KR20040007717A - 양극화 형성 장치 및 양극화 형성 방법 - Google Patents

양극화 형성 장치 및 양극화 형성 방법 Download PDF

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Abstract

피처리 기판을 양극화를 형성하고 또한 이것에 광의 조사를 실행하여 전기 화학적으로 처리를 실행하는 양극화 형성 장치 및 양극화 형성 방법에 있어서, 보다 소형의 구성요소에 의해 대형 피처리 기판을 처리할 수 있도록 한다. 콘택트 부재에 의한 피처리 기판으로의 전기 접속을 복수의 콘택트 부재에 의해 실행하거나, 콘택트 부재의 이동에 의해 위치를 변경하여 실행한다. 피처리 기판은 복수의 콘택트 부재의 접촉부 각각으로부터 그 피처리부의 일부씩의 도전층에 접속이 이루어지도록 미리 제조해 둔다. 이 피처리 기판과 콘택트 부재의 조합을 이용하여, 전환 스위치에 의해 일부의 콘택트 부재에만 통전함으로써, 또는 콘택트 부재로의 통전이 콘택트 부재의 이동에 의해 피처리 기판의 일부의 도전층에 대하여 이루어짐으로써, 처리에 필요한 전류값을 피처리부의 일부에 대응하는 만큼의 양으로써 대체한다.

Description

양극화 형성 장치 및 양극화 형성 방법{ANODIZATION DEVICE AND ANODIZATION METHOD}
피처리 기판을 전기 화학적으로 양극화 형성하는 처리는 각종 장면에서 이용되고 있다. 이와 같은 양극화 형성의 하나로서, 다결정 실리콘층을 포러스화(다공질화)하는 처리가 있다. 그 개요를 설명하면, 다결정 실리콘층이 표면에 형성된 피처리 기판은 전도체를 거쳐 전원의 정전위 극에 통전되고 또한 용매(예컨대 에탄올)에 용해된 불소산 용액 속에 침지된다. 불소산 용액중, 즉 약액 속에는 예컨대 플래티나(platina)로 이루어지는 전극이 침지되고, 상기 전원의 부전위 극에 통전된다. 또한, 약액에 침지된 피처리 기판의 다결정 실리콘층을 향해서는 램프에 의해 광이 조사된다.
이로써, 다결정 실리콘층의 일부가 불소산 용액 중에 용출된다. 이 용출된 것이 미세 구멍이 되기 때문에, 실리콘층이 다공질화하는 것이다. 또한, 램프에 의한 광의 조사는 상기 용출하여 다공질화하는 반응에 필요한 홀을 다결정 실리콘층에 생성시키기 위해서이다. 참고로, 이러한 양극화 형성에 있어서의 다결정 실리콘층에서의 반응은 예컨대 하기와 같이 설명되어 있다.
Si+2HF+(2-n)e+→SiF2+2H++ne-
SiF2+2HF→SiF4+H2
SiF4+2HF→H2SiF6
여기서, e+는 홀이고 e-는 전자이다. 즉, 이 반응에는 전제로서 홀이 필요하여 단순한 전해 연마와는 다른 것이다.
이와 같이 하여 생성된 다공성 실리콘의 나노 레벨의 표면에 실리콘 산화층을 더 형성하면 고효율의 전계 방사형 전자원으로서 적절한 것으로 되는 것은 예컨대 일본 특허 공개 제 2000-164115 호 공보, 특허 공개 제 2000-100316 호 공보 등에 개시되어 있다. 이러한 전계 방사형 전자원으로서의 다공성 실리콘의 이용은 새로운 평면형 표시 장치의 실현에 길을 여는 것으로서 주목받고 있다.
상기와 같은 양극화 형성 처리에서는 피처리 기판으로부터 약액(藥液)을 거쳐 캐소드 전극으로 흐르는 전류의 값이 피처리 기판의 면적(피처리부의 면적)에 비례한다. 전류에 의해 반응이 진행되고, 반응은 피처리 기판의 면내 각처에서 모두 발생하기 때문이다. 이 때문에, 피처리 기판이 대형 표시 장치 용도의 큰 면적의 것인 경우에는 처리에 필요한 전류의 값이 현저하게 증가한다. 예컨대, 200㎜×200㎜×200㎜의 피처리 기판에서 5A 정도의 처리 전류라고 하면, 1000㎜×1000㎜의 피처리 기판에서는 그 25배의 100A의 전류를 흐르게 할 필요가 있다. 또한, 1000㎜×1000㎜과 동일한 정도의 면적인 것은 앞으로의 대형 표시 장치의 동향에 의하면 보통으로 고려될 수 있는 수치이다.
이러한 큰 전류를 통전하는 장치로 되면, 필연적으로 장치의 전원부 등이 대형화하여 고가의 것으로 된다. 또한, 광원의 광조사 면적도 증가하여 캐소드 전극의 형상도 대형으로 되기 때문에, 역시 장치의 비용을 상승시키는 원인이 된다. 이것은 또한 장치에 의해 제조되는 기판의 제조 비용에도 반영된다.
또한 견해를 달리하면, 광원의 광조사 면적이 증가하기 때문에 균일 광량에 의한 피처리 기판으로의 조사가 어려워지고, 캐소드 전극이 대형으로 되어 피처리 기판과의 사이에 형성되는 전계의 균일성의 확보가 어려워짐으로써, 피처리 기판 면내에서의 양극화 형성의 균일성이 열화한다는 측면도 있다. 이것은 제조되는 기판의 품질 확보 면에서 문제가 된다.
발명의 요약
본 발명은 상기 사정을 고려하여 성립된 것으로, 피처리 기판을 양극으로 하여 전기 화학적으로 처리를 실행하는 양극화 형성 장치 및 양극화 형성 방법에 있어서, 보다 소형의 구성요소에 의해 대형 피처리 기판을 처리할 수 있는 양극화 형성 장치 및 양극화 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 따른 양극화 형성 장치는 광을 방사하는 램프와, 상기 방사된 광이 도달하는 위치에 설치되고 피처리 기판을 그 피처리부가 상방을 향하게 탑재 가능한 스테이지와, 상기 방사된 광이 상기 탑재된 피처리 기판에 도달하는 도상에 설치되며, 상기 광을 통과시키기 위한 개구부를 구비하고, 상기 광을 투과하지 않는 도체부를 갖는 캐소드 전극과, 상기 스테이지와 결합하여 처리조를 이루는 개구부를 구비한 프레임 본체와, 상기 프레임 본체가 상기 탑재된 피처리 기판에 대향하여 접근했을 때에 상기 피처리 기판에 환상으로 접촉하도록 상기 프레임 본체의 대향면에 설치되며, 상기 피처리 기판과의 사이에 액체 밀봉성을 확립하는 시일 부재와, 상기 시일 부재의 환상부 외측에 설치된 전도성의 복수의 콘택트 부재와, 상기 복수의 콘택트 부재 각각에 선택적으로 통전 수단을 구비한다(청구항 1).
즉, 콘택트 부재에 의한 피처리 기판으로의 전기 접속이 복수의 콘택트 부재에 의해 이루어지도록 되어 있다. 피처리 기판에는 이것에 대응하여, 복수의 콘택트 부재의 접촉부(전극 패드) 각각으로부터 그 피처리부의 일부씩의 도전층(혹은 도전 패턴, 이하와 동일)에 접속이 이루어지도록 미리 제조할 수 있다. 이와 같은 피처리 기판과 복수의 콘택트부재의 조합에 의하면, 예컨대 전환 스위치에 의해 일부의 콘택트 부재에만 통전함으로써, 처리에 필요한 전류값은 피처리부의 일부에 대응하는 만큼의 양으로써 대체할 수 있다. 그리고, 콘택트 부재로의 통전을, 예컨대 전환 스위치에 의해 전환하여 각각 처리를 실행하면 피처리부의 전면에 대하여 양극화 형성을 실행할 수 있다. 따라서, 양극화 형성에 필요한 전기의 공급부를 보다 작은 용량으로 할 수 있기 때문에, 보다 소형의 구성요소에 의해 대형의 피처리 기판을 처리 가능한 장치를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 양극화 형성 장치는 광을 방사하는 램프와, 상기 방사된 광이 도달하는 위치에 설치되어, 피처리 기판을 그 피처리부가 상방을 향하게 탑재 가능한 스테이지와, 상기 방사된 광이 상기 탑재된 피처리 기판에 도달하는 도상에 설치되고, 상기 광을 통과시키기 위한 개구부를 구비하여 상기 광을 투과하지 않는 도체부를 갖는 캐소드 전극과, 상기 스테이지와 결합하여 처리조를 이루는 개구부를 구비한 프레임 본체와, 상기 프레임 본체가 상기 탑재된 피처리 기판에 대향하여 접근했을 때에 상기 피처리 기판에 환상으로 접촉하도록 상기 프레임 본체의 대향면에 설치되고, 상기 피처리 기판과의 사이에 액체 밀봉성을 확립하는 시일 부재와, 상기 시일 부재의 환상부 외측에 설치된 전도성의 콘택트 부재와, 상기 콘택트 부재를 상기 시일 부재의 환상부 외측에 있어서 이동하는 콘택트 이동 기구를 구비한다(청구항 2).
즉, 콘택트 부재에 의한 피처리 기판으로의 전기 접속이 콘택트 부재의 이동에 의해 위치를 변경하여 이루어지도록 되어 있다. 피처리 기판에는 이것에 대응하여 콘택트 부재의 접촉부(복수의 전극 패드) 각각부터 그 피처리부의 일부씩의 도전층에 접속이 이루어지도록 미리 제조할 수 있다. 이러한 피처리 기판과 콘택트 부재의 조합에 의하면, 콘택트 부재로의 통전이 콘택트 부재의 이동에 의해 피처리 기판의 일부의 도전층에 대하여 이루어지도록 되기 때문에, 처리에 필요한 전류치는 피처리부의 일부에 대응하는 만큼의 양으로써 대체할 수 있다. 그리고, 콘택트 부재를 이동하여 각각 처리를 실행하면 피처리부의 전면에 대하여 양극화 형성을 실행할 수 있다. 따라서, 양극화 형성에 필요한 전기의 공급부를 보다 작은 용량의 것으로 할 수 있기 때문에, 보다 소형의 구성요소에 의해 대형의 피처리 기판을 처리 가능한 장치를 얻을 수 있다. 또한, 콘택트 부재의 이동은 피처리 기판에 있어서의 복수의 전극 패드의 배치에 따라 연속적으로 이동시키는 것도 단계적으로 이동시키는 것도 채용할 수 있다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시 형태로서 청구항 1 또는 2에 기재된 양극화 형성 장치는 상기 램프를 상기 탑재된 피처리 기판의 면과 거의 평행한 방향으로 이동시키는 램프 이동 기구를 더 구비한다(청구항 3). 이로써, 피처리 기판의 피처리부 중 콘택트 부재에 의해 통전되어 전기 화학적 반응이 이루어지는 부분을 특정하여 작은 면적에 균일한 광을 조사 가능하게 하는 것이다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시 형태로서 청구항 1, 2, 또는 3에 기재된 양극화 형성 장치는 상기 캐소드 전극을 상기 탑재된 피처리 기판의 면과 거의 평행한 방향으로 이동시키는 캐소드 전극 이동 기구를 더 구비한다(청구항 4). 이로써, 피처리 기판의 피처리부 중 콘택트 부재에 의해 통전되어 전기 화학적 반응이 이루어지는 부분을 특정하여 작은 면적에 캐소드 전극을 대향시키는 것을 가능하게 하는 것이다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시 형태로서, 청구항 3에 기재된 양극화 형성 장치는 상기 램프 이동 기구에 접속하여 설치되고, 상기 램프 이동 기구에 의한 상기 램프의 이동을 상기 콘택트 부재에 의한 상기 피처리 기판상의 전계 발생 부위에 동기하여 실행하는 램프 이동 기구 제어부를 더 구비한다(청구항 5). 피처리 기판의 피처리부 중 콘택트 부재에 의해 통전되어 전기 화학적 반응이 이루어지는 부분에 광을 조사할 때의 램프 이동을 그 부분의 이동에 일치시켜 자동적으로 실행하는 것이다. 또한, 램프의 이동은 피처리 기판의 전극 패드로의 통전에 대응하여, 연속적으로 이동시키는 것도 단계적으로 이동시키는 것도 채용할 수 있다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시 형태로서 청구항 4에 기재된 양극화 형성 장치는 상기 캐소드 전극 이동 기구에 접속하여 설치되고, 상기 캐소드 전극 이동 기구에 의한 상기 캐소드 전극의 이동을 상기 콘택트 부재에 의한 상기 피처리 기판상의 전계 발생 부위에 동기하여 실행하는 캐소드 전극 이동 기구 제어부를 더 구비한다(청구항 6). 피처리 기판의 피처리부 중 콘택트 부재에 의해 통전되어 전기 화학적 반응이 이루어지는 부분에 캐소드 전극을 대향시킬 때의 캐소드 전극의 이동을 그 부분의 이동에 일치시켜 자동적으로 실행하는 것이다. 또한, 캐소드 전극의 이동은 피처리 기판의 전극 패드로의 통전에 따라, 연속적으로 이동시키는 것도 단계적으로 이동시키는 것도 채용할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 양극화 형성 방법은 스테이지상에 상기 피처리 기판을 그 피처리부가 상방을 향하게 탑재하는 단계와, 상기 탑재된 피처리 기판에 대한 대향면과 상기 탑재된 피처리 기판의 상기 피처리부를 상방으로 노출하도록 개구부와 상기 대향면에 환상으로 설치된 시일 부재를 구비한 프레임 본체를 상기 탑재된 피처리 기판상에 접촉시키고, 상기 시일 부재에 의해 상기 피처리 기판과의 액체 밀봉성을 확립하여, 상기 프레임 본체의 내부에 상기 피처리부를 바닥부로 하는 처리조를 형성하는 단계와, 상기 형성된 처리조에 약액을 도입하고 또한 도입되는 상기 약액 중에 캐소드 전극을 위치시키는 단계와, 상기 시일 부재에 의해 밀봉된 상기 피처리 기판의 주변부에 설치된 상기 복수의 전극 패드중의 일부와 상기 약액 중에 위치된 캐소드 전극 사이를 전류 구동하는 단계와, 상기 약액에 접촉되어 있는 상기 피처리부에 광을 조사하는 단계를 갖고, 전류 구동하는 상기 단계는 상기 복수의 전극 패드중의 일부를 별도의 일부로 변경하여 순차적으로 복수회 실행된다(청구항 7).
즉, 이 방법에 의하면, 청구항 1 또는 2에 있어서 설명한 작용과 같이 처리에 필요한 전류치는 피처리부의 일부에 대응하는 만큼의 양으로써 대체할 수 있다. 따라서, 양극화 형성에 필요한 전기의 공급부를 보다 작은 용량의 것으로 할 수 있기 때문에, 보다 소형의 구성요소에 의해 대형의 피처리 기판을 처리 가능한 방법이 얻어진다. 또한, 피처리 기판의 도전층은 패턴이 형성되어 있을 수도 있고, 예컨대 알루미늄을 그 재질로 할 수 있다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시 형태로서 청구항 7에 기재된 양극화 형성 방법에 있어서, 광을 조사하는 상기 단계는 상기 전류 구동에 의한 상기 피처리 기판의 상기 피처리부로부터의 전계 발생 부위에 위치를 일치시켜 광이 조사된다(청구항 8). 이로써, 피처리 기판의 피처리부 중 통전되어 전기 화학적 반응이 이루어지는 부분을 특정하여 작은 면적에 균일한 광을 조사 가능하게 하는 것이다. 또한, 램프를 이동시키는 경우에는 피처리 기판의 전극 패드로의 통전의 변화에 따라, 단계적으로 이동시키는 것도 채용할 수 있다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시 형태로서 청구항 7 또는 8에 기재된 양극화 형성 방법에 있어서, 전류 구동하는 상기 단계는 상기 복수의 전극 패드중의 일부가 별도의 일부로 변경됨으로써, 상기 피처리 기판의 상기 피처리부로부터의 전계 발생 위치가 변화되는 것에 일치시켜 상기 캐소드 전극의 위치가 이동되어 실행된다(청구항 9). 이로써, 피처리 기판의 피처리부 중 통전되어 전기 화학적 반응이 이루어지는 부분을 특정하여 작은 면적에 캐소드 전극을 대향시키는 것을 가능하게 한다. 또한, 캐소드 전극을 이동시키는 것은 피처리 기판의 전극 패드로의 통전의 변화에 따라 연속적으로 이동시키는 것도 단계적으로 이동시키는 것도 채용할 수 있다.
또한, 이상 상술한 본 발명의 양극화 형성 장치 및 방법은 광의 조사를 필요로 하지 않는 통상의 양극 산화를 실행하는 장치 및 방법이지만, 장치의 구성요소를 소형화하기 위한 구성으로서 채용할 수 있다.
즉, 피처리 기판을 그 피처리부가 상방을 향하게 탑재 가능한 스테이지와, 상기 탑재된 피처리 기판에 대향하여 설치된 캐소드 전극과, 상기 스테이지와 결합하여 처리조를 이루는 개구부를 구비한 프레임 본체와, 상기 프레임 본체가 상기 탑재된 피처리 기판에 대향하여 접근했을 때에 상기 피처리 기판에 환상으로 접촉하도록 상기 프레임 본체의 대향면에 설치되고, 상기 피처리 기판과의 사이에 액체 밀봉성을 확립하는 시일 부재와, 상기 시일 부재의 환상부 외측에 설치된 전도성의 복수의 콘택트 부재와, 상기 복수의 콘택트 부재 각각에 선택적으로 통전 수단을 구비하는 양극화 형성 장치이다.
또한, 피처리 기판을 그 피처리부가 상방을 향하게 탑재 가능한 스테이지와, 상기 탑재된 피처리 기판에 대향하여 설치된 캐소드 전극과, 상기 스테이지와 결합하여 처리조를 이루는 개구부를 구비한 프레임 본체와, 상기 프레임 본체가 상기 탑재된 피처리 기판에 대향하여 접근했을 때에 상기 피처리 기판에 환상으로 접촉하도록 상기 프레임 본체의 대향면에 설치되고, 상기 피처리 기판과의 사이에 액체 밀봉성을 확립하는 시일 부재와, 상기 시일 부재의 환상부 외측에 설치된 전도성의 콘택트 부재와, 상기 콘택트 부재를 상기 시일 부재의 환상부 외측에 있어서 이동하는 콘택트 이동 기구를 구비하는 양극화 형성 장치이다.
또한, 여기서, 상기 캐소드 전극을 상기 탑재된 피처리 기판의 면과 거의 평행한 방향으로 이동시키는 캐소드 전극 이동 기구를 더 구비하도록 할 수도 있다.
또한, 여기서, 상기 캐소드 전극 이동 기구에 접속하여 설치되고, 상기 캐소드 전극 이동 기구에 의한 상기 캐소드 전극의 이동을, 상기 콘택트 부재에 의한 상기 피처리 기판상의 전계 발생 부위에 동기하여 실행하는 캐소드 전극 이동 기구 제어부를 더 구비하도록 할 수도 있다.
또한, 스테이지상에 상기 피처리 기판을 그 피처리부가 상방을 향하게 탑재하는 단계와, 상기 탑재된 피처리 기판에 대한 대향면과 상기 탑재된 피처리 기판의 상기 피처리부를 상방으로 노출되도록 개구부와 상기 대향면에 환상으로 설치된 시일 부재를 구비한 상기 탑재된 피처리 기판상에 접촉시키고, 상기 시일 부재에 의해 상기 피처리 기판과의 액체 밀봉성을 확립하여, 상기 프레임 본체의 내부에 상기 피처리부를 바닥부로 하는 처리조를 형성하는 단계와, 상기 형성된 처리조에약액을 도입하고 또한 도입되는 상기 약액 중에 캐소드 전극을 위치시키는 단계와, 상기 시일 부재에 의해 밀봉된 상기 피처리 기판의 주변부에 설치된 상기 복수의 전극 패드중의 일부와 상기 약액 속에 위치된 캐소드 전극 사이를 전류 구동하는 단계를 갖으며, 전류 구동하는 상기 단계는 상기 복수의 전극 패드중의 일부를 별도의 일부로 변경하여 순차적으로 복수회 실행되는 양극화 형성 방법이다.
또한, 여기서, 전류 구동하는 상기 단계는 상기 복수의 전극 패드중의 일부가 별도의 일부로 변경됨으로써 상기 피처리 기판의 피처리부로부터의 전계 발생 위치가 변화되는 것에 일치시켜 상기 캐소드 전극의 위치가 이동되어 실행되도록 할 수도 있다.
본 발명은 피처리 기판을 양극으로 하여 전기 화학적으로 처리를 실행하는 양극화 형성 장치 및 양극화 형성 방법에 관한 것으로서, 특히 대형의 피처리 기판에 처리를 실행하기에 적절한 양극화 형성 장치 및 양극화 형성 방법에 관한 것이다.
도 1a, 도 1b, 도 1c는 동작의 진행순으로, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 양극화 형성 장치의 기본 구성의 개략 수직 단면도,
도 2a, 도 2b, 도 2c는 도 1c의 연속 도면으로서, 동작의 진행순으로 본 발명의 일 실시 형태에 따른 양극화 형성 장치의 기본 구성의 개략 수직 단면도,
도 3은 도 1a, 도 1b, 도 1c, 도 2a, 도 2b, 도 2c에 나타낸 프레임 본체(3)의 평면도, 및 콘택트 부재(5)로부터 전원(33)까지의 전기 접속 관계를 나타내는 도면,
도 4는 도 1a, 도 1b, 도 1c, 도 2a, 도 2b, 도 2c에 나타낸 피처리 기판(10)의 구성예를 나타내는 평면도,
도 5a는 도 1a, 도 1b, 도 1c, 도 2a, 도 2b, 도 2c에 나타낸 프레임 본체(3)의 평면도, 및 콘택트 부재(51)로부터 전원(33)까지의 전기 접속 관계를 나타내는 도면,
도 5b는 도 1a, 도 1b, 도 1c, 도 2a, 도 2b, 도 2c에 나타낸 프레임 본체(3)의 부분 단면도로서, 또한 각각 도 3에 나타낸 것과는 다른 도면,
도 6은 도 1a, 도 1b, 도 1c, 도 2a, 도 2b, 도 2c에 나타낸 램프 유닛(8)의 평면도,
도 7은 도 6에 나타낸 램프 유닛(8)을 대신하여 사용할 수 있는 램프 유닛 및 그 주변의 평면도,
도 8은 도 1a, 도 1b, 도 1c, 도 2a, 도 2b, 도 2c에 나타낸 캐소드 전극(7)의 평면도,
도 9는 도 8에 나타낸 캐소드 전극(7)을 대신하여 사용할 수 있는 캐소드 전극 및 그 주변의 평면도.
본 발명에 의하면, 콘택트 부재에 의한 피처리 기판으로의 전기 접속이 복수의 콘택트 부재에 의해 실행되도록 되어 있고, 피처리 기판을 이것에 대응하여, 복수의 콘택트 부재의 접촉부(전극 패드) 각각으로부터 그 처리부의 일부씩의 도전층에 접속이 이루어지도록 미리 제조해 둔다. 이와 같은 피처리 기판과 복수의 콘택트 부재의 조합에 의하면, 예컨대 전환 스위치에 의해 일부의 콘택트 부재에만 통전함으로써, 처리에 필요한 전류치는 피처리부의 일부에 대응하는 만큼의 양으로써 대체할 수 있다. 따라서, 양극화 형성에 필요한 전기의 공급부를 보다 작은 용량의 것으로 할 수 있기 때문에, 보다 소형의 구성요소에 의해 대형의 피처리 기판을 처리 가능한 장치를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 콘택트 부재에 의한 피처리 기판으로의 전기 접속이, 콘택트 부재의 이동에 의해 위치를 변경하여 실행되도록 되어 있고, 피처리 기판을 이것에 대응하여, 콘택트 부재의 접촉부(복수의 전극 패드) 각각으로부터 그 피처리부의 일부씩의 도전층에 접속이 이루어지도록 미리 제조해 둔다. 이러한 피처리 기판과 콘택트 부재의 조합에 의하면, 콘택트 부재로의 통전이, 콘택트 부재의 이동에 의해, 피처리 기판의 일부의 도전층에 대하여 이루어지도록 되기 때문에, 처리에 필요한 전류치는 피처리부의 일부에 대응하는 만큼의 양으로써 대체할 수 있다. 따라서, 양극화 형성에 필요한 전기의 공급부를 보다 작은 용량의 것으로 할 수 있기 때문에, 보다 소형의 구성요소에 의해 대형의 피처리 기판을 처리 가능한 장치를 얻을 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1a, 도 1b, 도 1c는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 양극화 형성 장치의 기본 구성의 개략 수직 단면도이고, 도 1a에서 도 1c의 순서로 동작하는 것을 나타내고 있다. 도 2a, 도 2b, 도 2c는 도 1c의 연속 도면이고, 동일하게 도 2a 내지 도 2c의 순서로 동작하는 것을 나타낸다.
도 1a에 도시하는 한 바와 같이, 이 양극화 형성 장치는 스테이지(1), 스테이지(1)에 구비된 기판 리프터(2), 프레임 본체(3), 프레임 본체(3)에 설치된 시일 부재(4)와 콘택트 부재(5), 프레임 본체(3)를 관통하는 약액(藥液) 공급 배출 포트(6), 캐소드 전극(7), 램프 유닛(8), 램프 유닛(8)에 설치된 램프(9)를 갖는다.
스테이지(1)는 피처리 기판을 그 피처리부를 위를 향해 탑재 가능한 스탠드로서, 피처리 기판의 주고받음 및 취출을 원활히 실행하기 위해 기판 리프터(2)가 구비되어 있다. 기판 리프터(2)는 스테이지(1)의 상면에 출몰 가능하게 설치되고, 피처리 기판의 스테이지(1)로의 주고받음 및 스테이지(1)로부터의 취출시에는 스테이지(1)의 상면으로부터 돌출한다. 이와 같이 돌출된 기판 리프터(2)에 의해 스테이지(1)의 상면과 피처리 기판과의 사이에 간극이 생기기 때문에, 피처리 기판의 스테이지(1)로의 주고받음 및 스테이지(1)로부터의 취출시, 예컨대 피처리 기판을 수평으로 지지하는 포크를 갖는 아암 로봇을 원활히 사용할 수 있다.
프레임 본체(3)는 스테이지(1)상에 탑재된 피처리 기판의 주변부에 대하여 대향면을 갖고, 또한 피처리 기판의 피처리부를 상방으로 노출하도록 개구를 갖는 통 형상을 갖는다. 도 1a에 도시하는 상태에 있어서는 스테이지(1)와의 사이에 간극이 있지만, 피처리 기판이 스테이지(1)상에 탑재되면, 도시하지 않는 상하 이동 기구에 의해 피처리 기판에 대하여 상대적으로 강하한다. 여기서 상대적이라는 것은 스테이지(1)측이 상승할 수도 있다는 것을 나타내기 위함이다.
프레임 본체(3)가 피처리 기판에 대하여 상대적으로 강하하면, 프레임 본체(3)의 하면에 환상으로 설치된 시일 부재(4)가 피처리 기판에 접촉하여 가압됨으로써 액체 밀봉성이 확립된다. 즉, 프레임 본체(3) 내부에 피처리 기판의 피처리부를 바닥면으로 하는 처리조가 형성될 수 있다.
시일 부재(3)의 환상부 외측에는 전도성의 콘택트 부재(5)가 복수개 설치되어 있다. 콘택트 부재(5)는 상기 밀봉성의 확립과 동시에 피처리 기판의 주변부에 설치된 전극 패드에 건조 상태로 전기 접속하고, 처리조내에 약액이 채워진 후에도 시일 부재(3)에 의해 이 상태를 유지한다.
또한, 프레임 본체(3)의 벽을 관통하도록, 약액 공급 배출 포트(6)가 설치되어 있다. 상기와 같이, 프레임 본체(3) 내부에 피처리 기판의 피처리부를 바닥면으로 하는 처리조가 형성되면, 약액 공급 배출 포트로부터 양극화 형성에 사용하는 약액이 공급될 수 있다. 약액의 공급은 캐소드 전극(7)의 수평 부분이 약액에 침지되기에 충분한 양만큼, 프레임 본체(3)의 내부에 이루어진다.
캐소드 전극(7)은 프레임 본체(3)에 대하여 상대적으로 그 수직 위치가 불변하도록 지지체(도시하지 않음)에 의해 지지되어 있다. 캐소드 전극(7)의 형상은 피처리 기판의 피처리부에 거의 평행하게 대향하는 면 형상으로서, 램프(9)로부터의 광을 통과시키기 위한 개구를 갖고, 전극으로서 기능할 수 있는 재질의 도체부를 갖는다. 도체부는 예컨대 격자형으로 형성되어 있다. 실제 양극화 형성 처리 중에 있어서는 캐소드 전극(7)과 복수의 콘택트 부재(5) 사이는 콘택트 부재(5)의 일부씩에 대하여 순차적으로 도시하지 않은 전원에 의해 전류 구동된다. 또한, 이와 같은 순차적인 전류 구동을 실행하는 전원에 대해서는 후술한다.
램프 유닛(8)은 복수의 램프(9)를 구비하고, 방사하는 광이 스테이지(1)상에탑재된 피처리 기판을 향하도록 설치된다. 또한, 프레임 본체(3)에 대해서는 상대적으로 그 수직 위치가 불변하도록 지지체(도시하지 않음)에 의해 지지되어 있다.
이상 설명한 구성을 갖는 이 양극화 형성 장치에 의해 피처리 기판을 처리하기 위한 과정 동작을, 도 1a 내지 도 1c, 도 2a 내지 도 2c를 사용하여 설명한다.
우선, 도 1a에 도시하는 바와 같은 장치의 상태[기판 리프터(2)가 스테이지(1)의 면상으로 돌출하고, 프레임 본체(3)와 스테이지(1) 사이에 간극이 있는 상태]로서, 피처리 기판의 수취 가능한 상태로 한다. 그리고, 프레임 본체(3)와 스테이지(1)의 간극으로부터 예컨대 포크를 갖는 아암 로봇으로 피처리 기판(10)을 반입하여, 도 1b에 도시하는 바와 같이 기판 리프터(2)상에 주고받는다.
다음에, 도 1c에 도시하는 바와 같이 기판 리프터(2)를 스테이지(1)내에 하강시켜, 스테이지(1)상에 피처리 기판(10)을 탑재 및 유지한다. 스테이지(1)상에 피처리 기판(10)을 탑재 및 유지하면, 도 2a에 도시하는 바와 같이 프레임 본체(3)[및 캐소드 전극(7)과 램프 유닛(8)]를 스테이지(1)에 대하여 상대적으로 강하시켜, 시일 부재(4)를 피처리 기판(10)에 가압하도록 접촉시킨다. 이 때, 복수의 콘택트 부재(5)가 피처리 기판(10)의 주변부에 설치된 전극 패드에 전기적으로 접촉한다. 또한, 프레임 본체(3)의 내부에 피처리 기판(10)의 피처리부를 바닥부로 하는 처리조가 형성된다.
다음에, 약액 공급 배출 포트(6)로부터 약액(예컨대 에탄올을 용매로 하는 불소산 용액)(11)을 처리조내에 도입하고, 도 2b에 도시하는 바와 같이 캐소드 전극(7)이 침지되기에 충분한 양을 채운다. 이 상태에 이르러 실제 양극화 형성 처리가 가능하게 된다. 양극화 형성은 복수의 콘택트 부재(5)와 캐소드 전극(7) 사이를 콘택트 부재(5)의 일부씩에 대하여 순차적으로 전류 구동하고, 또한 램프(9)를 점등하여 피처리 기판(10)의 피처리부를 조사함으로써 이루어진다. 처리 시간은 콘택트 부재(5)의 일부씩에 대하여 각 수초 내지 수십초 정도이다.
실제 양극화 형성 처리가 종료하면, 도 2c에 도시하는 바와 같이, 약액 공급 배출 포트(6)로부터 약액(11)을 배출한다. 이 후, 약액 공급배출 포트(6)로부터 희석용의 예컨대 에탄올을 몇회 도입, 배출하여 처리조내 및 피처리 기판(10)의 피처리부를 세정하도록 할 수도 있다. 배출하는 경우에 피처리 기판(10)상에 잔류액(11a)의 액면이 존재하는 정도로 실행하면, 피처리부에 대한 대기로부터의 악영향을 받지 않도록 할 수 있다.
다음에, 상기에 설명한, 콘택트 부재(5)의 일부씩에 대하여 순차적으로 전류 구동하는 구성에 대하여, 더욱 상세히 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 프레임 본체(3)의 평면도 및 콘택트 부재(5)로부터 전원(33)까지의 전기 접속 관계를 나타내는 도면이며, 이미 설명한 구성요소에는 동일한 참조부호를 부여한다. 또한, 설명을 위해 약액 공급 배출 포트(6)는 도시를 생략하고 있다.
동일 도면에 도시하는 바와 같이, 프레임 본체(3)의 하면(피처리 기판과 대향하는 면)에는 환상으로 시일 부재(4)가 설치되고, 그 환상부 외측에 복수의 콘택트 부재(5)가 설치되고 있다. 또한, 2점 쇄선으로 표시된 프레임은 피처리 기판(10)을 배치시킬 위치를 나타내고 있다. 복수의 콘택트 부재(5)는 본 실시 형태에서는 피처리 기판(10)의 대향하는 2변의 부근에 상당하는 위치에 3쌍이 설치되어 있다.
대향하여 쌍으로 되는 콘택트 부재(5)는 각각 도선(31)에 의해 전기 접속되고, 또한 전환 스위치(32)의 각각의 전환 단자에 접속된다. 전환 스위치(32)의 공통 단자는 전원(33)의 양극측에 접속된다. 전원(33)의 음극측은 이 도면에는 도시하지 않은 캐소드 전극에 접속된다.
이러한 구성에 있어서, 전환 스위치(32)를 순차적으로 전환함에 따라서 콘택트 부재(5)의 각쌍에 대하여 순차적으로 전류 구동할 수 있다. 즉, 전환 스위치(32)가 도시한 전환 위치의 경우에는 콘택트 부재(5)중 가장 밑에 도시된 쌍의 것과 캐소드 전극의 사이가 전류 구동된다. 마찬가지로, 전환 스위치(32)를 중간의 전환 위치로 하면 콘택트 부재(5)중 중간에 도시된 쌍의 것과 캐소드 전극 사이가 전류 구동되고, 전환 스위치(32)를 우측의 전환 위치로 하면 콘택트 부재(5)중 가장 상측에 도시된 쌍의 것과 캐소드 전극 사이가 전류 구동된다.
또한, 이러한 전류 구동의 전환은 제어부(34)를 구비함으로써 자동적으로 순차적으로 실행할 수 있다. 제어부(34)에는 예컨대 CPU(central processing unit) 등의 하드웨어와 기본 소프트웨어나 응용 프로그램 등의 소프트웨어를 구비한 처리 장치를 사용할 수 있다.
도 4는 피처리 기판(10)의 구성예를 나타내는 평면도이다. 동일 도면에 도시하는 바와 같이, 피처리 기판(10)은 예컨대 유리 기판상에 도전 패턴(42a, 42b, 42c)이 도면의 좌우방향으로 다수개 형성되어 있다. 그러한 도전 패턴(42a, 42b,42c)의 양단부는 각각 전극 패드(41a, 41b), 전극 패드(41c, 41d), 전극 패드(41e, 41f)에 통합 접속되어 있다. 또한, 도시하지 않고 있지만, 도전 패턴(42a, 42b, 42c)상에는 다결정 실리콘층이 형성되어 있다.
이러한 피처리 기판(10)을, 도 3에 도시한 콘택트 부재(5)를 갖는 본 실시 형태의 양극화 형성 장치에 적용함으로써, 도전 패턴(42a, 42b, 42c)으로의 전류는 우선 도전 패턴(42c)에 대하여 실행되고, 다음에 도전 패턴(42b)에 대하여 실행되며, 최후로 도전 패턴(42a)에 대하여 실행되게 된다. 즉, 피처리부에 형성된 도전 패턴(42a, 42b, 42c)에 대하여 동시에 전류가 흐르지 않고 일부씩 전류가 흐른다.
따라서, 처리에 필요한 전류치는 피처리부의 일부에 대응하는 만큼의 양으로써 대체할 수 있다. 그리고, 콘택트 부재(5)로의 통전을 상기 전환 스위치(32)에 의해 전환하여 각각 처리를 실행하면 피처리부의 전면에 대하여 양극화 형성을 실행할 수 있다. 따라서, 양극화 형성에 필요한 전원(33)을 보다 작은 용량의 것으로 할 수 있기 때문에, 보다 소형의 구성요소에 의해 대형의 피처리 기판을 처리 가능한 장치를 얻을 수 있다. 또한, 그 위에 통전되는 피처리 기판(10)상에서의 면적이 각각에 대해서 보면 작아지기 때문에, 피처리 기판(10)에서의 전류의 균일성을 향상시키는 것도 기대할 수 있다. 이로써 양극화 형성의 균일성을 증가시킬 수 있다.
또한, 이상의 설명에서는 콘택트 부재(5)를 3쌍으로 하고, 이것에 대응하여 피처리 기판(10)의 도전 패턴도 3개의 부분으로 분리하여 전극 패드에 접속되어 있는 경우를 설명했지만, 콘택트 부재(5)가 2 이상의 복수개이고 또한 그것에 대응하여 피처리 기판(10)의 전극 패드가 복수개이면 동일한 효과를 얻을 수 있다.
다음에, 도 1a, 도 1b, 도 1c 내지 도 3에 나타낸 실시 형태와는 다른 실시 형태에 대하여 도 5a, 도 5b를 참조하여 설명한다. 도 5a, 도 5b는 도 3에 도시한 프레임 본체(3)의 평면도 및 콘택트 부재로부터 전원(33)까지의 전기 접속 관계를 나타내는 도면에 대응하는 부분을 나타내는 도면이다. 도 1a, 도 1b, 도 1c, 도 2a, 도 2b, 도 2c에 대응하는 도면은 콘택트 부재(5)를 제외하고 거의 동일하기 때문에 생략한다.
도 5a에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서는 콘택트 부재(5)를 대신하여 콘택트 부재(51)가 1쌍의 프레임 본체(3)에 설치되어 있다. 그리고, 1쌍의 콘택트 부재(51)는 도선(31)에 의해 전기적으로 접속되고 또한 전원(33)의 양극측에 접속되어 있다. 전원(33)의 음극측은 이 도면에서는 도시를 생략한 캐소드 전극에 접속되어 있다.
도 5b는 도 5a 중의 A-Aa 단면의 화살표 방향으로 본 도면이다. 도 5b에 도시한 바와 같이, 콘택트 부재(51)는 차륜형으로 형성되고, 그 축이 프레임 본체(3)에 설치된 콘택트 이동 기구로서의 가이드 기구(52)에 돌입되도록 설치되어 있다. 그리고, 도시하지 않은 회전 기구에 의해, 피처리 기판(10)의 주변부를 회전하여 이동하여, 피처리 기판(10)과의 접촉 위치를 변경할 수 있다.
따라서, 콘택트 부재(51)의 이동 위치에 의해, 역시 도 4에 도시한 바와 같은 피처리 기판(10)을 사용함으로써, 피처리부에 형성된 도전 패턴(42a, 42b, 42c)에 대하여 동시에 통전하는 것이 아니라 일부씩 통전할 수 있다. 이로써, 처리에필요한 전류치는 피처리부의 일부에 대응하는 만큼의 양으로써 대체할 수 있다. 그리고, 콘택트 부재(51)를 피처리 기판(10)의 주연부에서 회전하여 접촉 위치를 변경해감으로써, 각각 처리를 실행하면 피처리부의 전면에 대하여 양극화 형성을 실행할 수 있다. 따라서, 양극화 형성에 필요한 전원(33)을 보다 작은 용량의 것으로 할 수 있기 때문에, 보다 소형의 구성요소에 의해 대형의 피처리 기판을 처리 가능한 장치를 얻을 수 있다.
또한, 이러한 콘택트 부재(51)의 회전, 이동은 회전 기구를 제어하는 제어부(53)를 구비함으로써, 자동적으로 순차 실행할 수 있다. 제어부(53)에는 예컨대 CPU 등의 하드웨어와 기본 소프트웨어나 응용 프로그램 등의 소프트웨어를 구비한 처리 장치를 사용할 수 있다. 또한, 콘택트 부재(51)의 형상과 그 이동 기구에 대해서는 상기 예에 한정하지 않고 각종의 것을 고려할 수 있다. 예컨대, 형상으로는 차륜과 같은 원형이 아니라 정삼각형을 조금 둥글게 한 형상이나 차륜을 2바퀴로서 2바퀴 사이에 전도성의 벨트를 설치한 형상 등을 고려할 수 있다. 이동 기구에 대해서는 콘택트 부재의 형상에 따라 적절한 것을 선택할 수 있다.
다음에, 도 1a, 도 1b, 도 1c, 도 2a, 도 2b, 도 2c 중에 도시한 램프 유닛(8)에 대하여, 또한 그 구성을 설명한다. 도 6은 도 1a, 도 1b, 도 1c, 도 2a, 도 2b, 도 2c 중에 도시한 램프 유닛(8)을 나타내는 평면도이다. 이 램프 유닛(8)은 프레임 본체(3)의 내부 전체를 한번에 조사하는 것이 가능한 평면적인 크기 및 램프의 배열이 이루어져 있는 것이다. 기구로서 생각하면 단순한 구성에 의해 피처리 기판(10)의 피처리부를 조사할 수 있다.
도 7은 도 6에 도시한 램프 유닛(8)을 대신하여 사용할 수 있는 램프 유닛 및 그 주변을 나타내는 평면도이다. 이 램프 유닛(8a)은 가늘고 긴 조사 영역을 갖도록 도면의 상하 방향에는 짧게 구성되고, 또한 램프 이동 기구(71)에 가설되어 도면의 상하방향으로 이동 가능하도록 되어 있다.
램프 유닛(8a)의 이동은 조사되는 피처리 기판(10)에 있어서의 통전 부위의 변경에 일치시켜 실행한다. 이로써, 피처리 기판(10)상에서 실제로 양극화 형성이 되는 부위에 필요한 광을 보다 작은 램프 유닛(8a)으로써 대체할 수 있다. 따라서, 램프의 수를 감소시킬 수 있어 장치로서 저가로 될 가능성이 있다. 또한, 조사할 영역이 소면적으로 되므로 조사 불균일성을 감소시켜 보다 균일한 양극화 형성을 실현할 수 있는 가능성이 있다.
또한, 램프 이동 기구(71)에 의한 램프 유닛(8a)의 이동은 조사되는 피처리 기판(10)에 있어서의 전류가 흐르는 부위의 변경에 일치시키는 조건상, 이미 설명한 제어부(34 또는 53)에 의하면, 동기화되어 적합한 상태이다.
다음에, 도 1a, 도 1b, 도 1c, 도 2a, 도 2b, 도 2c 중에 도시한 캐소드 전극(7)에 대하여, 또한 그 구성을 설명한다. 도 8은 도 1a, 도 1b, 도 1c, 도 2a, 도 2b, 도 2c 중에 도시한 캐소드 전극(7)을 나타내는 평면도이다. 이 캐소드 전극(7)은 프레임 본체(3)의 내부 전체에 있어서 피처리 기판(10)과 대향하는 것이 가능한 평면적인 크기를 갖는 것이다. 가동 기구가 없이 단순한 구성으로 할 수 있다.
도 9는 도 8에 나타낸 캐소드 전극(7)을 대신하여 사용할 수 있는 캐소드 전극 및 그 주변을 나타내는 평면도이다. 이 캐소드 전극(7a)은 도면의 상하 방향에는 짧게 구성되고, 또한 캐소드 전극 이동 기구(91)에 걸쳐 설치되어 도면의 상하 방향으로 이동 가능하게 되어 있다.
캐소드 전극(7a)의 이동은 피처리 기판(10)에 있어서의 전류가 흐르는 부위의 변경에 일치시켜 실행한다. 이로써, 피처리 기판(10)상에서 실제로 양극화 형성이 되는 부위에 대향하여 필요한 캐소드 전극을 보다 작은 캐소드 전극(7a)으로 실행할 수 있다. 따라서, 고가의 전극 재료(예컨대 플래티나)의 사용량을 삭감하여, 장치로서 저렴하게 될 가능성이 있다. 또한, 캐소드 전극(7a)의 피처리 기판(10)과의 대향 면적이 작게 됨으로써, 전계를 보다 균일하게 발생시킬 가능성도 있다. 이로써 처리의 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 캐소드 전극 이동 기구(91)에 의한 캐소드 전극(7a)의 이동은 피처리 기판(10)에 있어서의 전류가 흐르는 부위의 변경에 일치시키는 조건에서, 이미 설명한 제어부(34 또는 53)에 의하면, 동기화되어 적절한 상황이다. 또한, 이 예에서는 캐소드 전극 이동 기구(91)에 캐소드 전극(7a)을 가설하여 이동 가능하게 구성하고 있지만, 캐소드 전극(7a)을, 도 7에 설명한 램프 유닛(8a)에 매달아, 램프 유닛(8a)과 일체로서 이동하도록 구성할 수도 있다.
또한, 도 7, 도 9에 각각 도시한 램프 이동 기구(71) 및 캐소드 전극 이동 기구(91)는 램프 유닛(8a) 및 캐소드 전극(7a)을 도면의 상하 방향으로 이동시키기만 하는 기구이지만, 이 기능에 부가하여 이것들을 지면에 수직한 방향으로 상하 이동시키는 기능의 기구를 부가할 수도 있다. 이러한 기구에 의하면, 피처리기판(10)에 대하여 가장 적절한 거리를 두어 램프 유닛(8a), 캐소드 전극(7a)을 위치시킬 수 있다.
또한, 이상의 설명에서는 광의 조사를 실행하는 양극화 형성을 예로 들어 설명했지만, 광의 조사를 실행하지 않는 양극 산화 처리의 경우에도 동일하게 구성요소의 소형화의 효과를 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 양극화 형성 장치는 평면형 표시 장치(평면형 표시 패널)를 제조하기 위한 장치의 제조 산업에 있어서 생산할 수 있다. 또한, 평면형 표시 장치(평면형 표시 패널)의 제조 산업에 있어서 사용할 수 있다. 본 발명에 따른 양극화 형성 방법은 평면형 표시 장치(평면형 표시 패널)의 제조 산업에 있어서 사용할 수 있다. 따라서, 모두 산업상의 이용 가능성이 있다.

Claims (15)

  1. 광을 방사하는 램프와,
    상기 방사된 광이 도달하는 위치에 설치되고 피처리 기판을 그 피처리부가 상방을 향하게 탑재 가능한 스테이지와,
    상기 방사된 광이 상기 탑재된 피처리 기판에 도달하는 도상에 설치되고, 상기 광을 통과시키기 위한 개구부를 구비하며 상기 광을 투과하지 않는 도체부를 갖는 캐소드 전극과,
    상기 스테이지와 결합하여 처리조를 이루는 개구부를 구비한 프레임 본체와,
    상기 프레임 본체가 상기 탑재된 피처리 기판에 대향하여 접근했을 때에 상기 피처리 기판에 환상으로 접촉하도록 상기 프레임 본체의 대향면에 설치되고, 상기 피처리 기판과의 사이에 액체 밀봉성을 확립하는 시일 부재와,
    상기 시일 부재의 환상부 외측에 설치된 전도성의 복수의 콘택트 부재와,
    상기 복수의 콘택트 부재 각각에 선택적으로 전류를 흐르게 하는 통전 수단을 구비하는
    양극화 형성 장치.
  2. 광을 방사하는 램프와,
    상기 방사된 광이 도달하는 위치에 설치되고 피처리 기판을 그 피처리부가 상방을 향하게 탑재 가능한 스테이지와,
    상기 방사된 광이 상기 탑재된 피처리 기판에 도달하는 도상에 설치되고, 상기 광을 통과시키기 위한 개구부를 구비하며 상기 광을 투과하지 않는 도체부를 갖는 캐소드 전극과,
    상기 스테이지와 결합하여 처리조를 이루는 개구부를 구비한 프레임 본체와,
    상기 프레임 본체가 상기 탑재된 피처리 기판에 대향하여 접근했을 때에 상기 피처리 기판에 환상으로 접촉하도록 상기 프레임 본체의 대향면에 설치되고, 상기 피처리 기판과의 사이에 액체 밀봉성을 확립하는 시일 부재와,
    상기 시일 부재의 환상부 외측에 설치된 전도성의 콘택트 부재와, 상기 콘택트 부재를 상기 시일 부재의 환상부 외측에 있어서 이동하는 콘택트 이동 기구를 구비하는
    양극화 형성 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 램프를 상기 탑재된 피처리 기판의 면과 거의 평행한 방향으로 이동시키는 램프 이동 기구를 더 구비하는
    양극화 형성 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극을 상기 탑재된 피처리 기판의 면과 거의 평행한 방향으로 이동시키는 캐소드 전극 이동 기구를 더 구비하는
    양극화 형성 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 램프 이동 기구에 접속하여 설치되고, 상기 램프 이동 기구에 의한 상기 램프의 이동을, 상기 콘택트 부재에 의한 상기 피처리 기판상의 전계 발생 부위에 동기하여 실행하는 램프 이동 기구 제어부를 더 구비하는
    양극화 형성 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극 이동 기구에 접속하여 설치되고, 상기 캐소드 전극 이동 기구에 의한 상기 캐소드 전극의 이동을, 상기 콘택트 부재에 의한 상기 피처리 기판상의 전계 발생 부위에 동기하여 실행하는 캐소드 전극 이동 기구 제어부를 더 구비하는
    양극화 형성 장치.
  7. 스테이지상에 상기 피처리 기판을 그 피처리부가 상방을 향하게 탑재하는 단계와,
    상기 탑재된 피처리 기판에 대한 대향면과 상기 탑재된 피처리 기판의 상기 피처리부를 상방으로 노출시키도록 개구부와 상기 대향면에 환상으로 설치된 시일 부재를 구비한 프레임 본체를 상기 탑재된 피처리 기판상에 접촉시키고, 상기 시일부재에 의해 상기 피처리 기판과의 액체 밀봉성을 확립하여, 상기 프레임 본체의 내부에 상기 피처리부를 바닥부로 하는 처리조를 형성하는 단계와,
    상기 형성된 처리조에 약액(藥液)을 도입하고 또한 도입되는 상기 약액 중에 캐소드 전극을 위치시키는 단계와,
    상기 시일 부재에 의해 밀봉된 상기 피처리 기판의 주변부에 설치된 상기 복수의 전극 패드중의 일부와 상기 약액 중에 위치된 캐소드 전극 사이를 전류 구동하는 단계와,
    상기 약액에 접촉되어 있는 상기 피처리부에 광을 조사하는 단계를 갖고,
    전류 구동하는 상기 단계는 상기 복수의 전극 패드중의 일부를 별도의 일부로 변경하여 순차적으로 복수회 실행되는
    양극화 형성 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    광을 조사하는 상기 단계는 상기 전류 구동에 의한 상기 피처리 기판의 상기 피처리부로부터의 전계 발생 부위에 위치를 일치시켜 광이 조사되는
    양극화 형성 방법.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    전류 구동하는 상기 단계는 상기 복수의 전극 패드중의 일부가 별도의 일부로 변경됨으로써 상기 피처리 기판의 상기 피처리부로부터의 전계 발생 위치가 변화되는 것에 일치시켜 상기 캐소드 전극의 위치가 이동되어 이루어지는
    양극화 형성 방법.
  10. 피처리 기판을 그 피처리부가 상방을 향하게 탑재 가능한 스테이지와,
    상기 탑재된 피처리 기판에 대향하여 설치된 캐소드 전극과, 상기 스테이지와 결합하여 처리조를 이루는 개구부를 구비한 프레임 본체와,
    상기 프레임 본체가 상기 탑재된 피처리 기판에 대향하여 접근했을 때에 상기 피처리 기판에 환상으로 접촉하도록 상기 프레임 본체의 대향면에 설치되고, 상기 피처리 기판과의 사이에 액체 밀봉성을 확립하는 시일 부재와,
    상기 시일 부재의 환상부 외측에 설치된 전도성의 복수의 콘택트 부재와,
    상기 복수의 콘택트 부재 각각에 선택적으로 전류를 흐르게 하는 통전 수단을 구비하는
    양극화 형성 장치.
  11. 피처리 기판을 그 피처리부가 상방을 향하게 탑재 가능한 스테이지와,
    상기 탑재된 피처리 기판에 대향하여 설치된 캐소드 전극과, 상기 스테이지와 결합하여 처리조를 이루는 개구부를 구비한 프레임 본체와,
    상기 프레임 본체가 상기 탑재된 피처리 기판에 대향하여 접근했을 때에 상기 피처리 기판에 환상으로 접촉하도록 상기 프레임 본체의 대향면에 설치되고, 상기 피처리 기판과의 사이에 액체 밀봉성을 확립하는 시일 부재와,
    상기 시일 부재의 환상부 외측에 설치된 전도성의 콘택트 부재와, 상기 콘택트 부재를 상기 시일 부재의 환상부 외측으로부터 이동하는 콘택트 이동 기구를 구비하는
    양극화 형성 장치.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극을 상기 탑재된 피처리 기판의 면과 거의 평행한 방향으로 이동시키는 캐소드 전극 이동 기구를 더 구비하는
    양극화 형성 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극 이동 기구에 접속하여 설치되고, 상기 캐소드 전극 이동 기구에 의한 상기 캐소드 전극의 이동을, 상기 콘택트 부재에 의한 상기 피처리 기판상의 전계 발생 부위에 동기하여 실행하는 캐소드 전극 이동 기구 제어부를 더 구비하는
    양극화 형성 장치.
  14. 스테이지상에 상기 피처리 기판을 그 피처리부가 상방을 향하게 탑재하는 단계와,
    상기 탑재된 피처리 기판에 대한 대향면과 상기 탑재된 피처리 기판의 상기피처리부를 상방으로 노출하도록 개구부와 상기 대향면에 환상으로 설치된 시일 부재를 구비한 프레임 본체를 상기 탑재된 피처리 기판상에 접촉시키고, 상기 시일 부재에 의해 상기 피처리 기판과의 액체 밀봉성을 확립하여, 상기 프레임 본체의 내부에 상기 피처리부를 바닥부로 하는 처리조를 형성하는 단계와,
    상기 형성된 처리조에 약액을 도입하고, 또한 도입되는 상기 약액중에 캐소드 전극을 위치시키는 단계와,
    상기 시일 부재에 의해 밀봉된 상기 피처리 기판의 주변부에 설치된 상기 복수의 전극 패드중의 일부와 상기 약액 중에 위치된 캐소드 전극 사이를 전류 구동하는 단계를 갖고,
    전류 구동하는 상기 단계는, 상기 복수의 전극 패드중의 일부를 별도의 일부로 변경하여 순차적으로 복수회 실행되는
    양극화 형성 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    전류 구동하는 상기 단계는, 상기 복수의 전극 패드중의 일부가 별도의 일부로 변경됨으로써 상기 피처리 기판의 상기 피처리부로부터의 전계 발생 위치가 변화되는 것에 일치시켜 상기 캐소드 전극의 위치가 이동되어 이루어지는
    양극화 형성 방법.
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