JPH08225998A - 電磁場を利用したメッキ装置及びウェットエッチング装置 - Google Patents
電磁場を利用したメッキ装置及びウェットエッチング装置Info
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- JPH08225998A JPH08225998A JP2709195A JP2709195A JPH08225998A JP H08225998 A JPH08225998 A JP H08225998A JP 2709195 A JP2709195 A JP 2709195A JP 2709195 A JP2709195 A JP 2709195A JP H08225998 A JPH08225998 A JP H08225998A
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- Japan
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- electromagnetic field
- wet etching
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電磁場を利用したメッキ装置を提供する。
【構成】 メッキ装置は、メッキ溶液１６の入った容器
１７と直流電源に接続された二つの電極１２、１３を具
備している。さらに電磁場源１１を具備し、メッキ中に
電磁場１７がかかる構成をもつ。 【効果】 電磁場により、メッキ溶液中のイオンにロー
レンツ力が働き、イオンがその力を受けて運動すること
により溶液が撹拌される。この撹拌により、メッキ溶液
とウエハーの反応は促進され、反応のウエハ−面内均一
性は向上する。
１７と直流電源に接続された二つの電極１２、１３を具
備している。さらに電磁場源１１を具備し、メッキ中に
電磁場１７がかかる構成をもつ。 【効果】 電磁場により、メッキ溶液中のイオンにロー
レンツ力が働き、イオンがその力を受けて運動すること
により溶液が撹拌される。この撹拌により、メッキ溶液
とウエハーの反応は促進され、反応のウエハ−面内均一
性は向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体IC製造プロセス
のメッキ及びウェットエッチング装置に関するものであ
る。
のメッキ及びウェットエッチング装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体IC製造プロセスのメッキ装
置においては、半導体ウエハー内のメッキ膜堆積の反応
と面内均一性を良くするために、撹拌棒を機械的に回転
させ、メッキ溶液を撹拌していた。
置においては、半導体ウエハー内のメッキ膜堆積の反応
と面内均一性を良くするために、撹拌棒を機械的に回転
させ、メッキ溶液を撹拌していた。
【０００３】また、ウェットエッチング装置において
は、半導体ウエハ−をウエハ−容器に入れ、エッチング
溶液内に前記容器を入れ、人の手により前記容器をエッ
チング溶液内で撹拌することによって、エッチング溶液
とウエハ−が有効な反応をし、かつ面内で均一に反応す
るようにしていた。
は、半導体ウエハ−をウエハ−容器に入れ、エッチング
溶液内に前記容器を入れ、人の手により前記容器をエッ
チング溶液内で撹拌することによって、エッチング溶液
とウエハ−が有効な反応をし、かつ面内で均一に反応す
るようにしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のメッキ装置及びウェットエッチング装置では、撹拌
が機械的なものであるため、半導体ウエハ−との反応体
であるメッキ及びエッチング溶液中のイオンの撹拌に関
しては十分であるとは言えなかった。また、ウェットエ
ッチング装置においては、人の手による撹拌のため、エ
ッチングの面内均一性と再現性という点において十分で
はなかった。従来のメッキ装置及びウェットエッチング
装置のおける技術ではこういったことが課題であった。
来のメッキ装置及びウェットエッチング装置では、撹拌
が機械的なものであるため、半導体ウエハ−との反応体
であるメッキ及びエッチング溶液中のイオンの撹拌に関
しては十分であるとは言えなかった。また、ウェットエ
ッチング装置においては、人の手による撹拌のため、エ
ッチングの面内均一性と再現性という点において十分で
はなかった。従来のメッキ装置及びウェットエッチング
装置のおける技術ではこういったことが課題であった。
【０００５】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、機械的な撹拌を用いることなくメッキ溶液及びウェ
ットエッチング溶液を有効に撹拌することによって、メ
ッキ及びウェットエッチング反応を促進し、かつ反応の
面内均一性、再現性を良くするメッキ装置及びウェット
エッチング装置を提供することを目的とする。
で、機械的な撹拌を用いることなくメッキ溶液及びウェ
ットエッチング溶液を有効に撹拌することによって、メ
ッキ及びウェットエッチング反応を促進し、かつ反応の
面内均一性、再現性を良くするメッキ装置及びウェット
エッチング装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の半導体装置は、電磁場源を具備し、電磁場を
加えることによってメッキ及びウェットエッチング溶液
を撹拌する。
に本発明の半導体装置は、電磁場源を具備し、電磁場を
加えることによってメッキ及びウェットエッチング溶液
を撹拌する。
【０００７】
【作用】メッキ及びウェットエッチング溶液中のイオン
は、半導体装置の電磁場源から発生する電磁場によるロ
−レンツ力で運動する。このイオンの運動によって溶液
は撹拌され、半導体ウエハ−と溶液の反応は促進され、
かつ反応のウエハ−面内均一性も増す。
は、半導体装置の電磁場源から発生する電磁場によるロ
−レンツ力で運動する。このイオンの運動によって溶液
は撹拌され、半導体ウエハ−と溶液の反応は促進され、
かつ反応のウエハ−面内均一性も増す。
【０００８】また、最近、溶液に電磁場が加わることに
より、溶液中のイオンのクラスタ−が小さくなるという
実験事実があり、これによるとウエハ−と溶液中のイオ
ンが反応する際、電磁場が加えるとこイオンクラスタ−
が小さくなるため、ウエハ−の微細領域までイオンクラ
スタ−が侵入し反応することになる。故にこの作用もメ
ッキ及びウェットエッチング反応の促進に効果的である
と考えられる。
より、溶液中のイオンのクラスタ−が小さくなるという
実験事実があり、これによるとウエハ−と溶液中のイオ
ンが反応する際、電磁場が加えるとこイオンクラスタ−
が小さくなるため、ウエハ−の微細領域までイオンクラ
スタ−が侵入し反応することになる。故にこの作用もメ
ッキ及びウェットエッチング反応の促進に効果的である
と考えられる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明である電磁場を利用したメッキ
及びウェットエッチング装置の実施例の数例について、
図面を参照しながら説明する。
及びウェットエッチング装置の実施例の数例について、
図面を参照しながら説明する。
【００１０】まず、図１に磁場を利用したメッキ装置の
実施例を示す。その装置はメッキ溶液１６が入っている
容器１７と、直流電源に接続された二つの電極１２・１
３と、電磁石１１とからなる。二つの電極のうち、一方
の電極１２は白金ネット１４に接続され、他方の電極１
３は半導体ウエハー１５に接続される。白金ネット１４
と半導体ウエハ−１５はメッキ溶液１６内に浸される。
電磁石１１から発生する磁場１７により、メッキ溶液１
６中のイオンはローレンツ力を受けて運動をし、この運
動によりメッキ溶液は撹拌されることになる。このメッ
キ溶液１６の撹拌により、ウエハーのメッキ反応は促進
され、かつ面内均一性は良くなる。
実施例を示す。その装置はメッキ溶液１６が入っている
容器１７と、直流電源に接続された二つの電極１２・１
３と、電磁石１１とからなる。二つの電極のうち、一方
の電極１２は白金ネット１４に接続され、他方の電極１
３は半導体ウエハー１５に接続される。白金ネット１４
と半導体ウエハ−１５はメッキ溶液１６内に浸される。
電磁石１１から発生する磁場１７により、メッキ溶液１
６中のイオンはローレンツ力を受けて運動をし、この運
動によりメッキ溶液は撹拌されることになる。このメッ
キ溶液１６の撹拌により、ウエハーのメッキ反応は促進
され、かつ面内均一性は良くなる。
【００１１】次に、図２に磁場を利用したウェットエッ
チング装置の実施例を示す。その装置はウェットエッチ
ング溶液２３が入っている容器２５と、電磁石２１とか
らなる。電磁石２１から発生する磁場２４により、ウェ
ットエッチング溶液２３中のイオンはローレンツ力を受
けて運動をし、この運動によってウェットエッチング溶
液は撹拌されることになる。このウェットエッチング溶
液の撹拌により、ウエハーのエッチング反応は促進さ
れ、反応のウエハ−面内均一性、かつ同一温度・同一時
間のエッチング反応の再現性は良くなる。
チング装置の実施例を示す。その装置はウェットエッチ
ング溶液２３が入っている容器２５と、電磁石２１とか
らなる。電磁石２１から発生する磁場２４により、ウェ
ットエッチング溶液２３中のイオンはローレンツ力を受
けて運動をし、この運動によってウェットエッチング溶
液は撹拌されることになる。このウェットエッチング溶
液の撹拌により、ウエハーのエッチング反応は促進さ
れ、反応のウエハ−面内均一性、かつ同一温度・同一時
間のエッチング反応の再現性は良くなる。
【００１２】次に、図３に電源に接続された２枚の電極
板を具備し、ウェットエッチング中に前記電極板間に発
生する電場がかかることを特徴とするウェットエッチン
グ装置の一実施例を示す。 このウェットエッチング装
置は、エッチング溶液３５の入った容器３６と交流電源
に接続された互いに向かい合う板状の電極３１，３２か
らなる。この２枚の電極３１・３２は、図の回転方向３
７に回転する。この２枚の交流電源に接続された電極か
ら発生する電場３３によって、エッチング溶液３５中の
イオンは運動し、この運動によりエッチング溶液３５は
撹拌されることになる。２枚の電極３１・３２は、さら
に回転しているため発生する電場も回転し、エッチング
溶液３５中のイオンの運動はより複雑になり、溶液の撹
拌にとってより有効となる。
板を具備し、ウェットエッチング中に前記電極板間に発
生する電場がかかることを特徴とするウェットエッチン
グ装置の一実施例を示す。 このウェットエッチング装
置は、エッチング溶液３５の入った容器３６と交流電源
に接続された互いに向かい合う板状の電極３１，３２か
らなる。この２枚の電極３１・３２は、図の回転方向３
７に回転する。この２枚の交流電源に接続された電極か
ら発生する電場３３によって、エッチング溶液３５中の
イオンは運動し、この運動によりエッチング溶液３５は
撹拌されることになる。２枚の電極３１・３２は、さら
に回転しているため発生する電場も回転し、エッチング
溶液３５中のイオンの運動はより複雑になり、溶液の撹
拌にとってより有効となる。
【００１３】なお、全ての図において、電磁場源は容器
外にあるが、容器内にあっても構わない。
外にあるが、容器内にあっても構わない。
【００１４】
【発明の効果】機械的な力によってではなく、電磁場に
よるロ−レンツ力でメッキ及びウェットエッチング溶液
中のイオンが運動することにより、溶液が撹拌される。
この撹拌によって、メッキ及びウェットエッチング溶液
と半導体ウエハ−の反応は促進され、ウエハ−面内均一
性も向上する。
よるロ−レンツ力でメッキ及びウェットエッチング溶液
中のイオンが運動することにより、溶液が撹拌される。
この撹拌によって、メッキ及びウェットエッチング溶液
と半導体ウエハ−の反応は促進され、ウエハ−面内均一
性も向上する。
【図１】本発明の一実施例を示す磁場を利用したメッキ
装置の構成図
装置の構成図
【図２】本発明の一実施例を示す磁場を利用したウェッ
トエッチング装置の構成図
トエッチング装置の構成図
【図３】本発明の一実施例を示す回転電場を利用したウ
ェットエッチング装置の構成図
ェットエッチング装置の構成図
１１ 電磁石 １２ 電極 １３ 電極 １４ 白金ネット １５ 半導体ウエハ− １６ メッキ溶液 １７ 磁場 ２１ 電磁石 ２２ 半導体ウエハ− ２３ エッチング溶液 ２４ 磁場 ２５ 容器 ３１ 電極 ３２ 電極 ３３ 電場 ３４ 半導体ウエハ− ３５ エッチング溶液 ３６ 容器 ３７ 回転方向
Claims (10)
- 【請求項１】メッキ液を入れるための容器と、 直流電源に接続された二つの電極と、 電磁場源とを具備し、 メッキ中に前記電磁場源から発生した電磁場がかかり、
前記メッキ溶液中のイオンが前記電磁場から受けるロ−
レンツ力によって運動をし、前記運動によって前記メッ
キ溶液が撹拌されるメッキ装置。 - 【請求項２】エッチング溶液を入れるための容器と、 電磁場源とを具備し、 ウェットエッチング中に前記電磁場源から発生した電磁
場がかかり、前記ウェットエッチング溶液中のイオンが
前記電磁場から受けるロ−レンツ力によって運動をし、
前記運動によって前記ウェットエッチング溶液が撹拌さ
れるウェットエッチング装置。 - 【請求項３】電磁場源の少なくとも一つが電磁石であ
り、メッキ中に前記電磁場源から発生する磁場がかかる
請求項１に記載のメッキ装置。 - 【請求項４】電磁場源の少なくとも一つが電磁石であ
り、ウェットエッチング中に前記電磁場源から発生する
磁場がかかる請求項２に記載のウェットエッチング装
置。 - 【請求項５】電磁場源の少なくとも一つが電源に接続さ
れた２枚以上の電極板であり、メッキ中に前記電極板間
に発生する電場がかかる請求項１に記載のメッキ装置。 - 【請求項６】電磁場源の少なくとも一つが電源に接続さ
れた２枚以上の電極板であり、ウェットエッチング中に
前記電極板間に発生する電場がかかる請求項２に記載の
ウェットエッチング装置。 - 【請求項７】電磁石が回転し、前記電磁石から発生した
磁場が回転する請求項３に記載のメッキ装置。 - 【請求項８】電磁石が回転し、前記電磁石から発生した
磁場が回転する請求項４に記載のウェットエッチング装
置。 - 【請求項９】電源に接続された２枚以上の電極板が回転
し、前記電極板間に発生する電場が回転する請求項５に
記載のメッキ装置。 - 【請求項１０】電源に接続された２枚以上の電極板が回
転し、前記電極板間に発生する電場が回転する請求項６
に記載のウェットエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2709195A JPH08225998A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 電磁場を利用したメッキ装置及びウェットエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2709195A JPH08225998A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 電磁場を利用したメッキ装置及びウェットエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08225998A true JPH08225998A (ja) | 1996-09-03 |
Family
ID=12211414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2709195A Pending JPH08225998A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 電磁場を利用したメッキ装置及びウェットエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08225998A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001023932A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Nec Corp | 半導体素子製造方法及び製造装置 |
| JP2002146593A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-22 | Electroplating Eng Of Japan Co | カップ式めっき装置 |
| WO2014188897A1 (ja) * | 2013-05-20 | 2014-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法及びテンプレート |
-
1995
- 1995-02-15 JP JP2709195A patent/JPH08225998A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001023932A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Nec Corp | 半導体素子製造方法及び製造装置 |
| JP2002146593A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-22 | Electroplating Eng Of Japan Co | カップ式めっき装置 |
| JP4560201B2 (ja) * | 2000-11-10 | 2010-10-13 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | カップ式めっき装置 |
| WO2014188897A1 (ja) * | 2013-05-20 | 2014-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法及びテンプレート |
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