KR20030096408A - 범용 백플레인 조립체 및 방법 - Google Patents
범용 백플레인 조립체 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20030096408A KR20030096408A KR10-2003-7014947A KR20037014947A KR20030096408A KR 20030096408 A KR20030096408 A KR 20030096408A KR 20037014947 A KR20037014947 A KR 20037014947A KR 20030096408 A KR20030096408 A KR 20030096408A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- faceplate
- substrate
- backplane
- contact surface
- backplane base
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
Claims (68)
- 액세스 포트를 가진 배기 가능한 진공실을 포함하는 기판 처리 시스템내에서 순차적으로 상이한 구성 및/또는 크기의 기판을 처리하는 백플레인 조립체로서,상기 기판 처리 시스템의 진공실내와, 기판을 처리하기에 적절한 위치에 설치 가능한 백플레인 베이스,상기 액세스 포트를 통해 삽입 가능하고, 상기 백플레인 베이스에 제거할 수 있게 설치 가능하도록 크기가 정해진 제 1 면판으로서, 대응하는 크기 및/또는 구성의 제 1 타입의 기판과의 효율적인 열 접촉을 제공하도록 크기가 정해지고 구성된 제 1 접촉면을 갖는 제 1 면판 및,상기 액세스 포트를 통해 삽입 가능하고, 상기 백플레인 베이스에 제거할 수 있게 설치 가능하도록 크기가 정해진 제 2 면판으로서, 대응하는 크기 및/또는 구성의 제 2 타입의 기판과의 효율적인 열 접촉을 제공하도록 상기 제 1 접촉면과 상이하게 크기가 정해지고 구성된 제 2 접촉면을 갖는 제 2 면판을 구비하는데, 상기 제 1 면판 및 상기 제 2 면판은, 진공실내에서 제각기 상기 제 1 및 2 타입의 기판을 선택적으로 처리하기 위해 결합 구성을 형성하도록 상기 백플레인 베이스에 선택적으로 설치 가능한, 백플레인 조립체.
- 제 1 항에 있어서,상기 액세스 포트를 통해 삽입 가능하고, 상기 백플레인 베이스에 제거할 수있게 설치 가능하도록 크기가 정해진 제 3 면판을 더 포함하는데, 상기 제 3 면판은 대응하는 크기 및/또는 구성의 제 3 타입의 기판과의 효율적인 열 접촉을 제공하도록 특별하게 크기가 정해지고 구성된 접촉면을 가지며, 상기 제 1 면판, 상기 제 2 면판 및 상기 제 3 면판은, 진공실내에서 제각기 상기 제 1, 2 및 3 타입의 기판을 선택적으로 처리하기 위해 결합 구성을 형성하도록 상기 백플레인 베이스에 선택적으로 설치 가능한 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 1 항에 있어서,2 이상의 다수의 면판을 더 포함하는데, 상기 면판의 각각은, 상기 액세스 포트를 통해 삽입 가능하고, 상기 백플레인 베이스에 제거할 수 있게 설치 가능하도록 크기가 정해지며, 상기 면판의 각각은 대응하는 크기 및/또는 구성의 타입의 기판과의 효율적인 열 접촉을 제공하도록 특별하게 크기가 정해지고 구성된 접촉면을 가지며, 상기 면판은, 진공실내에서 제각기 2 이상의 타입의 기판을 선택적으로 처리하기 위해 결합 구성을 형성하도록 상기 백플레인 베이스에 선택적으로 설치 가능한 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 1 항에 있어서,상기 백플레인 베이스는 열 전달 가스 입구 통로를 포함하고,상기 제 1 면판은 제 1 단부 및 제 2 단부를 가진 제 1 입구 포트를 포함하는데, 상기 제 1 단부는, 대응하는 상기 제 1 면판이 결합 구성을 형성하도록 상기백플레인 베이스에 설치될 시에 제 1 접촉면으로의 열 전달 가스의 흐름을 지향하는 열 전달 가스 입구 통로에 설치 가능하며,상기 제 2 면판은 제 1 단부 및 제 2 단부를 가진 제 2 입구 포트를 포함하는데, 상기 제 2 입구 포트의 상기 제 1 단부는, 상기 제 2 면판이 결합 구성을 형성하도록 상기 백플레인 베이스에 설치될 시에 제 2 접촉면으로의 열 전달 가스의 흐름을 지향하기 위해 열 전달 가스 입구 통로에 설치 가능한 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 4 항에 있어서,상기 백플레인 베이스는 열 전달 가스 배기 통로를 포함하고,상기 제 1 면판은 제 1 단부 및 제 2 단부를 가진 제 1 배기 포트를 포함하는데, 상기 제 1 배기 포트의 상기 제 1 단부는, 상기 제 1 면판이 결합 구성을 형성하도록 상기 백플레인 베이스에 설치될 시에 제 1 접촉면으로부터 열 전달 가스를 배출하기 위해 열 전달 가스 배기 통로에 설치 가능하며,상기 제 2 면판은 제 1 단부 및 제 2 단부를 가진 제 2 배기 포트를 포함하는데, 상기 제 2 배기 포트의 상기 제 1 단부는, 상기 제 2 면판이 결합 구성을 형성하도록 상기 백플레인 베이스에 설치될 시에 제 2 접촉면으로부터 열 전달 가스를 배출하기 위해 열 전달 가스 배기 통로에 설치 가능한 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 1 접촉면은 상기 제 1 접촉면 근처의 기판 아래의 상기 제 1 가스 입구 포트의 제 2 단부로부터 상기 제 1 가스 배기 포트의 제 2 단부로 열 전달 가스의 흐름을 지향하도록 구성된 제 1 가스 채널을 포함하고,상기 제 2 접촉면은 상기 제 2 접촉면 근처의 기판 아래의 상기 제 2 가스 입구 포트의 제 2 단부로부터 상기 제 2 가스 배기 포트의 제 2 단부로 열 전달 가스의 흐름을 지향하도록 구성된 제 2 가스 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 1 가스 채널은, 상기 제 1 접촉면의 주변으로 연장하는 제 1 주변 가스 채널, 상기 제 1 가스 입구 포트로부터 상기 제 1 주변 가스 채널로 연장하는 제 1 연결 가스 채널 및, 상기 제 1 가스 배기 포트로부터 상기 제 1 주변 가스 채널로 연장하는 제 2 연결 가스 채널을 포함하고,상기 제 2 가스 채널은, 상기 제 2 접촉면의 주변으로 연장하는 주변 가스 채널, 상기 제 2 가스 입구 포트로부터 상기 제 2 주변 가스 채널로 연장하는 제 3 연결 가스 채널 및, 상기 제 2 가스 배기 포트로부터 상기 제 2 주변 가스 채널로 연장하는 제 4 연결 가스 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 접촉면은 원형 외부 림을 가지며, 상기 제 1 주변 가스 채널은 상기 외부 림의 주변으로 연장하며, 상기 제 1 및 2 연결 가스 채널은 상기 제 1 가스 입구 포트에서 상기 제 1 주변 가스 채널로 방사상으로 연장하며,상기 제 2 접촉면은 원형 외부 림을 가지며, 상기 제 2 주변 가스 채널은 상기 외부 림의 주변으로 연장하며, 상기 제 3 및 4 연결 가스 채널은 상기 제 2 가스 입구 포트에서 상기 제 2 주변 가스 채널로 방사상으로 연장하는 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 4 항에 있어서,결합 구성을 형성하도록 상기 제 1 및 2 면판 중의 하나를 백플레인 베이스에 설치하기 위한 상기 제 1 및 2 입구 포트 중의 설치된 하나 및 상기 열 전달 가스 입구 통로내에 스레딩하게 수용되는 배기 설치 볼트를 더 포함하는데, 상기 배기 설치 볼트는 상기 제 1 및 2 가스 입구 포트 중의 하나로부터 상기 제 1 및 2 가스 입구 포트 중의 대응하는 하나로 열 전달 가스의 흐름을 허용하는 중앙 보어를 가지는 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 1 접촉면은 상기 제 1 접촉면 근처의 기판 아래의 상기 제 1 가스 입구 포트의 제 2 단부로부터 열 전달 가스의 흐름을 지향하도록 구성된 제 1 가스 채널을 포함하고,상기 제 2 접촉면은 상기 제 2 접촉면 근처의 기판 아래의 상기 제 2 가스 입구 포트의 제 2 단부로부터 열 전달 가스의 흐름을 지향하도록 구성된 제 2 가스 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 10 항에 있어서,상기 제 1 가스 채널은, 상기 제 1 접촉면의 주변으로 연장하는 제 1 주변 가스 채널 및, 상기 제 1 가스 입구 포트로부터 상기 제 1 주변 가스 채널로 연장하는 제 1 연결 가스 채널을 포함하고,상기 제 2 가스 채널은, 상기 제 2 접촉면의 주변으로 연장하는 주변 가스 채널 및, 상기 제 2 가스 입구 포트로부터 상기 제 2 주변 가스 채널로 연장하는 제 2 연결 가스 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1 접촉면은 원형 외부 림을 가지며, 상기 제 1 주변 가스 채널은 상기 외부 림의 주변으로 연장하며, 상기 제 1 연결 가스 채널은 상기 제 1 가스 입구 포트에서 상기 제 1 주변 가스 채널로 방사상으로 연장하며,상기 제 2 접촉면은 원형 외부 림을 가지며, 상기 제 2 주변 가스 채널은 상기 외부 림의 주변으로 연장하며, 상기 제 2 연결 가스 채널은 상기 제 2 가스 입구 포트에서 상기 제 2 주변 가스 채널로 방사상으로 연장하는 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 면판은 상기 제 1 접촉면과 대향한 제 1 결합면 및 제 1 패스닝 구조를 포함하고,상기 제 2 면판은 상기 제 2 접촉면과 대향한 제 2 결합면 및 제 2 패스닝 구조를 포함하며, 그리고상기 백플레인 베이스는 제 3 결합면 및 제 3 패스닝 구조를 더 포함하는데, 상기 제 1 면판이 상기 백플레인 베이스에 설치되고, 상기 제 1 및 3 패스닝 구조가 맞물릴 시에는 상기 제 1 및 3 결합면 사이로 열 에너지가 전달되고, 상기 제 2 면판이 상기 백플레인 베이스에 설치되고, 상기 제 2 및 3 패스닝 구조가 맞물릴 시에는 상기 제 2 및 3 결합면 사이로 열 에너지가 전달되는 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 13 항에 있어서,상기 제 1 면판은 상기 제 1 결합면의 외부 주변을 둘러싼 제 1 플랜지를 포함하고, 상기 제 1 패스닝 구조는 상기 제 1 플랜지에 대한 다수의 제 1 관통 홀을 포함하며,상기 제 2 면판은 상기 제 2 결합면의 외부 주변을 둘러싼 제 2 플랜지를 포함하고, 상기 제 2 패스닝 구조는 상기 제 2 플랜지에 대한 다수의 제 2 관통 홀을 포함하며,상기 제 3 결합면은 다수의 스레드 홀을 포함하고, 상기 다수의 제 1 관통 홀은 상기 제 1 및 3 결합면의 하나 이상의 각도 방향에 대해 스레드 홀과 정렬할 수 있도록 조정되며, 상기 다수의 제 2 관통 홀은 상기 제 2 및 3 결합면의 하나 이상의 각도 방향에 대해 스레드 홀과 정렬할 수 있도록 조정되며, 그리고다수의 스레드 패스너는 상기 다수의 제 1 관통 홀 및 상기 다수의 제 1 관통 홀내에 삽입 가능하고, 상기 스레드 패스너는 상기 제 1 및 2 면판 중의 하나를 상기 백플레인 베이스에 선택적으로 설치하기 위한 스레드 홀에 패스닝할 수 있는 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 1 플랜지는 원형이고, 상기 다수의 제 1 관통 홀은 상기 제 1 플랜지의 주변에 배치되며,상기 제 2 플랜지는 원형이고, 상기 다수의 제 2 관통 홀은 상기 제 2 플랜지의 주변에 배치되며,상기 다수의 스레드 홀은 상기 제 3 결합면에 원형 패턴으로 배치됨으로써, 상기 다수의 제 1 관통 홀은 상기 제 1 및 3 결합면의 하나 이상의 각도 방향에 대해 스레드 홀과 회전 가능하게 정렬할 수 있고, 상기 다수의 제 2 관통 홀은 상기 제 2 및 3 결합면의 하나 이상의 각도 방향에 대해 스레드 홀과 회전 가능하게 정렬할 수 있는 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 15 항에 있어서,상기 다수의 제 1 관통 홀은 상기 관통 홀 사이에 실질적으로 동일한 각도 스페이싱을 제공하도록 상기 제 1 플랜지의 주변에 배치되고,상기 다수의 제 2 관통 홀은 상기 관통 홀 사이에 실질적으로 동일한 각도 스페이싱을 제공하도록 상기 제 2 플랜지의 주변에 배치되며,상기 다수의 스레드 홀은 상기 스레드 홀 사이에 실질적으로 동일한 각도 스페이싱을 제공하도록 상기 제 3 결합면의 주변에 배치되는 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 13 항에 있어서,상기 제 1 결합면은 상기 제 1 면판이 상기 백플레인 베이스에 설치될 시에 상기 제 1 및 3 패스닝 구조를 정렬하는 제 1 위치 소자를 포함하고,상기 제 2 결합면은 상기 제 2 면판이 상기 백플레인 베이스에 설치될 시에 상기 제 2 및 3 패스닝 구조를 정렬하는 제 2 위치 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 17 항에 있어서,상기 제 1 위치 소자는 상기 제 1 면판이 상기 백플레인 베이스에 설치될 시에 상기 백플레인 베이스와 상기 제 1 면판 사이의 정렬을 반복적으로 행할 수 있으며,상기 제 2 위치 소자는 상기 제 2 면판이 상기 백플레인 베이스에 설치될 시에 상기 백플레인 베이스와 상기 제 2 면판 사이의 정렬을 반복적으로 행할 수 있는 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 면판은 상기 제 1 접촉면과 대향한 제 1 결합면을 포함하고,상기 제 2 면판은 상기 제 2 접촉면과 대향한 제 2 결합면을 포함하며,상기 백플레인 베이스는 제 3 결합면을 더 포함하는데, 상기 제 1, 2 및 3 결합면은, 상기 제 1 면판이 상기 백플레인 베이스에 설치될 시에 상기 제 1 및 3 결합면 사이의 열 에너지의 효율적인 전달, 또는 상기 제 2 면판이 상기 백플레인 베이스에 설치될 시에는 상기 제 2 및 3 결합면 사이의 열 에너지의 효율적인 전달을 촉진시키도록 조절되는 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 19 항에 있어서,상기 제 1 및 3 결합면은 상기 제 1 면판이 상기 백플레인 베이스와 맞물릴 시에 실질적으로 직접 및 연속 접촉을 가지고,상기 제 2 및 3 결합면은 상기 제 2 면판이 상기 백플레인 베이스와 맞물릴 시에 실질적으로 직접 및 연속 접촉을 가지는 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 19 항에 있어서,상기 제 1, 2 및 3 결합면은 무전해 니켈 층으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 19 항에 있어서,상기 제 1 및 3 결합면은 상기 제 1 면판이 상기 백플레인 베이스와 맞물릴 시에 전도성 열 전달 관계를 가지고,상기 제 2 및 3 결합면은 상기 제 2 면판이 상기 백플레인 베이스와 맞물릴 시에 전도성 열 전달 관계를 가지는 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 1 항에 있어서,상기 백플레인 베이스는 처리 시스템의 진공실내의 미리 정해진 장소에 기판을 유지하는 기판 홀더에 대해 맞물린 위치와 맞물리지 않은 위치 사이에서 이동 가능하고,상기 제 1 접촉면은 상기 기판 홀더에 의해 유지된 제 1 타입의 기판에 직면한 제 1 볼록 만곡부를 가지며, 상기 기판은 상기 백플레인 베이스가 상기 맞물린 위치로 이동될 시에 상기 제 1 볼록 만곡부에 실질적으로 일치하도록 구부려지며,상기 제 2 접촉면은 상기 기판 홀더에 의해 유지된 제 2 타입의 기판에 직면한 제 2 볼록 만곡부를 가지며, 상기 기판은 상기 백플레인 베이스가 상기 맞물린 위치로 이동될 시에 상기 제 2 볼록 만곡부에 실질적으로 일치하도록 구부려지는것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 접촉면은 상기 제 1 타입의 기판의 디스크형 표면과 접촉하는 원형이고, 상기 제 1 타입의 기판의 외부 직경보다 약간 더 큰 제 1 외부 직경을 가지며,상기 제 2 접촉면은 상기 제 2 타입의 기판의 디스크형 표면과 접촉하는 원형이고, 상기 제 2 타입의 기판의 외부 직경보다 약간 더 큰 제 2 외부 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 24 항에 있어서,상기 제 1 외부 직경은 약 150 밀리미터 보다 약간 더 크고,상기 제 2 외부 직경은 약 200 밀리미터 보다 약간 더 큰 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 1 항에 있어서,상기 백플레인 베이스는,주변 온도 이상의 기판 및 백플레인 조립체의 온도를 선택적으로 상승시키는 가열 소자 및,상기 가열 소자에 인접하여, 상기 가열 소자를 주변 온도로 다시 급속히 냉각시키기 위해 냉장 유체의 흐름을 선택적으로 수용하는 냉각 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 1 항에 있어서,상기 백플레인 베이스는,상기 백플레인 베이스를 상기 진공실에 설치하기 위한 플랜지,상기 기판 및 백플레인 조립체의 온도를 선택적으로 상승시키기 위한 가열 소자 및,상기 가열 소자에 인접하여, 상기 플랜지를 냉각시키기 위해 냉장 유체의 흐름을 선택적으로 수용하는 냉각 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 제 1 항에 있어서,상기 백플레인 베이스는,상기 제 1 및 2 면판의 각각과의 효율적인 열 접촉을 확립하기 위한 결합면 및,상기 결합면에 인접하여 위치되고, 상기 결합면 밑의 가까운 거리에 위치되는 열전쌍 센서를 포함하는데, 상기 열전쌍 센서는 상기 백플레인 베이스에 설치된 상기 제 1 및 2 면판 중의 하나에 자동으로 결합되어, 상기 설치된 면판 근처의 상기 백플레인 베이스의 온도를 검출하는 것을 특징으로 하는 백플레인 조립체.
- 순차적으로 상이한 구성 및/또는 크기의 기판을 처리하는 기판 처리 시스템으로서,배기 가능한 처리 스페이스 및 액세스 포트를 가진 진공실,상기 진공실내에 위치되어, 처리하기에 적절한 위치내에 기판을 지지하는 기판 홀더 및,백플레인 조립체를 구비하는데,상기 백플레인 조립체는,상기 진공실내에 설치된 백플레인 베이스,상기 액세스 포트를 통해 삽입 가능하고, 상기 백플레인 베이스에 제거할 수 있게 설치 가능하도록 크기가 정해진 제 1 면판으로서, 대응하는 크기 및/또는 구성의 제 1 타입의 기판과의 효율적인 열 접촉을 제공하도록 크기가 정해지고 구성된 제 1 접촉면을 갖는 제 1 면판 및,상기 액세스 포트를 통해 삽입 가능하고, 상기 백플레인 베이스에 제거할 수 있게 설치 가능하도록 크기가 정해진 제 2 면판으로서, 대응하는 크기 및/또는 구성의 제 2 타입의 기판과의 효율적인 열 접촉을 제공하도록 상기 제 1 접촉면과 상이하게 크기가 정해지고 구성된 제 2 접촉면을 갖는 제 2 면판을 포함하는데, 상기 제 1 면판 및 상기 제 2 면판은, 진공실내에서 제각기 상기 제 1 및 2 타입의 기판을 선택적으로 처리하기 위해 결합 구성을 형성하도록 상기 백플레인 베이스에 선택적으로 설치 가능한, 기판 처리 시스템.
- 제 29 항에 있어서,상기 기판의 노출면에 적용하기 위한 코팅 재료를 공급하는 코팅 재료원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 29 항에 있어서,상기 백플레인 베이스는,주변 온도 이상의 기판 및 백플레인 조립체의 온도를 선택적으로 상승시키는 가열 소자 및,상기 가열 소자에 인접하여, 상기 가열 소자를 주변 온도로 다시 급속히 냉각시키기 위해 냉장 유체의 흐름을 선택적으로 수용하는 냉각 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 30 항에 있어서,상기 가열기에 전기적으로 결합된 가열기 제어 유닛 및,상기 냉각 시스템에 유동적으로 결합되어, 상기 냉장 유체의 흐름을 공급하는 유체 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 29 항에 있어서,상기 백플레인 베이스는,상기 백플레인 베이스를 상기 진공실에 설치하기 위한 플랜지,상기 기판 및 백플레인 조립체의 온도를 선택적으로 상승시키기 위한 가열 소자 및,상기 가열 소자에 인접하여, 상기 플랜지를 냉각시키기 위해 냉장 유체의 흐름을 선택적으로 수용하는 냉각 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 33 항에 있어서,상기 가열기에 전기적으로 결합되어, 상기 가열기를 선택적으로 활성화시키는 가열기 제어 유닛 및,상기 냉각 시스템에 결합되어, 냉각액의 흐름을 선택적으로 공급하는 유체 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 29 항에 있어서,상기 액세스 포트를 통해 삽입 가능하고, 상기 백플레인 베이스에 제거할 수 있게 설치 가능하도록 크기가 정해진 제 3 면판을 더 포함하는데, 상기 제 3 면판은 대응하는 크기 및/또는 구성의 제 3 타입의 기판과의 효율적인 열 접촉을 제공하도록 특별하게 크기가 정해지고 구성된 접촉면을 가지며, 상기 제 1 면판, 상기 제 2 면판 및 상기 제 3 면판은, 진공실내에서 제각기 상기 제 1, 2 및 3 타입의 기판을 선택적으로 처리하기 위해 결합 구성을 형성하도록 상기 백플레인 베이스에선택적으로 설치 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 29 항에 있어서,2 이상의 다수의 면판을 더 포함하는데, 상기 면판의 각각은, 상기 액세스 포트를 통해 삽입 가능하고, 상기 백플레인 베이스에 제거할 수 있게 설치 가능하도록 크기가 정해지며, 상기 면판의 각각은 대응하는 크기 및/또는 구성의 타입의 기판과의 효율적인 열 접촉을 제공하도록 특별하게 크기가 정해지고 구성된 접촉면을 가지며, 상기 면판은, 진공실내에서 제각기 2 이상의 타입의 기판을 선택적으로 처리하기 위해 결합 구성을 형성하도록 상기 백플레인 베이스에 선택적으로 설치 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 29 항에 있어서,상기 백플레인 베이스는 열 전달 가스 입구 통로를 포함하고,상기 제 1 면판은 제 1 단부 및 제 2 단부를 가진 제 1 입구 포트를 포함하는데, 상기 제 1 단부는, 대응하는 상기 제 1 면판이 결합 구성을 형성하도록 상기 백플레인 베이스에 설치될 시에 제 1 접촉면으로의 열 전달 가스의 흐름을 지향하는 열 전달 가스 입구 통로에 설치 가능하며,상기 제 2 면판은 제 1 단부 및 제 2 단부를 가진 제 2 입구 포트를 포함하는데, 상기 제 2 입구 포트의 상기 제 1 단부는, 상기 제 2 면판이 결합 구성을 형성하도록 상기 백플레인 베이스에 설치될 시에 제 2 접촉면으로의 열 전달 가스의흐름을 지향하기 위해 열 전달 가스 입구 통로에 설치 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 29 항에 있어서,상기 백플레인 베이스는 열 전달 가스 배기 통로를 포함하고,상기 제 1 면판은 제 1 단부 및 제 2 단부를 가진 제 1 배기 포트를 포함하는데, 상기 제 1 배기 포트의 상기 제 1 단부는, 상기 제 1 면판이 결합 구성을 형성하도록 상기 백플레인 베이스에 설치될 시에 제 1 접촉면으로부터 열 전달 가스를 배출하기 위해 열 전달 가스 배기 통로에 설치 가능하며,상기 제 2 면판은 제 1 단부 및 제 2 단부를 가진 제 2 배기 포트를 포함하는데, 상기 제 2 배기 포트의 상기 제 1 단부는, 상기 제 2 면판이 결합 구성을 형성하도록 상기 백플레인 베이스에 설치될 시에 제 2 접촉면으로부터 열 전달 가스를 배출하기 위해 열 전달 가스 배기 통로에 설치 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 38 항에 있어서,상기 제 1 접촉면은 상기 제 1 접촉면 근처의 기판 아래의 상기 제 1 가스 입구 포트의 제 2 단부로부터 상기 제 1 가스 배기 포트의 제 2 단부로 열 전달 가스의 흐름을 지향하도록 구성된 제 1 가스 채널을 포함하고,상기 제 2 접촉면은 상기 제 2 접촉면 근처의 기판 아래의 상기 제 2 가스입구 포트의 제 2 단부로부터 상기 제 2 가스 배기 포트의 제 2 단부로 열 전달 가스의 흐름을 지향하도록 구성된 제 2 가스 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 39 항에 있어서,상기 제 1 가스 채널은, 상기 제 1 접촉면의 주변으로 연장하는 제 1 주변 가스 채널, 상기 제 1 가스 입구 포트로부터 상기 제 1 주변 가스 채널로 연장하는 제 1 연결 가스 채널 및, 상기 제 1 가스 배기 포트로부터 상기 제 1 주변 가스 채널로 연장하는 제 2 연결 가스 채널을 포함하고,상기 제 2 가스 채널은, 상기 제 2 접촉면의 주변으로 연장하는 주변 가스 채널, 상기 제 2 가스 입구 포트로부터 상기 제 2 주변 가스 채널로 연장하는 제 3 연결 가스 채널 및, 상기 제 2 가스 배기 포트로부터 상기 제 2 주변 가스 채널로 연장하는 제 4 연결 가스 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 40 항에 있어서,상기 제 1 접촉면은 원형 외부 림을 가지며, 상기 제 1 주변 가스 채널은 상기 외부 림의 주변으로 연장하며, 상기 제 1 및 2 연결 가스 채널은 상기 제 1 가스 입구 포트에서 상기 제 1 주변 가스 채널로 방사상으로 연장하며,상기 제 2 접촉면은 원형 외부 림을 가지며, 상기 제 2 주변 가스 채널은 상기 외부 림의 주변으로 연장하며, 상기 제 3 및 4 연결 가스 채널은 상기 제 2 가스 입구 포트에서 상기 제 2 주변 가스 채널로 방사상으로 연장하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 37 항에 있어서,결합 구성을 형성하도록 상기 제 1 및 2 면판 중의 하나를 백플레인 베이스에 설치하기 위한 상기 제 1 및 2 입구 포트 중의 설치된 하나 및 상기 열 전달 가스 입구 통로내에 스레딩하게 수용되는 배기 설치 볼트를 더 포함하는데, 상기 배기 설치 볼트는 상기 제 1 및 2 가스 입구 포트 중의 하나로부터 상기 제 1 및 2 가스 입구 포트 중의 대응하는 하나로 열 전달 가스의 흐름을 허용하는 중앙 보어를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 37 항에 있어서,상기 제 1 접촉면은 상기 제 1 접촉면 근처의 기판 아래의 상기 제 1 가스 입구 포트의 제 2 단부로부터 열 전달 가스의 흐름을 지향하도록 구성된 제 1 가스 채널을 포함하고,상기 제 2 접촉면은 상기 제 2 접촉면 근처의 기판 아래의 상기 제 2 가스 입구 포트의 제 2 단부로부터 열 전달 가스의 흐름을 지향하도록 구성된 제 2 가스 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 37 항에 있어서,상기 제 1 가스 채널은, 상기 제 1 접촉면의 주변으로 연장하는 제 1 주변 가스 채널 및, 상기 제 1 가스 입구 포트로부터 상기 제 1 주변 가스 채널로 연장하는 제 1 연결 가스 채널을 포함하고,상기 제 2 가스 채널은, 상기 제 2 접촉면의 주변으로 연장하는 주변 가스 채널 및, 상기 제 2 가스 입구 포트로부터 상기 제 2 주변 가스 채널로 연장하는 제 2 연결 가스 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 44 항에 있어서,상기 제 1 접촉면은 원형 외부 림을 가지며, 상기 제 1 주변 가스 채널은 상기 외부 림의 주변으로 연장하며, 상기 제 1 연결 가스 채널은 상기 제 1 가스 입구 포트에서 상기 제 1 주변 가스 채널로 방사상으로 연장하며,상기 제 2 접촉면은 원형 외부 림을 가지며, 상기 제 2 주변 가스 채널은 상기 외부 림의 주변으로 연장하며, 상기 제 2 연결 가스 채널은 상기 제 2 가스 입구 포트에서 상기 제 2 주변 가스 채널로 방사상으로 연장하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 29 항에 있어서,상기 제 1 면판은 상기 제 1 접촉면과 대향한 제 1 결합면 및 제 1 패스닝 구조를 포함하고,상기 제 2 면판은 상기 제 2 접촉면과 대향한 제 2 결합면 및 제 2 패스닝구조를 포함하며,상기 백플레인 베이스는 제 3 결합면 및 제 3 패스닝 구조를 더 포함하는데, 상기 제 1 면판이 상기 백플레인 베이스에 설치되고, 상기 제 1 및 3 패스닝 구조가 맞물릴 시에는 상기 제 1 및 3 결합면 사이로 열 에너지가 전달되고, 상기 제 2 면판이 상기 백플레인 베이스에 설치되고, 상기 제 2 및 3 패스닝 구조가 맞물릴 시에는 상기 제 2 및 3 결합면 사이로 열 에너지가 전달되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 46 항에 있어서,상기 제 1 면판은 상기 제 1 결합면의 외부 주변을 둘러싼 제 1 플랜지를 포함하고, 상기 제 1 패스닝 구조는 상기 제 1 플랜지에 대한 다수의 제 1 관통 홀을 포함하며,상기 제 2 면판은 상기 제 2 결합면의 외부 주변을 둘러싼 제 2 플랜지를 포함하고, 상기 제 2 패스닝 구조는 상기 제 2 플랜지에 대한 다수의 제 2 관통 홀을 포함하며,상기 제 3 결합면은 다수의 스레드 홀을 포함하고, 상기 다수의 제 1 관통 홀은 상기 제 1 및 3 결합면의 하나 이상의 각도 방향에 대해 스레드 홀과 정렬할 수 있도록 조정되며, 상기 다수의 제 2 관통 홀은 상기 제 2 및 3 결합면의 하나 이상의 각도 방향에 대해 스레드 홀과 정렬할 수 있도록 조정되며, 그리고다수의 스레드 패스너는 상기 다수의 제 1 관통 홀 및 상기 다수의 제 1 관통 홀내에 삽입 가능하고, 상기 스레드 패스너는 상기 제 1 및 2 면판 중의 하나를 상기 백플레인 베이스에 선택적으로 설치하기 위한 스레드 홀에 패스닝할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 47 항에 있어서,상기 제 1 플랜지는 원형이고, 상기 다수의 제 1 관통 홀은 상기 제 1 플랜지의 주변에 배치되며,상기 제 2 플랜지는 원형이고, 상기 다수의 제 2 관통 홀은 상기 제 2 플랜지의 주변에 배치되며,상기 다수의 스레드 홀은 상기 제 3 결합면에 원형 패턴으로 배치됨으로써, 상기 다수의 제 1 관통 홀은 상기 제 1 및 3 결합면의 하나 이상의 각도 방향에 대해 스레드 홀과 회전 가능하게 정렬할 수 있고, 상기 다수의 제 2 관통 홀은 상기 제 2 및 3 결합면의 하나 이상의 각도 방향에 대해 스레드 홀과 회전 가능하게 정렬할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 48 항에 있어서,상기 다수의 제 1 관통 홀은 상기 관통 홀 사이에 실질적으로 동일한 각도 스페이싱을 제공하도록 상기 제 1 플랜지의 주변에 배치되고,상기 다수의 제 2 관통 홀은 상기 관통 홀 사이에 실질적으로 동일한 각도 스페이싱을 제공하도록 상기 제 2 플랜지의 주변에 배치되며,상기 다수의 스레드 홀은 상기 스레드 홀 사이에 실질적으로 동일한 각도 스페이싱을 제공하도록 상기 제 3 결합면의 주변에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 46 항에 있어서,상기 제 1 결합면은 상기 제 1 면판이 상기 백플레인 베이스에 설치될 시에 상기 제 1 및 3 패스닝 구조를 정렬하는 제 1 위치 소자를 포함하고,상기 제 2 결합면은 상기 제 2 면판이 상기 백플레인 베이스에 설치될 시에 상기 제 2 및 3 패스닝 구조를 정렬하는 제 2 위치 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 50 항에 있어서,상기 제 1 위치 소자는 상기 제 1 면판이 상기 백플레인 베이스에 설치될 시에 상기 백플레인 베이스와 상기 제 1 면판 사이의 정렬을 반복적으로 행할 수 있으며,상기 제 2 위치 소자는 상기 제 2 면판이 상기 백플레인 베이스에 설치될 시에 상기 백플레인 베이스와 상기 제 2 면판 사이의 정렬을 반복적으로 행할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 29 항에 있어서,상기 제 1 면판은 상기 제 1 접촉면과 대향한 제 1 결합면을 포함하고,상기 제 2 면판은 상기 제 2 접촉면과 대향한 제 2 결합면을 포함하며,상기 백플레인 베이스는 제 3 결합면을 더 포함하는데, 상기 제 1, 2 및 3 결합면은, 상기 제 1 면판이 상기 백플레인 베이스에 설치될 시에 상기 제 1 및 3 결합면 사이의 열 에너지의 효율적인 전달, 또는 상기 제 2 면판이 상기 백플레인 베이스에 설치될 시에는 상기 제 2 및 3 결합면 사이의 열 에너지의 효율적인 전달을 촉진시키도록 조절되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 52 항에 있어서,상기 제 1 및 3 결합면은 상기 제 1 면판이 상기 백플레인 베이스와 맞물릴 시에 실질적으로 직접 및 연속 접촉을 가지고,상기 제 2 및 3 결합면은 상기 제 2 면판이 상기 백플레인 베이스와 맞물릴 시에 실질적으로 직접 및 연속 접촉을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 53 항에 있어서,상기 제 1, 2 및 3 결합면은 무전해 니켈 층으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 52 항에 있어서,상기 제 1 및 3 결합면은 상기 제 1 면판이 상기 백플레인 베이스와 맞물릴 시에 전도성 열 전달 관계를 가지고,상기 제 2 및 3 결합면은 상기 제 2 면판이 상기 백플레인 베이스와 맞물릴 시에 전도성 열 전달 관계를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 29 항에 있어서,상기 백플레인 베이스는 처리 시스템의 진공실내의 미리 정해진 장소에 기판을 유지하는 기판 홀더에 대해 맞물린 위치와 맞물리지 않은 위치 사이에서 이동 가능하고,상기 제 1 접촉면은 상기 기판 홀더에 의해 유지된 제 1 타입의 기판에 직면한 제 1 볼록 만곡부를 가지며, 상기 기판은 상기 백플레인 베이스가 상기 맞물린 위치로 이동될 시에 상기 제 1 볼록 만곡부에 실질적으로 일치하도록 구부려지며,상기 제 2 접촉면은 상기 기판 홀더에 의해 유지된 제 2 타입의 기판에 직면한 제 2 볼록 만곡부를 가지며, 상기 기판은 상기 백플레인 베이스가 상기 맞물린 위치로 이동될 시에 상기 제 2 볼록 만곡부에 실질적으로 일치하도록 구부려지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 29 항에 있어서,상기 제 1 접촉면은 상기 제 1 타입의 기판의 디스크형 표면과 접촉하는 원형이고, 상기 제 1 타입의 기판의 외부 직경보다 약간 더 큰 제 1 외부 직경을 가지며,상기 제 2 접촉면은 상기 제 2 타입의 기판의 디스크형 표면과 접촉하는 원형이고, 상기 제 2 타입의 기판의 외부 직경보다 약간 더 큰 제 2 외부 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 57 항에 있어서,상기 제 1 외부 직경은 약 150 밀리미터 보다 약간 더 크고,상기 제 2 외부 직경은 약 200 밀리미터 보다 약간 더 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 29 항에 있어서,상기 백플레인 베이스는,주변 온도 이상의 기판 및 백플레인 조립체의 온도를 선택적으로 상승시키는 가열 소자 및,상기 가열 소자에 인접하여, 상기 가열 소자를 주변 온도로 다시 급속히 냉각시키기 위해 냉장 유체의 흐름을 선택적으로 수용하는 냉각 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 29 항에 있어서,상기 백플레인 베이스는,상기 백플레인 베이스를 상기 진공실에 설치하기 위한 플랜지,상기 기판 및 백플레인 조립체의 온도를 선택적으로 상승시키기 위한 가열 소자 및,상기 가열 소자에 인접하여, 상기 플랜지를 냉각시키기 위해 냉장 유체의 흐름을 선택적으로 수용하는 냉각 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 제 29 항에 있어서,상기 백플레인 베이스는,상기 제 1 및 2 면판의 각각과의 효율적인 열 접촉을 확립하기 위한 결합면 및,상기 결합면에 인접하여 위치되고, 상기 결합면 밑의 가까운 거리에 위치되는 열전쌍 센서를 포함하는데, 상기 열전쌍 센서는 상기 백플레인 베이스에 설치된 상기 제 1 및 2 면판 중의 하나에 자동으로 결합되어, 상기 설치된 면판 근처의 상기 백플레인 베이스의 온도를 검출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
- 액세스 포트를 가진 배기 가능한 진공실을 포함하는 기판 처리 시스템내에서 순차적으로 상이한 구성 및/또는 크기의 기판을 처리하는 방법으로서,기판을 처리하기에 적절한 위치를 가진 진공실내에 설치된 백플레인 베이스, 상기 백플레인 베이스에 제거 가능하게 설치된 제 1 면판 및, 상기 제 1 면판이 분해될 시에 상기 백플레인 베이스에 제거 가능하게 설치할 수 있는 제 2 면판을 구비한 백플레인 조립체를 제공하는 단계로서, 상기 제 1 면판은 제 1 타입의 기판과의 효율적인 열 접촉을 제공하도록 크기가 정해지고 구성된 제 1 접촉면을 가지며, 상기 제 2 면판은 제 1 기판과 상이한 구성 및/또는 크기의 제 2 타입의 기판과의 효율적인 열 접촉을 제공하도록 크기가 정해지고 구성된 제 2 접촉면을 가지는 단계,상기 제 1 면판상에 제 1 기판을 배치하여, 상기 액세스 포트가 폐쇄되고, 상기 진공실이 부 대기압 하에 있을 동안에 상기 제 1 기판을 처리하는 단계,상기 제 1 면판에 액세스를 제공하도록 상기 진공실내의 상기 액세스 포트를 개방하는 단계,상기 제 1 기판을 제거하는 단계,상기 진공실로부터 상기 백플레인 베이스를 제거하지 않고 상기 백플레인 베이스로부터 상기 제 1 면판을 분해하여, 상기 개방 액세스 포트를 통해 상기 제 1 면판을 제거하는 단계,상기 개방 액세스 포트를 통해 상기 액세스 포트내에 상기 제 2 면판을 삽입하여, 상기 진공실로부터 상기 백플레인 베이스를 제거하지 않고 상기 백플레인 베이스에 상기 제 2 면판을 설치하는 단계 및,상기 제 2 면판상에 제 2 기판을 배치하여, 상기 액세스 포트가 폐쇄되고, 상기 진공실이 부 대기압 하에 있을 동안에 상기 제 2 기판을 처리하는 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.
- 제 62 항에 있어서,제 1 단부에서는 면판 수용면과 연통하고, 제 2 단부에서는 열 전달 가스원과 연통하는 백플레인 베이스내에 열 전달 가스 입구 포트를 제공하는 단계,제 1 단부에서는 제 1 접촉면과 연통하고, 제 2 단부에서는 그의 바닥면과 연통하는 제 1 면판내에 제 1 입구 포트를 제공하는 단계 및,상위 단부에서는 제 2 접촉면과 연통하고, 하위 단부에서는 그의 바닥면과 연통하는 제 2 면판내에 제 2 입구 포트를 제공하는 단계를 더 포함하는데,제 2 면판 설치 단계는 열 전달 가스원과 제 2 면판의 제 2 접촉면을 접속하도록 열 전달 가스 포트의 한 단부와 연통하여 제 2 면판의 제 2 입구 포트의 하위 단부를 위치 설정하는 단계를 포함하고,분해 단계는 제 1 면판의 제 1 접촉면으로부터 열 전달 가스원을 분리하도록 열 전달 가스 포트의 한 단부로부터 제 1 면판의 제 1 가스 포트의 하위 단부를 결합 해제하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 63 항에 있어서,한 단부에서 면판 수용면과 연통하는 백플레인 베이스내에 열 전달 가스 배기 포트를 제공하는 단계,상위 단부에서는 제 1 접촉면과 연통하고, 하위 단부에서는 그의 바닥면과 연통하는 제 1 면판내에 제 1 배기 포트를 제공하는 단계 및,상위 단부에서는 제 2 접촉면과 연통하고, 하위 단부에서는 그의 바닥면과 연통하는 제 2 면판내에 제 2 배기 포트를 제공하는 단계를 더 포함하는데,제 2 면판 설치 단계는 제 2 접촉면으로부터 열 전달 가스를 배출하기 위해 제 1 면판의 제 2 접촉면과 열 전달 배기 포트를 접속하도록 열 전달 가스 배기 포트의 한 단부와 연통하여 제 2 면판의 제 2 배기 포트의 하위 단부를 위치 설정하는 단계를 포함하고,분해 단계는 제 1 면판의 제 1 접촉면으로부터 열 전달 배기 포트를 분리하도록 열 전달 가스 배기 포트의 한 단부로부터 제 1 면판의 제 1 배기 포트의 하위 단부를 결합 해제하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 기판 처리실을 리트로피트하는 방법으로서, 상기 처리실은 대응하는 크기 및/또는 구성의 기판과 호환성이 있도록 크기가 정해지고 구성된 면판을 가진 백플레인을 구비함으로써, 상기 처리실이 상이한 크기 및/또는 구성의 기판을 처리하기 위해 조절될 수 있는 기판 처리실 리트로피트 방법에 있어서,기판을 처리하기에 적절한 위치를 가진 진공실내에 설치된 백플레인 베이스, 상기 백플레인 베이스에 제거 가능하게 설치된 제 1 면판 및, 상기 제 1 면판이 분해될 시에 상기 백플레인 베이스에 제거 가능하게 설치할 수 있는 제 2 면판을 구비한 백플레인 조립체를 제공하는 단계로서, 상기 제 1 면판은 제 1 타입의 기판과의 효율적인 열 접촉을 제공하도록 크기가 정해지고 구성된 제 1 접촉면을 가지며, 상기 제 2 면판은 제 1 기판과 상이한 구성 및/또는 크기의 제 2 타입의 기판과의효율적인 열 접촉을 제공하도록 크기가 정해지고 구성된 제 2 접촉면을 가지는 단계,상기 진공실로부터 상기 백플레인 베이스를 제거하지 않고 상기 백플레인 베이스로부터 상기 제 1 면판을 분해하는 단계,상기 처리실로부터 분해된 제 1 면판을 제거하는 단계 및,상기 진공실로부터 상기 백플레인 베이스를 제거하지 않고 상기 백플레인 베이스에 상기 제 2 면판을 설치하는 단계를 포함하는, 기판 처리실 리트로피트 방법.
- 제 65 항에 있어서,제 1 단부에서는 면판 수용면과 연통하고, 제 2 단부에서는 열 전달 가스원과 연통하는 백플레인 베이스내에 열 전달 가스 입구 포트를 제공하는 단계,제 1 단부에서는 제 1 접촉면과 연통하고, 제 2 단부에서는 그의 바닥면과 연통하는 제 1 면판내에 제 1 입구 포트를 제공하는 단계 및,상위 단부에서는 제 2 접촉면과 연통하고, 하위 단부에서는 그의 바닥면과 연통하는 제 2 면판내에 제 2 입구 포트를 제공하는 단계를 더 포함하는데,제 2 면판 설치 단계는 열 전달 가스원과 제 2 면판의 제 2 접촉면을 접속하도록 열 전달 가스 포트의 한 단부와 연통하여 제 2 면판의 제 2 입구 포트의 하위 단부를 위치 설정하는 단계를 포함하고,분해 단계는 제 1 면판의 제 1 접촉면으로부터 열 전달 가스원을 분리하도록열 전달 가스 포트의 한 단부로부터 제 1 면판의 제 1 가스 포트의 하위 단부를 결합 해제하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리실 리트로피트 방법.
- 제 66 항에 있어서,한 단부에서는 면판 수용면과 연통하고, 다른 단부에서는 열 전달 가스원과 연통하는 백플레인 베이스내에 열 전달 가스 배기 포트를 제공하는 단계,상위 단부에서는 제 1 접촉면과 연통하고, 하위 단부에서는 그의 바닥면과 연통하는 제 1 면판내에 제 1 배기 포트를 제공하는 단계 및,상위 단부에서는 제 2 접촉면과 연통하고, 하위 단부에서는 그의 바닥면과 연통하는 제 2 면판내에 제 2 배기 포트를 제공하는 단계를 더 포함하는데,제 2 면판 설치 단계는 제 2 접촉면으로부터 열 전달 가스를 배출하기 위해 제 1 면판의 제 2 접촉면과 열 전달 배기 포트를 접속하도록 열 전달 가스 배기 포트의 한 단부와 연통하여 제 2 면판의 제 2 배기 포트의 하위 단부를 위치 설정하는 단계를 포함하고,분해 단계는 제 1 면판의 제 1 접촉면으로부터 열 전달 배기 포트를 분리하도록 열 전달 가스 배기 포트의 한 단부로부터 제 1 면판의 제 1 배기 포트의 하위 단부를 결합 해제하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리실 리트로피트 방법.
- 상이한 크기 및/또는 구성의 기판과의 효율적인 열 접촉을 확립하도록 조절되는 백플레인 조립체로 기존의 백플레인을 교체함으로써 기판 처리실을 리트로피트하는 방법으로서,백플레인 베이스, 상기 백플레인 베이스에 제거 가능하게 설치되고, 제 1 타입의 기판과의 효율적인 열 접촉을 제공하도록 크기가 정해지고 구성된 제 1 접촉면을 가진 제 1 면판 및, 상기 백플레인 베이스에 제거 가능하게 설치할 수 있고, 제 1 기판과 상이한 크기 및/또는 구성의 제 2 타입의 기판과의 효율적인 열 접촉을 제공하도록 크기가 정해지고 구성된 제 2 접촉면을 가진 제 2 면판을 구비한 백플레인 조립체를 제공하는 단계,상기 처리 시스템으로부터 기존의 백플레인을 분해하는 단계,새로운 백플레인 조립체의 백플레인 베이스를 기존의 백플레인의 이전의 위치에 부착하는 기판을 처리하기에 적절한 위치의 처리실내에 백플레인 베이스를 설치하는 단계,기판 처리실내에 처리될 기판의 크기 및/또는 구성에 따라 제 1 및 2 면판 중의 하나를 선택하는 단계 및,상기 처리실로부터 상기 백플레인 베이스를 제거하지 않고 상기 백플레인 베이스에 선택된 면판을 설치하는 단계를 포함하는, 기판 처리실 리트로피트 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/861,322 | 2001-05-18 | ||
US09/861,322 US6645344B2 (en) | 2001-05-18 | 2001-05-18 | Universal backplane assembly and methods |
PCT/US2002/013423 WO2002095806A1 (en) | 2001-05-18 | 2002-04-29 | Universal backplane assembly and methods |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030096408A true KR20030096408A (ko) | 2003-12-24 |
KR100884873B1 KR100884873B1 (ko) | 2009-02-23 |
Family
ID=25335492
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020037014947A KR100884873B1 (ko) | 2001-05-18 | 2002-04-29 | 범용 백플레인 조립체 및 방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6645344B2 (ko) |
EP (1) | EP1388162B1 (ko) |
JP (1) | JP4398155B2 (ko) |
KR (1) | KR100884873B1 (ko) |
DE (1) | DE60219781D1 (ko) |
TW (1) | TW546691B (ko) |
WO (1) | WO2002095806A1 (ko) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003253449A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体/液晶製造装置 |
US7279068B2 (en) * | 2003-12-15 | 2007-10-09 | Texas Instruments Incorporated | Temperature control assembly for use in etching processes |
US20060281310A1 (en) * | 2005-06-08 | 2006-12-14 | Applied Materials, Inc. | Rotating substrate support and methods of use |
US7470919B2 (en) * | 2005-09-30 | 2008-12-30 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly with thermal isolating plate |
US20080026598A1 (en) * | 2006-07-26 | 2008-01-31 | Taek Yong Jang | Semiconductor manufacturing device and method |
KR100829923B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2008-05-16 | 세메스 주식회사 | 스핀헤드 및 이를 이용하는 기판처리방법 |
US8905124B2 (en) * | 2007-06-27 | 2014-12-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Temperature controlled loadlock chamber |
WO2012039453A1 (ja) | 2010-09-24 | 2012-03-29 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置部材 |
US8514552B2 (en) | 2010-12-17 | 2013-08-20 | Eaton Corporation | Electrical system and matrix assembly therefor |
US8445800B2 (en) | 2010-12-17 | 2013-05-21 | Eaton Corporation | Electrical system, and circuit protection module and electrical switching apparatus therefor |
US9421617B2 (en) | 2011-06-22 | 2016-08-23 | Tel Nexx, Inc. | Substrate holder |
US8613474B2 (en) | 2011-07-06 | 2013-12-24 | Tel Nexx, Inc. | Substrate loader and unloader having a Bernoulli support |
US9793144B2 (en) * | 2011-08-30 | 2017-10-17 | Evatec Ag | Wafer holder and temperature conditioning arrangement and method of manufacturing a wafer |
US20140273498A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US10032601B2 (en) * | 2014-02-21 | 2018-07-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Platen support structure |
JP6338904B2 (ja) * | 2014-03-24 | 2018-06-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
KR20170101985A (ko) * | 2014-12-31 | 2017-09-06 | 알이씨 실리콘 인코포레이티드 | 하부 밀봉 장치를 갖는 실리콘 증착 반응기 |
JP7332614B2 (ja) * | 2018-03-23 | 2023-08-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 分離した裏側ヘリウム供給システム |
US10927461B2 (en) * | 2018-08-31 | 2021-02-23 | Applied Materials, Inc. | Gas diffuser support structure for reduced particle generation |
TWI721578B (zh) * | 2019-09-27 | 2021-03-11 | 聚昌科技股份有限公司 | 快速更換產線之模組化電漿反應腔室結構 |
KR20220095677A (ko) * | 2020-12-30 | 2022-07-07 | 세메스 주식회사 | 온도 측정 유닛을 포함하는 공정 챔버 및 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 |
CN112899627B (zh) * | 2021-01-16 | 2022-09-27 | 重庆电子工程职业学院 | 一种靶材安装结构、磁控溅射设备及磁控溅射方法 |
US20220384214A1 (en) * | 2021-05-28 | 2022-12-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method for managing temperature in semiconductor fabrication facility |
CN116072015B (zh) * | 2023-03-03 | 2023-06-13 | 惠科股份有限公司 | 支撑件及显示装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4915564A (en) | 1986-04-04 | 1990-04-10 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for handling and processing wafer-like materials |
US4788994A (en) | 1986-08-13 | 1988-12-06 | Dainippon Screen Mfg. Co. | Wafer holding mechanism |
US5168887A (en) | 1990-05-18 | 1992-12-08 | Semitool, Inc. | Single wafer processor apparatus |
JP2939355B2 (ja) * | 1991-04-22 | 1999-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US5516732A (en) | 1992-12-04 | 1996-05-14 | Sony Corporation | Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus |
US5444217A (en) | 1993-01-21 | 1995-08-22 | Moore Epitaxial Inc. | Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers |
JP3257741B2 (ja) * | 1994-03-03 | 2002-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置及び方法 |
WO1996008838A1 (en) * | 1994-09-15 | 1996-03-21 | Materials Research Corporation | Apparatus and method for clampling a substrate |
AU6962196A (en) * | 1995-09-01 | 1997-03-27 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | Wafer support system |
JP2726410B2 (ja) * | 1996-12-05 | 1998-03-11 | 株式会社日立製作所 | 静電吸着電極 |
JP3201302B2 (ja) * | 1997-02-10 | 2001-08-20 | 松下電器産業株式会社 | 基板のプラズマクリーニング装置 |
US5879459A (en) * | 1997-08-29 | 1999-03-09 | Genus, Inc. | Vertically-stacked process reactor and cluster tool system for atomic layer deposition |
JP3758009B2 (ja) * | 1998-07-01 | 2006-03-22 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 半導体処理用の基板保持装置 |
US6313441B1 (en) * | 1999-08-18 | 2001-11-06 | Applied Materials, Inc. | Control system and method for providing variable ramp rate operation of a thermal cycling system |
JP4700819B2 (ja) | 2000-03-10 | 2011-06-15 | キヤノン株式会社 | 基板保持装置、半導体製造装置および半導体デバイス製造方法 |
US6310323B1 (en) * | 2000-03-24 | 2001-10-30 | Micro C Technologies, Inc. | Water cooled support for lamps and rapid thermal processing chamber |
US6508883B1 (en) * | 2000-04-29 | 2003-01-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Throughput enhancement for single wafer reactor |
-
2001
- 2001-05-18 US US09/861,322 patent/US6645344B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-04-29 WO PCT/US2002/013423 patent/WO2002095806A1/en active IP Right Grant
- 2002-04-29 JP JP2002592172A patent/JP4398155B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-29 EP EP02729041A patent/EP1388162B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-04-29 KR KR1020037014947A patent/KR100884873B1/ko active IP Right Grant
- 2002-04-29 DE DE60219781T patent/DE60219781D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-15 TW TW091110306A patent/TW546691B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005501401A (ja) | 2005-01-13 |
WO2002095806A1 (en) | 2002-11-28 |
KR100884873B1 (ko) | 2009-02-23 |
EP1388162A1 (en) | 2004-02-11 |
US20020172764A1 (en) | 2002-11-21 |
TW546691B (en) | 2003-08-11 |
EP1388162B1 (en) | 2007-04-25 |
JP4398155B2 (ja) | 2010-01-13 |
DE60219781D1 (de) | 2007-06-06 |
US6645344B2 (en) | 2003-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100884873B1 (ko) | 범용 백플레인 조립체 및 방법 | |
JP3217798B2 (ja) | 化学蒸着プロセスのための多目的プロセス室 | |
US5906683A (en) | Lid assembly for semiconductor processing chamber | |
US20020069970A1 (en) | Temperature controlled semiconductor processing chamber liner | |
US7907384B2 (en) | Detachable electrostatic chuck for supporting a substrate in a process chamber | |
KR100445392B1 (ko) | 기판 지지 프레임 | |
US6223447B1 (en) | Fastening device for a purge ring | |
WO1999027152A1 (en) | Substrate edge seal and clamp for low-pressure processing equipment | |
KR20060129279A (ko) | 플라즈마 프로세싱 장치용 샤워헤드 전극 어셈블리 | |
EP0902967A1 (en) | High flown vacuum chamber including equipment modules such as plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support | |
WO2004093167A2 (en) | Substrate support having temperature controlled surface | |
EP0902960A1 (en) | Universal vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support | |
KR20040063828A (ko) | 가변식 가스 분배 플레이트 조립체 | |
WO1995023428A2 (en) | Chemical vapor deposition chamber | |
US20230416918A1 (en) | Pedestal including seal | |
TW201335418A (zh) | Mocvd反應器用淋灑頭、mocvd反應器、mocvd裝置、以及潔淨方法 | |
US6523563B2 (en) | Modular gas panel closet for a semiconductor wafer processing platform | |
TWI813223B (zh) | 熱噴淋頭 | |
US20090083953A1 (en) | Clamp mechanism for a backing plate disposed in a pecvd chamber | |
TWI783445B (zh) | 熱控制的蓋堆疊組件 | |
KR20230114281A (ko) | 스로틀 밸브 드리프트를 감소시키기 위한 능동 냉각포어라인 트랩 | |
KR102533330B1 (ko) | 진공 처리 장치 | |
TWI810678B (zh) | 基板處理系統與方法 | |
KR20160077535A (ko) | 배기 라인 | |
TW202343525A (zh) | 蝕刻腔室中的部件之間的改良熱及電介面 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130118 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140117 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150119 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160119 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170119 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180202 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190130 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200205 Year of fee payment: 12 |