KR20030081946A - 칩 스케일 마커 및 마킹 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 칩 스케일 마커 및 마킹 방법에 관하여 개시한다. 개시된 칩 스케일 마커의 마킹방법은, 레이저 발진기로부터 발진된 레이저 빔을 갈바노 스캐너 및 f-세타 렌즈를 통해서 웨이퍼 홀더에 위치한 웨이퍼의 다수의 칩에 마킹을 하는 칩 스케일 마커의 마킹방법에 있어서, (a)상기 웨이퍼의 다수의 포인트의 위치 정보를 측정하는 단계; (b)상기 측정된 위치 정보를 제어기로 전송하는 단계; (c)상기 전송된 위치정보로부터 상기 f-세타 렌즈 및 상기 포인트 사이의 마킹거리와 상기 f-세타 렌즈의 초점거리 사이의 편차를 계산하는 단계; 및 (d)해당 웨이퍼 칩에서 상기 (c)단계의 편차가 소정 이상인 경우, 상기 f-세타 렌즈의 초점거리에 해당 웨이퍼 칩이 위치하도록 보정하고 마킹하는 단계;를 구비한다. 이에 따르면, 휨 현상이 있는 웨이퍼의 칩들을 f-세타 렌즈로부처 소정거리에 위치하도록 보정하여 마킹을 하므로 마킹 품질을 향상시킬 수 있다.

Description

칩 스케일 마커 및 마킹 방법{Chip-scale marker and marking method}
본 발명은 칩 스케일 마커 및 마킹 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 칩 스케일 마커의 레이저를 사용하여 웨이퍼 칩 상에 문자를 마킹시, 레이저로부터 웨이퍼 사이의 마킹거리를 보정하여 마킹하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 공정에서 사용하는 웨이퍼는 수천개 또는 수만개의 칩으로 이루어져 있다. 이들 칩들을 생산 로트별로 구별하기 위해서 각 칩의 표면에 문자 및/또는 숫자를 표시한다. 이 때 마킹을 위해 사용하는 장비로서 레이저 빔을 사용하는 칩 스케일 마커(chip scale marker) 장비가 사용된다.
도 1은 일반적인 칩 스케일 마커(10)의 개략 도면이며, 웨이퍼(W)를 함께 도시하였다.
도 1을 참조하면, 웨이퍼 홀더(20) 상에 웨이퍼(W)가 놓여 있으며, 웨이퍼 홀더(20) 하방에는 레이저 시스템(30)이 배치되어 있다. 레이저 시스템(30)의 레이저 소스로부터 발진된 레이저 빔은 갈바노 스캐너(미도시) 및 f-세타 렌즈(미도시)를 통해서 웨이퍼(W) 상의 칩들에 조사되어 칩들의 표면에 문자를 기록한다.
상기 웨이퍼 홀더(20)의 상방에는 웨이퍼 홀더(20)에 지지되는 것을 감시하는 카메라(40)가 배치되어 있다. 이 카메라(40)는 X-Y 스테이지(50)에 연결되어 움직인다. 참조번호 60은 X-Y 스테이지(50) 및 웨이퍼 홀더(20) 등이 위치하는 테이블이다.
도 2는 웨이퍼에 조사되는 레이저 빔의 초점심도(Depth of focus: D.O.F)를 나타낸 도면이며, 도 3은 휨현상이 있는 웨이퍼 표면의 예를 웨이퍼 홀더와 함께 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 갈바노 스캐너(미도시)를 통과한 레이저 빔은 f-세타 렌즈(34)을 통과하여 f-세타 렌즈(34)로부터 수평하게 놓인 웨이퍼칩에 조사된다. 이 때 초점심도(D.O.F) 범위내에 마킹면이 위치하여야 양질의 마킹이 이루어진다. 여기서, 초점심도는 다음 식으로 표현된다.
[표준식 1]
D.O.F = ±2λ(f/D)2
여기서, D : 입사되는 빔의 직경
f: 초점거리
λ: 레이저 빔의 파장
그러나, 다수의 칩이 형성된 웨이퍼는 자중, 웨이퍼 표면의 코팅 및 기타 가공으로 일정 방향으로 휨 현상이 발생된다(도 3 참조). 이러한 휨 현상은 웨이퍼의 크기가 크고, 두께가 얇을수록 그리고 코팅재질의 경화시 수축량이 클수록 크게 나타난다. 이때 휨 현상에 의한 웨이퍼의 가공면의 높이 편차(h)가 상기 초점심도보다 큰 경우, 가공면 상의 칩의 위치에 따라서 레이저 출력의 밀도(beam density)가달라져서 마킹 품질이 저하되는 문제가 발생된다.
본 발명의 목적은 상기의 문제점을 개선하기 위해 창출된 것으로서, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 휨 정도를 측정하고 마킹거리를 보정하여 마킹하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 마킹방법을 위한 칩 스케일 마커를 제공하는 것이다.
도 1은 일반적인 칩 스케일 마커의 개략 도면이다.
도 2는 웨이퍼에 조사되는 레이저 빔의 초점심도를 나타낸 도면이다.
도 3은 휨현상이 있는 웨이퍼 표면의 예를 웨이퍼 홀더와 함께 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 칩 스케일 마커의 개략 도면이다.
도 5는 도 4의 레이저 시스템의 개략 구성도이다.
도 6은 가공 웨이퍼에 다수의 칩이 형성된 것을 보여주는 개략 평면도이다.
도 7은 웨이퍼의 휨 상태를 탐색하는 방법을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 8은 웨이퍼의 마킹면을 분할하는 방법을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 9는 도 8의 개략적 평면도이다.
도 10은 웨이퍼의 휨 상태를 측정하는 다른 방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 11은 도 4의 변형예를 보여주는 칩 스케일 마커의 개략 도면이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명*
120: 웨이퍼 홀더 130: 레이저 시스템
138: 수직 이동장치 140: 카메라
150: X-Y 스테이지 160: 테이블
170: 레이저 센서 180: 수직 이동장치
190: 제어기
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 칩 스케일 마커의 마킹방법은, 레이저 발진기로부터 발진된 레이저 빔을 갈바노 스캐너 및 f-세타 렌즈를 통해서 웨이퍼 홀더에 위치한 웨이퍼의 다수의 칩에 마킹을 하는 칩 스케일 마커의 마킹방법에 있어서,
(a)상기 웨이퍼의 다수의 포인트의 위치 정보를 측정하는 단계;
(b)상기 측정된 위치 정보를 제어기로 전송하는 단계;
(c)상기 전송된 위치정보로부터 상기 f-세타 렌즈 및 상기 포인트 사이의 마킹거리와 상기 f-세타 렌즈의 초점거리 사이의 편차를 계산하는 단계; 및
(d)해당 웨이퍼 칩에서 상기 (c)단계의 편차가 소정 이상인 경우, 상기 f-세타 렌즈의 초점거리에 해당 웨이퍼 칩이 위치하도록 보정하고 마킹하는 단계;를 구비한다.
상기 (a)단계는, 비접촉 센서인 레이저 센서로 측정하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 (a)단계는, 순차적으로 상기 웨이퍼 상의 각 칩의 위치에서 실행되거나, 상기 웨이퍼의 중심축을 가로지르는 적어도 하나의 직선 상의 소정의 다수의 점에서 실행되는 것이 바람직하다.
상기 (c)단계는, 상기 편차들의 최대치 및 최소치의 차이로 마킹 높이 편차를 구하는 단계;를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 (d)단계는, (d1) 상기 높이 편차를 n 개로 등분할하고, 상기 웨이퍼의 마킹면에 상기 등분할하는 선으로 등고선을 형성하여 n 개의 영역으로 분할하는 단계;
(d2) 선택된 영역의 웨이퍼 칩들이 상기 f-세타 렌즈로부터의 소정 거리에 위치하도록 조정하는 단계;
(d3) 선택된 영역의 웨이퍼 칩들을 마킹하는 단계; 및
(d4) 상기 (d2) 및 (d3)단계를 반복하는 단계;를 구비하는 것이 바람직하다.
상기 등분할된 편차의 길이는 상기 f-세타 렌즈의 초점심도보다 작게 하며, 바람직하게는 상기 f-세타 렌즈의 초점심도의 1/2 보다 작게한다.
상기의 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 칩 스케일 마커는, 웨이퍼 마킹용 레이저시스템과, 가공대상 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 홀더와, 상기 웨이퍼 홀더의 상방에서 X-Y 스테이지에 연결되어 움직이면서 상기 웨이퍼 홀더에 지지되는 것을 감시하는 카메라를 구비하는 칩 스케일 마커에 있어서,
상기 웨이퍼 상의 수직위치를 측정하는 센서; 및
상기 웨이퍼 홀더를 수직으로 이동시키는 수단;을 더 구비한다.
상기 센서는, 상기 X-Y 스테이지에 연결되는 것이 바람직하다.
상기 다른 목적은 상기 웨이퍼 홀더의 수직이동수단 대신에, 상기 웨이퍼 마킹용 레이저 시스템을 수직으로 이동시키는 수단;을 구비할 수도 있다.
또한, 상기 다른 목적은, 상기 레이저 발진기 및 갈바노 스캐너 사이에 위치하는 초점거리 보정렌즈; 및
상기 초점거리 보정렌즈를 수평으로 이동시키는 수단;을 구비하여 달성할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 칩 스케일 마커의 마킹 거리 보정 장치에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 칩 스케일 마커의 개략 도면을 나타낸 것으로서 웨이퍼와 함께 도시한 것이며, 도 5는 도 4의 레이저 시스템의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 테이블(160) 상에 수직 이동장치(180)와 X-Y 스테이지(150)가 마련되어 있다. 그리고 상기 수직 이동장치(180)의 일측에 웨이퍼 홀더(120)가 수평으로 연결되어 있다. 웨이퍼 홀더(120) 상에 웨이퍼(W)가 놓여 있으며, 웨이퍼 홀더(120)의 하방에는 레이저 시스템(130)이 배치되어 있다. 레이저 시스템(130)은 레이저 빔을 제공하는 레이저 발진기(131)와 상기 레이저 발진기(131)로부터의 레이저 경로 상에 순차적으로 위치하는 초점거리 보정렌즈(132), 갈바노 스캐너(136) 및 f-세타 렌즈(137)가 위치한다.
상기 갈바노 스캐너(136)는 X 미러(136a) 및 Y 미러(136b)와 이들을 각각 구동시키는 모터(미도시)를 구비하며, 이들 미러(136a, 136b)의 위치를 조절하여 레이저 빔을 소정 영역에 X-Y 방향으로 주사시킨다.
상기 f-세타 렌즈(137)는 입사된 레이저 빔이 마킹 영역의 전체에 대해 동일한 크기의 초점을 형성하게 한다.
상기 레이저 발진기(131) 및 갈바노 스캐너(136) 사이에는 레이저 발진기(131)로부터 상기 f-세타 렌즈(137)로 입사되는 레이저 빔의 초점거리를 조절하는 초점거리 보정렌즈(132)와 이 렌즈(132)를 레이저 빔의 경로 상에서 수평으로 이동시키는 이동수단이 위치한다.
상기 이동수단은, 초점거리 보정렌즈(132)를 고정하는 고정부재(133)와, 상기 고정부재(133)를 수평방향으로 안내하는 선형가이드(134)와, 상기 고정부재(133)에 일단의 스트로크 파이프(135a)가 연결되어 상기 고정부재(133)를 상기 선형가이드(134) 상에서 수평으로 이동시키는 액츄에이터(135)를 구비한다.
상기 초점거리 보정렌즈(132)는 입사되는 레이저 빔을 집속하는 볼록렌즈로서, 갈바노 스캐너(136) 쪽으로 이동되면 f-세타 렌즈(137)를 통과하는 레이저 빔이 집속되는 초점거리를 더 길게하며, 레이저 발진기(131)로 이동되면 f-세타렌즈(137)를 통과하는 레이저 빔이 집속되는 초점거리를 더 짧게 한다.
레이저 발진기(131)로부터 발진된 레이저 빔은 갈바노 스캐너(136)의 두개의 미러(136a, 136b) 및 f-세타 렌즈(137)를 통해서 웨이퍼(W) 상의 칩들에 조사되어 칩들의 표면에 문자를 기록한다. 또한, 참조번호 138은 상기 레이저 시스템(130)의일측에 위치하여서 상기 레이저 시스템(130)을 수직으로 이동시키는 수직이동장치이다.
상기 웨이퍼 홀더(120)의 상방에는 웨이퍼 홀더(120)에 지지되는 것을 감시하는 카메라(140)가 배치되어 있다. 이 카메라(140)는 X-Y 스테이지(150)에 연결되어 움직인다. 그리고 상기 X-Y스테이지(150)의 일측에는 레이저 센서(170)가 연결되어 있다. 이 레이저 센서(170)는 웨이퍼 홀더(120)의 하방에 이동되어서 상방의 웨이퍼(W)의 휨 상태를 측정하게 된다. 또한, 상기 칩 스케일 마커의 작업을 제어하는 제어기(190)가 마련되어 있다. 이 제어기(190)는 X-Y 스테이지(150) 및 수직 이동장치(180)로부터 상기 레이저 센서(170)의 위치 정보를 입력받으며, 상기 레이저 센서(170)로부터 웨이퍼의 각 칩과 레이저 센서(170) 사이의 수직 거리를 입력받는다. 레이저 마킹시 제어기(190)의 출력에 따라서 수직 이동장치들(138, 180)을 구동시켜서 f-세타렌즈(137)로부터 웨이퍼 칩들 사이의 마킹거리를 일정하게 형성하거나 또는 액츄에이터(135)를 구동하여서 f-세타 렌즈(137)에 의해 형성되는 초점거리에 웨이퍼칩들이 위치하게 한다.
도 6은 가공 웨이퍼에 다수의 칩이 형성된 것을 보여주는 개략 평면도이다. 도면에서 각 칩은 확대하여 나타낸 것이며, 실제 칩은 1 mm2이하의 면적을 차지하는 정도로 작다. 도면을 참조하면 웨이퍼(W)에는 반도체 공정으로 형성된 칩들(c)이 평행하게 형성되어 있다.
도 7은 웨이퍼의 휨 상태를 탐색하는 방법을 개략적으로 도시한 평면도이며, 도 8은 웨이퍼의 마킹면을 분할하는 방법을 개략적으로 도시한 단면도이며, 도 9는도 8의 개략적 평면도이다. 도면을 참조하면, 먼저 X-Y 스테이지(150)로 레이저 센서(170)를 웨이퍼(W)의 중심을 가로지르는 직선방향으로 순차적으로 이동하면서 레이저 센서(170)로부터 수직 상방의 웨이퍼(W) 가공면과의 거리를 측정한다. 이때 측정하는 칩의 평면위치(X,Y)는 X-Y 스테이지(150)로부터 알 수 있으며, 수직위치(Z)는 레이저 센서(170)로부터 측정된다. 이어서 측정된 데이터를 제어기(190)로 전송한다. 상기 측정 및 전송과정은 적어도 하나의 직선에서 소정의 다수의 점에서 행해진다.
상기 측정 및 전송과정이 완료되면, 마킹 대상면의 수직 높이 편차(h)를 구한다. 이는 측정된 수직길이의 최대치로부터 최저치의 차로 구해진다(도 8 참조).
이어서 상기 높이 편차(h)가 소정 이상인 경우, 예컨대 f-세타 렌즈의 초점심도보다 큰 경우, 상기 높이 편차를 n 개로 분할하여서 분할된 높이가 상기 초점심도보다 적게 한다. 바람직하게는 분할된 거리가 초점 심도의 1/2보다 적게 한다. 이는 분할된 경계영역에서의 웨이퍼 칩을 선택된 하나의 영역에서 마킹시 오차를 감안한 것이다.
다음에 상기 높이 편차의 분할에 따른 마킹면 상에서의 웨이퍼 칩들(c)을 n 개의 영역으로 나눈다. 여기서, 영역간의 분할선은 등고선이 된다. 도 8 및 도 9에서는 4개의 영역으로 분할하는 예를 도시하였다.
도 9에 도시된 것처럼 두 개의 영역에 걸쳐진 웨이퍼 칩(c)은 그 칩이 포함되는 면적이 많은 영역으로 해당 웨이퍼 칩을 분류하며, 그 영역이 거의 비슷한 경우에는 택일하여 하나의 영역으로 분류한다. 도 9의 예에서는 확대한 도면에서 두개의 영역에 걸친 웨이퍼 칩이 분류되는 영역을 웨이퍼 칩에 숫자로 표시하였다. 상기 마킹면에서의 각 영역의 최단거리(ℓ)는 웨이퍼 칩의 길이보다 크게 설정되는 것이 바람직하다.
이어서 구간별 마킹작업을 한다. 예를 들어 제1구역에서 먼저 마킹을 하는 경우, 수직 이동장치(180)로 웨이퍼 홀더(120)의 제1영역의 웨이퍼 칩들이 적정 마킹거리에 들어오게 조절한 다음 제1영역의 마킹을 한다. 이어서, 수직 이동장치(180)로 웨이퍼 홀더(120) 및 웨이퍼(W)를 소정의 높이로 하방으로 이동시킨 다음 제2구역의 각 칩 상에 마킹을 한다. 이와 같이 구간별로 웨이퍼(W)의 위치를 변경하면서 마킹을 한다.
또한, 상기 구간별 마킹작업은 웨이퍼 홀더의 수직이동장치(180) 대신에 레이저 시스템(130)의 수직이동장치(138)를 사용하여 할 수도 있다. 이를 보다 상세하게 설명하면, 먼저 제1구역에서 먼저 마킹을 하는 경우, 수직 이동장치(138)로 웨이퍼 홀더(120)의 제1영역의 웨이퍼 칩들이 적정 마킹거리에 들어오게 레이저 시스템(130)을 이동시켜서 f-세타 렌즈(137)의 수직 위치를 조절한다. 이어서 제1영역의 마킹을 한다. 이어서, 수직 이동장치(138)로 f-세타 렌즈(137)를 소정의 높이로 상방으로 이동시킨 다음 제2구역의 각 칩 상에 마킹을 한다. 이와 같이 구간별로 웨이퍼(W)의 위치를 변경하면서 마킹을 한다.
또한, 상기 구간별 마킹작업은 상기 초점거리 보정렌즈(132)를 액츄에이터(135)를 사용하여 할 수도 있다. 이를 보다 상세하게 설명하면, 먼저 제1구역에서 먼저 마킹을 하는 경우, 액츄에이터(135)로 상기 초점거리보정렌즈(132)가 레이저 발진기(131) 쪽으로 위치한 상태에서 f-세타 렌즈(137)의 초점이 웨이퍼 홀더(120)의 제1영역의 웨이퍼 칩들에 위치하게 조절한다. 이어서 제1영역의 마킹을 한다. 이어서, 액츄에이터(135)로 초점거리 보정렌즈(132)를 갈바노 스캐너(136) 쪽으로 소정 거리 평행으로 이동하여 f-세타 렌즈(137)의 초점거리를 소정 거리 길어지게 한 다음 제2구역의 각 칩 상에 마킹을 한다. 이와 같이 구간별로 웨이퍼(W)의 위치를 변경하면서 마킹을 한다.
도 10은 웨이퍼의 휨 상태를 측정하는 다른 방법을 개략적으로 도시한 도면이다. 이 방법은 X-Y 스테이지(150)로 레이저 센서(170)를 각 칩의 하방 수직 위치로 지그재그로 이동시키면서(도 10의 화살표 참조), 레이저 센서(170)로부터 각 칩(c) 사이의 거리 데이터를 측정하여 제어기(190)로 전송한다. 이때 측정하는 칩(c)의 평면위치(X,Y)는 X-Y 스테이지(150)로부터 알 수 있으며, 수직위치(Z)는 일정한 수직위치의 레이저 센서(170)로부터 측정되어 제어기(190)로 전송된다.
상기 측정 및 전송과정이 완료되면, 마킹 대상면의 수직 높이 편차(도 8의 h)를 구한다.
이어서 상기 높이 편차(h)가 소정 이상인 경우, 예컨대 f-세타 렌즈(137)의 초점심도보다 큰 경우 상기 높이 편차(h)를 분할하여서 분할된 길이가 상기 초점심도보다 적게 한다.
이어서 웨이퍼 칩별 마킹작업을 한다. 예를 들어 제1구역에서는 그에 맞게 정해진 마킹거리로 마킹한다. 이어서 인근한 웨이퍼 칩을 마킹하며 이때 이 칩이 속한 영역이 다를 때는 수직이동장치(138 또는 180)로 웨이퍼(W)의 마킹 영역과 f-세타 렌즈(137) 사이의 마킹거리를 조정한 후, 웨이퍼 칩(c) 상에 마킹 작업을 한다. 이와 같이 각 칩별로 웨이퍼(W)의 위치를 변경하면서 마킹을 한다.
또한, 상기 마킹 작업은 전술한 바와 같이 마킹대상 웨이퍼 칩이 속하는 마킹영역에 따라서 초점거리 보정렌즈(132)의 수평위치를 변경하여 행할 수 있다.
도 11은 본 발명의 변형예로서 상기 실시예와 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다. 도면을 참조하면, 레이저 센서(170)는 X-Y 스테이지(150)에 연결되어 웨이퍼 홀더(120)의 상방에 배치된다. 기타 구성과 작용은 바람직한 실시예와 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 칩 스케일 마커 및 마킹 방법에 따르면, 웨이퍼 마킹 전에 각 웨이퍼 칩의 수직 거리를 측정 및 보정하여서 휨 현상이 있는 웨이퍼의 칩들을 일정한 마킹거리에서 마킹을 하므로 마킹 품질을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 도면을 참조하여 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 한해서 정해져야 할 것이다.

Claims (23)

  1. 레이저 발진기로부터 발진된 레이저 빔을 갈바노 스캐너 및 f-세타 렌즈를통해서 웨이퍼 홀더에 위치한 웨이퍼의 다수의 칩에 마킹을 하는 칩 스케일 마커의 마킹방법에 있어서,
    (a)상기 웨이퍼의 다수의 포인트의 위치 정보를 측정하는 단계;
    (b)상기 측정된 위치 정보를 제어기로 전송하는 단계;
    (c)상기 전송된 위치정보로부터 상기 f-세타 렌즈 및 상기 포인트 사이의 마킹거리와 상기 f-세타 렌즈의 초점거리 사이의 편차를 계산하는 단계; 및
    (d)해당 웨이퍼 칩에서 상기 (c)단계의 편차가 소정 이상인 경우, 상기 f-세타 렌즈의 초점거리에 해당 웨이퍼 칩이 위치하도록 보정하고 마킹하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로하는 칩 스케일 마커의 마킹방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 (a)단계는,
    비접촉 센서로 상기 웨이퍼의 일면과 상기 비접촉센서 사이의 수직거리를 측정하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 비접촉 센서는,
    레이저 센서인 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 (a)단계는,
    순차적으로 상기 웨이퍼 상의 각 칩의 위치에서 실행되는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 (a)단계는,
    상기 웨이퍼의 중심축을 가로지르는 적어도 하나의 직선 상의 소정의 다수의 점에서 실행되는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 (c)단계는,
    상기 편차들의 최대치 및 최소치의 차이로 마킹 높이 편차를 구하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 (d)단계는,
    (d1) 상기 높이 편차를 n 개로 등분할하고, 상기 웨이퍼의 마킹면에 상기 등분할하는 선으로 등고선을 형성하여 n 개의 영역으로 분할하는 단계;
    (d2) 선택된 영역의 웨이퍼 칩들이 상기 f-세타 렌즈로부터의 소정 거리에 위치하도록 조정하는 단계;
    (d3) 선택된 영역의 웨이퍼 칩들을 마킹하는 단계; 및
    (d4) 상기 (d2) 및 (d3)단계를 반복하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 (d2)단계는,
    상기 웨이퍼 홀더의 수직 위치를 조정하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹방법.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 (d2)단계는,
    상기 f-세타 렌즈의 수직 위치를 조정하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹방법.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 (d2)단계는,
    상기 레이저 발진장치 및 상기 갈바노 스캐너 사이의 초점거리 보정렌즈의 수평위치를 조정함으로써 상기 f-세타 렌즈의 초점거리를 조정하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 등분할된 편차의 길이는 상기 f-세타 렌즈의 초점심도보다 작은 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹방법.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 등분할된 편차의 길이는 상기 f-세타 렌즈의 초점심도의 1/2 보다 작은 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹방법.
  13. 제 7 항에 있어서,
    상기 마킹면에서 각 영역의 초단 거리는 상기 웨이퍼 칩의 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹방법.
  14. 제 7 항에 있어서,
    상기 등고선에 걸치는 웨이퍼 칩은 그 걸치는 면적이 큰 쪽의 영역에 속하는 것으로 분류되는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커의 마킹방법.
  15. 웨이퍼 마킹용 레이저시스템과, 가공대상 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 홀더와, 상기 웨이퍼 홀더의 상방에서 X-Y 스테이지에 연결되어 움직이면서 상기 웨이퍼 홀더에 지지되는 것을 감시하는 카메라를 구비하는 칩 스케일 마커에 있어서,
    상기 웨이퍼 상의 수직위치를 측정하는 센서; 및
    상기 웨이퍼 홀더를 수직으로 이동시키는 수단;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 센서는,
    레이저 센서인 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커.
  17. 제 15 항에 있어서, 상기 센서는,
    상기 X-Y 스테이지에 연결되는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커.
  18. 웨이퍼 마킹용 레이저 시스템과, 가공대상 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 홀더와, 상기 웨이퍼 홀더의 상방에서 X-Y 스테이지에 연결되어 움직이면서 상기 웨이퍼 홀더에 지지되는 것을 감시하는 카메라를 구비하는 칩 스케일 마커에 있어서,
    상기 웨이퍼 상의 수직위치를 측정하는 센서; 및
    상기 웨이퍼 마킹용 레이저 시스템을 수직으로 이동시키는 수단;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 센서는,
    레이저 센서인 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커.
  20. 제 18 항에 있어서, 상기 센서는,
    상기 X-Y 스테이지에 연결되는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커.
    상기 X-Y 스테이지에 연결되는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커.
  21. 레이저 발진기로부터 발진된 레이저 빔을 갈바노 스캐너 및 f-세타 렌즈를 통해서 마킹대상으로 조사하는 웨이퍼 마킹용 레이저 시스템과, 가공대상 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 홀더와, 상기 웨이퍼 홀더의 상방에서 X-Y 스테이지에 연결되어 움직이면서 상기 웨이퍼 홀더에 지지되는 것을 감시하는 카메라를 구비하는 칩 스케일 마커에 있어서,
    상기 웨이퍼 상의 각 칩의 위치를 측정하는 센서;
    상기 레이저 발진기 및 갈바노 스캐너 사이에 위치하는 초점거리 보정렌즈; 및
    상기 초점거리 보정렌즈를 수평으로 이동시키는 수단;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커.
  22. 제 18 항에 있어서, 상기 센서는,
    레이저 센서인 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커.
  23. 제 18 항에 있어서, 상기 센서는,
    상기 X-Y 스테이지에 연결되는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 마커.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100828074B1 (ko) * 2006-11-22 2008-05-08 주식회사 이오테크닉스 칩 스케일 마킹 장치 및 이를 이용하는 칩 스케일 마킹방법
WO2017078230A1 (ko) * 2015-11-02 2017-05-11 주식회사 이오테크닉스 레이저 마킹장치 및 이를 이용하는 레이저 마킹방법

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030024913A1 (en) * 2002-04-15 2003-02-06 Downes Joseph P. Laser scanning method and system for marking articles such as printed circuit boards, integrated circuits and the like
US7067763B2 (en) * 2002-05-17 2006-06-27 Gsi Group Corporation High speed, laser-based marking method and system for producing machine readable marks on workpieces and semiconductor devices with reduced subsurface damage produced thereby
KR100584840B1 (ko) * 2002-12-24 2006-05-30 주식회사 이오테크닉스 칩 스케일 마커 및 마킹위치 보정방법
JP4684687B2 (ja) * 2005-03-11 2011-05-18 株式会社ディスコ ウエーハのレーザー加工方法および加工装置
CN100397564C (zh) * 2005-08-26 2008-06-25 南茂科技股份有限公司 晶圆的激光标示方法
JP5132911B2 (ja) 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US7760331B2 (en) * 2007-02-20 2010-07-20 Electro Scientific Industries, Inc. Decoupled, multiple stage positioning system
US7829384B2 (en) * 2007-09-25 2010-11-09 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of laser-marking wafers with tape applied to its active surface
US8916416B2 (en) * 2007-09-25 2014-12-23 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of laser-marking laminate layer formed over eWLB with tape applied to opposite surface
SG152090A1 (en) * 2007-10-23 2009-05-29 Hypertronics Pte Ltd Scan head calibration system and method
US20130256286A1 (en) * 2009-12-07 2013-10-03 Ipg Microsystems Llc Laser processing using an astigmatic elongated beam spot and using ultrashort pulses and/or longer wavelengths
CN102639280A (zh) * 2009-12-07 2012-08-15 Jp赛席尔联合股份有限公司 激光加工及切割系统与方法
US9245786B2 (en) * 2011-06-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for positioning a substrate using capacitive sensors
US10112258B2 (en) * 2012-03-30 2018-10-30 View, Inc. Coaxial distance measurement via folding of triangulation sensor optics path
KR101812209B1 (ko) * 2016-02-16 2017-12-26 주식회사 이오테크닉스 레이저 마킹 장치 및 레이저 마킹 방법
CN113035734B (zh) * 2021-02-25 2024-03-08 北京华卓精科科技股份有限公司 一种硅片偏移量确定方法及硅片交接精度检测方法
CN113959303B (zh) * 2021-10-15 2024-02-02 晋西工业集团有限责任公司 一种旋压筒形件两端螺纹连接台间距的测量方法
US20230143537A1 (en) * 2021-11-11 2023-05-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Semiconductor processing tool and method of operation

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55157231A (en) * 1979-05-25 1980-12-06 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Method of forming pattern by electron beam
JPS6012550A (ja) * 1983-07-04 1985-01-22 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 露光転写装置用マスク供給装置
JP2770960B2 (ja) * 1988-10-06 1998-07-02 キヤノン株式会社 Ｓｏｒ−ｘ線露光装置
JPH04186646A (ja) * 1990-11-19 1992-07-03 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体素子のマーキング方法及びその半導体素子の固定方法
JP2682475B2 (ja) * 1994-11-17 1997-11-26 日本電気株式会社 ビームスキャン式レーザマーキング方法および装置
JPH0950951A (ja) * 1995-08-04 1997-02-18 Nikon Corp リソグラフィ方法およびリソグラフィ装置
AU9095798A (en) 1997-09-19 1999-04-12 Nikon Corporation Stage device, a scanning aligner and a scanning exposure method, and a device manufactured thereby
JP2000114129A (ja) * 1998-10-09 2000-04-21 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
KR100274206B1 (ko) * 1998-10-21 2000-12-15 한효용 칩사이즈패키지의 마킹방법 및 장치
KR20010073299A (ko) * 2000-01-13 2001-08-01 성규동 웨이퍼 마킹 장치
KR100319898B1 (ko) * 2000-03-20 2002-01-10 윤종용 웨이퍼의 치수인자 측정방법 및 그 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100828074B1 (ko) * 2006-11-22 2008-05-08 주식회사 이오테크닉스 칩 스케일 마킹 장치 및 이를 이용하는 칩 스케일 마킹방법
WO2017078230A1 (ko) * 2015-11-02 2017-05-11 주식회사 이오테크닉스 레이저 마킹장치 및 이를 이용하는 레이저 마킹방법

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