CN1279218C - 阳极生成装置和阳极生成方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 197
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 47
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 32
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 32
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 17
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/005—Apparatus specially adapted for electrolytic conversion coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/005—Contacting devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/32—Anodisation of semiconducting materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S204/00—Chemistry: electrical and wave energy
- Y10S204/07—Current distribution within the bath
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
本发明涉及阳极生成装置和阳极生成方法。它将被处理基板作为阳极，向其照射光线而进行电化学处理，使得在该阳极生成装置和阳极生成方法中，可利用更小型的结构要件处理大型的被处理基板。利用多个接触部件，使接触部件与被处理基板形成电接触，或者利用接触部件的移动改变位置。被处理基板的被处理部分的每一部分的导电层分别与多个接触部件的接触部分形成连接，由此开始制造。利用该被处理基板和接触部件的组合，由切换开关实现只与一部分接触部件形成通电，或者，利用接触部件的移动，对被处理基板的一部分导电层形成向接触部件的通电，使得处理所需的电流值，获得仅与被处理部分的一部分相对应的量。
Description
技术领域
本发明涉及以被处理基板为阳极进行电化学处理的阳极生成装置和阳极生成方法，尤其涉及适宜对大型被处理基板进行处理的阳极生成装置和阳极生成方法。
背景技术
对被处理基板进行的电化学阳极生成处理，应用于各个方面。作为这种阳极生成的一个实例，是对多晶硅层进行多孔化(多孔物质)处理。简而言之，表面上形成多晶硅层的被处理基板通过导体向电源的正极通电并浸渍在溶于溶剂(例如乙烯醇)中的氟酸溶液中。在氟酸溶液中，即药水中，例如，浸渍由铂形成的电极，向上述电源的负极通电。用灯向浸渍在药水中的被处理基板的多晶硅层进行光照射。
由此，多晶硅层的一部分会溶出到氟酸溶液中。由于溶出后形成细孔，因此硅层形成多孔物质。另外，用灯进行光照射，是为了在多结晶硅层上生成上述溶出、多孔质化反应所必需的空穴。作为参考，这种阳极生成中的多晶硅层的反应，例如，如下所述：
此处，e+是空穴，e-是电子。即，该反应中，空穴是必要的前提条件，这与单纯的电解研磨是不同的。
例如，特开2000-164115号公报、特开2000-100316号公报中等揭示出：在这样生成的多孔硅的纳米级表面上进一步形成氧化硅层时，适宜作为高效率的电场放射型电子源。作为这种电场放射型电子源的多孔硅的应用，拓展了新型平面显示装置的实现途径，因此受到广泛关注。
在这种阳极生成处理中，从被处理基板经药水流向阴极的电流值根据电流进行，而在被处理基板面内各处普遍产生反应。因此，当被处理基板为针对大型显示装置的大面积基板时，处理所需电流值显著增加。例如，200mm见方的被处理基板，需要5A左右的处理电流，而1000mm见方的被处理基板则需要通入与该25倍面积相应的100A电流。所谓与1000mm见方同等程度的面积，是根据今后大型显示装置的动向考虑后得出的普遍值。
一旦形成这种通过大电流的装置，装置的电源部分等必然要变大、价格要增高。而且，光源的光照面积也增加，阴极的形状也会大型化，因此导致装置成本猛增。而这也将反映到由装置制成的基板的制造成本上。
换一个角度看，光源的光照面积增加使得利用均匀光量对被处理基板照射变得困难，且由于阴极大型化，也很难保证在被处理基板之间形成均匀的电场，因此，也存在着被处理基板面内的阳极生成均匀性变差这方面的问题。就确保制造基板的质量来说，这些都是问题。
发明内容
本发明就是考虑到上述情况后做出的发明，其目的在于提供一种阳极生成装置和阳极生成方法，从而在将被处理基板作为阳极进行电化学处理的阳极生成装置和阳极生成方法中，可利用更小型的结构要件处理大型的被处理基板。
为解决上述课题，本发明的阳极生成装置包括以下部分，即，发射光的灯；设于上述发射光到达位置的可使被载置的被处理基板的被处理部分朝向上方的台面；设在上述发射光到达上述载置的被处理基板的中途的具有用于使光通过的开口部分、并具有不使上述光透过的导体部分的阴极；具有与上述台面结合形成处理槽的开口部分的框体；设在当上述框体与受到载置的被处理基板相向接近时可呈环状地与上述被处理基板接触的上述框体的对向面上的、在其与上述被处理基板之间确立液体密封性的密封件；设在上述密封件的环状外侧的多个导电性接触部件；有选择地分别向上述多个接触部件通电流的机构。
也即，由接触部件导致的与被处理基板的电接触是由多个接触部件完成的。与被处理基板相应地，由多个接触部件的各个接触部分(电极座)与被处理部分的每一部分的导电层(或导电布线图案、以下同)形成连接，由此可预制被处理基板。如采用将这种被处理基板与多个接触部件的装配形式，例如，利用切换开关只向一部分接触部件通电，则处理所需的电流值将能获得仅与被处理部分的一部分相对应的量。例如，通过切换开关向接触部件切换通电，分别进行处理，由此就可对整个被处理面进行阳极生成处理。因此，就可以更小的容量构成阳极生成所需的供电部，所以就能得到可利用更小型的结构要件处理大型被处理基板的装置。
本发明的阳极生成装置，包括以下部分，即，发射光的灯；设于上述发射光到达位置的可使被载置的被处理基板的被处理部分朝向上方的台面；设在上述发射光到达上述被载置的被处理基板的中途的具有用于使光通过的开口部分、并具有不使上述光透过的导体部分的阴极；具有与上述台面结合形成处理槽的开口部分的框体；设在当上述框体与被载置的被处理基板相向接近时可呈环状地与上述被处理基板接触的上述框体的对向面上的、在其与上述被处理基板之间确立液体密封性的密封件；设在上述密封件的环状外侧的导电性接触部件；和使上述接触部件在上述密封件的环状外侧移动的接触移动机构。
也即，由接触部件导致的与被处理基板的电接触是利用接触部件的移动形成位置变换而完成的。与被处理基板相应地，由多个接触部件的各个接触部分(多个电极座)与被处理部分的每一部分的导电层形成连接，由此可预制被处理基板。如采用这种被处理基板与接触部件的装配形式，通过接触部件的移动，对被处理基板的部分导电层通电，而完成向接触部件通电，则处理所需的电流值将能获得仅与被处理部分的一部分相对应的量。由此，移动接触部件并分别进行处理，就能对整个被处理面进行阳极生成处理。因此，就可以更小的容量构成阳极生成所需的供电部，所以就能得到可利用更小型的结构要件处理大型被处理基板的装置。根据被处理基板中多个电极座的配置，接触部件的移动既可采用连续移动，也可采用分步移动。
另外，作为本发明的优选实施方式，上述阳极生成装置还具有使上述灯沿着与上述被载置的被处理基板面大致平行的方向移动的灯移动机构。由此，被处理基板的被处理部分中由接触部件形成通电而进行电化学反应的部分经特殊处理，可向小面积上照射均匀的光。
作为本发明的优选实施方式，上述阳极生成装置还具有使上述阴极沿着与上述被载置的被处理基板面大致平行的方向移动的阴极移动机构(权利要求4)。由此，被处理基板的被处理部分中由接触部件形成通电而进行电化学反应的部分经特殊处理而能与阴极以较小面积形成对置。
作为本发明的优选实施方式，上述阳极生成装置还具有与上述灯移动机构连接设置的灯移动机构控制部，使得在由上述接触部件导致上述被处理基板上产生电场的部位同期进行由上述灯移动机构形成的灯移动。向由被处理基板的被处理部分中的接触部件通电进行电化学反应的部分照射光，此时的灯移动与该反应部分的移动相应地自动进行。另外，灯的移动根据向被处理基板电极座的通电，既可采用连续移动，也可采用分步移动。
作为本发明的优选实施方式，上述阳极生成装置还具有与上述阴极移动机构连接设置的阴极移动机构控制部，使得在由上述接触部件导致上述被处理基板上产生电场的部位，同时进行由上述阴极移动机构形成的上述阴极移动。另外，使由被处理基板的被处理部分中的接触部件通电进行电化学反应的部分与阴极对置，此时的阴极移动与该反应部分的移动相应地自动进行。另外，阴极的移动根据向被处理基板电极座的通电，既可采用连续移动，也可采用分步移动。
本发明的阳极生成方法，包括以下工序，即，将上述被处理基板载置在台面上，使其被处理部分朝向上方的工序；使具有与上述被载置的被处理基板相对的相对面、使上述被载置的被处理基板的被处理部分上方露出的开口部分、和呈环状地设在上述相对面上的密封件的框体在上述被载置的被处理基板上接触，形成由上述密封件确立与上述被处理基板的液体密封性、并在上述框体的内部形成以上述被处理部分为底部的处理槽的工序；将药液导入上述形成的处理槽内，并在导入的上述药液中将阴极定位的工序；驱动电流在设于由上述密封件密封的上述被处理基板周边部位的上述多个电极座中的一部分与位于上述药液中的阴极之间流动的工序；和向与上述药液接触的上述被处理部分照射光线的工序，上述驱动电流的工序，是将上述多个电极座中的一部分更换成另一部分，依次进行数次。
即，根据此方法，和上述作用一样，处理所需电流值将能获得仅与被处理部分的一部分相对应的量。因此，就可以更小的容量构成阳极生成所需的供电部，所以就能得到可利用更小型的结构要件处理大型被处理基板的方法。另外，被处理基板的导电层可以形成布线图案，例如可将铝作为其材质。
作为本发明的优选实施方式，在上述阳极生成方法中，上述照射光的工序，是使位置与上述被处理基板的上述被处理部分中由上述驱动电流产生电场的部位相应地照射光线。由此，被处理基板的被处理部分中由通电进行电化学反应的部分经特殊处理而可向小面积上照射均匀的光。而在移动灯时，根据向被处理基板的电极座通电的变化，既可连续移动，也可分步移动。
作为本发明的优选实施方式，在上述阳极生成方法中，上述驱动电流的工序，通过将上述多个电极座中的一部分变换成另一部分，使上述阴极的位置移动与上述被处理基板的上述被处理部分中电场产生位置的改变相应。由此，被处理基板的被处理部分中由通电进行电化学反应的部分经特殊处理而能与阴极以较小面积形成对置。阴极的移动根据向被处理基板的电极座的通电变化，既可采用连续移动，也可采用分步移动。
另外，上述本发明阳极生成装置及方法，作为不需要照射光进行通常的阳极氧化的装置及方法，也可用作用于使装置结构要件小型化的结构。
即，阳极生成装置包括以下部分，即，可载置被处理基板，使其被处理部分朝向上方的台面；设在上述被载置的被处理基板对向的阴极；具有与上述台面结合形成处理槽的开口部分的框体；设在当上述框体与受到载置的被处理基板相向接近时可呈环状地与上述被处理基板接触的上述框体的对向面，在其与上述被处理基板之间确立液体密封性的密封件；设在上述密封件的环状外侧的多个导电性接触部件；和有选择地分别给上述多个接触部件通电流的机构。
或者，阳极生成装置包括以下部分，即，可使被载置的被处理基板的被处理部分朝向上方的台面；与上述被载置的被处理基板对向设置的阴极；具有与上述台面结合形成处理槽的开口部分的框体；设在当上述框体与受到载置的被处理基板相向接近时可呈环状地与上述被处理基板接触的上述框体的对向面，在其与上述被处理基板之间确立液体密封性的密封件；设在上述密封件的环状外侧的导电性接触部件；和使上述接触部件在上述密封件的环状外侧移动的接触移动机构。
并且，还可以具有使上述阴极沿着与上述载置的被处理基板面大致平行方向移动的阴极移动机构。
并且，还可以具有与上述阴极移动机构连接设置的阴极移动机构控制部，使得在由上述接触部件导致上述被处理基板上产生电场的部位，同期进行由上述阴极移动机构形成的上述阴极移动。
一种阳极生成方法，包括以下工序，即，将上述被处理基板载置在台面上，使其被处理部分朝向上方的工序；使具有与上述被载置的被处理基板相对的相对面、使上述载置的被处理基板的被处理部分上方露出的开口部分和呈环状地设在上述相对面上的密封件的框体在上述被载置的被处理基板上接触，形成由上述密封件确立与上述被处理基板的液体密封性、并在上述框体内部形成以上述被处理部分为底部的处理槽的工序；将药液导入上述形成的处理槽内，并在导入的上述药液中将阴极定位的工序；驱动电流在设于由上述密封件密封的上述被处理基板周边部位的上述多个电极座中的一部分与位于上述药液中的阴极之间流动的工序，上述驱动电流的工序，使上述多个电极座中的一部分更换成另一部分，并依次进行数次。
上述驱动电流的工序，通过将上述多个电极座中的一部分变换成另一部分，使上述阴极的移动位置与上述被处理基板的被处理部分中电场产生位置的改变相应。
附图说明
图1A、图1B、图1C分别为依次进行作业的本发明某一实施方式的阳极生成装置基本结构的垂直剖面示意图。
图2A、图2B、图2C为图1C的续图分别为依次进行作业的本发明某一实施方式的阳极生成装置基本结构的垂直剖面示意图。
图3为图1A、图1B、图1C、图2A、图2B、图2C中所示框体3的平面图，以及由接触部件5至电流源33的电连接关系示意图。
图4为图1A、图1B、图1C、图2A、图2B、图2C中所示被处理基板10的结构实例平面图。
图5A为图1A、图1B、图1C、图2A、图2B、图2C中所示框体3的平面图，以及由接触部件51至电流源33的电连接关系示意图，图5B为图1A、图1B、图1C、图2A、图2B、图2C中所示框体3部分的剖面示意图，而且，分别为与图3所示不同的示意图。
图6为图1A、图1B、图1C、图2A、图2B、图2C中所示灯单元8的平面示意图。
图7为可用来代替图6所示灯单元8的灯单元及其周边的平面示意图。
图8为图1A、图1B、图1C、图2A、图2B、图2C中所示阴极7的平面示意图。
图9为可用来代替图8所示阴极7的阴极及其周边的平面示意图。
具体实施方式
根据本发明，由接触部件而与被处理基板的电接触是通过多个接触部件实现的，与此对应，使被处理基板分别由多个接触部件的接触部分(电极座)与被处理部分的每一部分的导电层形成连接，进行预制。通过多个接触部件与这样的被处理基板的组合，例如，通过切换开关只向一部分接触部件通电，可获得仅与被处理部分的一部分的对应量的处理所需电流值。因此，阳极生成所需供电部可以形成更小容量的供给部分，所以能获得可利用更小型的结构要件处理大型被处理基板的装置。
根据本发明，由接触部件而与被处理基板的电接触，利用接触部件的移动形成位置变换，与此相应，使被处理基板分别由接触部件的接触部分(多个电极座)与被处理部分的每一部分的导电层形成连接，进行预制。根据这样的被处理基板与接触部件的组合，向接触部件通电，利用接触部件的移动，可对被处理基板的一部分导电层形成通电，因此可获得仅与被处理部分的一部分的对应量的处理所需电流值。因此，阳极生成所需供电部可形成更小容量的供给部分，所以能获得可利用更小型的结构要件处理大型被处理基板的装置。
下面一边参照附图一边说明本发明的实施方式。
图1A、图1B、图1C为本发明某一实施方式的阳极生成装置的基本结构的垂直剖面示意图，该图A～图C表示作业顺序。图2A、图2B、图2C为图1C的续图，同样，图2A～图2C表示作业顺序。
如图1A所示，该阳极生成装置包括：台面1、设于台面1上的基板升降器2、框体3、设在框体3上的密封件4和接触部件5、贯穿框体3的药液输入输出口6、阴极7、灯单元8、设在灯单元8中的灯9。
台面1是可载置被处理基板并使其被处理部分朝向上方的台子，并具有用于使被处理基板平稳交接、取出的基板升降器2。基板升降器2设在台面1的上面，且可伸缩，在将被处理基板向台面1交接而从台面1取出时，将从台面1的上面伸出。利用如此伸出的基板升降器2，可在台面1的上面和被处理基板之间形成间隙，当被处理基板向台面1交接而从台面1取出时，例如，可使用具有水平支撑被处理基板的叉状物的自动臂平稳进行。
框体3具有与台面1上载置的被处理基板周边部分相对的相对面，而且呈具有开口的筒状，使被处理基板的被处理部分上方露出。在图1A所示状态中，尽管与台面1之间有间隙，但当被处理基板载置到台面1上时，利用未图示的上下移动机构，框体3可相对于被处理基板下降。此处所说的相对，也可表述为使台面1一侧上升。
当框体3相对于被处理基板下降时，设在框体3的下表面上的环状密封件4与被处理基板接触、挤压，由此确立液体的密封性。即，在框体3的内部，形成以被处理基板的被处理部分作底面的处理槽。
在密封件3的环状外侧设有多个导电性接触部件5。接触部件5确立上述密封性，同时，在干燥状态下与设在被处理基板周边部位的电极座形成电接触，在处理槽内装满药液，并由密封件3保持该状态。
药液的输入输出口6贯穿框体3的壁部。如上所述，在框体3内部，形成以被处理基板的被处理部分作为底面的处理槽，由此，可从药液输入输出口输入阳极生成用药液。药液的输入量应满足在框体3的内部使阴极7的水平部分充分浸入药液中。
阴极7由支撑体(未图示)支撑，使其相对于框体3垂直位置不变。阴极7的形状为相对于被处理基板的被处理部分大致平行的面状，具有使来自灯9的光通过的开口，具有材质为能起到电极功能的导体部分，导体部分呈例如格子状。在实际的阳极生成处理中，阴极7和多个接触部件5之间，对于接触部件5的每一部分依次由未图示的电流源驱动电流。对于这种顺序驱动电流的电流源将在下文进行说明。
灯单元8具有多个灯9，设置时，使发射光照向台面上载置的被处理基板。利用相对于框体3垂直位置不变的支撑体(未图示)支撑。
在此，根据图1A～图1C、图2A～图2C说明利用具有上述结构的该阳极生成装置处理被处理基板的作业过程。
首先，图1A所示的装置状态(基板升降器2从台面2上伸出、在框体3和台面1之间有间隙的状态)为可接受被处理基板的状态。例如，用具有叉状物的自动臂从框体3和台面1的间隙送入被处理基板10，如图1B所示，交接到基板升降器2上。
接着，如图1C所示，使基板升降器2缩入台面1内，被处理基板10载置并保持在台面1上，在将被处理基板10载置并保持在台面1上后，如图2A所示，使框体3(以及阴极7和灯单元8)相对于台面1下降，使密封件4与被处理基板10接触并压紧。此时，多个接触部件5与设在被处理基板10的周边部位的电极座形成电接触。在框体3的内部，形成以被处理基板10的被处理部分作为底部的处理槽。
接着，从药液输入输出口6将药液11(例如以乙醇为溶剂的氟酸溶液)导入处理槽内，如图2B所示，充满足以浸没阴极7的量。至此状态可进行实际的阳极生成处理。阳极生成是在多个接触部件5和阴极7之间，针对接触部件5的每一部分依次驱动电流，并点亮灯9，而向被处理基板10的被处理部分照射。针对接触部件5的每一部分，处理时间从数秒到数十秒。
在实际的阳极生成处理结束后，如图2C所示，从药液输入输出口6排出药液11。之后，分几次从药液输入输出口6导入稀释用剂，例如乙醇，清洗排出后的处理槽内及被处理基板10的被处理部分。排出时，可在被处理基板10上保留一些残留液11a形成液面，这样可使被处理部分不受来自大气的恶劣影响。
再参照图3更详细地说明上述针对接触部件5的每一部分依序驱动电流的结构。图3为框体3的平面图，以及由接触部件5至电流源33的电连接关系示意图，对已述结构要件付与相同的编号。另外，为便于说明，省去药液输入输出口6的图示。
如该图所示，在框体3的下表面(与被处理基板的相对面)设有环状密封件4，在该环状的外侧设有多个接触部件5。以双点划线表示框体，表示出被处理基板10应配置的位置，在本实施方式中，多个接触部件5有3对，设在相当于被处理基板10对置的两边附近的位置上。
相对的成对接触部件5，分别由导线31形成电连接，进而与切换开关32的各个切换端子连接。切换开关32的共同端子与电流源33的正极连接。电流源33的负极与图中未图示的阴极连接。
在这样的结构中，通过依次切换切换开关32，可依序用电流驱动各对接触部件5。即，当切换开关32处于图中切换位置时，在接触部件5中所示最下方的一对和阴极之间形成驱动电流。同样，使切换开关32处于中间切换位置时，接触部件5中的所示正中间的一对与阴极之间形成驱动电流，当切换开关32处于右边切换位置时，接触部件5中所示最上方的一对与阴极之间形成驱动电流。
这种切换驱动电流具有控制部34，因此可依次自动进行。控制部34可使用具有例如CPU(Central Processing Unit)等硬件和基本软件、操作程序等软件的处理装置。
图4为被处理基板10的结构例平面图。如该图所示，被处理基板10，例如在玻璃基板上按图的左右方向形成多条导电布线图案42a、42b、42c。这些导电布线图案42a、42b、42c的两端集中连接在各个电极座41a、41b、电极座41c、41d、电极座41e、41f上。在导电布线图案42a、42b、42c上形成多晶硅层，这在附图中未标示。
将这样的被处理基板10用于图3所示具有接触部件5的本实施方式的阳极生成装置，由此，通向导电布线图案42a、42b、42c的电流首先作用于导电布线图案42c的形成，其次作用于导电布线图案42b的形成，最后作用于导电布线图案42a的形成。即，对于形成在被处理部分上的导电布线图案42a、42b、42c，不能同时通入电流，而是对每一部分分别通入电流。
因此，处理所需要的电流值，获得只与被处理部分的一部分相对应的量。这样，通过切换开关32向接触部件5切换通电，分别进行处理，可使被处理部分的整个面进行阳极生成。由此，阳极生成所需要的电流源33可为更小容量的电流源，所以能获得利用更小型结构要件处理大型被处理基板的装置。进而，由于被处理基板10上通入电流的面积如果分开来看都很小，所以也有可能提高被处理基板10的电流均匀性。由此能增加阳极生成的均匀性。
虽然在上述说明中，接触部件5有3对，与此相应，被处理基板10的导电布线图案也被分成3部分而与电极座连接，但是只要接触部件5是两个以上的多个，而被处理基板10的电极座也为与其相应的多个，就能得到同样的效果。
接着参照图5A、图5B，对与图1A、图1B、图1C乃至图3所示实施方式不同的实施方式进行说明。图5A、图5B是图3所示框体3的平面图，以及与由接触部件至电流源33的电连接关系示意图相对应的部分的示意图。与图1A、图1B、图1C、图2A、图2B、图2C相对应的示意图，除接触部件5以外，大致相同，所以省略。
如图5A所示，在该实施方式中，不采用接触部件5，而是将接触部件51设在1对框体3上，这样，1对接触部件51由导线31形成电连接，进而与电流源33的正极连接。电流源33的负极与该图中省略标识的阴极连接。
图5B为图5A中A-Aa剖面的箭头视图。如图5B所示，接触部件51呈车轮状，设置成其轴伸入到作为设在框体3中的接触移动机构的导引机构52中的状态。这样，可利用未图示的旋转机构，旋转被处理基板10的周边部位形成移动，改变与被处理基板10的接触位置。
因此，根据接触部件51的移动位置，使用图4所示的被处理基板10，当然也能同样对于被处理部分形成的导电布线图案42a、42b、42c不同时通入电流，而是每一部分每一部分地通入电流。因此，处理所需电流值，可获得仅与被处理部分的一部分相对应的量。这样，通过使接触部件51在被处理基板10的周边部分旋转，改变接触位置，分别进行处理，可对被处理部分的整个面进行阳极生成。由此，可使阳极生成所需的电流源33形成更小容量的电流源，所以能获得可利用更小型结构要件处理大型被处理基板的装置。
由于具有控制旋转机构的控制部53，因此这种接触部件51的旋转、移动可依次自动进行。对于控制部53。例如可使用具有CPU等硬件和基本软件、操作程序等软件的处理装置。对于接触部件51的形状及其移动机构并不限于上述实施例，而是可采用各种形式。例如，在形状方面，可不采用车轮状的圆形，而是将正三角形加工成接近圆形的形状；或制成2轮的车轮状，在2轮之间连接导电带的形状等。对于移动机构，可根据接触部件的形状选择适宜的移动机构。
以下，对图1A、图1B、图1C、图2A、图2B、图2C中所示的灯单元8及其结构进行说明。图6是图1A、图1B、图1C、图2A、图2B、图2C中所示灯单元的平面图。该灯单元8的平面大小和灯的排列满足可依次照射整个框体3的内部。作为机构考虑时，可利用单一结构照射被处理基板10的被处理部分。
图7为可用来代替图6所示灯单元8的灯单元及其周边的平面示意图。该灯单元8a具有细长的照射区域，形成在图的上下方向短的结构，架设在灯移动机构71上，可在图的上下方向移动。
灯单元8a的移动与被照射的被处理基板10中通入电流部位的变更相吻合。由此，在被处理基板10上实际进行阳极生成的部位所需要的光，可由更小的灯单元8a提供。因此，可减少灯数，从而降低装置成本。进而，由于整个照射区域面积很小，所以可减小照射偏差，能够实现更均匀的阳极生成。
另外，利用灯移动机构71进行的灯单元8a的移动，能很好地与被照射的被处理基板10中通入电流的部位变更相吻合，所以，利用已述控制部34(或53)，能更好地同步进行。
以下对图1A、图1B、图1C、图2A、图2B、图2C中所示阴极7及其结构进行说明。图8为图1A、图1B、图1C、图2A、图2B、图2C中所示阴极7的平面示意图。该阴极7是平面大小呈可与框体3内部整体中被处理基板10相对的构件。可形成没有可动机构的单一结构。
图9为可用来代替图8所示阴极7的阴极及其周边的平面示意图。该阴极7a形成在图的上下方向短的结构，架设在阴极移动机构91上，可在图的上下方向移动。
阴极7a的移动与被处理基板10内通入电流的部位变更相吻合。由此，在被处理基板10上，与实际进行阳极生成的部位相对所需要的阴极，可以是更小的阴极7a。因此，可减少高价电极材料(如铂)的用量，从而可降低装置成本。因为阴极7a与被处理基板10的相对面的面积减小，所以有可能产生更均匀的电场。由此提高处理的均匀性。
利用阴极移动机构91形成的阴极7a移动，能很好地与被处理基板10中通入电流的部位变更相吻合，利用已述控制部34(或53)可更好地形成同步。在该例中，阴极7a架设在阴极移动机构91上，形成可移动结构，也可为图7所述的将其吊设在灯单元8a上，使其与灯单元8a作为一个整体进行移动的结构。
图7、图9分别表示的灯移动机构71、阴极移动机构91，只是使灯单元8a、阴极7a在图的上下方向移动的机构，除此功能之外，还可以附加具有在垂直纸面方向作上下移动的功能的机构。根据这种机构，可以相对于被处理基板10最适宜的间隔距离配置灯单元8a、阴极7a。
在上述说明中，举例说明了进行光照射的阳极生成，但在不进行光照射的阳极氧化处理时，同样可获得结构要件小型化的效果。
产业可应用性
本发明的阳极生成装置，可在制造平面显示装置(平面型显示屏)的制造业中生产。可在平面显示装置(平面型显示屏)的制造业中使用。本发明的阳极生成方法，可在平面显示装置(平面型显示屏)的制造业中使用。因此，在任何产业中都具有可应用性。
Claims (13)
1.一种阳极生成装置，其特征在于，包括：
发射光的灯；
设在所述发射光到达位置的可使被载置的被处理基板的被处理部分朝向上方的台面；
设在所述发射光到达所述被载置的被处理基板中途的具有用于使光通过的开口部分，并具有不使所述光透过的导体部分的阴极；
具有与所述台面结合形成处理槽的开口部分的框体；
设在当所述框体与被载置的被处理基板相向接近时可呈环状地与所述被处理基板接触的所述框体的对向面上的、在其与所述被处理基板之间确立液体密封性的密封件；
设在所述密封件的环状外侧的多个导电性接触部件，和
有选择地分别向所述多个接触部件通电流的机构。
2.如权利要求1所述的阳极生成装置，其特征在于，还包括使所述灯沿着与所述被载置的被处理基板面大致平行的方向移动的灯移动机构。
3.如权利要求1或2所述的阳极生成装置，其特征在于，还具有使所述阴极沿着与所述被载置的被处理基板面大致平行的方向移动的阴极移动机构。
4.如权利要求2所述的阳极生成装置，其特征在于，还具有与所述灯移动机构连接设置的灯移动机构控制部，使得在由所述接触部件导致所述被处理基板上产生电场的部位，同时进行由所述灯移动机构形成的灯移动。
5.如权利要求3所述的阳极生成装置，其特征在于，还具有与所述阴极移动机构连接设置的阴极移动机构控制部，使得在由所述接触部件导致所述被处理基板上产生电场的部位，同时进行由所述阴极移动机构形成的所述阴极移动。
6.一种阳极生成方法，其特征在于，包括如下工序，即：
将所述被处理基板载置在台面上，使其被处理部分朝向上方的工序；
使具有与所述被载置的被处理基板相对的相对面、使所述被载置的被处理基板的被处理部分上方露出的开口部分、和呈环状地设在所述相对面上的密封件的框体在所述被载置的被处理基板上接触，形成由所述密封件确立与所述被处理基板的液体密封性、并在所述框体的内部形成以所述被处理部分为底部的处理槽的工序；
将药液导入所述形成的处理槽内，并在导入的所述药液中将阴极定位的工序；
驱动电流在设于由所述密封件密封的所述被处理基板的周边部位的多个电极座中的一部分与位于所述药液中的阴极之间流动的工序；和
向与所述药液接触的所述被处理部分照射光线的工序，
所述驱动电流的工序，是将所述多个电极座中的一部分更换成另一部分，依次进行数次。
7.如权利要求6所述的阳极生成方法，其特征在于，所述照射光线的工序，在照射光线时，使位置与由所述驱动电流在所述被处理基板的被处理部分中产生电场的部位相应。
8.如权利要求6或7所述的阳极生成方法，其特征在于，在所述驱动电流的工序中，通过将所述多个电极座中的一部分变换成另一部分，使所述阴极的位置移动与所述被处理基板的所述被处理部分中电场产生位置的变化相应。
9.一种阳极生成装置，其特征在于，包括如下部分，即，
可载置被处理基板，使其被处理部分朝向上方的台面；
设在所述被载置的被处理基板对向的阴极；
具有与所述台面结合形成处理槽的开口部分的框体；
设在当所述框体与被载置的所述被处理基板相向靠近时，可呈环状地与所述被处理基板接触的所述框体的对向面，在其与所述被处理基板之间确立液体密封性的密封件；
设在所述密封件的环状外侧的多个导电性接触部件，和
有选择地分别向所述多个接触部件通电流的机构。
10.如权利要求9所述的阳极生成装置，其特征在于，还具有使所述阴极在与所述被载置的被处理基板面大致平行的方向上移动的阴极移动机构。
11.如权利要求10所述的阳极生成装置，其特征在于，还具有与所述阴极移动机构连接设置的阴极移动机构控制部，使得在由所述接触部件导致在所述被处理基板上产生电场的部位，同步进行由所述阴极移动机构导致的所述阴极移动。
12.一种阳极生成方法，其特征在于，包括以下工序，即，
将所述被处理基板载置在台面上，使其被处理部分朝向上方的工序；
使具有与所述被载置的被处理基板相对的相对面、使所述载置的被处理基板的被处理部分上方露出的开口部分和设呈环状地设在所述相对面上的环状密封件的框体在所述被载置的被处理基板上接触，形成由所述密封件确立与所述被处理基板的液体密封性，并在所述框体内部形成以所述被处理部分为底部的处理槽的工序；
将药液导入所述形成的处理槽内，并在导入的所述药液中将阴极定位的工序，和
驱动电流在设于由所述密封件密封的所述被处理基板周边部位的所述多个电极座中的一部分与位于所述药液中的阴极之间流动的工序；
所述驱动电流的工序，使所述多个电极座中的一部分变换成另一部分，并依次进行数次。
13.如权利要求12所述的阳极生成方法，其特征在于，所述驱动电流工序，通过将所述多个电极座中的一部分变换成另一部分，使所述阴极的位置移动与所述被处理基板的被处理部分中电场产生位置的改变相应。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12212/2002 | 2002-01-21 | ||
| JP2002012212A JP3759043B2 (ja) | 2002-01-21 | 2002-01-21 | 陽極化成装置、陽極化成方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2005101260308A Division CN1783390A (zh) | 2002-01-21 | 2003-01-21 | 阳极生成装置和阳极生成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1509350A CN1509350A (zh) | 2004-06-30 |
| CN1279218C true CN1279218C (zh) | 2006-10-11 |
Family
ID=27606038
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB038002388A Expired - Fee Related CN1279218C (zh) | 2002-01-21 | 2003-01-21 | 阳极生成装置和阳极生成方法 |
| CNA2005101260308A Pending CN1783390A (zh) | 2002-01-21 | 2003-01-21 | 阳极生成装置和阳极生成方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2005101260308A Pending CN1783390A (zh) | 2002-01-21 | 2003-01-21 | 阳极生成装置和阳极生成方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7169283B2 (zh) |
| JP (1) | JP3759043B2 (zh) |
| KR (1) | KR100576400B1 (zh) |
| CN (2) | CN1279218C (zh) |
| TW (1) | TWI233642B (zh) |
| WO (1) | WO2003062505A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3802016B2 (ja) | 2003-08-27 | 2006-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 陽極酸化装置、陽極酸化方法 |
| US8795502B2 (en) | 2010-05-12 | 2014-08-05 | International Business Machines Corporation | Electrodeposition under illumination without electrical contacts |
| KR101502042B1 (ko) * | 2013-08-19 | 2015-03-18 | 주식회사 우존 | 반사 패턴 형성 장치 및 방법 |
| CN110904488B (zh) * | 2019-12-09 | 2021-08-10 | 湖南湘投金天科技集团有限责任公司 | 一种微弧氧化方法及采用此方法所得钛合金结构件 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4507181A (en) * | 1984-02-17 | 1985-03-26 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of electro-coating a semiconductor device |
| JPH0563075A (ja) * | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yokogawa Electric Corp | 多孔質半導体層の製造方法 |
| JP3243471B2 (ja) * | 1994-09-16 | 2002-01-07 | 三菱電機株式会社 | 電子放出素子の製造方法 |
| JP3462970B2 (ja) * | 1997-04-28 | 2003-11-05 | 三菱電機株式会社 | メッキ処理装置およびメッキ処理方法 |
| US6187164B1 (en) * | 1997-09-30 | 2001-02-13 | Symyx Technologies, Inc. | Method for creating and testing a combinatorial array employing individually addressable electrodes |
| JP2966842B1 (ja) | 1998-09-25 | 1999-10-25 | 松下電工株式会社 | 電界放射型電子源 |
| JP3090445B2 (ja) | 1998-09-25 | 2000-09-18 | 松下電工株式会社 | 電界放射型電子源およびその製造方法 |
| US6176992B1 (en) * | 1998-11-03 | 2001-01-23 | Nutool, Inc. | Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition |
| JP2001283197A (ja) | 2000-04-03 | 2001-10-12 | Tokyo Denshi Kogyo Kk | 背表紙検査装置 |
| JP2001343020A (ja) | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Chubu Electric Power Co Inc | 超電導磁気軸受及び超電導フライホイール装置 |
-
2002
- 2002-01-21 JP JP2002012212A patent/JP3759043B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-01-21 KR KR1020037016316A patent/KR100576400B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-01-21 CN CNB038002388A patent/CN1279218C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-01-21 CN CNA2005101260308A patent/CN1783390A/zh active Pending
- 2003-01-21 US US10/471,574 patent/US7169283B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-01-21 TW TW092101240A patent/TWI233642B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-01-21 WO PCT/JP2003/000458 patent/WO2003062505A1/ja active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100576400B1 (ko) | 2006-05-03 |
| JP2003213495A (ja) | 2003-07-30 |
| US20040089552A1 (en) | 2004-05-13 |
| KR20040007717A (ko) | 2004-01-24 |
| CN1509350A (zh) | 2004-06-30 |
| JP3759043B2 (ja) | 2006-03-22 |
| WO2003062505A1 (fr) | 2003-07-31 |
| TWI233642B (en) | 2005-06-01 |
| TW200401361A (en) | 2004-01-16 |
| US7169283B2 (en) | 2007-01-30 |
| CN1783390A (zh) | 2006-06-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20061011 Termination date: 20120121 |