JP3916924B2 - 陽極酸化装置、陽極酸化方法 - Google Patents

陽極酸化装置、陽極酸化方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3916924B2
JP3916924B2 JP2001342803A JP2001342803A JP3916924B2 JP 3916924 B2 JP3916924 B2 JP 3916924B2 JP 2001342803 A JP2001342803 A JP 2001342803A JP 2001342803 A JP2001342803 A JP 2001342803A JP 3916924 B2 JP3916924 B2 JP 3916924B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cathode electrode
processed
substrate
motion
lamp
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001342803A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003147599A (ja
Inventor
靖司 八木
一二 青木
満 牛島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2001342803A priority Critical patent/JP3916924B2/ja
Priority to US10/471,583 priority patent/US7118663B2/en
Priority to KR1020037016277A priority patent/KR100577975B1/ko
Priority to PCT/JP2002/011551 priority patent/WO2003041147A1/ja
Priority to CNB028056876A priority patent/CN1225011C/zh
Priority to TW091132896A priority patent/TW591121B/zh
Publication of JP2003147599A publication Critical patent/JP2003147599A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3916924B2 publication Critical patent/JP3916924B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25FPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/02Etching
    • C25F3/12Etching of semiconducting materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02Anodisation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/005Apparatus specially adapted for electrolytic conversion coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3063Electrolytic etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理基板を陽極にして電気化学的に処理を行う陽極酸化装置および陽極酸化方法に係り、特に、処理に際して光の照射を行う陽極酸化に好適な陽極酸化装置および陽極酸化方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
被処理基板を電気化学的に陽極酸化する処理は、種々の場面で利用されている。このような陽極酸化の一つとして、多結晶シリコン層をポーラス(多孔質)化する処理がある。その概要を述べると、多結晶シリコン層が表面に形成された被処理基板は、導電体を介して電源の正電位極に通電され、かつ、溶媒(例えばエチルアルコール)に溶解されたフッ酸溶液中に浸漬される。フッ酸溶液中すなわち薬液中には、例えばプラチナからなる電極が浸漬され上記電源の負電位極に通電される。また、薬液に浸漬された被処理基板の多結晶シリコン層に向けてはランプにより光が照射される。
【0003】
これにより、多結晶シリコン層の一部がフッ酸溶液中に溶け出す。この溶け出したあとが細孔となるので、シリコン層が多孔質化するものである。なお、ランプによる光の照射は、上記の溶け出して多孔質化する反応に必要なホールを多結晶シリコン層に生成するためである。参考までに、このような陽極酸化における多結晶シリコン層での反応は、例えば、下記のように説明されている。
Si+2HF+(2−n)e→SiF+2H+ne
SiF+2HF→SiF+H
SiF+2HF→HSiF
ここで、eはホールであり、eは電子である。すなわち、この反応には前提としてホールが必要であり単なる電解研磨とは異なるものである。
【0004】
このようして生成されたポーラスシリコンのミクロレベルの表面にさらにシリコン酸化層を形成すると高効率な電界放射型電子源として好適なものになることは、例えば、特開2000−164115公報、特開2000−100316公報などに開示されている。このような電界放射型電子源としてのポーラスシリコンの利用は、新しい平面型表示装置の実現に途を開くものとして注目されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような光照射が必要な陽極酸化処理においては、光を照射するためのランプと被処理基板の被処理部との間に、必然的に、カソード電極が位置することになる。カソード電極の条件としては、まず、被処理部に対して均一に作用を生じしめるように、被処理部の全面に対して位置的にまんべんなく対向することが必要である。また、一方では、ランプにより発光された光を被処理部に通過させる必要もある。
【0006】
このためには、例えば、被処理部の平面的広がりと同様な広がりを備えたグリッド状の電極が用いられる。これにより、カソード電極は、被処理部の全面に対して位置的にまんべんなく存在し、かつグリッドの間から光を通過させて被処理部に光を到達させることができる。
【0007】
しかしながら、いかにグリッド状に電極を構成しても、グリッド状の電極の影が被処理部上には発生する。このため、より細かく見れば被処理部での光照射量がその面上で均一ではなく、陽極酸化としての均一処理性に一定の限界が生じる。
【0008】
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、被処理基板を陽極にして電気化学的に処理を行う陽極酸化装置および陽極酸化方法において、被処理基板の被処理部への光の照射を均一になし、これにより陽極酸化処理を被処理基板面内でより均一にすることが可能な陽極酸化装置および陽極酸化方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明の一態様に係る陽極酸化装置は、光を放射するランプと、前記放射された光が到達する位置に設けられ、被処理基板を保持可能な被処理基板保持部と、前記放射された光が前記保持された被処理基板に到達する途上に設けられ、前記光を通過させるための開口部を備え前記光を透過しない導体部を有するカソード電極と、前記カソード電極または前記ランプの空間的位置を周期的振動させる振動機構とを具備することを特徴とする。
【0010】
すなわち、ランプ、カソード電極、被処理基板を保持する被処理基板保持部の3者の大まかな位置関係を維持したまま、ランプまたはカソード電極の空間的位置を周期的振動させる。これにより、カソード電極の影は被処理基板上で時間的に分散する。したがって、陽極酸化工程に要する時間中の被処理基板上の各部分への光照射量は時間積分的に平均化され、均一化する。よって、陽極酸化処理を被処理基板面内でより均一にすることが可能になる。
【0011】
なお、ランプ、カソード電極のいずれを振動させるかは、装置を設計する上でコストや各部の空間配置効率を考慮して決定することができる。また、これらの配置関係は、上下方向とする以外にも、横方向から光を照射すべく横方向に配置する場合も含まれる。さらには、光の被処理基板上への照射は、反射、屈折などを介して導かれたものでもよい。また、「周期的振動」は、変位空間上での軌跡が一定の範囲から外に出ないような周期的運動を意味し、1次元、2次元、3次元いずれの運動も含む。
【0012】
また、本発明の別の態様に係る陽極酸化装置は、被処理基板を保持可能な被処理基板保持部と、前記保持された被処理基板に接続して設けられ、上部が開放された処理槽を形成する壁体と、前記処理槽に処理液を供給する処理液供給部と、前記保持された被処理基板に対向して設けられ、前記保持された被処理基板に光を放射するランプと、前記保持された被処理基板と前記ランプとの間に設けられかつ光を通過させる開口部を有するカソード電極と、前記カソード電極を前記ランプに対して相対的に振動させる振動機構とを具備することを特徴とする。この構成によっても上記とほぼ同様の作用と効果を奏する。
【0013】
また、本発明の好ましい実施態様として、前記振動機構、前記カソード電極または前記ランプを前記放射された光の放射方向に対してほぼ垂直の平面上で振動させる、とすることができる。生じる影の位置を被処理基板上で時間的に変えるものである。
【0014】
また、本発明の好ましい実施態様として、前記振動機構、前記カソード電極または前記ランプを前記放射された光の放射方向に対してほぼ平行の平面上で振動させる、とすることができる。生じる影の強弱パターンを被処理基板上で時間的に変えるものである。
【0015】
また、本発明の好ましい実施態様として、前記振動、往復運動、円運動、または楕円運動である、とすることができる。より単純な機構により運動を生じしめるためである。
【0017】
また、本発明の好ましい実施態様として、前記カソード電極、前記導体部がクロスポイントを有する正方グリッド構造であり、前記振動が、往復運動、円運動、および楕円運動のうちの円運動であり、該円運動、前記クロスポイント間の正方距離のほぼ半分の奇数倍を半径とする前記カソード電極の円運動である、とすることができる。クロスポイントの影が被処理基板上で最も濃くなることを考慮し、その影が運動により集中する領域をなるべく作らないようにするものである。すなわち、円運動の半径を、クロスポイント間の正方距離のほぼ半分の偶数倍とすると、クロスポイントは、隣りのクロスポイントにその運動により移動し、結局クロスポイントの影の集中をもたらすものである。
【0018】
なお、周期的振動たる上記円運動は、陽極酸化工程に要する時間に対して少なくとも1周期が完了するように周波数を選ぶとその工程による光照射量の一応の平均化がなされる。したがって、1周期の整数倍が陽極酸化工程に要する時間に完了すれば、平均化の効果が得られるが、その整数が大きくなるとちょうど整数であることの意味は相対的に小さくなり、実数倍である場合とほとんど変わりなくなる。
【0019】
また、本発明の好ましい実施態様として、前記カソード電極、前記導体部がクロスポイントを有するグリッド構造であり、前記振動が、往復運動、円運動、および楕円運動のうちの往復運動であり、該往復運動、前記クロスポイント間の対角距離のほぼ半分の奇数倍を振幅とし、かつ前記対角距離の方向になされる前記カソード電極の往復運動である、とすることができる。これも、クロスポイントの影が被処理基板上で最も濃くなることを考慮し、その影が運動により集中する点をなるべく作らないようにするものである。
【0020】
なお、周期的振動たる上記往復運動は、陽極酸化工程に要する時間に対して少なくとも振幅方向の最大から最小までの半周期が完了するように周波数を選ぶとその工程による光照射量の一応の平均化がなされる。したがって、上記半周期の整数倍が陽極酸化工程に要する時間に完了すれば、平均化の効果が得られるが、その整数が大きくなるとちょうど整数であることの意味は相対的に小さくなり、実数倍である場合とほとんど変わりなくなる。
【0021】
また、本発明の好ましい実施態様として、前記カソード電極、前記導体部がクロスポイントを有する長方グリッド構造であり、前記振動が、往復運動、円運動、および楕円運動のうちの楕円運動であり、該楕円運動、前記クロスポイント間の長辺距離のほぼ半分の奇数倍を長径としかつ前記クロスポイント間の短辺距離のほぼ半分の奇数倍を短径とする前記カソード電極の楕円運動である、とすることができる。これも、クロスポイントの影が被処理基板上で最も濃くなることを考慮し、その影が運動により集中する点をなるべく作らないようにするものである。
【0022】
なお、この場合も、周期的振動たる上記楕円運動は、陽極酸化工程に要する時間に対して少なくとも1周期が完了するように周波数を選ぶとその工程による光照射量の一応の平均化がなされる。したがって、1周期の整数倍が陽極酸化工程に要する時間に完了すれば、平均化の効果が得られるが、その整数が大きくなるとちょうど整数であることの意味は相対的に小さくなり、実数倍である場合とほとんど変わりなくなる。
【0023】
また、本発明の好ましい実施態様として、前記カソード電極、前記放射された光の放射方向にほぼ平行な主面を有する板状体の集合である、とすることができる。光の放射方向にほぼ平行な板状体の主面に、角度を小さく光を入射・反射させることにより、影を作りにくくする効果を加えるものである。
【0024】
また、本発明の一態様に係る陽極酸化方法は、被処理基板保持部に被処理基板を保持させるステップと、前記保持された被処理基板の被処理部とカソード電極とを薬液に接触させるステップと、前記薬液に接触させられた前記被処理部と前記カソード電極との間を電流駆動するステップと、前記薬液に接触させられた前記被処理部にランプで光を照射するステップと、前記薬液に接触させられた前記カソード電極、またはその状態における前記ランプの空間的位置を周期的振動させるステップとを有することを特徴とする。
【0025】
また、本発明の別の態様に係る陽極酸化方法は、処理液を接触された被処理基板に光を照射し、かつ、前記被処理基板と対向して設けられたランプと前記被処理基板との間に配設され光を通過させる開口部を有するカソード電極を前記ランプと相対的に振動させることを特徴とする。
【0026】
すなわち、ランプ、カソード電極、被処理基板を保持する被処理基板保持部の3者の大まかな位置関係を維持したまま、ランプまたはカソード電極の空間的位置を周期的振動させる。これにより、カソード電極の影は被処理基板上で時間的に分散する。したがって、陽極酸化工程に要する時間中の被処理基板上の各部分への光照射量は時間的に平均化され、均一化する。よって、陽極酸化処理を被処理基板面内でより均一にすることが可能になる。
【0027】
なお、「前記薬液に接触させられた前記被処理部と前記カソード電極との間を電流駆動するステップ」と、「前記薬液に接触させられた前記被処理部にランプで光を照射するステップ」と、「前記薬液に接触させられた前記カソード電極、またはその状態における前記ランプの空間的位置を周期的振動させるステップ」とは、順序としてこの通りである必要はなく、むしろ進行する時間帯が重なり得るステップである。
【0028】
なお、前記カソード電極を前記被処理基板の面と平行な面内で振動させると、すでに述べたように、生じる影の位置を被処理基板上で時間的に変えることにより、被処理基板上の各部分への光照射量は時間的に平均化される。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。
【0030】
図1は、本発明の一実施形態たる陽極酸化装置を模式的に示す正面図である。同図に示すように、この陽極酸化装置は、ステージ11、カソード電極13、壁部15、ランプ17を複数有するランプユニット16、ランプユニット支持部材18、カソード電極振動機構19、カソード電極振動機構支持部材20を具備する。
【0031】
被処理基板保持部としてのステージ11の上には、被処理基板12(上面が被処理部)が載置・保持され、水平方向四方を囲む壁部15がステージ11および被処理基板12の周縁上に設置される。壁部15のこの設置は、ステージ11上に被処理基板12を載置・保持したのち、例えばその上方から壁部15を降下させて行う。なお、陽極酸化処理時に被処理基板12を底部として壁部15内に薬液(処理液)14を張るので、壁部15と被処理基板12との接触部位には周状にシール部材(図示せず)が設けられる。さらに、被処理基板12の被処理部に陽極酸化処理時に電気を供給するための導体(図示せず)が上記シール部材の周外側に設けられる。
【0032】
被処理基板12を底部として壁部15内に薬液14を張ることにより処理槽が形成される。処理層への薬液の供給は、例えば、処理層内への供給管(図示せず)の設置や壁部15を貫通する供給路(図示せず)などにより行なうことができる。処理槽内には、カソード電極13が、薬液14に浸漬されるようにかつ被処理基板12に対向して設けられる。カソード電極13は、カソード電極振動機構19に吊設されており、かつ、カソード電極振動機構19により水平面内の円運動をさせられ得る。カソード電極13の平面構成については後述する。
【0033】
カソード電極振動機構19は、カソード電極振動機構支持部材20により壁部15に固定される。カソード電極振動機構19内の主要構成については後述する。
【0034】
被処理基板12のカソード電極13ごしにはランプユニット16が設けられ、その照射光線は、カソード電極13の開口部を通して被処理基板12にほぼ垂直方向に入射する。ランプユニット16は、ランプユニット支持部材18により壁部15に固定される。
【0035】
なお、この実施の形態は、上記のように、被処理基板12を載置・保持したステージ11、カソード電極13、ランプユニット17の3者のうち、カソード電極13を振動させるものである。これにより、ランプユニット16によるカソード電極13の影は被処理基板12上で時間的に分散する。したがって、陽極酸化工程に要する時間中の被処理基板12上の各部分への光照射量は時間積分的に平均化され、均一化する。よって、陽極酸化処理を被処理基板面内でより均一にすることが可能になる。
【0036】
図2は、図1中に示したカソード電極13の平面図である。図2に示すようにこのカソード電極は、縦横ともにピッチa1のグリッド状に構成され、縦横の各交差点にクロスポイント13aが存在し、グリッドを構成する各線材の間は光を通過させる開口部である。ここで、例えば、カソード電極13の材質はプラチナ、ピッチa1は10mm程度、グリッドを構成する線材の太さは0.5mm程度である。
【0037】
図3は、図1中に示したカソード電極振動機構19の主要部を示す平面図である。図3に示すように、この主要部中には、振動プレート31、カソード電極連結部32、歯車34、36、振動ピン35、37、タイミングベルト38、歯車39、モータ40が存在する。
【0038】
モータ40により歯車39が回転し、その回転力がタイミングベルト38により歯車36に伝達する。歯車36は、回転軸位置が固定され回転自在に支持されている。歯車36と振動ピン37とは、歯車36の偏心した位置に振動ピン37が固定されている関係であり、振動ピン37は、平面的に円形をなし振動プレート31に設けられた貫通孔に嵌合している。この貫通孔の孔面に対して振動ピン37は褶動自在である。
【0039】
一方、歯車34と振動ピン35との関係は、歯車36と振動ピン37との関係と同様であり、歯車34は、回転軸位置が固定され回転自在に支持され、振動ピン35は、振動プレート31に設けられた別の貫通孔に嵌合している。この貫通孔に孔面に対して振動ピン35は褶動自在である。なお、歯車34は、その歯に対して何らの力伝達要素も設けられていない。
【0040】
振動プレート31は、4箇所のカソード電極連結部32によりカソード電極13を吊設する。
【0041】
このような構成により、モータ40が回転すると、歯車39の回転がタイミングベルト38を介して歯車36の回転させ、振動ピン37が円運動を行う。これにより振動プレート31は、ある動きを誘発されるが、振動ピン35による規制があるため歯車34の回転を伴うものになる。したがって、歯車36と歯車34とが同期した回転となり、結局、振動プレート31が円運動することになる。よって、振動プレート31に吊設されたカソード電極13も水平面内で円運動をする。
【0042】
ここで、歯車34(36)の回転中心からの振動ピン35(37)の偏心を図示のように(a1)/2とすると、カソード電極13のクロスポイント13aの位置が隣りのクロスポイントの位置と重ならないように円運動が行われる。したがって、クロスポイント13aの影が被処理基板12上で最も濃くなることに配慮して、その影が運動により集中する領域をなるべく作らないようにすることができる。同様に考えて、上記偏心量を(a1)/2の奇数倍としてもよい。
【0043】
なお、図2においては、カソード電極13のグリッド構造を正方グリッド構造として説明し、それに対応する図3に示すようなカソード電極振動機構19の主要部構造を示したが、カソード電極13の構造を長方グリッド構造とする場合には、影の分散効率という意味でカソード電極振動機構19による運動は楕円運動とするのが好ましい。
【0044】
このためには、図3における振動プレート31を円運動に代えて楕円運動させるようにすればよい。このためのひとつの方法として、例えば次のようなものが考えられる。まず、歯車36、34を傾けて、平面図上で楕円に見えるように設置する。この見かけ上の楕円は、長軸が図3の左右方向(または上下方向)になるようにする。歯車36(34)と振動ピン37(35)との関係は、固定ではなく、振動ピン37(35)の根元において振動ピン37(35)が回転自在に、かつ歯車側面(歯面でない面)に対して倒れ角が自在となるように支持する。また、振動ピン37(35)が振動プレート31に嵌合される角度が垂直を保つように振動プレート31の貫通孔に規制機能を設ける。
【0045】
これにより、振動ピン37(35)は楕円運動をするので、振動プレート31の楕円運動が得られる。よって、カソード電極13も楕円運動する。なお、もちろん偏心カムなどを用いる周知の楕円運動機構を利用してもよい。
【0046】
カソード電極13の構造が長方グリッド構造であり、振動プレート31が楕円運動を行う場合に、クロスポイント13aの影が被処理基板12上で最も濃くなることに配慮してその影が運動により集中する領域をなるべく作らないようにするためには、クロスポイント間の長辺距離のほぼ半分の奇数倍を長径としかつクロスポイント間の短辺距離のほぼ半分の奇数倍を短径とするように楕円運動をせればよい。この理由は、隣のクロスポイントとの距離を考慮すると円運動をさせる場合と同様に考えることができる。
【0047】
次に、図2に示したカソード電極13に代えて図1に示した陽極酸化装置において用いることができるカソード電極の別の例を図4を参照して説明する。図4は、図1中に示したカソード電極13の別の例を示す平面図である。図4に示すカソード電極131は、図2に示したものと同様に正方グリッド構造(ピッチa2)を有するが、線材の設定角度が45度傾けられている。
【0048】
この場合においても、図3に示したようなカソード電極振動機構を用いることで図2に示したカソード電極13と同様な効果を得ることができる。ただし、図3に示した偏心量(a1)/2は、(a2)/2またはその奇数倍にするとより好ましい。
【0049】
また、図4に示すようなカソード電極131の場合には、カソード電極131を円運動ではなく直線的な往復運動(図上の上下方向、または左右方向)とすることによっても影の時間的な分散効果が得られる。これらの方向に往復運動させると各線材の長手方向を避けて運動させることなり、線材の影が時間的に移動するからである。
【0050】
図5は、図4に示したようなカソード電極131を図1に示した陽極酸化装置に適用する場合に用いることができるカソード電極振動機構19の主要部を示す平面図である。図5に示すように、この主要部中には、規制部材51、52、振動プレート53、連結節54、連結ピン55、56、モータ57、回転ホイール58、カソード電極連結部32が存在する。
【0051】
モータ57が回転するとこれに接続された回転ホイール58が回転し、回転ホリール58に固定された連結ピン56が回転する。連結ピン56の回転を連結節54により、連結ピン55を介して振動プレート53に伝達し、振動プレート53を往復運動させる。すなわち、振動プレート53は、規制部材51、52により上下方向に規制されている。以上説明からわかるように、この機構は一種のピストン−クランク機構である。
【0052】
振動プレート53には、カソード電極連結部32によりカソード電極131が吊設されているので、振動プレート53の往復運動によりカソード電極131の往復運動がなされる。
【0053】
ここで、連結ピン56の回転ホイール58上の偏心は、図示のように(√2)(a2)/2とすると、クロスポイント131aの影が被処理基板12上で最も濃くなることに配慮して、その影が運動により集中する領域をなるべく作らないようにすることができる。すなわち、カソード電極131のクロスポイント131aの位置が隣りのクロスポイントの位置と重ならないように往復運動が行われる。同様に考えて、連結ピン56の回転ホイール58上の偏心を、(√2)(a2)/2の奇数倍としてもよい。
【0054】
以上の実施の形態では、光の照射方向に対して垂直の面内でカソード電極13を運動させて、被処理基板12上に生じる影の位置を時間的に変えることを説明したが、カソード電極13を光の照射方向に対してほぼ平行な面内で運動させる方法も採り得る方法である。この場合には、被処理基板12上に生じる影の強弱パターンが時間的に変化する。よって、何らカソード電極13を運動させない場合より、光の照射量は時間的に平均化する。
【0055】
これに対応するためにはカソード電極13、131を垂直方向に運動させるようにすべく、図3、図5に示したようなカソード電極振動機構を水平軸回りに90度回転させて設ければよい。さらには、カソード電極13、131を光の照射方向に対してほぼ垂直な面内で運動させ、かつ光の照射方向に対してほぼ平行な面内でも運動させるようにしてもよい。この場合には、カソード電極振動機構19を壁部15に固定せずに、カソード電極振動機構19自体を運動させる別の振動機構に載せればこれが実現できる。
【0056】
次に、図2、図4に示したカソード電極13、131に代えて図1に示した陽極酸化装置において用いることができるカソード電極の別の例を図6を参照して説明する。図6は、図1中に示したカソード電極13のさらに別の例を示す平面図(図6(a))および正面図(図6(b))である。
【0057】
図6に示すカソード電極132は、板状体の集合であって、その両主面にほぼ平行な方向に光が通過するように構成され、各板状体の間が光を通過させる開口部である。ここで、例えば、カソード電極132の材質はプラチナ、板状体の間のピッチは10mm程度、板状体の高さは2mm程度、その厚さは0.05ないし0.1mm程度である。
【0058】
このようなカソード電極132によれば、光線の開口部の通過が図6(b)中に示すようになる(すなわち、板状体の両主面で光の反射が生じる)傾向をもともと有するため、カソード電極132の影が生じにくい(もう少し正確に言うと影が分散して生じる)。このようなカソード電極132を用いて、さらに、カソード電極132を上下方向に往復運動または円運動させると、生じる影の時間的な分散効果を増大させることができる。
【0059】
よって、陽極酸化工程に要する時間中の被処理基板12上の各部分への光照射量は時間積分的に平均化され、均一化する。これにより、陽極酸化処理を被処理基板面内でより均一にすることが可能になる。
【0060】
なお、このようなカソード電極132の運動を行うためには、カソード電極振動機構19に図3あるいは図5に示したような運動機構を設ければよい。その際、カソード電極132の運動を垂直方向になすため、水平軸回りに90度傾けて設置する。
【0061】
次に、図1に示した陽極酸化装置の一連の動作について図7をも参照して説明する。図7は、図1に示した陽極酸化装置の動作フローを示す流れ図である。
【0062】
まず、ステージ11と壁部15とが上下に離間した状態において、ステージ11上に被処理基板12が載置され、その載置状態が保持される(ステップ71)。被処理基板12は、被処理部が上に向けられている。ステージ11上への載置には、ロボットなどの基板搬送機構を用いてもよい。
【0063】
次に、壁部15を降下させステージ11上および被処理基板12の周縁部上に設置する。このとき、すでに述べたように被処理基板12の周縁と壁部15との間には液体シールが確立され、かつその液体シールがされた部位の外側では被処理基板12の電極と導体により電気的接触がなされる。また、カソード電極振動機構19およびランプユニット16が壁体15に固定されていることにより、これらの位置が被処理基板12に対して所定に設定される。これらにより処理槽が形成される(以上ステップ72)。
【0064】
次に、形成された処理槽に薬液を張る(ステップ73)。これにより、被処理基板12の被処理部とカソード電極13とが薬液に接触した状態となる。薬液は、例えば、エチルアルコールを溶媒とするフッ酸の溶液である。薬液を処理槽に導入するには、例えば、壁部15に供給路を設けてもよいし、供給管を処理槽の上方から差し入れてもよい。
【0065】
次に、カソード電極振動機構19でカソード電極13を周期的振動させながら、陽極酸化反応を被処理基板12に起こす(ステップ74)。このため、被処理基板12の電極に接触する導体とカソード電極13との間を電流源で駆動し、かつランプユニット16のランプ17により被処理基板12を照射する。この反応時間は、温度などの条件にもよるが数秒である。
【0066】
次に、カソード電極13の周期的振動、被処理基板12の電極に接触する導体とカソード電極13との間の電流源駆動、ランプユニット16のランプ17による被処理基板12の照射をすべてやめ、薬液を排出する。薬液の排出は、例えば壁部15に排出路を設けることによっても、排出管を処理槽の上方から差し入れて吸い出すようにしてもよい。薬液は、強い腐蝕性があるのでこのあと被処理基板12ともども処理槽を洗浄する。このための洗浄は、例えば、洗浄液の処理槽への供給と排出を繰り返すことにより行うことができる(以上ステップ75)。以上により、被処理基板12の一連の陽極酸化工程を完了することができる。
【0067】
以上の実施の形態では、カソード電極13、131、132を周期的振動させる形態を説明したが、これに代えて、あるいはこれに加えて、ランプユニット16や参考までであるがステージ11を周期的振動させても、影の分散効果によって、陽極酸化処理の被処理基板12面上での均一性向上を図ることができる。
【0068】
ランプユニット16を周期的振動させるには、例えば、ランプユニット16をカソード電極振動機構19のような機構に吊設すればよい。ステージ11を周期的振動させるには、壁部15へのランプユニット支持部材18およびカソード電極振動機構支持部材20の支持を開放したうえで、ステージ11、被処理基板12、壁部15を一体として、周期的振動させればよい。このためには、やはり、カソード電極振動機構19のような機構をステージ11下に設ければよい。
【0069】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、ランプ、カソード電極、被処理基板を保持する被処理基板保持部の3者の大まかな位置関係を維持したまま、ランプまたはカソード電極の空間的位置を周期的振動させる。これにより、カソード電極の影は被処理基板上で時間的に分散するので、陽極酸化工程に要する時間中の被処理基板上の各部分への光照射量は時間積分的に平均化され、均一化する。よって、陽極酸化処理を被処理基板面内でより均一にすることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態たる陽極酸化装置を模式的に示す正面図。
【図2】図1中に示したカソード電極13の平面図。
【図3】図1中に示したカソード電極振動機構19の主要部を示す平面図。
【図4】図1中に示したカソード電極13の別の例を示す平面図。
【図5】図4に示したカソード電極131を図1に示した陽極酸化装置に適用する場合に用いることができるカソード電極振動機構19の主要部を示す平面図。
【図6】図1中に示したカソード電極13のさらに別の例を示す平面図(図6(a))および正面図(図6(b))。
【図7】図1に示した陽極酸化装置の動作フローを示す流れ図。
【符号の説明】
11…ステージ、12…被処理基板、13,131,132…カソード電極、13a,131a…クロスポイント、14…薬液、15…壁部、16…ランプユニット、17…ランプ、18…ランプユニット支持部材、19…カソード電極振動機構、20…カソード電極振動機構支持部材、31…振動プレート、32…カソード電極連結部、34,36…歯車、35,37…振動ピン、38…タイミングベルト、39…歯車、40…モータ、51,52…規制部材、53…振動プレート、54…連結節、55,56…連結ピン、57…モータ、58…回転ホイール

Claims (13)

  1. 光を放射するランプと、
    前記放射された光が到達する位置に設けられ、被処理基板を保持可能な被処理基板保持部と、
    前記放射された光が前記保持された被処理基板に到達する途上に設けられ、前記光を通過させるための開口部を備え前記光を透過しない導体部を有するカソード電極と、
    前記カソード電極または前記ランプの空間的位置を周期的振動させる振動機構と
    を具備することを特徴とする陽極酸化装置。
  2. 被処理基板を保持可能な被処理基板保持部と、
    前記保持された被処理基板に接続して設けられ、上部が開放された処理槽を形成する壁体と、
    前記処理槽に処理液を供給する処理液供給部と、
    前記保持された被処理基板に対向して設けられ、前記保持された被処理基板に光を放射するランプと
    前記保持された被処理基板と前記ランプとの間に設けられかつ光を通過させる開口部を有するカソード電極と、
    前記カソード電極を前記ランプに対して相対的に振動させる振動機構と
    を具備することを特徴とする陽極酸化装置。
  3. 前記振動機構、前記カソード電極または前記ランプを前記放射された光の放射方向に対してほぼ垂直の平面上で振動させることを特徴とする請求項1または2記載の陽極酸化装置。
  4. 前記振動機構、前記カソード電極または前記ランプを前記放射された光の放射方向に対してほぼ平行の平面上で振動させることを特徴とする請求項1または2記載の陽極酸化装置。
  5. 前記振動、往復運動、円運動、または楕円運動であることを特徴とする請求項3記載の陽極酸化装置。
  6. 前記振動、往復運動、円運動、または楕円運動であることを特徴とする請求項4記載の陽極酸化装置。
  7. 前記カソード電極、前記導体部がクロスポイントを有する正方グリッド構造であり、
    前記振動が、往復運動、円運動、および楕円運動のうちの円運動であり、
    円運動、前記クロスポイント間の正方距離のほぼ半分の奇数倍を半径とする前記カソード電極の円運動であること
    を特徴とする請求項5記載の陽極酸化装置。
  8. 前記カソード電極、前記導体部がクロスポイントを有するグリッド構造であり、
    前記振動が、往復運動、円運動、および楕円運動のうちの往復運動であり、
    往復運動、前記クロスポイント間の対角距離のほぼ半分の奇数倍を振幅とし、かつ前記対角距離の方向になされる前記カソード電極の往復運動であること
    を特徴とする請求項5記載の陽極酸化装置。
  9. 前記カソード電極、前記導体部がクロスポイントを有する長方グリッド構造であり、
    前記振動が、往復運動、円運動、および楕円運動のうちの楕円運動であり、
    楕円運動、前記クロスポイント間の長辺距離のほぼ半分の奇数倍を長径としかつ前記クロスポイント間の短辺距離のほぼ半分の奇数倍を短径とする前記カソード電極の楕円運動であること
    を特徴とする請求項5記載の陽極酸化装置。
  10. 前記カソード電極、前記放射された光の放射方向にほぼ平行な主面を有する板状体の集合であることを特徴とする請求項6記載の陽極酸化装置。
  11. 被処理基板保持部に被処理基板を保持させるステップと、
    前記保持された被処理基板の被処理部とカソード電極とを薬液に接触させるステップと、
    前記薬液に接触させられた前記被処理部と前記カソード電極との間を電流駆動するステップと、
    前記薬液に接触させられた前記被処理部にランプで光を照射するステップと、
    前記薬液に接触させられた前記カソード電極、またはその状態における前記ランプの空間的位置を周期的振動させるステップと
    を有することを特徴とする陽極酸化方法。
  12. 処理液を接触された被処理基板に光を照射し、かつ、前記被処理基板と対向して設けられたランプと前記被処理基板との間に配設され光を通過させる開口部を有するカソード電極を前記ランプと相対的に振動させる
    ことを特徴とする陽極酸化方法。
  13. 前記カソード電極を前記被処理基板の面と平行な面内で振動させることを特徴とする請求項12記載の陽極酸化方法。
JP2001342803A 2001-11-08 2001-11-08 陽極酸化装置、陽極酸化方法 Expired - Fee Related JP3916924B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001342803A JP3916924B2 (ja) 2001-11-08 2001-11-08 陽極酸化装置、陽極酸化方法
US10/471,583 US7118663B2 (en) 2001-11-08 2002-11-06 Anodic oxidizer, anodic oxidation method
KR1020037016277A KR100577975B1 (ko) 2001-11-08 2002-11-06 양극 산화 장치, 양극 산화 방법
PCT/JP2002/011551 WO2003041147A1 (en) 2001-11-08 2002-11-06 Anodic oxidizer, anodic oxidation method
CNB028056876A CN1225011C (zh) 2001-11-08 2002-11-06 阳极氧化装置、阳极氧化方法
TW091132896A TW591121B (en) 2001-11-08 2002-11-08 Anodic oxidizer and anodic oxidation method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001342803A JP3916924B2 (ja) 2001-11-08 2001-11-08 陽極酸化装置、陽極酸化方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003147599A JP2003147599A (ja) 2003-05-21
JP3916924B2 true JP3916924B2 (ja) 2007-05-23

Family

ID=19156593

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001342803A Expired - Fee Related JP3916924B2 (ja) 2001-11-08 2001-11-08 陽極酸化装置、陽極酸化方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7118663B2 (ja)
JP (1) JP3916924B2 (ja)
KR (1) KR100577975B1 (ja)
CN (1) CN1225011C (ja)
TW (1) TW591121B (ja)
WO (1) WO2003041147A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100501936C (zh) * 2007-03-23 2009-06-17 厦门大学 P型硅表面微结构的电化学加工方法
JP4562801B2 (ja) * 2007-05-09 2010-10-13 株式会社カンタム14 シリコン基材の加工方法および加工装置
CN101250745B (zh) * 2008-03-20 2010-04-07 山东理工大学 实现半导体材料电解抛光方法所采用的电解抛光装置
KR101007661B1 (ko) * 2010-06-29 2011-01-13 (주)세창스틸 프레임보강재가 형성된 창호
CN102867883B (zh) * 2011-07-08 2015-04-22 茂迪股份有限公司 半导体基材表面结构与形成此表面结构的方法
JP5908266B2 (ja) * 2011-11-30 2016-04-26 株式会社Screenホールディングス 陽極化成装置及びそれを備えた陽極化成システム並びに半導体ウエハ

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3968020A (en) * 1973-09-29 1976-07-06 Riken Keikinzoku Kogyo Kabushiki Kaisha Apparatus for surface treating metal members
JPS51135472A (en) 1975-05-20 1976-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Creation of porous semi-conductors
US4507181A (en) * 1984-02-17 1985-03-26 Energy Conversion Devices, Inc. Method of electro-coating a semiconductor device
US4569728A (en) * 1984-11-01 1986-02-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Selective anodic oxidation of semiconductors for pattern generation
JPH0613366A (ja) 1992-04-03 1994-01-21 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 多孔性シリコン膜およびデバイスを作成するための浸漬走査方法およびシステム
US5441618A (en) * 1992-11-10 1995-08-15 Casio Computer Co., Ltd. Anodizing apparatus and an anodizing method
JPH0799342A (ja) 1993-08-02 1995-04-11 Sumitomo Metal Ind Ltd 多孔質シリコンの作製方法
JPH10256225A (ja) 1997-03-07 1998-09-25 Kagaku Gijutsu Shinko Jigyodan 薄膜基板の陽極化成処理方法及びフォトルミネッセンス特性をもつ半導体薄膜
JP3090445B2 (ja) 1998-09-25 2000-09-18 松下電工株式会社 電界放射型電子源およびその製造方法
JP2966842B1 (ja) 1998-09-25 1999-10-25 松下電工株式会社 電界放射型電子源
JP2001085715A (ja) 1999-09-09 2001-03-30 Canon Inc 半導体層の分離方法および太陽電池の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1225011C (zh) 2005-10-26
JP2003147599A (ja) 2003-05-21
US20040084317A1 (en) 2004-05-06
TW200303375A (en) 2003-09-01
WO2003041147A1 (en) 2003-05-15
KR100577975B1 (ko) 2006-05-11
TW591121B (en) 2004-06-11
US7118663B2 (en) 2006-10-10
KR20040028780A (ko) 2004-04-03
CN1494736A (zh) 2004-05-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7094336B2 (ja) フィールドガイドによる埋設式露光、及び露光後ベークプロセス
KR101318542B1 (ko) 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
JP3916924B2 (ja) 陽極酸化装置、陽極酸化方法
KR19980071053A (ko) 웨이퍼처리장치 및 그 방법, 웨이퍼반송장치, 반도체기판의제조방법, 그리고 반도체제조장치
TW202349139A (zh) 用於光阻圖案化的微影處理窗增強
JP6162881B2 (ja) 基板を均一に金属被覆する方法および装置
JP3802016B2 (ja) 陽極酸化装置、陽極酸化方法
KR20050100405A (ko) 패터닝된 기판의 메가소닉 세정을 위한 방법 및 장치
KR100576400B1 (ko) 양극화 형성 장치 및 양극화 형성 방법
JP2004319876A (ja) 露光機用チャックステージ
US20220148888A1 (en) Substrate processing method, semiconductor production method, and substrate processing apparatus
KR100276766B1 (ko) 기판세정장치및기판세정방법
KR102499511B1 (ko) 전해 처리 지그 및 전해 처리 방법
JP2020188171A (ja) エッチング装置
KR100870525B1 (ko) 기판 세정 장치
JP3681328B2 (ja) 基板処理装置
JP2022122494A (ja) 陽極化成装置及び陽極化成方法
KR20020003385A (ko) 필터제조방법
CN117813423A (zh) 镀覆装置及镀覆方法
KR20240036297A (ko) 마스크 세정 장치 및 마스크 세정 방법
JP2004043842A (ja) メッキ装置およびそれを用いたメッキ方法
JP2004079767A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2021186697A (ja) 六価クロムの除去方法
JP2012129387A (ja) 洗浄装置および洗浄方法
TW201819691A (zh) 電解處理治具、電解處理治具之製造方法及電解處理裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040402

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061017

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061211

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070206

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070207

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130216

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees