노출시킬 경우에 파장 1,385 nm에서의 전송 손실이, 상기 분위기에 노출시키기 전의 파장 1,385 nm에서의 전송 손실과 비교하여 실질적으로 변화되지 않는 광섬유.
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