JP2003147599A - 陽極酸化装置、陽極酸化方法 - Google Patents
陽極酸化装置、陽極酸化方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 122
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 62
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 58
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/12—Etching of semiconducting materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/005—Apparatus specially adapted for electrolytic conversion coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3063—Electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Weting (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
なし、これにより陽極酸化処理を被処理基板面内でより
均一にすることが可能な陽極酸化装置および陽極酸化方
法を提供すること。 【解決手段】 光を放射するランプと、放射された光が
到達する位置に設けられ、被処理基板を保持可能な被処
理基板保持部と、放射された光が被処理基板に到達する
途上に設けられ、光を通過させるための開口部を備え光
を透過しない導体部を有するカソード電極と、カソード
電極、前記ランプ、または被処理基板保持部の空間的位
置を周期的振動させる振動機構とを具備する。ランプ、
カソード電極、被処理基板を保持する被処理基板保持部
の3者の大まかな位置関係を維持したまま、これらのう
ちの少なくとも一つについてその空間的位置を周期的振
動させ、これにより、カソード電極の影は被処理基板上
で時間的に分散する。
Description
にして電気化学的に処理を行う陽極酸化装置および陽極
酸化方法に係り、特に、処理に際して光の照射を行う陽
極酸化に好適な陽極酸化装置および陽極酸化方法に関す
る。
処理は、種々の場面で利用されている。このような陽極
酸化の一つとして、多結晶シリコン層をポーラス(多孔
質)化する処理がある。その概要を述べると、多結晶シ
リコン層が表面に形成された被処理基板は、導電体を介
して電源の正電位極に通電され、かつ、溶媒(例えばエ
チルアルコール)に溶解されたフッ酸溶液中に浸漬され
る。フッ酸溶液中すなわち薬液中には、例えばプラチナ
からなる電極が浸漬され上記電源の負電位極に通電され
る。また、薬液に浸漬された被処理基板の多結晶シリコ
ン層に向けてはランプにより光が照射される。
ッ酸溶液中に溶け出す。この溶け出したあとが細孔とな
るので、シリコン層が多孔質化するものである。なお、
ランプによる光の照射は、上記の溶け出して多孔質化す
る反応に必要なホールを多結晶シリコン層に生成するた
めである。参考までに、このような陽極酸化における多
結晶シリコン層での反応は、例えば、下記のように説明
されている。 Si+2HF+(2−n)e+→SiF2+2H++ne− SiF2+2HF→SiF4+H2 SiF4+2HF→H2SiF6 ここで、e+はホールであり、e−は電子である。すな
わち、この反応には前提としてホールが必要であり単な
る電解研磨とは異なるものである。
のミクロレベルの表面にさらにシリコン酸化層を形成す
ると高効率な電界放射型電子源として好適なものになる
ことは、例えば、特開2000−164115公報、特
開2000−100316公報などに開示されている。
このような電界放射型電子源としてのポーラスシリコン
の利用は、新しい平面型表示装置の実現に途を開くもの
として注目されている。
必要な陽極酸化処理においては、光を照射するためのラ
ンプと被処理基板の被処理部との間に、必然的に、カソ
ード電極が位置することになる。カソード電極の条件と
しては、まず、被処理部に対して均一に作用を生じしめ
るように、被処理部の全面に対して位置的にまんべんな
く対向することが必要である。また、一方では、ランプ
により発光された光を被処理部に通過させる必要もあ
る。
広がりと同様な広がりを備えたグリッド状の電極が用い
られる。これにより、カソード電極は、被処理部の全面
に対して位置的にまんべんなく存在し、かつグリッドの
間から光を通過させて被処理部に光を到達させることが
できる。
構成しても、グリッド状の電極の影が被処理部上には発
生する。このため、より細かく見れば被処理部での光照
射量がその面上で均一ではなく、陽極酸化としての均一
処理性に一定の限界が生じる。
れたもので、被処理基板を陽極にして電気化学的に処理
を行う陽極酸化装置および陽極酸化方法において、被処
理基板の被処理部への光の照射を均一になし、これによ
り陽極酸化処理を被処理基板面内でより均一にすること
が可能な陽極酸化装置および陽極酸化方法を提供するこ
とを目的とする。
め、本発明に係る陽極酸化装置は、光を放射するランプ
と、前記放射された光が到達する位置に設けられ、被処
理基板を保持可能な被処理基板保持部と、前記放射され
た光が前記保持された被処理基板に到達する途上に設け
られ、前記光を通過させるための開口部を備え前記光を
透過しない導体部を有するカソード電極と、前記カソー
ド電極、前記ランプ、または前記被処理基板保持部の空
間的位置を周期的振動させる振動機構とを具備すること
を特徴とする(請求項1)。
基板を保持する被処理基板保持部の3者の大まかな位置
関係を維持したまま、これらのうちの少なくとも一つに
ついてその空間的位置を周期的振動させる。これによ
り、カソード電極の影は被処理基板上で時間的に分散す
る。したがって、陽極酸化工程に要する時間中の被処理
基板上の各部分への光照射量は時間積分的に平均化さ
れ、均一化する。よって、陽極酸化処理を被処理基板面
内でより均一にすることが可能になる。
を保持する被処理基板保持部のいずれを振動させるか
は、装置を設計する上でコストや各部の空間配置効率を
考慮して決定することができる。また、3者の配置関係
は、上下方向とする以外にも、横方向から光を照射すべ
く横方向に配置する場合も含まれる。さらには、光の被
処理基板上への照射は、反射、屈折などを介して導かれ
たものでもよい。また、「周期的振動」は、変位空間上
での軌跡が一定の範囲から外に出ないような周期的運動
を意味し、1次元、2次元、3次元いずれの運動も含
む。
理基板を保持可能な被処理基板保持部と、前記保持され
た被処理基板に接続して設けられ、上部が開放された処
理槽を形成する壁体と、前記処理槽に処理液を供給する
処理液供給部と、前記保持された被処理基板に対向して
設けられ、前記保持された被処理基板に光を放射するラ
ンプユニットと、前記保持された被処理基板と前記ラン
プユニットとの間に設けられかつ光を通過させる開口部
を有するカソード電極と、前記カソード電極を前記保持
された被処理基板に対して相対的に振動させる振動機構
とを具備することを特徴とする(請求項2)。この構成
によっても上記とほぼ同様の作用と効果を奏する。
請求項1または2記載の陽極酸化装置において、前記振
動機構は、前記カソード電極、前記ランプ、前記ランプ
ユニット、または前記被処理基板保持部を前記放射され
た光の放射方向に対してほぼ垂直の平面上で振動させる
(請求項3)。生じる影の位置を被処理基板上で時間的
に変えるものである。
請求項1または2記載の陽極酸化装置において、前記振
動機構は、前記カソード電極、前記ランプ、前記ランプ
ユニット、または前記被処理基板保持部を前記放射され
た光の放射方向に対してほぼ平行の平面上で振動させる
(請求項4)。生じる影の強弱パターンを被処理基板上
で時間的に変えるものである。
請求項3記載の陽極酸化装置において、前記振動は、往
復運動、円運動、または楕円運動である(請求項5)。
より単純な機構により運動を生じしめるためである。
請求項4記載の陽極酸化装置において、前記振動は、往
復運動、円運動、または楕円運動である(請求項6)。
これも、より単純な機構により運動を生じしめるためで
ある。
請求項5記載の陽極酸化装置において、前記カソード電
極は、前記導体部がクロスポイントを有する正方グリッ
ド構造であり、前記円運動は、前記クロスポイント間の
正方距離のほぼ半分の奇数倍を半径とする前記カソード
電極の円運動である(請求項7)。クロスポイントの影
が被処理基板上で最も濃くなることを考慮し、その影が
運動により集中する領域をなるべく作らないようにする
ものである。すなわち、円運動の半径を、クロスポイン
ト間の正方距離のほぼ半分の偶数倍とすると、クロスポ
イントは、隣りのクロスポイントにその運動により移動
し、結局クロスポイントの影の集中をもたらすものであ
る。
酸化工程に要する時間に対して少なくとも1周期が完了
するように周波数を選ぶとその工程による光照射量の一
応の平均化がなされる。したがって、1周期の整数倍が
陽極酸化工程に要する時間に完了すれば、平均化の効果
が得られるが、その整数が大きくなるとちょうど整数で
あることの意味は相対的に小さくなり、実数倍である場
合とほとんど変わりなくなる。
請求項5記載の陽極酸化装置において、前記カソード電
極は、前記導体部がクロスポイントを有するグリッド構
造であり、前記往復運動は、前記クロスポイント間の対
角距離のほぼ半分の奇数倍を振幅とし、かつ前記対角距
離の方向になされる前記カソード電極の往復運動である
(請求項8)。これも、クロスポイントの影が被処理基
板上で最も濃くなることを考慮し、その影が運動により
集中する点をなるべく作らないようにするものである。
極酸化工程に要する時間に対して少なくとも振幅方向の
最大から最小までの半周期が完了するように周波数を選
ぶとその工程による光照射量の一応の平均化がなされ
る。したがって、上記半周期の整数倍が陽極酸化工程に
要する時間に完了すれば、平均化の効果が得られるが、
その整数が大きくなるとちょうど整数であることの意味
は相対的に小さくなり、実数倍である場合とほとんど変
わりなくなる。
請求項5記載の陽極酸化装置において、前記カソード電
極は、前記導体部がクロスポイントを有する長方グリッ
ド構造であり、前記楕円運動は、前記クロスポイント間
の長辺距離のほぼ半分の奇数倍を長径としかつ前記クロ
スポイント間の短辺距離のほぼ半分の奇数倍を短径とす
る前記カソード電極の楕円運動である(請求項9)。こ
れも、クロスポイントの影が被処理基板上で最も濃くな
ることを考慮し、その影が運動により集中する点をなる
べく作らないようにするものである。
円運動は、陽極酸化工程に要する時間に対して少なくと
も1周期が完了するように周波数を選ぶとその工程によ
る光照射量の一応の平均化がなされる。したがって、1
周期の整数倍が陽極酸化工程に要する時間に完了すれ
ば、平均化の効果が得られるが、その整数が大きくなる
とちょうど整数であることの意味は相対的に小さくな
り、実数倍である場合とほとんど変わりなくなる。
請求項6記載の陽極酸化装置において、前記カソード電
極は、前記放射された光の放射方向にほぼ平行な主面を
有する板状体の集合である(請求項10)。光の放射方
向にほぼ平行な板状体の主面に、角度を小さく光を入射
・反射させることにより、影を作りにくくする効果を加
えるものである。
理基板保持部に被処理基板を保持させるステップと、前
記保持された被処理基板の被処理部とカソード電極とを
薬液に接触させるステップと、前記薬液に接触させられ
た前記被処理部と前記カソード電極との間を電流駆動す
るステップと、前記薬液に接触させられた前記被処理部
にランプで光を照射するステップと、前記薬液に接触さ
せられた前記カソード電極、またはその状態における、
前記被処理基板保持部もしくは前記ランプの空間的位置
を周期的振動させるステップとを有することを特徴とす
る。
液を接触された被処理基板に光を照射し、かつ、前記被
処理基板と対向して設けられたランプユニットと前記被
処理基板との間に配設され光を通過させる開口部を有す
るカソード電極を前記被処理基板と相対的に振動させる
ことを特徴とする。
基板を保持する被処理基板保持部の3者の大まかな位置
関係を維持したまま、これらのうちの少なくとも一つに
ついてその空間的位置を周期的振動させる。これによ
り、カソード電極の影は被処理基板上で時間的に分散す
る。したがって、陽極酸化工程に要する時間中の被処理
基板上の各部分への光照射量は時間的に平均化され、均
一化する。よって、陽極酸化処理を被処理基板面内でよ
り均一にすることが可能になる。
処理部と前記カソード電極との間を電流駆動するステッ
プ」と、「前記薬液に接触させられた前記被処理部にラ
ンプで光を照射するステップ」と、「前記薬液に接触さ
せられた前記カソード電極、またはその状態における、
前記被処理基板保持部もしくは前記ランプの空間的位置
を周期的振動させるステップ」とは、順序としてこの通
りである必要はなく、むしろ進行する時間帯が重なり得
るステップである。
の面と平行な面内で振動させると、すでに述べたよう
に、生じる影の位置を被処理基板上で時間的に変えるこ
とにより、被処理基板上の各部分への光照射量は時間的
に平均化される。
参照しながら説明する。
装置を模式的に示す正面図である。同図に示すように、
この陽極酸化装置は、ステージ11、カソード電極1
3、壁部15、ランプ17を複数有するランプユニット
16、ランプユニット支持部材18、カソード電極振動
機構19、カソード電極振動機構支持部材20を具備す
る。
上には、被処理基板12(上面が被処理部)が載置・保
持され、水平方向四方を囲む壁部15がステージ11お
よび被処理基板12の周縁上に設置される。壁部15の
この設置は、ステージ11上に被処理基板12を載置・
保持したのち、例えばその上方から壁部15を降下させ
て行う。なお、陽極酸化処理時に被処理基板12を底部
として壁部15内に薬液(処理液)14を張るので、壁
部15と被処理基板12との接触部位には周状にシール
部材(図示せず)が設けられる。さらに、被処理基板1
2の被処理部に陽極酸化処理時に電気を供給するための
導体(図示せず)が上記シール部材の周外側に設けられ
る。
薬液14を張ることにより処理槽が形成される。処理層
への薬液の供給は、例えば、処理層内への供給管(図示
せず)の設置や壁部15を貫通する供給路(図示せず)
などにより行なうことができる。処理槽内には、カソー
ド電極13が、薬液14に浸漬されるようにかつ被処理
基板12に対向して設けられる。カソード電極13は、
カソード電極振動機構19に吊設されており、かつ、カ
ソード電極振動機構19により水平面内の円運動をさせ
られ得る。カソード電極13の平面構成については後述
する。
極振動機構支持部材20により壁部15に固定される。
カソード電極振動機構19内の主要構成については後述
する。
はランプユニット16が設けられ、その照射光線は、カ
ソード電極13の開口部を通して被処理基板12にほぼ
垂直方向に入射する。ランプユニット16は、ランプユ
ニット支持部材18により壁部15に固定される。
被処理基板12を載置・保持したステージ11、カソー
ド電極13、ランプユニット17の3者のうち、カソー
ド電極13を振動させるものである。これにより、ラン
プユニット16によるカソード電極13の影は被処理基
板12上で時間的に分散する。したがって、陽極酸化工
程に要する時間中の被処理基板12上の各部分への光照
射量は時間積分的に平均化され、均一化する。よって、
陽極酸化処理を被処理基板面内でより均一にすることが
可能になる。
の平面図である。図2に示すようにこのカソード電極
は、縦横ともにピッチa1のグリッド状に構成され、縦
横の各交差点にクロスポイント13aが存在し、グリッ
ドを構成する各線材の間は光を通過させる開口部であ
る。ここで、例えば、カソード電極13の材質はプラチ
ナ、ピッチa1は10mm程度、グリッドを構成する線
材の太さは0.5mm程度である。
機構19の主要部を示す平面図である。図3に示すよう
に、この主要部中には、振動プレート31、カソード電
極連結部32、歯車34、36、振動ピン35、37、
タイミングベルト38、歯車39、モータ40が存在す
る。
回転力がタイミングベルト38により歯車36に伝達す
る。歯車36は、回転軸位置が固定され回転自在に支持
されている。歯車36と振動ピン37とは、歯車36の
偏心した位置に振動ピン37が固定されている関係であ
り、振動ピン37は、平面的に円形をなし振動プレート
31に設けられた貫通孔に嵌合している。この貫通孔の
孔面に対して振動ピン37は褶動自在である。
は、歯車36と振動ピン37との関係と同様であり、歯
車34は、回転軸位置が固定され回転自在に支持され、
振動ピン35は、振動プレート31に設けられた別の貫
通孔に嵌合している。この貫通孔に孔面に対して振動ピ
ン35は褶動自在である。なお、歯車34は、その歯に
対して何らの力伝達要素も設けられていない。
極連結部32によりカソード電極13を吊設する。
すると、歯車39の回転がタイミングベルト38を介し
て歯車36の回転させ、振動ピン37が円運動を行う。
これにより振動プレート31は、ある動きを誘発される
が、振動ピン35による規制があるため歯車34の回転
を伴うものになる。したがって、歯車36と歯車34と
が同期した回転となり、結局、振動プレート31が円運
動することになる。よって、振動プレート31に吊設さ
れたカソード電極13も水平面内で円運動をする。
の振動ピン35(37)の偏心を図示のように(a1)
/2とすると、カソード電極13のクロスポイント13
aの位置が隣りのクロスポイントの位置と重ならないよ
うに円運動が行われる。したがって、クロスポイント1
3aの影が被処理基板12上で最も濃くなることに配慮
して、その影が運動により集中する領域をなるべく作ら
ないようにすることができる。同様に考えて、上記偏心
量を(a1)/2の奇数倍としてもよい。
のグリッド構造を正方グリッド構造として説明し、それ
に対応する図3に示すようなカソード電極振動機構19
の主要部構造を示したが、カソード電極13の構造を長
方グリッド構造とする場合には、影の分散効率という意
味でカソード電極振動機構19による運動は楕円運動と
するのが好ましい。
31を円運動に代えて楕円運動させるようにすればよ
い。このためのひとつの方法として、例えば次のような
ものが考えられる。まず、歯車36、34を傾けて、平
面図上で楕円に見えるように設置する。この見かけ上の
楕円は、長軸が図3の左右方向(または上下方向)にな
るようにする。歯車36(34)と振動ピン37(3
5)との関係は、固定ではなく、振動ピン37(35)
の根元において振動ピン37(35)が回転自在に、か
つ歯車側面(歯面でない面)に対して倒れ角が自在とな
るように支持する。また、振動ピン37(35)が振動
プレート31に嵌合される角度が垂直を保つように振動
プレート31の貫通孔に規制機能を設ける。
運動をするので、振動プレート31の楕円運動が得られ
る。よって、カソード電極13も楕円運動する。なお、
もちろん偏心カムなどを用いる周知の楕円運動機構を利
用してもよい。
造であり、振動プレート31が楕円運動を行う場合に、
クロスポイント13aの影が被処理基板12上で最も濃
くなることに配慮してその影が運動により集中する領域
をなるべく作らないようにするためには、クロスポイン
ト間の長辺距離のほぼ半分の奇数倍を長径としかつクロ
スポイント間の短辺距離のほぼ半分の奇数倍を短径とす
るように楕円運動をせればよい。この理由は、隣のクロ
スポイントとの距離を考慮すると円運動をさせる場合と
同様に考えることができる。
えて図1に示した陽極酸化装置において用いることがで
きるカソード電極の別の例を図4を参照して説明する。
図4は、図1中に示したカソード電極13の別の例を示
す平面図である。図4に示すカソード電極131は、図
2に示したものと同様に正方グリッド構造(ピッチa
2)を有するが、線材の設定角度が45度傾けられてい
る。
カソード電極振動機構を用いることで図2に示したカソ
ード電極13と同様な効果を得ることができる。ただ
し、図3に示した偏心量(a1)/2は、(a2)/2
またはその奇数倍にするとより好ましい。
1の場合には、カソード電極131を円運動ではなく直
線的な往復運動(図上の上下方向、または左右方向)と
することによっても影の時間的な分散効果が得られる。
これらの方向に往復運動させると各線材の長手方向を避
けて運動させることなり、線材の影が時間的に移動する
からである。
131を図1に示した陽極酸化装置に適用する場合に用
いることができるカソード電極振動機構19の主要部を
示す平面図である。図5に示すように、この主要部中に
は、規制部材51、52、振動プレート53、連結節5
4、連結ピン55、56、モータ57、回転ホイール5
8、カソード電極連結部32が存在する。
回転ホイール58が回転し、回転ホリール58に固定さ
れた連結ピン56が回転する。連結ピン56の回転を連
結節54により、連結ピン55を介して振動プレート5
3に伝達し、振動プレート53を往復運動させる。すな
わち、振動プレート53は、規制部材51、52により
上下方向に規制されている。以上説明からわかるよう
に、この機構は一種のピストン−クランク機構である。
部32によりカソード電極131が吊設されているの
で、振動プレート53の往復運動によりカソード電極1
31の往復運動がなされる。
上の偏心は、図示のように(√2)(a2)/2とする
と、クロスポイント131aの影が被処理基板12上で
最も濃くなることに配慮して、その影が運動により集中
する領域をなるべく作らないようにすることができる。
すなわち、カソード電極131のクロスポイント131
aの位置が隣りのクロスポイントの位置と重ならないよ
うに往復運動が行われる。同様に考えて、連結ピン56
の回転ホイール58上の偏心を、(√2)(a2)/2
の奇数倍としてもよい。
して垂直の面内でカソード電極13を運動させて、被処
理基板12上に生じる影の位置を時間的に変えることを
説明したが、カソード電極13を光の照射方向に対して
ほぼ平行な面内で運動させる方法も採り得る方法であ
る。この場合には、被処理基板12上に生じる影の強弱
パターンが時間的に変化する。よって、何らカソード電
極13を運動させない場合より、光の照射量は時間的に
平均化する。
3、131を垂直方向に運動させるようにすべく、図
3、図5に示したようなカソード電極振動機構を水平軸
回りに90度回転させて設ければよい。さらには、カソ
ード電極13、131を光の照射方向に対してほぼ垂直
な面内で運動させ、かつ光の照射方向に対してほぼ平行
な面内でも運動させるようにしてもよい。この場合に
は、カソード電極振動機構19を壁部15に固定せず
に、カソード電極振動機構19自体を運動させる別の振
動機構に載せればこれが実現できる。
3、131に代えて図1に示した陽極酸化装置において
用いることができるカソード電極の別の例を図6を参照
して説明する。図6は、図1中に示したカソード電極1
3のさらに別の例を示す平面図(図6(a))および正
面図(図6(b))である。
の集合であって、その両主面にほぼ平行な方向に光が通
過するように構成され、各板状体の間が光を通過させる
開口部である。ここで、例えば、カソード電極132の
材質はプラチナ、板状体の間のピッチは10mm程度、
板状体の高さは2mm程度、その厚さは0.05ないし
0.1mm程度である。
光線の開口部の通過が図6(b)中に示すようになる
(すなわち、板状体の両主面で光の反射が生じる)傾向
をもともと有するため、カソード電極132の影が生じ
にくい(もう少し正確に言うと影が分散して生じる)。
このようなカソード電極132を用いて、さらに、カソ
ード電極132を上下方向に往復運動または円運動させ
ると、生じる影の時間的な分散効果を増大させることが
できる。
処理基板12上の各部分への光照射量は時間積分的に平
均化され、均一化する。これにより、陽極酸化処理を被
処理基板面内でより均一にすることが可能になる。
動を行うためには、カソード電極振動機構19に図3あ
るいは図5に示したような運動機構を設ければよい。そ
の際、カソード電極132の運動を垂直方向になすた
め、水平軸回りに90度傾けて設置する。
動作について図7をも参照して説明する。図7は、図1
に示した陽極酸化装置の動作フローを示す流れ図であ
る。
離間した状態において、ステージ11上に被処理基板1
2が載置され、その載置状態が保持される(ステップ7
1)。被処理基板12は、被処理部が上に向けられてい
る。ステージ11上への載置には、ロボットなどの基板
搬送機構を用いてもよい。
および被処理基板12の周縁部上に設置する。このと
き、すでに述べたように被処理基板12の周縁と壁部1
5との間には液体シールが確立され、かつその液体シー
ルがされた部位の外側では被処理基板12の電極と導体
により電気的接触がなされる。また、カソード電極振動
機構19およびランプユニット16が壁体15に固定さ
れていることにより、これらの位置が被処理基板12に
対して所定に設定される。これらにより処理槽が形成さ
れる(以上ステップ72)。
テップ73)。これにより、被処理基板12の被処理部
とカソード電極13とが薬液に接触した状態となる。薬
液は、例えば、エチルアルコールを溶媒とするフッ酸の
溶液である。薬液を処理槽に導入するには、例えば、壁
部15に供給路を設けてもよいし、供給管を処理槽の上
方から差し入れてもよい。
ド電極13を周期的振動させながら、陽極酸化反応を被
処理基板12に起こす(ステップ74)。このため、被
処理基板12の電極に接触する導体とカソード電極13
との間を電流源で駆動し、かつランプユニット16のラ
ンプ17により被処理基板12を照射する。この反応時
間は、温度などの条件にもよるが数秒である。
処理基板12の電極に接触する導体とカソード電極13
との間の電流源駆動、ランプユニット16のランプ17
による被処理基板12の照射をすべてやめ、薬液を排出
する。薬液の排出は、例えば壁部15に排出路を設ける
ことによっても、排出管を処理槽の上方から差し入れて
吸い出すようにしてもよい。薬液は、強い腐蝕性がある
のでこのあと被処理基板12ともども処理槽を洗浄す
る。このための洗浄は、例えば、洗浄液の処理槽への供
給と排出を繰り返すことにより行うことができる(以上
ステップ75)。以上により、被処理基板12の一連の
陽極酸化工程を完了することができる。
3、131、132を周期的振動させる形態を説明した
が、これに代えて、あるいはこれに加えて、ランプユニ
ット16やステージ11を周期的振動させても、影の分
散効果によって、陽極酸化処理の被処理基板12面上で
の均一性向上を図ることができる。
は、例えば、ランプユニット16をカソード電極振動機
構19のような機構に吊設すればよい。ステージ11を
周期的振動させるには、壁部15へのランプユニット支
持部材18およびカソード電極振動機構支持部材20の
支持を開放したうえで、ステージ11、被処理基板1
2、壁部15を一体として、周期的振動させればよい。
このためには、やはり、カソード電極振動機構19のよ
うな機構をステージ11下に設ければよい。
ランプ、カソード電極、被処理基板を保持する被処理基
板保持部の3者の大まかな位置関係を維持したまま、こ
れらのうちの少なくとも一つについてその空間的位置を
周期的振動させる。これにより、カソード電極の影は被
処理基板上で時間的に分散するので、陽極酸化工程に要
する時間中の被処理基板上の各部分への光照射量は時間
積分的に平均化され、均一化する。よって、陽極酸化処
理を被処理基板面内でより均一にすることが可能にな
る。
に示す正面図。
要部を示す平面図。
す平面図。
た陽極酸化装置に適用する場合に用いることができるカ
ソード電極振動機構19の主要部を示す平面図。
例を示す平面図(図6(a))および正面図(図6
(b))。
流れ図。
32…カソード電極、13a,131a…クロスポイン
ト、14…薬液、15…壁部、16…ランプユニット、
17…ランプ、18…ランプユニット支持部材、19…
カソード電極振動機構、20…カソード電極振動機構支
持部材、31…振動プレート、32…カソード電極連結
部、34,36…歯車、35,37…振動ピン、38…
タイミングベルト、39…歯車、40…モータ、51,
52…規制部材、53…振動プレート、54…連結節、
55,56…連結ピン、57…モータ、58…回転ホイ
ール
Claims (13)
- 【請求項1】 光を放射するランプと、 前記放射された光が到達する位置に設けられ、被処理基
板を保持可能な被処理基板保持部と、 前記放射された光が前記保持された被処理基板に到達す
る途上に設けられ、前記光を通過させるための開口部を
備え前記光を透過しない導体部を有するカソード電極
と、 前記カソード電極、前記ランプ、または前記被処理基板
保持部の空間的位置を周期的振動させる振動機構とを具
備することを特徴とする陽極酸化装置。 - 【請求項2】 被処理基板を保持可能な被処理基板保持
部と、 前記保持された被処理基板に接続して設けられ、上部が
開放された処理槽を形成する壁体と、 前記処理槽に処理液を供給する処理液供給部と、 前記保持された被処理基板に対向して設けられ、前記保
持された被処理基板に光を放射するランプユニットと、 前記保持された被処理基板と前記ランプユニットとの間
に設けられかつ光を通過させる開口部を有するカソード
電極と、 前記カソード電極を前記保持された被処理基板に対して
相対的に振動させる振動機構とを具備することを特徴と
する陽極酸化装置。 - 【請求項3】 前記振動機構は、前記カソード電極、前
記ランプ、前記ランプユニット、または前記被処理基板
保持部を前記放射された光の放射方向に対してほぼ垂直
の平面上で振動させることを特徴とする請求項1または
2記載の陽極酸化装置。 - 【請求項4】 前記振動機構は、前記カソード電極、前
記ランプ、前記ランプユニット、または前記被処理基板
保持部を前記放射された光の放射方向に対してほぼ平行
の平面上で振動させることを特徴とする請求項1または
2記載の陽極酸化装置。 - 【請求項5】 前記振動は、往復運動、円運動、または
楕円運動であることを特徴とする請求項3記載の陽極酸
化装置。 - 【請求項6】 前記振動は、往復運動、円運動、または
楕円運動であることを特徴とする請求項4記載の陽極酸
化装置。 - 【請求項7】 前記カソード電極は、前記導体部がクロ
スポイントを有する正方グリッド構造であり、 前記円運動は、前記クロスポイント間の正方距離のほぼ
半分の奇数倍を半径とする前記カソード電極の円運動で
あることを特徴とする請求項5記載の陽極酸化装置。 - 【請求項8】 前記カソード電極は、前記導体部がクロ
スポイントを有するグリッド構造であり、 前記往復運動は、前記クロスポイント間の対角距離のほ
ぼ半分の奇数倍を振幅とし、かつ前記対角距離の方向に
なされる前記カソード電極の往復運動であることを特徴
とする請求項5記載の陽極酸化装置。 - 【請求項9】 前記カソード電極は、前記導体部がクロ
スポイントを有する長方グリッド構造であり、 前記楕円運動は、前記クロスポイント間の長辺距離のほ
ぼ半分の奇数倍を長径としかつ前記クロスポイント間の
短辺距離のほぼ半分の奇数倍を短径とする前記カソード
電極の楕円運動であることを特徴とする請求項5記載の
陽極酸化装置。 - 【請求項10】 前記カソード電極は、前記放射された
光の放射方向にほぼ平行な主面を有する板状体の集合で
あることを特徴とする請求項6記載の陽極酸化装置。 - 【請求項11】 被処理基板保持部に被処理基板を保持
させるステップと、 前記保持された被処理基板の被処理部とカソード電極と
を薬液に接触させるステップと、 前記薬液に接触させられた前記被処理部と前記カソード
電極との間を電流駆動するステップと、 前記薬液に接触させられた前記被処理部にランプで光を
照射するステップと、 前記薬液に接触させられた前記カソード電極、またはそ
の状態における、前記被処理基板保持部もしくは前記ラ
ンプの空間的位置を周期的振動させるステップとを有す
ることを特徴とする陽極酸化方法。 - 【請求項12】 処理液を接触された被処理基板に光を
照射し、かつ、前記被処理基板と対向して設けられたラ
ンプユニットと前記被処理基板との間に配設され光を通
過させる開口部を有するカソード電極を前記被処理基板
と相対的に振動させることを特徴とする陽極酸化方法。 - 【請求項13】 前記カソード電極を前記被処理基板の
面と平行な面内で振動させることを特徴とする請求項1
2記載の陽極酸化方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001342803A JP3916924B2 (ja) | 2001-11-08 | 2001-11-08 | 陽極酸化装置、陽極酸化方法 |
PCT/JP2002/011551 WO2003041147A1 (en) | 2001-11-08 | 2002-11-06 | Anodic oxidizer, anodic oxidation method |
CNB028056876A CN1225011C (zh) | 2001-11-08 | 2002-11-06 | 阳极氧化装置、阳极氧化方法 |
US10/471,583 US7118663B2 (en) | 2001-11-08 | 2002-11-06 | Anodic oxidizer, anodic oxidation method |
KR1020037016277A KR100577975B1 (ko) | 2001-11-08 | 2002-11-06 | 양극 산화 장치, 양극 산화 방법 |
TW091132896A TW591121B (en) | 2001-11-08 | 2002-11-08 | Anodic oxidizer and anodic oxidation method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001342803A JP3916924B2 (ja) | 2001-11-08 | 2001-11-08 | 陽極酸化装置、陽極酸化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003147599A true JP2003147599A (ja) | 2003-05-21 |
JP3916924B2 JP3916924B2 (ja) | 2007-05-23 |
Family
ID=19156593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001342803A Expired - Fee Related JP3916924B2 (ja) | 2001-11-08 | 2001-11-08 | 陽極酸化装置、陽極酸化方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7118663B2 (ja) |
JP (1) | JP3916924B2 (ja) |
KR (1) | KR100577975B1 (ja) |
CN (1) | CN1225011C (ja) |
TW (1) | TW591121B (ja) |
WO (1) | WO2003041147A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100501936C (zh) * | 2007-03-23 | 2009-06-17 | 厦门大学 | P型硅表面微结构的电化学加工方法 |
JP4562801B2 (ja) * | 2007-05-09 | 2010-10-13 | 株式会社カンタム14 | シリコン基材の加工方法および加工装置 |
CN101250745B (zh) * | 2008-03-20 | 2010-04-07 | 山东理工大学 | 实现半导体材料电解抛光方法所采用的电解抛光装置 |
KR101007661B1 (ko) * | 2010-06-29 | 2011-01-13 | (주)세창스틸 | 프레임보강재가 형성된 창호 |
CN102867883B (zh) * | 2011-07-08 | 2015-04-22 | 茂迪股份有限公司 | 半导体基材表面结构与形成此表面结构的方法 |
JP5908266B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2016-04-26 | 株式会社Screenホールディングス | 陽極化成装置及びそれを備えた陽極化成システム並びに半導体ウエハ |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3968020A (en) * | 1973-09-29 | 1976-07-06 | Riken Keikinzoku Kogyo Kabushiki Kaisha | Apparatus for surface treating metal members |
JPS51135472A (en) | 1975-05-20 | 1976-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Creation of porous semi-conductors |
US4507181A (en) * | 1984-02-17 | 1985-03-26 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of electro-coating a semiconductor device |
US4569728A (en) * | 1984-11-01 | 1986-02-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Selective anodic oxidation of semiconductors for pattern generation |
EP0563625A3 (en) | 1992-04-03 | 1994-05-25 | Ibm | Immersion scanning system for fabricating porous silicon films and devices |
US5441618A (en) * | 1992-11-10 | 1995-08-15 | Casio Computer Co., Ltd. | Anodizing apparatus and an anodizing method |
JPH0799342A (ja) | 1993-08-02 | 1995-04-11 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 多孔質シリコンの作製方法 |
JPH10256225A (ja) | 1997-03-07 | 1998-09-25 | Kagaku Gijutsu Shinko Jigyodan | 薄膜基板の陽極化成処理方法及びフォトルミネッセンス特性をもつ半導体薄膜 |
JP2966842B1 (ja) | 1998-09-25 | 1999-10-25 | 松下電工株式会社 | 電界放射型電子源 |
JP3090445B2 (ja) | 1998-09-25 | 2000-09-18 | 松下電工株式会社 | 電界放射型電子源およびその製造方法 |
JP2001085715A (ja) | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Canon Inc | 半導体層の分離方法および太陽電池の製造方法 |
-
2001
- 2001-11-08 JP JP2001342803A patent/JP3916924B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-11-06 US US10/471,583 patent/US7118663B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-06 WO PCT/JP2002/011551 patent/WO2003041147A1/ja active Application Filing
- 2002-11-06 CN CNB028056876A patent/CN1225011C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-06 KR KR1020037016277A patent/KR100577975B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-11-08 TW TW091132896A patent/TW591121B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1225011C (zh) | 2005-10-26 |
KR20040028780A (ko) | 2004-04-03 |
TW200303375A (en) | 2003-09-01 |
JP3916924B2 (ja) | 2007-05-23 |
US7118663B2 (en) | 2006-10-10 |
CN1494736A (zh) | 2004-05-05 |
US20040084317A1 (en) | 2004-05-06 |
WO2003041147A1 (en) | 2003-05-15 |
TW591121B (en) | 2004-06-11 |
KR100577975B1 (ko) | 2006-05-11 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061211 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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