KR20040007449A

KR20040007449A - 진공 처리 방법 및 진공 처리 장치

Info

Publication number: KR20040007449A
Application number: KR10-2003-7010822A
Authority: KR
Inventors: 가사이시게루
Original assignee: 동경 엘렉트론 주식회사
Priority date: 2001-05-18
Filing date: 2002-05-17
Publication date: 2004-01-24
Also published as: KR100664771B1; US20040144770A1; JP2002343726A; US6977359B2; JP4506030B2; WO2002095087A1

Abstract

진공 처리 용기(4)내에 있어서, 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(W)의 처리수의 증가에 따라 처리 용기(4)내의 상태가 변화하는 처리로서, 반도체 웨이퍼(W)상에 처리 가스에 의한 박막의 형성을 실행하는 처리 방법이다. 이 처리 방법에서는, 그 처리의 결과에 직접적으로 영향을 주는 제어 대상 파라미터(예컨대 처리 온도)를 그 목표값(r_t)에 유지하도록 제어하면서 상기 처리를 실행하는 것에 있어서, 미리 처리 용기(4)내의 상태 변화에 대응하는 모델 함수를 구한다. 또한, 처리 결과에 대응하는 설정 파라미터(예컨대 막의 두께)가 설정된다. 그리고, 1 내지 복수의 반도체 웨이퍼(W)를 처리할 때마다, 설정 파라미터의 설정값(D_t)과, 모델 함수에 기초하여, 제어 대상 파라미터의 목표값(r_t)이 산출된다.

Description

진공 처리 방법 및 진공 처리 장치{METHOD AND DEVICE FOR VACUUM TREATMENT}

일반적으로, 반도체 집적 회로를 제조하기 위해서는 실리콘 기판 등으로 이루어지는 반도체 웨이퍼에 대하여, 진공 처리 용기내에서 성막 처리, 에칭 처리 등의 각종 진공 처리가 실행된다. 그 중에서도, 반도체 웨이퍼에 대하여 1장씩 성막 처리를 실행하는 낱장식 진공 처리 장치에 있어서는, 1장씩 연속하여 성막되는 각 반도체 웨이퍼 표면의 박막 두께를 균일하게 하는, 즉 막의 두께의 재현성을 유지하는 것은, 제품의 수율 향상 및 전기적 특성의 안정화상 매우 중요하다.

그와 같은 종래의 진공 처리 장치에 있어서는, 예컨대 처리 용기내의 서셉터상에 반도체 웨이퍼를 탑재하고 이것을 히터로 소정의 온도로 승온 유지한다. 동시에, 처리 용기내에 성막 가스 등의 처리 가스를 소정의 유량으로 공급하면서, 처리 용기내의 분위기를 진공흡인하여 소정의 압력으로 유지한다. 이 상태에서, 상기 웨이퍼에 대하여 소정의 처리 시간만 성막 처리를 실행하게 된다. 이 성막 처리시에는, 처리 용기 내의 처리 온도 및 처리 압력, 처리 가스의 공급량(유량) 등의 처리 조건이 피드백 제어에 의해 안정적으로 유지된다.

그런데, 성막 처리가 진행하여 웨이퍼의 처리 매수가 많아짐에 따라서, 처리 용기의 내벽면, 처리 가스를 공급하는 샤워 헤드의 표면, 서셉터의 표면 등에는, 매우 조금씩이지만, 불필요한 퇴적막이 부착된다. 이 때문에, 처리 용기내의 반사율이나 형태 계수(view factor) 등의 상태가 조금씩 변화하는 것은 불가피하다. 이 때문에, 동일한 처리 조건(예컨대 동일한 처리 온도, 동일한 가스 유량, 동일한 처리 압력 등)을 유지하도록 제어하고 있음에도 불구하고, 웨이퍼를 1장 처리할 때마다 웨이퍼상에 형성된 박막의 두께가 조금씩 변화(예컨대 감소)하여, 처리 결과로서의 막의 두께의 재현성이 열화한다는 문제가 있다.

또한, 상기 처리 용기내는, 정기 내지 부정기적으로 클리닝되어, 불필요한 퇴적막이 제거된다. 그러나, 웨이퍼상에 형성된 박막의 두께의 상기와 같은 변동은, 처리 용기내를 클리닝할 때마다, 혹은 1배치(batch)(예컨대 25장)의 웨이퍼를 처리할 때마다 주기적으로 변화된다는 문제가 있다. 이 문제를 해결하기 위해서, 1장 내지 수매의 웨이퍼를 처리할 때마다 처리 용기내의 클리닝을 실행하는 것도 고려할 수 있다. 그러나, 그 경우에는 클리닝 회수가 과도히 많아져서, 스루풋을 대폭 저하시키기 때문에, 현실적일 수 없다.

특히, 반도체 집적 회로의 설계 루트가 보다 엄격해져서, 거듭된 세선화 및 박막화가 요청되는 오늘날에 있어서는, 이상과 같은 문제의 조기 해결이 강하게 요구되고 있다.

발명의 요약

본 발명은 이상과 같은 점에 착안하여 이루어진 것으로, 제 1 관점에서는, 진공 처리 용기내에 있어서, 피처리체의 처리수의 증가에 따라 상기 처리 용기내의 상태가 변화하는 처리를 실행하는 진공 처리 방법으로서, 상기 처리의 결과에 직접적으로 영향을 주는 제어 대상 파라미터를 그 목표값으로 유지하도록 제어하면서 상기 처리를 실행할 때, 미리 상기 처리 용기내의 상태 변화에 대응하는 모델 함수를 구하고, 1 내지 복수의 피처리체를 처리할 때마다, 상기 처리의 결과에 대응하는 설정 파라미터의 설정값과, 상기 모델 함수에 기초하여, 상기 제어 대상 파라미터의 목표값을 산출하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 방법을 제공한다.

이 처리 방법에 있어서, 피처리체의 처리 결과로서의 상기 막의 두께의 실측값에 기초하여 상기 모델 함수를 갱신하는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 모델 함수를 사용하여 구해지는 데이터와 상기 실측값의 차이가 기준값 이상일 때에는, 상기 데이터 및/또는 상기 실측값이 이상(異常)한 것으로 간주할 수 있다.

상기 모델 함수는 최소 2제곱법(2乘法), 칼만 필터(Kalman Filter) 및 최우추정법(最尤推定法) 중 어느 것에 의해 구해질 수 있다.

이 처리 방법의 일 실시 형태에 있어서는, 상기 처리는 상기 처리 용기내에 성막 가스를 공급하여 피처리체상에 박막을 형성하는 것으로서, 상기 설정 파라미터는 상기 막의 두께와 상기 막의 시트 저항 중 어느 하나이고, 상기 제어 대상 파라미터는 상기 처리 용기 내에서의 처리 온도, 피처리체마다의 처리 시간 및 상기성막 가스의 공급량 중 어느 하나이다.

다음에, 본 발명은, 제 2 관점에서는, 피처리체를 수납하는 진공 처리 용기를 구비하고, 상기 처리 용기내에서, 피처리체의 처리수의 증가에 따라 상기 처리 용기내의 상태가 변화되는 처리를 실행하는 진공 처리 장치로서, 상기 처리 결과에 직접적으로 영향을 주는 제어 대상 파라미터를 그 목표값으로 유지하는 제어를 실행하는 제어기와, 상기 처리 용기 내의 상태 변화에 대응하는 모델 함수를 미리 기억하는 동시에, 상기 처리의 결과에 대응하는 설정 파라미터의 설정값과, 상기 모델 함수에 기초하여, 상기 제어 대상 파라미터의 목표값을 산출하는 처리 조건 보상 수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치를 제공한다.

이 처리 장치에 있어서도, 상기 보상 수단은 피처리체의 처리 결과의 실측값에 기초하여 상기 모델 함수를 갱신하도록 구성되어 있는 것이 바람직하다.

본 발명은 처리 용기내에서 반도체 웨이퍼 등의 피처리체에 성막 등의 처리를 실시하는 진공 처리 방법 및 진공 처리 장치에 관한 것이다.

도 1은 본 발명에 따른 진공 처리 방법을 실시하기 위한 진공 처리 장치의 실시 형태를 나타내는 모식도,

도 2는 도 1에 나타낸 처리 조건 보상 수단의 동작을 설명하기 위한 개념도.

본 발명에 의한 진공 처리 방법 및 진공 처리 장치의 일 실시 형태로서, 첨부 도면을 참조하여, 반도체 웨이퍼상에 박막을 형성하는 성막 처리를 실행하기 위한 낱장식 성막 처리 장치에 대하여 설명한다. 또한, 후술하는 바와 같이, 본 실시 형태에서는 제어 대상 파라미터로서의 처리 조건 중, 특히 처리 온도를 제어하는 경우를 예로 들어 설명한다.

도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 진공 처리 장치(2)는, 예컨대 알루미늄제의 원통 형상의 처리 용기(4)를 갖고 있다. 이 처리 용기(4)의 내부에는, 가열 수단으로서 예컨대 저항 가열식 히터(6)를 내장한 서셉터(8)가 설치되어 있다. 이 서셉터(8)는 피처리체인 반도체 웨이퍼(W)를 상면에 탑재할 수 있도록 되어 있다. 또한, 가열 수단으로서 저항 가열식 히터(6)를 대신하여 가열 램프 등을 사용할 수도 있다.

상기 처리 용기(4)의 천정부에는, 가스 공급 수단으로서 샤워 헤드(10)가 설치되어 있다. 이 샤워 헤드(10)에는, 가스 유로(12)로부터 처리 가스로서의 성막 가스 등의 필요한 가스가 공급된다. 또한, 가스 유로(12)에 삽입 설치한 매스 플로우 컨트롤러와 같은 유량 제어기(14)에 의해 가스의 유량을 제어하도록 되어 있다. 또한, 도시예에서는 가스 유로(12) 및 유량 제어기(14)를 하나씩 기재하고 있지 않지만, 실제로는 필요한 가스 종류에 따라 복수의 가스 유로 및 유량 제어기가 설치된다.

또한, 처리 용기(4)의 바닥부에는 배기구(16)가 설치되어 있고, 이 배기구(16)에는 배기 통로(18)가 접속되어 있다. 그리고, 이 배기 통로(18)에는, 자동 압력 조정 밸브(20) 및 진공 펌프(22) 등이 순차적으로 삽입 설치되고, 처리 용기(4)내의 분위기를 진공흡인할 수 있도록 되어 있다.

그리고, 상기 유량 제어기(14), 히터(6), 자동 압력 조정 밸브(20) 등이, 예컨대 마이크로 컴퓨터 등으로 구성되는 제어기(24)에 접속되어 있다. 그리고, 제어기(24)는, 예컨대 처리 온도, 처리 압력, 가스 유량 등의 처리 조건이 각각 소정의 값을 유지하도록 피드백 제어한다. 단, 본 실시 형태에서는, 상술한 바와 같이, 본 발명의 방법에 의해 처리 온도를 제어하는 경우에 초점을 맞추어 설명한다.

제어기(24)는, 예컨대 마이크로 컴퓨터로 구성되는 처리 조건 보상 수단(26)에 접속되어 있다. 이 처리 조건 보상 수단(26)은 입력된 설정 파라미터의 설정값에 기초하여, 제어 대상 파라미터의 목표값을 산출하고, 이것을 제어기(24)로 입력하도록 구성되어 있다.

여기서, 「제어 대상 파라미터」는 처리의 결과에 직접적으로 영향을 주는 파라미터를 가리키고, 이것에는 상술한 바와 같은 가스 유량, 처리 온도, 처리 압력 외에, 웨이퍼마다의 처리 시간 등의 각종 처리 조건이 포함된다. 본 실시 형태에서는, 제어 대상 파라미터로서 처리 온도를 사용하는 경우를 예로 들어 설명한다. 또한, 「설정 파라미터」는 처리 결과에 대응하는 파라미터를 가리키고, 이것에는 성막 처리에 의해 웨이퍼상에 형성된 박막의 두께, 시트 저항(금속막의 경우), 반사율, 응력 등이 포함된다. 본 실시 형태에서는, 설정 파라미터로서, 웨이퍼상에 형성된 박막의 두께를 사용하는 경우를 예로 들어 설명한다.

미리 설정된 성막 처리의 레시피(recipe)에 기초하여, 도시하지 않는 호스트 컴퓨터 등으로부터, 처리 온도 이외의 처리 압력, 가스 유량, 처리 시간 등의 처리조건의 목표값이 제어기(24)에 입력되고, 설정 파라미터인 막의 두께의 설정값(D_t)이 처리 조건 보상 수단(26)에 입력된다. 여기에는 처리 온도 이외의 처리 압력, 가스 유량, 처리 시간 등의 처리 조건의 목표값은 각각 일정값으로 설정되어 있다. 또한, 제어 대상 파라미터인 처리 온도의 목표값(r_t)은 처리 조건 보상 수단(26)에 의해 구해져서 제어기(24)에 입력된다.

처리 조건 보상 수단(26)에는, 웨이퍼 처리 매수의 증가에 따른 처리 용기(4)내의 상태 변화에 대응하는 모델 함수가 미리 기억되어 있다. 또한, 처리 조건 보상 수단(26)은, 입력되는 설정 파라미터인 막의 두께의 설정값(D_t)에 기초하여, 제어 대상 파라미터인 처리 온도의 목표값(r_t)을 산출하도록 되어 있다.

상술한 바와 같이, 성막 처리에 의해 웨이퍼상에 형성되는 박막의 두께는, 처리 용기내를 클리닝할 때마다, 또는 웨이퍼의 1배치(예컨대 25장) 처리마다 주기성을 갖고 변동한다. 따라서, 그와 같은 막의 두께의 변화 상태를 미리 실측해 둔다. 또한, 막의 두께가 변동하지 않고 일정해지는 처리 온도의 변화 상태를 구하고, 이것을 모델화한 모델 함수를 구한다. 그리고, 구해진 모델 함수를 미리 처리 조건 보상 수단(26)에 기억시켜 둔다.

본 실시 형태의 모델 함수로는, 자기 회귀 이동 평균 모델(ARMA : autoregressive moving-avarage model)을 사용하여, 이하의 수학식 1이 구해진다.

여기서, 각 기호는 아래와 같이 정의된다.

r_t: 제어 대상 파라미터(처리 온도)의 목표값

D_t: 설정 파라미터(막의 두께)의 설정값

A(Z^-1)=1+a₁·Z^-1+a₂·Z^-2+·····+a_n·Z^-n

B(Z^-1)=b₁·Z^-1+b₂·Z^-2+······+b_n·Z^-n

또한, a₁∼a_n(대표적으로 a_i라고도 기술함), b_1∼b_n(대표적으로 b_i라고도 기술함)은 각각 계수이다. Z^-1∼Z^-n(대표적으로 Z^-i라고도 기술함)은 시간 지연 연산자이다. Z^-i은「i」번 전에 있어서의 데이터, 즉 각 지연 시간마다의 막의 두께의 설정값과, 그 때 구한 처리 온도의 목표값이다. 또한, 매회, 동일 두께의 성막을 실행하고자 하는 경우는, 이 막 두께의 설정값은 각 Z^-i에 있어서 동일하게 된다.

상기 계수 a_i, b_i는, 예컨대 최소 2제곱법 내의 축차형 최소 2제곱법(recursive least squared method)과, 주기성을 갖고 변동하는 막의 두께의 실측값을 사용하여 구할 수 있다.

또한, 「n」은 이 모델 함수의 차원을 나타내고 있고, 통상은 3차 내지 4차의 모델 함수를 사용하면 무방하다. 이 차수 「n」에 상당하는 수만큼의 가장 근접한 데이터가 사용된다. 예컨대 차수가 「3」일 때에는, 1∼3매전까지의 웨이퍼처리시의 데이터(막의 두께의 설정값 및 처리 온도의 목표값)가 사용되고, 차수가 「4」일 때에는 1∼4매전까지의 웨이퍼 성막 처리시의 데이터가 사용된다. 예컨대 차수 n이 「3」인 경우에는 수학식 1은 이하와 같아진다.

이상과 같이 하여, 상기 수학식 1에 의해, 막의 두께에 대한 처리 온도의 웨이퍼 매수마다의 전달 함수, 즉 모델 함수를 얻을 수 있다.

상기 수학식 1은 자기 회귀 이동 평균 모델에 의해 구한 모델 함수이지만, 이에 한정되지 않고, 다른 모델, 예컨대 자기 회귀 모델(AR: autoregressive model)을 사용하여 모델 함수를 사용할 수도 있다. 이 경우에는, 상기 수학식 1에 있어서의 계수 a₁∼a_n이 제로로 되기 때문에 수학식 2와 같이 된다.

이상과 같은 모델　함수를 사용하면, 예컨대 도 2에 도시하는 바와 같이, 막의 두께의 설정값(D_t)이 동일해도, 처리된 웨이퍼의 매수에 따라, 그 때의 처리 온도의 목표값(r_t)이 상이해진다.

도 2에 나타내는 경우에는, 각 웨이퍼의 막의 두께를 일정하게 유지하기 위해서, 웨이퍼의 처리 매수가 많아짐에 따라서, 처리 온도의 목표값을 모델 함수에 기초하여 조금씩 상승시키고 있다. 또한, 웨이퍼상에 형성하는 막 종류에 따라서는, 역으로 웨이퍼의 처리 매수가 많아짐에 따라서 처리 온도의 목표값을 조금씩감소시키는 경우도 있을 수 있다. 그리고, 처리 용기내의 클리닝이 실행되면 「n」의 값이 「1」로 리셋되고, 또한 1장째부터 처리가 실행되게 된다. 또한, 실제 연산에서는, 모델 함수는 도 2에 나타내는 바와 같은 연속 함수가 아니라, 이산적인 함수로 된다.

이상 설명한 바와 같이, 처리 조건 보상 수단(26)에 의해 웨이퍼를 1장 처리할 때마다 적절한 처리 온도의 목표값이 요구되고, 이 목표값으로 되도록 처리 온도가 제어기(24)로 피드백 제어된다. 이로써, 복수매의 웨이퍼를 1장씩 연속하여 성막 처리하는 경우에 있어서, 처리 결과로서의 막의 두께의 재현성을 대폭 향상시키는 것이 가능해진다.

상기 실시 형태에서는 모델 함수의 각 계수, a₁∼a_n및 b₁∼b_n을 고정적으로 정한 경우를 예로 들어 설명했지만, 이에는 한정되지 않는다. 예컨대, 각 계수 a₁∼a_n및 b₁∼b_n을 동적으로, 즉 웨이퍼를 1장 처리할 때마다 보정하여 모델 함수를 갱신하도록 할 수도 있다. 이 경우, 직전에 성막 처리된 웨이퍼의 막의 두께를 즉시 막 두께 측정기 등으로 실측하여, 그 실측값을 처리 조건 보상 수단(26)에 입력한다. 처리 조건 보상 수단(26)은 입력된 막의 두께의 실측값을 사용하여, 예컨대 축차형 최소 2제곱법에 의해, 새로운 계수(a_i, b_i)를 구한다(도 1 참조).

이 때의 모델 함수의 각 계수(a_i, b_i)는 축차형 최소 2제곱법에 의해 이하와 같이 하여 구해진다.

N번째의 계수의 추정값*θ_N은 이하의 수학식 3과 같이 된다.

여기서 상기 P_N은 다음 수학식 4로 정의된다.

여기서, 첨자「*」는 추정값을 의미하고, 첨자「T」는 전치 행렬(transposed matrix)인 것을 의미하며, θ, P, Z, y는 각각 행렬을 나타낸다.

또한, 상기 각 문자는 다음 내용을 의미한다.

*θ_N: N번째의 추정값[a₁, a₂, …, a_n, b₁, b₂, …, b_n]

y_N: N번째의 출력값(여기에서는 막의 두께의 실측값)

P_N: N번째의 공분산 행렬(covariance matrix: 다음 추정값의 변화의 정도를 나타냄)

Z_N: [-y_N(n-1), …, y_N-1, U_N-(n-1), …, U_N-1]

여기에서 U_N은 행렬이고, 게다가 N번째의 조작량(여기서는 처리 온도의 목표값)이다.

이상의 조작을 실행하여, 웨이퍼를 1매 처리할 때마다, 그 막의 두께의 실측값으로 모델 함수의 계수(a_i, b_i)를 갱신한다. 이로써, 항상 막의 두께의 실측값에 적합한 모델 함수로 갱신할 수 있고, 막의 두께의 재현성을 한층 더 향상시키는 것이 가능해진다.

또한, 이 경우, 모델 함수를 사용하여 구해지는 데이터와 상기 실측값의 차가 소정값 이상인 때에는, 상기 데이터 및/또는 실측값이 적절하지 않은 것으로서 「이상임」으로 인식하도록 설정하는 것이 무방하다.

이 이상의 판정을 하는 식은 상기 수학식 3으로 쓰인 기호를 사용하여 하기의 수학식 5와 같이 주어진다.

여기서 부호「∥」은 이 부호로 둘러싸인 부분의 절대값을 나타내고, 「C」는 이상을 판정하기 위한 임의의 정수를 나타낸다.

이와 같이, 막의 두께의 실측값 등에 기초하여 이상인지 아닌지를 판정함으로써, 조작자는 성막 처리의 이상을 신속히 아는 것이 가능해진다.

또한, 상기 실시 형태에서는, 모델 함수의 계수(a_i, b_i)를 구하고, 혹은 갱신하기 위해서 축차형 최소 2제곱법을 사용했지만, 이에는 한정되지 않는다. 예컨대, 칼만 필터(Kalman filter), 최우추정법(maximum likelihood estimation) 등을 사용할 수도 있다.

또한, 본 실시 형태에서는 제어 대상 파라미터로서 처리 온도를 사용했지만,본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 제어 대상 파라미터로서는, 처리 결과로서의 막의 두께에 직접적으로 영향을 주는 파라미터이면 어떤 것을 사용할 수도 있다. 예컨대, 처리 시간(성막 시간), 처리 압력, 성막 가스의 공급량 등의 처리 조건을 제어 대상 파라미터로서 사용할 수도 있다. 이러한 제어 파라미터를 사용한 경우에는, 처리 온도는 연속적으로 일정하게 유지되는 것은 물론이다.

또한, 본 실시 형태에서는, 설정 파라미터로서 웨이퍼에 성막하는 막의 두께를 사용하는 경우를 예로 들어 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 설정 파라미터로는, 처리 결과로서의 막의 두께에 대하여 일정한 관계로 대응하는 파라미터라면 어떤 것이어도 무방하다. 예컨대, 웨이퍼상에 금속막을 성막하는 경우에는, 금속막의 시트 저항값을 설정 파라미터로서 사용하도록 할 수도 있다.

또한, 처리 조건 보상 수단(26)에 의해 웨이퍼를 1장 처리할 때마다 제어 대상 파라미터의 목표값을 산출하는 경우에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 웨이퍼 처리 매수의 증가에 의한 처리 용기내의 상태 변화가 비교적 완만한 경우 등에는, 웨이퍼를 2매 이상 처리할 때마다 제어 대상 파라미터의 목표값을 산출하도록 할 수도 있다.

본 발명은, CVD 성막 등의 성막 처리에 적절히 이용할 수 있고, 특히, W(텅스텐), WSix, Ti(티타늄), TiN막 등을 성막할 때에 효과적이다. 단, 본 발명은 그러한 성막 처리에 한정되는 것이 아니라, 진공 처리 용기내에서 반도체 웨이퍼에 대하여 실행되는 에칭 처리, 어닐링 처리, 애싱(ashing) 처리 등의 각종 진공 처리에 적용하는 것이 가능하다. 또한, 피처리체도 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고,LCD 기판, 유리 기판 등의 다른 피처리체에도 본 발명을 적용할 수 있는 것은 물론이다.

Claims

진공 처리 용기내에 있어서, 피처리체의 처리수의 증가에 따라 상기 처리 용기내의 상태가 변화되는 처리를 실행하는 진공 처리 방법에 있어서,

상기 처리의 결과에 직접적으로 영향을 주는 제어 대상 파라미터를 그 목표값으로 유지하도록 제어하면서 상기 처리를 실행할 때,

미리 상기 처리 용기내의 상태 변화에 대응하는 모델 함수를 구하고,

1 내지 복수의 피처리체를 처리할 때마다, 상기 처리의 결과에 대응하는 설정 파라미터의 설정값과, 상기 모델 함수에 기초하여, 상기 제어 대상 파라미터의 목표값을 산출하는 것을 특징으로 하는

진공 처리 방법.
제 1 항에 있어서,

피처리체의 처리 결과의 실측값에 기초하여 상기 모델 함수를 갱신하는 것을 특징으로 하는

진공 처리 방법.
제 2 항에 있어서,

상기 모델 함수를 사용하여 구해지는 데이터와 상기 실측값의 차이가 기준값 이상일 때에는, 상기 데이터 및/또는 상기 실측값이 이상(異常)이라 간주하는 것을특징으로 하는

진공 처리 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 모델 함수는 최소 2제곱법, 칼만 필터 및 최우추정법 중 어느 하나에 의해 구해지는 것을 특징으로 하는

진공 처리 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 처리는 상기 처리 용기내에 성막 가스를 공급하여 피처리체상에 박막을 형성할 때,

상기 설정 파라미터는 상기 막의 두께와 상기 막의 시트 저항 중 어느 하나이고,

상기 제어 대상 파라미터는 상기 처리 용기내에서의 처리 온도, 피처리체마다의 처리 시간 및 상기 성막 가스의 공급량 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는

진공 처리 방법.
제 5 항에 있어서,

피처리체의 처리 결과로서의 상기 막의 두께의 실측값에 기초하여 상기 모델 함수를 갱신하는 것을 특징으로 하는

진공 처리 방법.
피처리체를 수납하는 진공 처리 용기를 구비하고, 상기 처리 용기내에서, 피처리체의 처리수의 증가에 수반하여, 상기 처리 용기내의 상태가 변화하는 처리를 실행하는 진공 처리 장치에 있어서,

상기 처리 결과에 직접적으로 영향을 주는 제어 대상 파라미터를 그 목표값으로 유지하는 제어를 실행하는 제어기와,

상기 처리 용기내의 상태 변화에 대응하는 모델 함수를 미리 기억하는 동시에, 상기 처리 결과에 대응하는 설정 파라미터의 설정값과, 상기 모델 함수에 기초하여, 상기 제어 대상 파라미터의 목표값을 산출하는 처리 조건 보상 수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는

진공 처리 장치.
제 7 항에 있어서,

상기 보상 수단은 피처리체의 처리 결과의 실측값에 기초하여 상기 모델 함수를 갱신하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는

진공 처리 장치.