TWI233642B - Device and method of anodic formation - Google Patents

Description

1233642 玫、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 之 理 本發明係關於以被處理基板作為陽極實施電化學處理 陽極化裝置及陽極化方法，尤其係適用於對大型之被處 基板實施處理之陽極化裝置及陽極化方法者。 【先前技術】 以燈之光朝向浸泡於藥液中之被處理基板之多晶矽層照 射0 將被處理基板以電化學方式陽極化之處理，㈣用於各 種情況。作為如此之陽極化之一，須將多晶矽層多孔質(多 孔質）化處理。敘述其概要，於表面形成多晶硬層之被處理 基板，係#由導電體通電於電源之正極，且浸泡於溶於溶 劑（例如乙醇）之氫氟酸溶液中。具有例如鉑之電極浸泡於 氫氟酸溶液中亦即藥液中，通電於上述電源之負極。再者， 因此，多晶矽層之一部分溶出於氫氟酸溶液中。由於該 溶出後形成細孔，故多晶矽層係多孔質化者。再者，燈之 光舨射，係為了於多晶矽層上產生上述之溶出後多孔質化 (反應所需之電洞。如此之陽極化之多晶矽層之反應，例 如以如下所示說明作為參考。

Si+2HF+(2-n) SiF2+2H++n e-SiF2+2HF— SiF4+H2

SiF4+2HF- H2SiF6 於此e係為電洞，e•係為電子。亦即，該反應係以必須有電 洞為前提，係與單純之電解研磨不同者。 於如此為之所形成之孔質矽之奈米程度之表面上，再形 1233642 成氧化矽層後，成為適於作為高效率之場發射型電子源 者，例如特開2000-164115號公報、特開2000-100316號公報等 所揭示。如此作為場發射型電子源之孔質矽之利用，於開 拓實現新型平面型顯示裝置之用途上，受到矚目。 如上述之陽極化處理，由被處理基板藉由藥液流至陰極 之電流值，係與被處理基板之面積（被處理部之面積）成正 比。藉由電流進行反應，反應係於被處理基板之平面内各 處全面產生。因此，被處理基板用於大型顯示裝置之大面 積者之情形，處理所需之電流值顯著地增加。例如200 mm 對角線長之被處理基板需要5安培左右之處理電流，1000 mm對角線長之被處理基板需要其25倍之100安培電流。再 者，與1000 mm角等程度之面積，係今後大型顯示裝置之動 向上一般可以想像之數值。 能成為使如此大電流流動之裝置，裝置之電源部等必然 成為大型化且昂貴者。再者，因光源之光照射面積也會增 加，陰極電極之形狀也會變為大型，故將成為裝置成本提 高之原因。此外，其亦因裝置而反映出製造基板之製作成 本0 再者，換另一種看法，因光源之光照射面積增加而要以 均勻之光量對被處理基板照射變為困難，及陰極電極變為 大型，要確保與被處理基板間所形成之電場均勻性變為困 難，故存在被處理基板平面内之陽極化之均勻性劣化之缺 點。此係所製造之基板之品質確保方面之問題。 【發明内容】 1233642 本發明係考里上述《情形所成者，於實施電化學處理之 陽極化裝置及陽極化方法中，以提供可以以更小型之構成 要素處理大型被處理基板之陽極化裝置及陽極化方法為目 的。 為解決上述之課題’有關本發明之陽極化裝置，其特徵 在於包含.燈’其放射出光；載台，其設置於前述被放射 (光到達 < 位置，可將以被處理部面朝上載置被處理基 板；陰極電極’其設置於前述被放射之光到達前述被載置 之被處理基板之途中，具有為使前述光通過之開口部並且 有不使前述光透過之導體部；框體’其具有與前述載台結 合成為處理槽之開口部；密封構件，其係設置於在前述框 體朝前《放之被處理絲接近時，可與前賴處理基板 環狀接觸之前鞋體之對向面上，麵與前述㈣理基板 間《欲體密封性’·導電性之複數接觸構件，其設置於前述 密封構件之環狀外侧；及手段，其使前述複數之接觸構件 選擇性地分別流放電流（申請專利範圍第丨項）。 斫即’藉由接觸構件對被處理基板之電性接觸，係 數之接觸構件所形成° ^被處理基板上，可以預先製作， 與其對應’使其由複數之接觸構件之接觸部（電極幻分別 連接於該被處理部之一部分之導電層（或導電圖樣，以下亦 同)一。藉由如此之被處理基板與複數之接觸構件之組合，例 如精由切換開關切換而僅使一部分通電，則處理所需之泰 流值只要對應於被處理部之__部分即可。然後，例:藉: 切換開關切換分別實施處理對接觸構件之通電，可以^被 1233642 處理π之整面陽極化。因此，因可以使陽極化所需之電氣 <供給部以更小之容量做成，故可以得到藉由更小型之構 成要素處理大型之被處理基板之裝置。 舟者，有關本發明之陽極化裝置，其特徵在於包含：燈， 八放射出光，載台，其設置於前述被放射之光到達之位置， 可將以被處理部面朝上載置被處理基板；陰極電極，其設 置於前述被放射之光到達前述被載置之被處理基板之途 中道2有為使前述光通過之開口部並具有不使前述光透過 口 3 ^忙，其具有與前述載台結合成為處理槽之開 ^封構件，其係設置於在前述框體朝前述載放之被 Γ里ί板接近時，可與前述被處理基板環狀接觸之前述框 ==向面上，確保與前述被處理基板間之液體密封性； 件，其設置於前述密封構件之環狀外側；及 狀外例錢料㈣構件於料㈣構件之環 卜側上㈣（中請專利範®第2項）。 觸:1’藉由接觸構件對被處理基板之電性接觸係藉由接 觸構件之移動而 饮啊你猶田接 ,,.^ ，文么置。於被處理基板上，可以預先劁 :，與其對應，由接觸構件之接觸部（ 執t 基板與接觸構件之組合二=。猎由如此之被處理 處理部之-部分之導^因係精由接觸構件之移動，對被 所需之電流值僅需對鼻件《通笔，故處理 後，移動接觸構件，分別=…邵分之量即可。然 面陽極型化。因此η “她處理，可以對被處理部之整 因可以使陽極型化所需之電氣之供給 1233642 部以更小之容量做成，故可以得到藉由更小型之構成要素 處理大型之被處理基板之裝置。再者，接觸構件之移動， 對應於被處理基板中之複數電極塾，可以採用連續式移動 亦可採用階段性移動。 再者，作為本發明之較佳實施形態，申請專利範圍第1 或2項所記載之陽極化裝置，其中再進一步具有使前述燈大 致平行於前述被載放之被處理基板之面方向移動之燈移動 機構（申請專利範圍第3項）。因此，特殊化被處理基板之被 處理部之中藉由接觸構件通電而進行電化學反應部份，使 小面積地照射均勻光成為可能。 再者，作為本發明之較佳實施形態，申請專利範圍第卜 2或3項所記載之陽極化裝置，其中進—步具有使前述陰極 電極大致平行於前述被載放之被處理基板之方向移動之陰 極電極移動機構（中請專利範圍第4項）。因此，特殊化被處 理基板之被處理部之中藉由接觸構件通電而進行電化學反 應部份’使其小面積地對向陽極電極成為可能。 作為本發明之較佳實施形態，中請專利範圍第3 :丨Π:陽！化裝置，其再進-步具備有燈移動機構控 制U接前述燈移動機構而設， 將前述燈之移動與因前㈣機構 雨嬙π 校觸楫件《則述被處理基板上之 电场產生4位同步進行（_請專利範 被處理基板之被處理部中、#光照射於 反應之部份時之㈣動^接觸構件通電而進行電化學 動。此外，燁之蒋# 力地I施配合於該部份之移 4移動，對應於被處理基板之電極塾之通電， 1233642 可以採用連續式移動亦可採用階段性移動。 再者，作為本發明之較佳實施形態，申請專利範圍第4 項所記載之陽極化裝置，其再進一步具備有陰極電極移動 機構控制邵’其連接前述陰極電極移動機構而設，藉由前 述陰極電極移動機構將前述陰極電極之移動與因前述接觸 構件 < 前述被處理基板上之電場產生部位同步進行，（申請 專利範圍第6項）。被處理基板之被處理部中藉由接觸構件 $電，而將陰極電極對向於電化學反應進行部份時之陰極 =極移動，自動地實施配合於該部份之移動。再者，:極 電極 < 移動，對應於被處理基板之電極墊之通電，可以採 用連續式移動亦可採用階段性移動。 再者，有關本發明之陽極化方法，其特徵在於包含：載 放被處理部朝上之前述被處理基板於載台上之步驟：使框 體接觸於前述被載放之被處理基板上，其中框體具有，相 對於前述被载放之被處理基板之對向面，可使前述被載放 《被^理基板之被處理部朝上露出之開口#，及環狀地設 ^於則迷對向面上之密封構件’冑由前述密封構件，確保 可逃ί處理基板與液體之密封性，於前述框體之内部，形 成^述被處理部為底部之處理槽之步驟；於前述所形成 理^内導入樂液，2使陰極電極位於前述導入之藥液 ，步：；將設置於藉由前述密封構件密封之前述被處理 二、’象上《則述複數之電極中之-部份與位於前述 陰極電極之間電流驅動之步驟；&照射光於接觸 万、刖以樂说〈珂述被處理部之步驟；電流驅動之前述步驟 1233642 係’將前述複數電拯塾中之一部份依次改變為其他部份之 多次進行（申請專利範圍第7項）。 亦即’依據此方法，與於中請專利範圍第心項所說明 相同處理所而之電流值只要對應於被處理部之一部分即 可。因此’因可以使陽極型化所需之電氣之供給部以更小 之容量做成，故可以得到藉由更小型之構成要素處理大型 《被處理基板之裝置。此外，被處理基板之導電層亦可圖 樣化，例如可以以鋁做為該材質。 再者，作為本發明之較佳實施形態，於申請專利範圍第7 項：記載之陽極化方法，其中照射光之前述步驟係配合藉 由月ί ϋ %机驅動而由月述被處理基板之被處理部電場之產 生部位之位置照射⑽請專利範圍第8項）。因此，被處理 基板<被處理部中部分被通電’可特殊化之小面積地照射 均勾〈光於電化學反應進行部份h此外，使燈移動之情 ^對應於被處理基板之電極替之通電之變化，可以採用 連續式移動亦可採用階段性移動。 、再者’作為本發明之較佳實施形態，於中請專利範圍第7 或/、所Z載之陽極化方法，其中進行電流驅動之前述步驟 係丄配合藉由前述複數電極墼中之一部份改變為其他部份 :可述被處理基板之被處理部電場之產生位置變化來移動 (迟陰極私極之位置（申請專利範圍9項）。因此，被處理基 ^被處理部中部分被通電，可使陰極電極以特殊化小面 ，地對向於電化學反應進行部份上。此外，使陰極電極移 力’係對應於被處理基板之電極塾之通電之變化，可以採 -12- 1233642 用連續式移動亦可採用階段性移動。 再者，以上所述本發明之陽極化裝置及方法，即使作為 實施不須《照射之通常之陽極氧化之裝置極方法，亦可採 用作為使裝置之構成要素小型化為目的之構成。 、π即，陽極化裝置，其特徵在於包含··載台，其可載放 被處理部面朝上之被處理基板；陰極電極，其對向於前述 被載放之被處理基板設置；框體，其具有與前述載台結合 成為處理槽 < 開口部；密封構件，其係設置於在前述框體 朝前述載放之被處理基板接近時，可與前述被處理基板環 狀接觸之前述框體之對向面上，確保與前述被處理基板間 <視體密封性；導電性之複數接觸構件，其設置於前述密 封構件之環狀外側；及手段，其使前述複數之接觸構件選 擇性地分別流動電流。 再者，陽極化裝置，其特徵在於包含：載台，其可載放 被處理部面朝上之被處理基板；雜電㉟，其對向於前述 被載放之被處理基板設置；框體，其具有與前述載台結合 成為處理槽之開口部；密封構件，其係設置於在前述框體 朝前述載放之被處理基板接近時，可與前述被處理基板環 狀接觸之前述框體之對向面上，確保與前述被處理基板間 之液體密封性；導電性之接觸構件，其設置於前述密封構 件 < 裱狀外側；及接觸移動機構，其將前述接觸構件於前 述法、封構件之環狀外側移動。 再者，於此，其進一步具有使前述陰極電極於與前述被 載放之被處理基板之平面大致平行之方向移動之陰極電極 -13- 1233642 移動機構亦可。 再者，於此，其亦可再進一步具備有陰極電極移動機構 ,制邵’其連接前述陰極電極移動機構而設，藉由前述陰 極電極移動機構將前述陰極電極之移 、二、、 以勒興因m达接觸構件 <則述被處理基板上之電場產生部位同步進行。 再者’陽極化方法，並餘微尤认a人 工去 ，、特鉍在於包含：可载放被處理部 面朝上之被處理基板之齑么夕半 載口 <步騾，使框體接觸於前述被 基板上，其中框體具有，相對於前述被載放 :理土板〈對向面，可使前述被載放之被處理基板之 ^及銥狀地設置於前述對向面 與液體之㈣性，於mi 雜^被處理基板 ;以框8豆乏内邵，形成以前述被處理 處”之步驟’·於前述所形成之處 藥液’且使陰極電極位於前述導入之藥液中之步驟^ 設置於藉由前述密封椹杜及將 *封構件贫封〈前述被處理基板之邊緣上 <刖述複數 < 電極軌中々 如八卜 土 T < 一邵份與位於前述藥液中之 電極之間電流驅動之步 π才 χ ^ 文驟，m區動之前述步驟係，將前

述複數電極塾中々一加八 对月J 沣伤依次改變為其他部份之多次進 行。 再者，於此，雷、、云邮去 複數電極蟄中之前述步驟’亦可配合藉由前述 板之被處理部之灸為其他部份，而前述被處理基 mi野屋生位置變化，使前述陰極電極之位 置移動。 一 實施方式 -14- 1233642 ^據本發明’猎由接觸構件對被處 係由複數之接觸構件所構成^乳接觸， 板製造成，可由分別之、^L 預先將被處理基 ^ # ^ ^ 複數 < 接觸構件之接觸部（電極墊） ==部之—部分之導電層。依據如此之被處理 基板與複數之接觸構件之 傲恳理 使-部分通電，則處理所需:猎由切換切換開關僅 之一邱八_叮m u所而乏电沭值只要對應於被處理部 =#刀即可。因此，因陽極化 使用更小之容量者，故可以擇射驻士击#可以 理大型被處理基板之裝=仔到精由更小型之構成要素處 接觸者係本發明，精由接觸構件對被處理基板之電氣 件之移動來改變位置’對應於此，預 桎:m造成，可由接觸構件之接觸部（複數之電 )連接於该被處理邵之一部分之導電層。依據如此之被 f ;、接觸構件之組合，對接觸構件之通電，因係藉 r觸構件之移動，對被處理部之-部料電層導通，= 處理所需之電流值只要對應於被處理部之一部分之量即 二因此’因陽極化所需之電氣之供給部可以使用更小之 谷：者：故可以得到藉由更小型之構成要素處理大型被處 理基板之裝置。 【實施方式】 以下，參照圖面說明本發明之實施形態。 圖iA、、圖⑴係，以模式性之垂直斷面表示有關本 發明實施形態之陽極化裝置之基本構成圖，從同圖A 至同圖c之順序表示其動作。圖2A、圖2B、圖2。係圖⑴之連 接圖’同樣地從圖2A至圖2C之順序表示其動作。 -15- 1233642 如圖1所示，該陽極化裝置係包含載台丨、設置於载台工之 基板升降機2、框體3、設置於框體3之密封構件4與接：： 件5、貫穿框體3之藥液供給排出埠6、陰極電極了、燈組8及 設置於燈組8之燈9。 載台1係，可以載放被處理基板，使其被處理部朝上之座 台，為能順暢地實施被處理基板之放入、取出，而設置基 板升降機2。基板升降機2係，可以出現消失地設置於載台工 之上方，將被處理基板放入載台丨、由載台丨取出被處理基 板時，由載台1上方伸出。藉由如此伸出之基板升降機2， 因載台上万與被處理基板間形成空隙，將被處理基板放 入載台1、由載台1取出被處理基板時，例如可以順暢地使 用具有水平支撐被處理基板之叉狀物之機械手臂。 才[3係具有相對於被載放於載台1之被處理基板之週 邊部之對向面，且具有可使被處理基板之被處理部朝上露 出 < 開口 <筒形之形狀。於圖1A所示之狀態中，與載台i 間存在空隙，但被處理基板被放置於載台丨後，藉由圖中未 表π之上下機構，對被出理基板相對地降下。於此所謂之 相對地，係為了表示將載台丨上昇亦可。 框體3對被出理基板相對地降下後，藉由環狀地設置於框 把3之下方之密封構件4接觸於被處理基板後壓緊以確保液 體< 密封性。亦即，可於框體3内部形成以被處理基板之被 處理邵為底部之處理槽。 於货封構件4之環狀外側設置複數導電性之接觸構件5。 接觸構件5於確保上述之密封性之同時與設置於被處理基 -16- 1233642 再者’以員穿框體3之牆壁設置藥液供給排出埠6。如 :述’於框體3内部形成以被處理基板之被處理部為底咋之 處理槽後，由藥液供給排出埠6供給用於陽極化之藥液。藥 ::供給係以足夠使陰極電極7之水平部份浸泡於藥液； 所而 < 量，提供於框體3之内部。 、陰極電極7係藉由支撐體（圖未表示）支撐使其對於框體3 《相對垂直位置不變。陰極電極7之形狀係大致平行對向於 被處理基板之被處理部之平面狀，具有為使燈9之光通過之 開口，並具有可作為電極機能之導體部。$體部係例如形 成栅格狀。於實際之陽極化處理中，陰極電極7與複數之接 觸構件5間係藉由未圖示之電源，對接觸構件$之一部份一 =份地按順序操作電流驅動。再者，有關實施如此按順序 操作之電流驅動之電源，之後再予敘述。 k組8係，具有複數之燈9，使放射之光面向被載放於載 台1之被處理基板設置。此外，藉由支撐體（圖未表示）支撐 使其對於框體3之相對垂直位置不變。 使用圖1A圖〜1C、圖2A圖〜2C說明，藉由具有以上說明之 構成之陽極化裝置，處理被處理基板之過程動作。 首先，假定為如圖1所示之裝置之狀態（基板升降機2伸出 於載台1之台面上，框體3與載台1間存在空隙之狀態），被 處理基板得以放入之狀態。然後，例如以具有叉狀物之機 械手臂，將被處理基板1〇由框體3與載台1間之空隙搬入， -17- 1233642 如圖1B所示，放置於基板升降機2上。 繼之，如圖1C所示，將基板升降機2隱藏於載台工内，保 持放置被處理基板10於載台！上。如圖2A所示，使框體3 (及 陰極電極7與燈組8)對於載台丨相對地降下，使密封構件4壓 緊接觸於被處理基板1〇。此時，複數之接觸構件5與設置於 被處理基板10之邊緣部之電極墊電性接觸。此外，於框體3 之内部形成以被處理基板10之被處理部為底部之處理槽: 产繼之，由藥液供給排出埠6將藥液（例如以乙醇為溶劑之 虱鼠酸溶液）11導入處理槽内，如圖2B所示，添加至足以浸 ，陰極電極7之量。至此狀態已經可以實際之陽極化處理。 陽極化係隨著接觸構件5之—部份—部份地按順序操作，驅 動電流於複數之接觸構件5與陰極電極7間，且點亮燈9，實 施照射被處理基板1〇之被處理部。接觸構件5之每一部份之 處理時間，各為數秒乃至數十秒左右。 實際之陽極化處理結束後，如圖2C所示，由藥液供給排 =車6將藥液U排出。此後，亦可由藥液供給排出埠6數次 :入、排出稀釋用之例如乙醇’洗淨處理槽内部及被處理 土板10《被處理邵。排出時，若使^被處理基板上殘留 2殘留液Ua之液面，則可以使被處理部不受大氣之負面 於響。 繼之，於上述所說明之關於以接觸構件5之—部份一部份 :按：序操作而使電流驅動之構成’再詳細地參照圖3說 ::、3係表示框體3之平面圖及由接觸構件5至電㈣之電 接關係圖’已經說明之構成要素全部職予同一個編 -18 - 1233642 碼。此外，說明方便上，省略藥液供給排出埠6之圖示。 如同圖所示，框體3 (與被處理基板相對之面）之下面環狀 地設置有密封構件4，於該環狀外側設置複數之接觸構件 5。此外，2點鏈線所表示之邊界係表示被處理基板10該配 置之位置。於此實施形態，複數之接觸構件5被設置3於被 處理基板10之相對之2邊之較短邊之位置上。 相對而成對之接觸構件5，分別藉由導線31而電性連接， 並連接於切換開關32之分別之切換端子。切換開關32之共 通端子連接於電源33之正極側。電源33之負電極侧連接於 该圖中未圖TF之陰極電極。 於如此之構成中，藉由依序切換切換開關，可以對各對 之接觸構件5依次操作地驅動電流。亦即，切換開關32為圖 示之切換位置之情形，接觸構件5之中表示於最下方之接觸 構件對與陽極電極間電流驅動。同樣地，將切換開關切換 至中間切換位置時，接觸構件5之中表示於正中間之接觸構 件對與陽極電極間電流驅動，將切換開關切換至右邊之切 換位置時，接觸構件5之中表示於最上方之接觸構件對與陽 極電極間電流驅動。 再者，如此之電流驅動之切換因具有控制部34，故可自 動地依次實施。於控制部34，可以使用具有例如CPU (中央 處理單位；central processing unit)等硬體及基本軟體或應用 程式等軟體之處理裝置。 圖4係表示被處理基板10之構成例之平面圖。如同圖所 不’於被處理基板10 ’例如於玻璃基板上’導電圖樣42a、 -19- 1233642 42b、42c於圖之左右方向上形成多條線。該等導電圖樣42a、 42b、42c之兩端部分別有序地連接於電極螯41a、41b、電極 墊41c、41d、電極墊41e、41f。此外，雖圖未表示，但於導 電圖樣42a、42b、42c上形成有多晶矽層。 藉由將如此之被處理基板10應用於具有圖3所示之接觸 構件5之本實施形態之陽極化裝置，流向導電圖樣42a、42b、 42c之電流，首先對導電圖樣42c進行，繼之對導電圖樣42b 進行，最後對導電圖樣42a進行。亦即，對形成於被處理部 之導電圖樣42a、42b、42c並非同時流動電流，而是一部份 一部份地流動電流。 因此，處理所需之電流值只要對應於被處理部之一部分 之量即可。然後，藉由上述切換開關32切換對接觸構件5之 通電，分別實施處理，則可以對被處理部之整面進行陽極 化。因此，因可以使陽極化所需之電源33以更小之容量做 成，故可以得到藉由更小型之構成要素處理大型之被處理 基板之裝置。此外，因流動電流之被處理基板10上之面積 各自分別來看較小，故可期待提高在被處理基板10之電流 均勻性。藉此可增加陽極化之均勻性。 再者，於以上之說明中，說明了接觸構件5為3對，對應 於此，被處理基板10之導電圖樣亦分為3部份連接於電極墊 之情形，但接觸構件5為2對以上之複數，若與其對應，被 處理基板10之電極墊為複數，則可得相同之效果。 繼之，參照圖5A、圖5B說明關於與圖1A、圖1B、圖1C乃 至圖3所示之實施形態不同之實施形態。圖5A、圖5B係表示 -20- 1233642 對應於圖3所示之框體3之平面圖及由接觸構件至電源33之 私氣連接關係之表示圖之部份之圖。對應於圖1A、圖1B、 圖1C、圖2A、圖2B、圖2C之圖，因除了接觸構件5外大致相 同，故省略。 如圖5A所示，於該實施形態中，以1對接觸構件51取代接 觸構件5設置於框體3。然後，1對之接觸構件51藉由導線31 包性連接’連接於電源33之正極侧。電源33之負極側連接 於此圖中省略圖示之陽極電極。 圖5B係圖5A中之A_Aa箭頭符號處之剖面圖。如圖沾所 示’接觸構件51形成車輪狀，該軸被設置伸入於設置於框 體3作為接觸移動機構之導向機構52。然後，藉由未圖示之 迴轉機構，使其迴轉移動於被處理基板1〇之邊緣部，因而 可改變與被處理基板10之接觸位置。 因此，藉由接觸構件51之移動位置，仍使用圖4所示之被 處理基板ίο，可以對於形成於被處理部之導電圖樣42a、 42b、42c非同時地流通電流，一部份一部份地流通電流。因 此處理所為之電泥值只要對應於被處理部之一部分之量 即可。然後，藉由使接觸構件5丨迴轉於被處理基板1〇之邊 緣部，改變接觸位置，分別實施處理，可以對被處理部之 整面進行陽極化。因此，因可以使陽極化所需之電源伽 更小《容量做成’故可以得到藉由更小型之構成要素處理 大型之被處理基板之裝置。 再者，如此之接觸構件51之迴轉、移動，因具有控制迴 轉機構之控制部53,可以自動第依次進行。於控制部〜 1233642 Γ以Γ用具有例如cpu等硬體及基本軟體或應用程式等軟 K處理裝置。此外，有關接人 構’並不陷於上述例子，各種可能都可多動： 慮，形狀上並非是車輪狀之圓形而是將二二=考 化或將車輪作為2輪，2輪之間使用導電性形 =於移動機構，則對應於接觸構件之形狀，以選 繼之，有關圖！A、W1B、圖lc、圖2A、圖2B、圖 燈組8’再說明該構成。圖6係表示圖ia、圖工 < 圖-、圖2C中所示之燈組8之平面圖。該燈組8係可：二、 :射框體3之内部全體之平面之大小及配置有燈者。考量； 猎由早純《構成照射被處理基㈣之被處理部作為機構。 圖7係表示可以取代圖6所示之燈組8使用之燈組 叙平面I該燈組8a，於圖之上τ方向短短構成使具有 細長又照射區域，此外，架設於燈移動機構71，可以 之上下方向移動。 _ 燈組8a之移動係配合在被照射之被處理基板⑺中電流* 動部位之變更實施。藉此’實際上被處理基板崎 位所需之光，可以以較小之燈組8a實施。因此，使燈之數 目減少，可以便宜之價格製作裝置。此外，因須照^之區 域為小面積，故可使照射群較小，實現更均勻之陽極化。°° 再者，藉由燈移動機構71之燈組8a之移動，配合在被照 射之被處理基板1〇中電流流動部位之變更情況上，若依據 已完全說明之控制部34 (或53)，則可得到良好之同時效果。 -22- 1233642 繼之，有關圖ΙΑ、圖IB、圖1C、圖2A、圖2B、圖％中所 不 < 陰極電極7，再說明該構成。圖8係表示圖丨a、圖ib、 圖1C、圖2A、圖2B、圖沈中所示之陰極電極了之平面圖。讀 陰極電極7係於框體3之内部全體中，具有可能與被處理基 板10對向之平面大小者。無可動機構，可以用單純之構成。 圖9係表示可以取代圖8所示之陰極電極7使用之陰極電 極及其週邊之平面圖。該陰極電極7a，於圖之上下方向短 短構成，此外，架設於陰極電極移動機構91，可以在圖之 上下方向移動。 陰極電極7a之移動係合在被處理基板附電流流動部 位之變更實施。藉此，實際上被處理基板1G陽極化部位所 需：陰極電極，可以以較小之陰極電極7a實施。因此，減 少鬲價之電極材料（例如鉑）之使用量，可以便宜之價格製 作裝置。此外，因與陰極電極7a之被處理基板1〇之對向面 積變小，故存在使電場產生更均勻之可能性。藉此可提高 處理之均勻性。 再者，藉由陽極電極移動機構91之陰極電極乃之移動， 配合在被照射之被處理基板1〇中電流流動部位之變更情況 上，若依據已完全說明之控制部34 (或53)，則可得到良好 之同時效果。料，於此例中，將陰極電極％架設於陰極 电極私動機構9卜以移動可能地構成，但將陰極電極几吊 設於圖7中所說明之燈組以，與燈組8卜同移動之構成亦可。 再者，分別表示於圖7、W 9之燈移動機構71、陽極電極 移動機構91係僅移動燈組8a、陰極電極祕圖面之上下方 -23- 1233642 向’但加入該機能，亦可增加如使該等上下移動於垂直於 、、、氏面之方向之機能之機構。依如此之機構，則可以使燈組 8a、陰極電極7a位於與被處理基板1〇之間格最適當距離。 再者，於以上乏說明中，已舉實施光之照射之陽極化為 例說明，惟即使是不實施光之照射之陽極氧化處理之情 況’亦同樣地可得到構成要素小型化之效果。 產業上之利用可能性 有關本發明之陽極化裝置，以製造為目的之裝置之製造 產業中，可以生產平面型顯示裝置（平面型顯示面板）。此 外，可使用於平面型顯示裝置（平面型顯示面板）之製造產 ，中。有關本發明之陽極化裝置方法，可使用於平面顯示 置（平面顯示面板）之製造產業中。因此，存在任何產業 上之利用可能性。 【圖式簡單說明】 圖1A、圖1B、圖1C係，於動作之推γ ,丨5产丄 4 々忭芡進仃順序中，分別以模 八性 < 垂直斷面表示有關本 w , ^ ^ 只施形態之陽極化裝 罝 < 基本構成圖。 圖2A、圖2B、圖2C係圖1C之遠接κι 、λ ▲ 中，° _ 〈運接圖，於動作之進行順序 刀別表不有關本發明之一實施形能 太媸4 L <刼極化裝置惑基 ♦稱成挺式性地作為垂直斷面之圖。 圖2A、圖2B、圖2C中之 電源33之電氣連接關係 圖3係表示於圖ία、圖1B、圖ic、 框體3之平面圖，及由接觸構件5至 之表示圖。 圖2B、圖2C中所示 圖4係表示圖1A、圖1B、圖lC、圖2八 -24- 1233642 之被處理基板ίο之構成例之平面圖。 圖5A係圖1A、圖1B、圖1C、圖2A、圖2B、圖2C中所示之 框體3之平面圖，及由接觸構件5致電源33之電氣連接關係 之表示圖，圖5B係圖1A、圖1B、圖1C、圖2A、圖2B、圖2C 中所示之框體3之部份剖面圖之表示圖，且分別表示不同於 圖3所示者之圖。 圖6係表示圖1A、圖1B、圖1C、圖2A、圖2B、圖2C中所示 之燈組8之平面圖。 圖7係表示可以取代圖6所示之燈組8使用之燈組及其週 邊之平面圖。 圖8係表示圖1A、圖1B、圖1C、圖2A、圖2B、圖2C中所示 之陰極電極7之平面圖。 圖9係表示可以取代圖8所示之陰極電極7使用之陽極電 極及其週邊之平面圖。 圖式代表符號說明 1 載台 2 基板升降機 3 框體 4 密封構件 5 ^ 51 接觸構件 6 藥液供給排出埠 7 ^ 7a 陽極電極 8 - 8a 燈組 9 燈 -25- 1233642

10 被處理基板 11 藥液 11a 殘留液 31 導線 32 切換開關 33 電源 34、53 控制部 41a、41b、41c、 41d、41e、41f 電極墊 42a、42b、42c 導電圖樣 52 導向機構 71 燈泡移動機構 91 陽極電極移動機構

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Claims (1)

1233642 拾、申請專利範園： 1· 一種陽極化裝置，其包含： 燈，其放射出光； 載台’其设置於前述被放射之光到達之位置，可以被 處理部朝上之方式載放被處理基板； 陰極電極，其設置於前述被放射之光到達前述被載放 之被處理基板之途中，具有為使前述光通過之開口部並 具有不使前述光透過之導體部； 框體，其具有與前述載台結合成為處理槽之開口部； 密封構件，其係設置於在前述框體朝前述載放之被處 理基板接近時，可與前述被處理基板環狀接觸之前述框 體之對向面上’確保與前述被處理基板間之液體密封性； 導電性之複數接觸構# ’其設置於前4密封構；之環 狀外侧； 及一手段，其使前述複數接觸構件選擇性地分別流過 電流。 2· —種陽極化裝置，其特徵在於包含： 燈，其放射出光； 載台，其設置於前述被放射之光到達之位置 以被 處理部朝上之方式載放被處理基板； 陰極電極，其設置於前述被放射之光到 之被處理基板之途巾，具有為使前述^過 具有不使前述光透過之導體部； 框體，其具有與前述載台結合成為處理 始、封構件’其係設置於在前述框體朝前述載放之被處 1233642 理基板接近時’可與前述被處理基板環狀接觸之前述框 月豆之對向面上’確保與前述被處理基板間之液體密封性； 導私性接觸構件，其設置於前述密封構件之環狀外側； 及接觸移動機構，其係使前述接觸構件於前述密封構 件之環狀外側上移動。 3·如申請專利範圍第1或2項之陽極化裝置，其中再進一步 〃有使㈤述燈以大致平行於前述被載放之被處理基板之 面的方向移動之燈移動機構。 4·如申μ專利範園第丨至2項之任一項之陽極化裝置，其中 進一步具有使前述陰極電極以大致平行於前述被載放之 被處理基板之面的方向移動之陰極電極移動機構。 5·如申請專利範園第3項之陽極化裝置，其再進一步具備有 燈移動機構控制冑，其連接前述燈移動機構而設，使前 迷燈移動機構所導致之前述燈之移動與前述接觸構件所 導致之前述被處理基板上的電場產生部位同步化進行。 6·如申請專利範圍第4項之陽極化裝置，其再進一步具備有 陰極電極移動機構控制部，其連接前述陰極電極移動機 構而設，使前述陰極電極移動機構所導致之前述陰極電 極之移動與前述接觸構件所導致之前述被處理基板上= 電場產生部位同步化進行。 、 7· 一種陽極化方法，其特徵在於包含： 將刖述被處理基板以其被處理部朝上之方式載 台上之步驟； ；戟 使框體接觸於前述被載放之被處理基板上， 升甲框體 1233642 具有·相對於前述被載放之被處理基板之對向面、。 前述載放之被處理基板之被處理部朝上露出之開口 =使 及環狀地設置於前述對向面上之密封構件，藉由前述密 封構件，確保與前述被處理基板之液體密封性，於前^ 框體之内部，形成以前述被處理部為底部之處理槽之= 驟； * 於前述所形成之處理槽内導入藥液，且使陰極電極位 於前述導入之藥液中之步驟； 將藉由前述密封構件密封之前述被處理基板之邊緣上 所設置之前述複數之電極墊中之一部份與位於前述藥液 中之陰極電極之間電流驅動之步驟； 及照射光於接觸前述藥液之前述被處理部之步驟； 電流驅動之前述步驟係，將前述複數電極墊中之一部 份改變為其他部份，依序多次進行。 8·如申請專利範圍第7項之陽極化方法，其中照射光之前述 步驟係配合由前述電流驅動所導致之前述被處理基板之 被處理部的電場之產生部位位置照射光。 9·如申請專利範圍第7或8項之陽極化方法，其中電流驅動 之前述步驟係，配合由前述複數電極墊中之一部份改變 為其他部份所導致之前述被處理基板之被處理部電場的 位置變化來移動前述陰極電極之位置。 10· —種陽極化裝置，其特徵在於包含： 載台，其可以被處理部朝上之方式載放被處理基板； 陰極電極，其對向於前述載放之被處理基板設置； 1233642 框體’其具有與前述載台結合成為處理槽之開口部· 密封構件，其係設置於在前述框體朝前述載放之被處 理基板接近時，可與前述被處理基板環狀接觸之前述框 體 < 對向面上，確保與前述被處理基板間之液體密封性； 導電性之複數接觸構件，其設置於前述密封構件之严 狀外側； f 及手段’其使前述複數之接觸構件選擇性地分別流過 電流。 〃 π. —種陽極化裝置，其包含： 載台，其可以被處理部面朝上之方式載放被處理基板； 陰極電極，其對向於前述載放之被處理基板設置； 框體，其具有與前述載台結合成為處理槽之開口部； 山封構件，其係設置於在前述框體朝前述載放之被處 理基板接近時，可與前述被處理基板環狀接觸之前述框 -、ί θ面上，確保與别述被處理基板間之液體密封性； 導電性之接觸構件，其設置於前述密封構件之環狀外 側； 及接觸移動機構，其係使前述接觸構件於前述密封構 件之環狀外側上移動。 12·如申請專利範圍第10或11項之陽極化裝置，其進一步具 有使前述陰極電極以大致平行於前述載放之被處理基板 之面的方向移動之陰極電極移動機構。 13.如申請專利範圍第12項之陽極化裝置，其再進一步具備 有陰極電極移動機構控制部，其連接前述陰極電極移動 1233642 機構所導致之前述陰極 致之前述被處理基板上 14. 機構而設，使前述陰極電極移動 電極的移動與前述接觸構件所導 的電場產生部位同步化進行。 一種陽極化方法，其包含·· 上之方式載放於載 將前述被處理基板以其被處理部朝 台之步驟； ^吏框體㈣於料被錢之被“絲上， 二有、··相對㈣述載放之被處理基板之對向面、使= u載放《被處理基板之被處理部朝上露出之開口部i 環狀地設置於前述對向面上之密 a , 傅1干猎由前述密封 ”與前述被處理基板之液體密封性 體…，形成以前述被處理部為底部之處理槽之步^ 、於前述所形成之處理槽内導入藥液，且使陰極電J位 於前述導入之藥液中之步騾； 及將藉由前述密封構件密封之前述被處理基板之邊 上所設置之前述複數之電極墊中之—部份與位於前述藥 液中之陰極電極之間電流驅動之步驟； 電流驅動之前述步驟係’將前述複數電極塾中之一部 份改變為其他部份，依序多次進行。 15.如申請專利範圍第Μ項之陽極化方法，其中電流驅動之 前述步驟係’配合將前述複數電極整中之一部份改辦為 其他部份所導致之前述被處理基板之被處理部的電^位 置變化，來移動前述陰極電極之位置。