KR20030077444A - 광기록 매체 - Google Patents

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KR20030077444A KR10-2003-0018538A KR20030018538A KR20030077444A KR 20030077444 A KR20030077444 A KR 20030077444A KR 20030018538 A KR20030018538 A KR 20030018538A KR 20030077444 A KR20030077444 A KR 20030077444A
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유스게이찌로
이찌하라가쯔따로
나까무라나오마사
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가부시끼가이샤 도시바
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Abstract

크로스이레이즈를 가급적 방지하여, 기록 밀도를 높게 하는 것을 가능하게 한다. 반사막과, 이 반사막 상에 형성된 제1 투명막과, 이 제1 투명막 상에 형성된 반투명막과, 이 반투명막 상에 형성된 제2 투명막과, 이 제2 투명막 상에 형성된, 원자 배열을 가역적으로 변화시킬 수 있는 기록막과, 이 기록막 상에 형성된 제3 투명막을 구비하고 상기 반투명막의 복소 굴절율을 n-ik로 할 때, 0<n<1, 또한 1<k이고, 상기 반투명막의 막 두께 d(㎚)와, 상기 복소 굴절율의 감쇠 계수 k와의 곱이, d·k≤44이다.

Description

광기록 매체{OPTICAL RECORDING MEDIUM}
본 발명은, 광 빔을 조사함으로써 상태를 가역적으로 변화시켜, 정보를 기록하는 광기록 매체에 관한 것으로, 특히 상태 변화가, 기록을 유지하는 박막의 원자 배열이 비정질과 결정질의 간을 천이하는 상변화 광기록 매체에 관한 것이다.
상변화 광기록막은, 일반적으로 융점 이상으로 가열된 부분이 용융하여, 급격히 냉각될 때에 비정질의 원자 배열을 취한다. 또한, 융점 이하, 결정화 온도의 온도 영역에 일정 시간 이상 유지된 경우에는, 초기 상태가 결정인 경우에는 결정인 채로 있지만, 초기 상태가 비정질인 경우에는 결정화한다. 비정질인 부위로부터의 반사광 강도와, 결정인 부위로부터의 반사광 강도가 다른 것으로부터, 반사광의 강약을 전기 신호의 강약으로 변환하고, 또한 A/D 변환을 행하여 정보를 판독하는 것이 상변화 광기록 매체의 원리이다.
여기서, 한장의 기록 매체에 기록할 수 있는 정보의 량, 즉 기록 용량을 늘리기 위해서는, 이하의 두가지 방법이 있다. 하나의 방법은, 트랙 방향의 기록 마크의 피치를 미세화하는 것이다. 이 방법은, 미세화의 정도가 심화되면 재생하는광 빔의 크기보다도 작은 영역이 되게 되어, 재생 빔 스폿 내에 2개의 기록 마크가 동시에 포함되는 경우가 생긴다. 기록 마크가 서로 충분히 떨어져 있는 경우에는 재생 신호가 크게 변조되어, 진폭이 큰 신호가 얻어지지만, 상호 근접하고 있는 경우에는, 진폭이 작은 신호가 되어, 디지털 데이터로의 변환 시에 에러가 생기기 쉽다.
또 하나의 기록 밀도 향상의 방법은, 트랙 피치를 협소화하는 것이다. 이 방법은, 상기한 마크 피치 미세화에 의한 신호 강도 저감의 영향을 크게 받는 일 없이, 기록 밀도를 높일 수 있다. 그러나, 이 방법의 문제점은, 트랙 피치가 광 빔의 크기에 비교하여 같은 정도이거나 작은 영역에서는, 어떤 트랙의 정보가, 인접한 트랙에 기입 내지 소거 동작을 행하고 있을 때에 열화하게 되는, 소위 크로스이레이즈가 발생하는 것이다.
크로스이레이즈를 가져오는 원인은 두가지가 생각된다. 하나는, 인접하는 트랙에 빔을 조사할 때에, 문제의 트랙 내에 이러한 빔의 가장자리의 광 강도가 이미 꽤 커서, 광조사의 효과만으로 상기 트랙의 기록 마크가 열화하는 것이다. 또 하나는, 인접하는 트랙이 광 빔에 의해 가열된 때에, 발생한 열이 막면 내 방향의 열전도에 의해 상기 트랙으로도 전도하여, 그 영향으로 기록 마크의 형상이 열화하는 것이다. 후자의 영향에 의한 크로스이레이즈는, 막면 내 방향의 열전도를 저감함으로써 영향을 줄일 수 있기 때문에, 기록막에 근접하여 열전도율 및/또는 열용량이 큰 막을 배치하여, 소위 급냉 구조로 하는 것에 의해서 면내보다도 막면과 수직 방향의 열전도를 촉진하여, 크로스이레이즈를 저감하는 연구가 이루어져 있다.
예를 들면, 도 10에 도시하는 종래의 상변화 광기록 매체는, 기판(301) 상에 금속 반사막(302)이 형성되고, 이 금속 반사막(302) 상에 투명한 유전체막(303)이 형성되고, 이 유전체막 상에 기록막(304)이 형성되고, 이 기록막(304) 상에 투명한 유전체막(305)이 형성되고, 이 유전체막(305) 상에 커버층(306)이 형성된 구성으로 되어있다. 즉, 기록막(304)과, 광의 반사에 의해서 신호 강도를 확보하기 위한 금속 반사막(302) 사이에, 유전체막(303)을 배치하여, 이 유전체막(303)의 막 두께를 비교적 얇게 함으로써, 기록막(304)에서 발생한 열이 반사막(302) 측으로 빠져나가기 쉽게 하여, 막면 내 방향으로의 열전도를 억제하는 효과를 가져올 수 있다. 여기서 상기 유전체막(303)의 막 두께를 얇게 하면 할수록, 막면에 대하여 수직 방향으로의 열전도를 촉진할 수 있기 때문에, 크로스이레이즈 개선에 대하여 효과가 있다.
그러나, 상기 유전체막(303)의 막 두께가 지나치게 얇으면, 기록 시의 레이저 빔에 의한 가열과 동시에 반사막(302)으로의 열전도가 개시되기 때문에, 기록막(304)의 온도 상승이 불충분하게 되어, 기록 마크를 형성하기 위해 필요한 면적이 융점에 달하지 않는다고 하는 문제점이 있다. 또한, 소거 레벨의 레이저 파워를 제공한 경우에도, 가열한 뒤부터 식어버리기 때문에, 결정화할 수 있는 온도 영역에 충분히 긴 시간 유지할 수 없어서, 마크를 결정화하는 것, 즉 소거 동작이 곤란해져서, 소거율이 현저히 저하하는 문제가 있다.
반대로, 상기 유전체막(303)의 막 두께가 지나치게 두꺼우면, 기록 시의 레이저 빔에 관한 파워 마진 및 소거율은 문제가 없지만, 이미 상술한 바와 같이 막면 내로의 열전도를 조장함으로써 크로스이레이즈가 심하게 될 뿐만 아니라, 기록막(304)의 냉각 속도가 늦어지기 때문에, 기록 시에 용융한 영역이 비정질화하지 않아, 재차 결정화하게 되어, 결과적으로 형성되는 마크가 과소하게 되는 문제가 있다.
일본 특허 공개 공보: 특개2000-215516호에 따르면, 광입사측으로부터 순서대로, 적어도 기록층, 상측 보호층, 중간층, 반사층을 포함하며, 상기 중간층 내지 반사층의 재료 특성을 규정함으로써 크로스이레이즈를 억제할 수 있게 하고 있다. 그러나 이 방법도 중간층의 재료의 선정이 충분하지 않고, 열전도율이 낮은 재료를 선택하고 있기 때문에, 급냉하기 어려워서 크로스이레이즈의 저감에 충분한 효과가 있다고는 말할 수 없다.
이와 같이, 금속 반사막과, 기록막 사이에 개재된 유전체막의 두께와 열전도 특성은, 기록의 파워 감도와, 크로스이레이즈나 재결정화, 소거율과 같은 문제를 동시에 만족시킬 필요가 있지만, 종래의 수단에서는, 이들을 전부 동시에 만족시킬 수 없었다.
본 발명은, 상기 사정을 고려하여 이루어진 것으로서, 크로스이레이즈를 가급적 방지하여, 기록 밀도가 높은 광기록 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태의 상변화 광기록 매체의 구성을 도시하는 단면도.
도 2는 레이저 펄스의 파워 시간 변화를 도시하는 타이밍차트.
도 3은 제1 실시 형태와 종래의 광기록 매체에 기록 파워의 레이저 펄스를 조사했을 때의, 마크 외연부에 있어서의 온도 이력을 도시하는 도면.
도 4는 제1 실시 형태와 종래의 광기록 매체에 기록 파워의 레이저 펄스를 조사했을 때의, 인접 트랙 마크 외연부에 있어서의 온도 이력을 도시하는 도면.
도 5는 제1 실시 형태에 있어서의 반투명막과 기록막과의 거리에 대한, 10회 오버라이트 후의 지터값의 변화를 도시하는 도면.
도 6은 제1 실시 형태에 있어서의 반투명막의 막 두께에 대한 10회 오버라이트 후의 지터값의 변화를 도시하는 도면.
도 7은 제1 실시 형태에 있어서, 기록막에 인접하는 유전체막의 재료를 바꾼 경우의 구성을 도시하는 도면.
도 8은 제1 실시 형태에 있어서의 반사막의 막 두께와 감쇠 계수와의 곱에 대한 10회 오버라이트 후의 지터값의 변화를 도시하는 도면.
도 9는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 상변화 광기록 매체의 구성을 도시하는 단면도.
도 10은 종래의 상변화 광기록 매체의 구성을 도시하는 단면도.
도 11는 기록막의 기록 마크의 최외연과 같은 점을 도시하는 도면.
도 12는 기록 파워 조사 개시 후에 있어서의 빔 스폿의 위치를 도시하는 도면.
도 13은 제1 실시 형태에 따른 광기록 매체의 실시예 1, 실시예 2의 지터값의 측정 결과를 도시하는 도면.
도 14는 제1 실시 형태에 따른 광기록 매체의 실시예 3의 지터값의 측정 결과를 도시하는 도면.
도 15는 제1 실시 형태에 따른 광기록 매체의 실시예 4, 실시예 5의 지터값의 측정 결과를 도시하는 도면.
도 16는 제1 실시 형태에 따른 광기록 매체의 실시예 1, 실시예 3, 실시예 4의, 광원 파장이 650 ㎚ 인 경우의 복소 굴절율의 측정 결과를 도시하는 도면.
도 17는 제2 실시 형태에 따른 광기록 매체의 실시예 1, 실시예 2의 지터값의 측정 결과를 도시하는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
101 : 기판
102 : 금속 반사막
103 : 유전체막
104 : 반투명 금속막
105 : 유전체막
106 : 기록막
107 : 유전체막
108 : 커버층
본 발명의 제1 형태에 따른 광기록 매체는, 반사막과, 이 반사막 상에 형성된 제1 투명막과, 이 제1 투명막 상에 형성된 제1 반투명막과, 이 제1 반투명막 상에 형성된 제2 투명막과, 이 제2 투명막 상에 형성된, 원자 배열을 가역적으로 변화시킬 수 있는 기록막과, 이 기록막 상에 형성된 제3 투명막을 구비하며, 상기 제1 반투명막의 복소 굴절율을 n-ik로 할 때, 0<n<1, 또한 1<k이고, 상기 제1 반투명막의 막 두께 d(㎚)와, 상기 복소 굴절율의 감쇠 계수 k와의 곱이, d·k≤44인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제2 형태에 따른 광기록 매체는, 반사막과, 이 반사막 상에 형성된 제1 투명막과, 이 제1 투명막 상에 형성된 제1 반투명막과, 이 제1 반투명막 상에 형성된 제2 투명막과, 이 제2 투명막 상에 형성된, 원자 배열을 가역적으로 변화시킬 수 있는 기록막과, 이 기록막 상에 형성된 제3 투명막을 구비하며, 상기 제1 반투명막이 알루미늄, 은, 금, 구리 중의 적어도 한종류를 90 atom% 이상 포함하는 단체 혹은 합금이고, 상기 제1 반투명막의 막 두께가 25 ㎚ 이하인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제3 형태에 따른 광기록 매체는, 반사막과, 이 반사막 상에 형성된 제1 투명막과, 이 제1 투명막 상에 형성된 제1 반투명막과, 이 제1 반투명막 상에 형성된 제2 투명막과, 이 제2 투명막 상에 형성된, 원자 배열을 가역적으로 변화시킬 수 있는 기록막과, 이 기록막 상에 형성된 제3 투명막과, 이 제3 투명막 상에 형성된 제2 반투명막을 구비하며, 상기 제1 반투명막이 알루미늄, 은, 금, 구리 중의 적어도 한종류를 90 atom% 이상 포함하는 단체 혹은 합금이고, 상기 제1 반투명막의 막 두께가 25 ㎚ 이하이고, 상기 제2 반투명막이 알루미늄, 은, 금, 구리 중의 적어도 한종류를 90 atom% 이상 포함하는 단체 혹은 합금이고, 상기 제2반투명막의 막 두께가 25 ㎚ 이하인 것을 특징으로 한다.
<발명의 실시 형태>
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하면서 구체적으로 설명한다.
발명자들은, 상기한 과제를 깊이 연구한 결과, 단층 기록 매체에 있어서 이상적인 구성은 이하의 요구를 만족하는 것이라는 결론에 이르렀다.
(1) 기록 빔 조사로부터 10 ㎱까지의 열전도는, 현실적인 레이저 파워로 기록할 때의 융점 이상으로의 가열을 가능하게 하기 위해서, 기록막에 가장 가까운 제1 유전체막의 열전도율은 너무 높지 않을 필요가 있다.
(2) 10 ㎱∼30 ㎱까지의 열전도는, 응고 시의 비정질화를 확실하게 행하기 위해서, 충분히 높은 열전도율의 재료의 제2 막을 상기 제1 유전체막의 바로 윗쪽에 형성하는 것이 필요하다.
(3) 그 이후에는, 인접 트랙으로의 열 이동에 의한 크로스이레이즈 발생을 방지하기 위해서, 높은 열용량의 제3 막에 열 확산을 담당하게 할 필요가 있다.
구체적인 구성의 일례를 들면, 기록막의 상하에 있는 유전체로서, ZnS:SiO2(몰비 ZnS:SiO2= 80:20)와 동등하거나, 보다 낮은 열전도율을 갖는 막(저 열전도율막)을 6 ㎚ 이상 형성하는 것이 기록 감도를 확보하기 위해서 필요하다. 여기서, 반사막과의 사이에 ZnS:SiO2와 동등 이상의 열전도율을 갖는 막, 예를 들면 기록막 바로 윗쪽에 결정화를 촉진하기 위한 계면막을 개재시키더라도 되지만, 그 막의 두께는, 그 막이 기록막과 접하는 경우에는 10 ㎚을 넘어서는 안된다. 다음의 조건으로서, 상기 저 열전도율막의 두께는 20 ㎚ 이상이어서는 안된다. 막 두께가 20 ㎚ 이상이면, 기록막이 고온으로 유지되는 시간이 지나치게 길어지기 때문에, 반사막으로의 수직 방향의 열전도보다도 가로방향의 열전도가 조장되어, 크로스이레이즈가 심해지게 된다.
상기 (2)의 요건을 만족시키기 위해서는, 제2 막으로서, 유전체·금속에 상관없이, 열전도율이 높은 것을 선택하는 것이 유리한데, 여러가지 검토한 결과, 유전체보다도 한자릿수 이상 높은 열전도율이 얻어지는 금속이 유리한 것이 판명되었다. 또한, 제2 막으로서 금속을 이용하면, 기록 매체의 반사율을 바람직한 범위로 설정할 수 없는 경우가 있는 것이 판명되었다.
기록 매체의 반사율로 바람직한 것은, 결정부의 미러부 반사율을 Rc, 비정질부의 미러부 반사율을 Ra로 하였을 때에 Rc>Ra가 되는 소위 High-to-Low 극성인 경우에는, Rc-Ra를 되도록이면 크게 하면서 Ra가 되도록이면 작은 것인데, 이것을 만족시키기 위해서 적합한 제2 막의 재료의 광학 상수(복소 굴절율)을 n-ik로 하였을 때, 0<n<1, 또한 k>1로 해야 하는 것을 알았다.
또한, 상기 요구를 만족시키는 또 하나의 요건은, 상기 제2 막과, 상기 제3 막이 접하지 않고, 사이에 투명한 제4 막을 형성하는 것이 필요하다는 것도 판명되었다. 따라서, 제2 막에 적당한 금속, 제4 막에 적당한 투명 유전체, 제3 막에 고열용량의 금속 반사막을 채용함으로써, 처음으로 상기 (1)∼(3)의 요구가 만족될 수 있는 것이 판명되었다.
(제1 실시 형태)
본 발명의 제1 실시 형태에 따른 상변화 광기록 매체의 구성을 도 1에 도시한다. 이 제1 실시 형태의 상변화 광기록 매체는, 상기 (1)∼(3)의 요구를 만족시키는 것으로써, 예를 들면 폴리카보네이트로 이루어지는 기판(101) 상에, 금속 반사막(102)이 형성되고, 이 금속 반사막(102) 상에 투명한 유전체막(103)이 형성되고, 이 유전체막(103) 상에 반투명 금속막(104)이 형성되고, 이 반투명 금속막(104) 상에 투명한 유전체막(105)이 형성되고, 이 유전체막(105) 상에 기록막(106)이 형성되고, 이 기록막(106) 상에 투명한 유전체막(107)이 형성되고, 이 유전체막(107) 상에 커버층(108)이 형성된 구성으로 되어있다.
이 제1 실시 형태의 상변화 광기록 매체는, 크로스이레이즈를 저감할 수 있는데, 이것을, 도면을 참조하여 보다 자세히 설명한다. 본 실시 형태에서 이용하는 기록막(106)의 특성은, 융점이 600℃, 결정화 개시 온도가 180 ℃로 한다. 또한, 기록 레이저 파워는 도 2의 타이밍에서 발광한다고 가정한다. 즉, t<0의 기간에는 소거 레벨 Perase, O<t<t0의 기간은 기록 레벨 Pwrite, t0<t<t1의 기간에는 판독 레벨 Pread(이 기간을 오프 펄스라고 함), t1<t의 기간에는 다시 소거 레벨 Perase의 파워가 주어지는 것으로 한다. 그런데 이 기록 펄스를 조사할 때, t=O 에서 트랙 방향 좌표 위치가 레이저 빔의 스폿 중심과 같고, 광 디스크 반경 방향 위치가 기록 마크의 최외연과 같은 점에 있는 기록막의 온도 이력을 도 3에 도시한다. 도 3에 도시하는 그래프 g1은 본 실시 형태의 상변화 광기록 매체에 관한 기록막(106)의 온도 이력을 도시하고, 그래프 g2는 도 10에 도시하는 종래의 상변화 광기록 매체에 관한 기록막(304)의 온도 이력을 도시한다. 또한, 기록막의 기록 마크의 최외연과 같은 점(이하, P 점이라 함)의 위치를 도 11에 도시한다. 이 점 P은 마크가 되어야 할 범위의 최외연이므로, 이 점 P로부터 내측, 즉 트랙 중심에 가까운 장소는 600 ℃ 이상으로 가열하여 용융시킨다. 점 P로부터 외측, 즉 트랙 중심으로부터 떨어진 장소는 융점에 달하지 않기 때문에 용융되지 않는다. 일반적으로, 상변화 광기록막이 용융 후에 재결정할지 여부는, 이 점 P의 온도 이력을 조사하여, 점 P가 융점 이하로 또한 결정화 온도 이상의 온도대에 일정 시간 이상 유지될지 여부로 결정될 수 있다고 생각된다. 이 일정 시간은, 상변화 광기록막 결정화 시간이라고 불리며, 사용하는 기록막의 물성값이고, 기록막의 조성에 따라서 결정되는 값이다. 점 P로부터 내측의 기록막의 용융 후의 냉각 속도는, 점 P의 냉각 속도보다도 급경사이기 때문에, 점 P가 상기 온도대에 유지되는 시간이 결정화 시간보다도 짧으면, 점 P보다 내측의 점이 상기 온도대에 유지되는 시간도 결정화 시간보다도 짧다. 따라서, 이 경우에는, 기록 마크가 형성되는 영역 전체에 걸쳐 결정화는 발생하지 않는다.
도 3에 있어서, t0까지의 기록 파워에 의해 강제적으로 가열되어, 거의 융점에 달한다. 그 후의 쿨링펄스에서 급격히 냉각된다. 본 실시 형태에서는, 쿨링펄스 종료시, 즉 t1에서의 온도가 300℃가 된다(그래프 g1참조). 계속해서, 소거 레벨의 레이저가 조사되기 때문에 그 영향으로 냉각 속도는 감소하지만, 그대로 계속하여 냉각된다. 시각 t2에 있어서 결정화 온도 tx에 달하기 때문에, 그 이후는 결정화가 일어나지 않는다. 따라서, 기록막(106)의 재료의 결정화 시간이 Δta=t2-t0보다 긴 것을 이용함으로써, 기록 마크의 재결정화를 방지할 수 있다.
한편, 종래의 구성을 이용한 경우에는, 도 3의 그래프 g2에 도시한 바와 같이, 쿨링펄스 내의 냉각 속도가 느리기 때문에, 쿨링펄스 종료인 t1에 이르더라도 온도가 400℃까지 밖에 내려가지 않는다. 그 후의 냉각도 400℃를 기점으로 하여 저하하기 때문에, 본 실시 형태의 구성에 비교하여 냉각 시간이 길어진다. 종래예에서는, 결정화 온도 tx에 이르는 것이 시각 t3이고, 기록막이 t3-t0의 긴 시간 동안, 결정화 가능한 온도로 유지된다. 이 때문에, Δtb=t3-t0이하의 결정화 시간을 갖는 기록막을 사용하는 경우에는 재결정화가 일어난다.
본 실시 형태의 상변화 광기록 매체와 비교하면, Δta<Δtb이기 때문에, 본 실시 형태의 상변화 광기록 매체 쪽이, 재결정화 방지에 있어서는 유리하다. 이 것은, 바꿔 말하면 동일한 폭의 기록 마크를 형성하기 위해서 필요한 용융 영역의 폭은, 본 실시 형태 쪽이 좁고 좋다는 것에 다름아니고, 따라서 인접 트랙에 기록된 마크 열에의 열 영향이 적은 것을 알 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태의 매체에서는 주로 t0<t<t1, 즉 쿨링펄스의 기간의 냉각 속도가 특히 크다. 이 이유는, 종래의 상변화 광기록 매체에 비교하여 기록막(106)과 가장 근접한 금속막과의 거리가 짧기 때문이다. 여기서 가장 근접한 금속막이라고 하는 것은, 도 1에서 도시한 반투명성 금속막(104)을 말한다. 반투명성이기 때문에, 매우 얇은 막이지만, 유전체나 반도체에 비교하여 월등하게 큰 열전도율을 갖기 때문에, 효율적으로 열이 빠져나가게 할 수 있어서, 쿨링펄스 중의 냉각 속도를 높일 수 있다. 여기서 쿨링펄스 기간 중의 열류는, 기록 파워 조사 직후의 매우 짧은 기간이기 때문에, 매우 얇은 금속막(104)이라고 하더라도 아직 온도가 상승하지 않는다. 따라서 기록막(106)에 인접하는 유전체막(105, 107) 내의 열류는, 기록막(106)과 수직인 방향이 지배적이 된다.
여기서, 도 10에 도시하는 종래의 상변화 광기록 매체의 구성을 바꾸지 않고, 기록막(304)과 금속 반사막(302)의 거리를 가깝게 한 경우와 비교한다. 종래의 상변화 광기록 매체의 구성에서, 금속 반사막(302)을 기록막(304)에 근접시키면, 금속 반사막(302)의 막 두께가 두껍기 때문에 열전도율이 너무 높아, 레이저 조사로 받은 열 중 많은 비율이 반사막(302)으로 전해져 막면 내 방향으로 열전도된다. 즉, 기록 마크 형성에 필요한 온도에 달하기 위한 레이저 파워가 커진다. 그 때문에 탑재하는 레이저도 고가의 것이 필요하고, 소비 전력이 크다는 등의 문제가 생긴다.
마찬가지로, 본 실시 형태의 상변화 광기록 매체와 도 10에 도시하는 종래의 상변화 광기록 매체의, 인접 트랙의 마크 외연(주목하고 있는 기록 트랙에 가까운 쪽)에 있어서의 온도 이력을 도 4의 그래프 g3와 그래프 g4에 각각 도시한다. 그래프에 도시한 인접 트랙의 마크 외연은 평면도로 도시하면, 도 12의 점 Q 이다. 기록의 타이밍은 도 3인 경우와 마찬가지이다. 기록 파워 조사 개시 후, 즉 t=0에 있어서의 빔 스폿의 위치를 도 12에 도시한다.
본 실시 형태의 상변화 광기록 매체에 있어서는, 상술한 바와 같이, t<t1의 기간에 있어서의 기록 트랙에서의 열류는 수직 방향 성분이 지배적이기 때문에, 인접 트랙으로의 열 확산이 적다. 이 때문에, 본 실시 형태의 상변화 광기록 매체의 온도 이력은, 그래프 g3에 도시한 바와 같이, 기록 펄스 조사 종료 시의 온도가 낮게 억제되어, 270 ℃가 된다.
한편, 도 10에 도시하는 종래의 상변화 광기록 매체에서는, 기록막(304)에 인접하는 유전체(303, 305)의 막 두께가 비교적 두껍기 때문에, 가로방향의 열전도도 어느 정도 생긴다. 이 때문에, 인접 트랙 외연부에 있어서의 최고 도달 온도가 비교적 높아서, 그래프 g4에 도시한 바와 같이 350 ℃이다.
이들로부터, 인접 트랙 외연부의 열이력을 검토하여, 결정화 가능 온도 영역에 유지되는 시간을 비교하면, 본 실시 형태인 경우가 Δtc= t6-t5, 종래예에서는 Δtd=t7-t4이고, Δtc<Δtd이므로, 크로스이레이즈는 본 실시 형태에 의해서 억제 가능한 것을 알 수 있다.
여기서 일견 유사의 구성이라고 보이는 공지예에 대하여 언급해 둔다. 일본 특허 공개 공보: 특개2000-222777호에 따르면, 기록층과, 광 빔이 투과하는 반사층과, 광입사면으로부터 봐서 반사층보다도 먼 측에 열 확산층을 형성하는 구성에 의해서, 기록막의 냉각능을 향상시켜서 오버라이트 왜곡을 저감할 수 있게 되어 있다. 그러나, 이 구성은 상기 일본 특허 공개 공보 : 특개2000-222777호 중에 명기되어 있는 것 같이, 전체의 투과율을 50∼70%로 하여, 상기 매체에 관하여 광입사면으로부터 먼 쪽에 제2 기록층을 형성하여, 합쳐서 2층의 기록 매체를 이용함으로써 고밀도화를 꾀할 목적으로 이루어진 것으로, 투과율을 높게 할 필요로부터 반사율이 낮게 된다. 따라서 반사율이 큰 단층에서 기록을 유지하는 형태의 기록 매체에 비교하여, 결정·비정질 간의 반사율 차가 적고, 재생 신호 진폭이 작고, 지터가 큰 결과가 된다. 즉, 같은 정도의 신호 품질을 얻기 위해서는 기록하는 트랙 피치 내지 마크 피치를 단층의 매체에 비교하여 크게 설정하지 않을 수 없어서, 기록막 1층당의 기록 용량은 단층의 매체에 비교하여 실질적으로 작은 것이 된다.
한편, 본 실시 형태는, 전체적으로 투과율을 높게 할 필요가 없는 단층형의 기록 매체에 한정된 것으로, 2층화하여 기록 용량을 증대하는 것보다도, 단층의 기록 매체의 기록 밀도를 증대함으로써 기록 용량 증대의 요구에 응하고자 하는 것이다. 따라서 단층으로 사용하는 매체에 관해서는, 상기 일본 특허 공개 공보: 특개 2000-222777호와 전혀 달리, 전체의 투과율을 높이는 것은 필요하지 않고 상술한 바와 같이, 결정·비정질 사이의 반사율 차를 될 수 있는 한 크게 하는 것이 중요하다. 또한, 단층의 매체는, 2층 이상의 매체에 비교하여 얇은 분리층의 제작과 2층의 접합이라고 하는 복잡한 공정이 없기 때문에, 제조가 훨씬 용이하다고 하는 이점이 있다.
상기 일본 특허 공개 공보: 특개 2000-222777호는, 2층 이상의 기록막을 이용한 적층 매체 실현을 위해, 투과율 확보의 목적으로 반사층을 반투명으로 할 필요가 있었다. 그 부작용으로서 냉각도의 부족이 생겨, 그것을 보충하기 위해서 고열전도도의 유전체막을 부가한 것은 상기 일본 특허 공개 공보: 특개 2000-222777호에 명기되어 있는 대로이다.
한편, 본 실시 형태는, 우선 투과율이 높을 필요가 없는 단층 매체에 있어서, 열전도를 크로스이레이즈 저감의 관점에서 다시 볼 목적으로 착상한 것으로, 후술하는 바와 같이 3단계의 냉각 과정을 자유롭게 제어할 목적으로 이루어진 것이다.
상기 일본 특허 공개 공보: 특개 2000-222777호의 반투명 반사층은 종래의 전반사형 반사층을 치환하는 것이지만, 본 실시 형태의 반투명층(104)은, 3단계의 냉각 과정 중 2단계째를 담당하는 것이므로, 상기 일본 특허 공개 공보: 특개2000-222777호를 안 후에도 본 발명의 착상에 이르는 것은 곤란하여, 상기 일본 특허 공개 공보: 특개 2000-222777호에 대하여 충분한 신규성 및 진보성을 구비한 것은 분명하다.
3단계의 냉각 과정이란, 다음과 같은 것이다. 우선, 제1 냉각 과정은, 도 3의 t0이전, 즉 기록 파워 조사와 동시의 매우 단시간에 발생하는 냉각이다. 본 실시 형태의 구성에 의하면 기록막 가장 가까운 유전체막(105)이 주로 담당한다. 상기 유전체막(105)의 열전도율이 충분히 낮기 때문에, 쉽게 융점에 도달하여, 감도저하의 부작용이 없다. 제2 냉각 과정은, 도 3에 도시하는 t0내지 t1의 기간에 지배적인 냉각 기구로서, 반투명 금속막(104)이 담당한다. 이 반투명 금속막(104)은 매우 얇지만 유전체보다는 월등하게 높은 열전도율을 갖고 있기 때문에, 급속 냉각과 막면에 대하여 수직 방향의 열전도를 촉진하여, 크로스이레이즈의 원인이 되는 가로 방법의 열전도를 억제하는 효과가 있다. 제3 냉각 과정은, 주로 도 3의 t1이후의 시각에서 기능하는 냉각 기구로서, 주로 반사막(102)과, 반사막측의 유전체막(103)이 담당한다. 이것은 종래예의 구조의 기록 매체와 마찬가지로, 두꺼운 반사막에 의한 높은 열전도율과 열용량을 이용함으로써, 반투명 금속막(104)의 냉각을 백업하는 효과가 있다.
또한, 본원의 효과가 크로스이레이즈 억제의 점에서 상기 일본 특허 공개 공보: 특개 2000-222777호에 기재된 기술에 대한 진보성을 나타내는 것은 물론이다. 이것을 다음에 설명한다. 상기 일본 특허 공개 공보: 특개 2000-222777호에 기재된 구성에서도, 열 확산층을 형성하지 않은 반투명형 매체에 비교하면, 확실히 수직 방향의 열류를 촉진할 수 있어 크로스이레이즈 억제에 효과적이지만, 반사막으로부터 먼 측에 형성된 열 확산층의 열전도율이 금속에 비교하여 한자릿수나 작기 때문에 충분하지 않다. 특히, 빔 조사로부터 10 ∼ 수십 ㎱ 에 걸쳐서 막면 내 방향으로의 열전도가 계속되어, 열전도에 의한 크로스이레이즈의 발생을 조장한다는 문제가 있었다. 또한, 계면층의 바로 윗쪽에 반사층을 형성하고 있기 때문에 레이저 빔 조사 중·조사 직후의 열의 발산이 심하여, 기록에 필수적인 조건인 융점 이상의 온도로 가열하기 위해서 높은 파워가 필요하다는 문제가 있다.
이하, 본 실시 형태의 실시예를, 도 1을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은, 본 실시 형태의 실시예의 광기록 매체의 단면 구성이다. 이 실시예의 광기록 매체는, 광입사와 반대측으로부터 순서대로, Ag 합금으로 이루어지는 반사막(102), ZnS:SiO2로 이루어지는 유전체막(103), Ag 합금으로 이루어지는 반투명 금속막(104), ZnS:SiO2로 이루어지는 유전체막(105), GeSbTe로 이루어지는 기록막(106), ZnS:SiO2로 이루어지는 유전체막(107)이 적층된 구성으로 되어 있고, 이들의 막 두께는 동일한 순서로, 100 ㎚, 10 ㎚, 15 ㎚, 10 ㎚, 12 ㎚, 135 ㎚ 이다. 이 중, Ag 합금의 단층막을 별도로 제작하여, 엘립소메트리(ellipsometry)에 복소 굴절율(광학 상수)을 측정한 바, 파장 405 ㎚ 에서 0.50-1.73i 이었다. 또한, 기록막(106)인 GeSbTe의 복소 굴절율(광학 상수)을 마찬가지로 측정한 바, 비정질 상태에서 2.6-2.1i, 결정의 상태에서 1.45-2.8i 이었다. 또한, 상기 ZnS:SiO2는, 몰비로 ZnS:SiO2= 80:2O 이다. 본 실시예의 광기록 매체는, 1.1 ㎜ 두께의 폴리카보네이트 기판(101) 상에, 스퍼터링법에 의해서 상기한 순서로 성막하여 제작되었다. 성막 후, 자외선 경화 수지를 스핀 코팅하고, 광경화하여 0.1 ㎜ 두께의 커버층(108)으로 하였다.
다음에, 50 ㎛ 폭으로 1 ㎛ 길이의 타원형 빔을 갖는 상변화 매체 초기화 장치에 의해서, 기록막(106)의 전면을 결정화하여, 매체를 완성하였다. 기판(101)에는, 0.6㎛ 피치로 깊이 40 ㎚의 그루브가 형성되어 있고, 랜드·그루브 기록으로서 평가할 때에는 트랙 피치 0.3 ㎛의 기판이 되는 것을 이용하였다. 이하, 그루브·트랙이란 광입사면으로부터의 거리가 먼 쪽의 트랙, 랜드· 트랙이란 광입사면으로부터 가까운 쪽의 트랙을 가리키는 것으로 한다.
상기한 광기록 매체를 이용하여, 기록·소거 실험을 행하였다. 여기서 평가에는 개구수 NA=0.85의 대물 렌즈와 405 ㎚의 파장의 반도체 레이저를 구비한 픽업을 갖는 광 디스크 평가 장치를 이용하였다. 여기서 최단 마크 길이 0.15 ㎛가 되는 패턴을 3T로 하고, 최장 마크 길이 0.55 ㎛이 되는 패턴을 11T로 하고, 3·4…11T의 계열이 랜덤하게 조합된 펄스 패턴을 조사하여 기록 실험을 행하였다.
기록 방법은, 최적의 기록 파워를 발견하여, 이 최적의 기록 파워를 이용하여 행하였다.
비교를 위해, 동일한 막 재료로, 반투명 금속막(104)과 기록막(106) 사이의 거리(d0로 한다)를 여러가지로 변화하게 한 매체를 시작(試作)하여 평가하였다. 또, 이 거리 d0는 도 1에 도시하는 반투명 금속막(104)의 하면과 기록막(106)의 상면과의 최단 거리를 나타낸다. 이 평가 결과를 도 5에 도시한다. 해당 트랙만 10회 오버라이트한 후의 지터값(도 5의 곡선 k1)은, d0가 5 ㎚ 미만, 15 ㎚을 넘으면 급격히 악화하였다. 이것은, d0를 작게 한 경우에는 기록 감도가 부족한 것, 크게 한 경우에는 결정화 온도 영역에 유지되는 시간이 지나치게 길어서 비정질 마크가 재결정하여, 마크가 축소한 것에 기인한다. 또한, 인접 트랙에 동일 패턴을 10회오버라이트한 후의 지터값(도 5의 곡선 k2)도, d0가 큰 경우에 악화되었다. 이것은 인접 트랙의 기록 빔에 의한 열 부하에 의해서, 해당 트랙의 마크의 외연부가 부분적으로 결정화하여, 마크의 폭이 가늘게 된 것에 기인한다. 또한, 인접 트랙의 기록 전후의 지터 상승율은 d0가 큰 경우에 특히 나빴다. 이 점으로부터도, d0는 너무 두껍지 않은 쪽이 좋다.
그런데, 도 1에서는 d0를 변화시키었지만, 만일 하나의 막 두께를 단독으로 변화시키면 반사율도 동시에 변화하기 때문에, 기록 매체로서 적당한 반사율이 얻어지지 않는 경우가 있다. 그래서, 도 5에 있어서는, 광입사에 가장 가까운 측의 ZnS;SiO2막, 즉 도 1에 있어서는, 유전체막(107)의 막 두께를 바꿈으로서, 반사율의 변화를 보정하여, 어떤 매체도 동일한 반사율이 얻어지도록 하였다. 이 유전체막(107)은, 원래 충분히 두껍기 때문, 반사율 변화량을 보정할 목적의 막 두께 조정 범위(± 20 ㎚ 정도)의 변화에서는, 열적인 작용에 변화가 없고, 기록막의 냉각 속도도 변화하지 않는다. 또, 이하의 설명에 있어서도, 동일한 이유로 막 두께 의존성을 조사하는 실험에서는, 주목하는 막의 두께 외에, 광입사측의 유전체막(도 1의 유전체막(107))을 동시에 바꿔 반사율 차의 변화를 방지하였다.
또한, 본 실시예는, 반투명막의 Ag 합금의 감쇠 계수 k가 1.73, 반투명 금속막(104)의 막 두께 d가 15 ㎚ 이므로, 그 곱 d·k= 25.95가 된다.
비교를 위해, d·k의 값이 다른 매체를 시작(試作)하였다. 이 경우, 매체의 막 구성은, 동일하게 광입사와 반대측으로부터 순서대로, Ag 합금으로 이루어지는반사막, ZnS:SiO2으로 이루어지는 유전체막, Ag 합금으로 이루어지는 반투명막, ZnS:SiO2으로 이루어지는 유전체막, GeSbTe로 이루어지는 기록막, ZnS:SiO2로 이루어지는 유전체막이 적층된 구성으로 되어 있다. 이 때, 반투명막의 막 두께 d를 변화시키었다. 결과는 도 6에 도시한 바와 같이, 반투명막의 막 두께 d가 25 ㎚을 넘는 경우, 그래프 k4로 도시한, 인접 트랙에 동일 패턴을 10 회 오버라이트한 후의 지터값의 특성으로부터, 지터값이 10%를 넘으면서 급격히 증대하고 있어, 바람직하지 못한 것이 판명되었다. 반투명막의 막 두께 d= 25 ㎚은, 복소 굴절율(광학 상수)이 전술한 대로 파장 405 ㎚ 에서 0.50-1.73i 이기 때문에, d·k= 44에 상당한다. 반투명막의 막 두께가 25 ㎚을 넘으면 지터값이 증대하여 특성이 악화하는 이유는, 반투명막을 구성하는 은 합금의 막 두께가 너무 두꺼워 본 실시 형태에 따른 반투명의 영역을 일탈하여, 통상의 전반사 기록 매체와 전혀 다르지 않은 구성이 되어 버린 것에 기인한다. 따라서, 반투명막의 막두께 d(㎚)와 감쇠 계수 k와의 곱 d·k은 44 이하인 것이 바람직하다. 또, 도 6에 있어서, k3는 해당 트랙만 10 회 오버라이트한 후의 지터값의 특성을 나타내는 그래프이다.
다음에, 상기 실시예에서 진술한 매체를 매체1로 한다. 비교를 위해, 광입사와 반대측으로부터 순서대로, Ag 합금으로 이루어지는 반사막, ZnS:SiO2로 이루어지는 유전체막, Ag 합금으로 이루어지는 반투명막, ZrO2으로 이루어지는 유전체막, GeSbTe로 이루어지는 기록막, ZnS:SiO2로 이루어지는 유전체막을 적층한매체(매체2)와, 순서대로 Ag 합금으로 이루어지는 반사막, ZnS:SiO2으로 이루어지는 유전체막, Ag 합금으로 이루어지는 반투명막, TiO2으로 이루어지는 유전체막, GeSbTe로 이루어지는 기록막, ZnS:SiO2으로 이루어지는 유전체막이 적층된 매체(매체3)를 시작(試作)하였다. 그 구성을 도 7에 도시한다. 즉, 상기 실시예의 ZnS:SiO2로 이루어지는 유전체막(105)를 ZrO2로 이루어지는 유전체막으로 치환한 것이 매체2이고, Ti02로 이루어지는 유전체막으로 치환한 것이 매체3이다.
매체2는, 원 트랙만의 지터가 9.8%, 인접 트랙에 기입한 후의 지터가 10.2%로 바람직한 값이었지만, 매체3는, 원 트랙의 지터가 14.4%, 인접 트랙 기입 후의 지터가 15% 이상으로, 특성이 뒤떨어지고 있었다. ZrO2막, TiO2막의 열전도율을 측정한 바, ZrO2는 1.5 W/mK, TiO2은 10 W/mK이고, 한편, 본 실시예의 ZnS:SiO2의 열전도율은 0.6 W/mK 이었다. 따라서, 기록막(106)과 반투명 금속막(104)에 끼워진 유전체막(105)의 열전도율이 너무 높으면 안된다는 것이 판명되었다. 유전체(105)의 열전도율은 2.0 W/mK 이하인 것이 바람직하다.
또 박막의 열전도율은, 광 교류법, 예를 들면「진공리공(株)」제 PIT-1에 의해 측정 가능하다.
이와 같이, 반사막(102)과 기록막(106)에 개재된 2층의 유전체(103, 104) 중, 기록막(106)에 가까운 쪽의 유전체막(104)의 재료로서는, ZnS:SiO2이나 여기에거론되고 있는 ZrO2의 외에, 열전도율이 너무 높지 않은, SiO2, HfO2등이 적당하고, 반대로 Al2O3, AlN 등은 열전도율이 너무 높기 때문에 바람직하지 못하다.
또한, 비교를 위해, 실시예의 상변화 광기록 매체와, 이 실시예의 상변화 기록 매체와 반사막(102)의 막 두께가 서로 다른 상변화 기록 매체를 제작하였다. 반사막(102)의 재료에는 동일하게 광학 상수가 1.73인 은 합금을 이용하여, 반사막(102)의 막 두께를 변화시키었다. 도 8에 도시한 바와 같이, 막 두께 r와 감쇠 계수 k의 곱 rk이 60보다도 작은 경우에는, 급격히 지터값이 열화한다. 이것은, 반사막이 광을 투과하기 시작하였기 때문에, 픽업으로 되돌아가는 반사광의 변조도(결정부의 반사율과 비정질부의 반사율과의 차)가 저하하여, 신호 강도가 저하한 것과, 반사막의 냉각 능력이 저하하여, 비정질 마크의 형성 시의 재결정화와, 크로스이레이즈가 발생하기 시작한 것에 의한다. 또, 도 8에 있어서, k5는 해당 트랙만 10 회 오버라이트한 후의 지터값의 특성을 나타내는 그래프, k6는 인접 트랙에 동일 패턴을 10 회 오버라이트한 후의 지터값의 특성을 나타내는 그래프이다. 여기서는, 동일한 재료를 사용하여, 막 두께를 변화시키었지만, 재료를 바꾸더라도 rk가 60보다도 작은 경우에는, 지터값이 열화한다. 반사층(102)으로서는, k이 작은 재료, 예를 들면 Si, Ge 등은 바람직하지 않다.
또, 본 실시예의 반투명 금속막(104)에 이용한 은 합금은, AgPdCu이고, 조성비는, Ag이 97.5 atom%, Pd가 1.0 atom%, Cu가 1.5 atom% 이다.
비교를 위해, 반투명막(104)의 조성을 바꾼 매체를 시작(試作)하여, 지터값을 조사하였다. 또, 반투명막(104)의 막 두께는 본 실시예와 동일하게 하였다.
우선, 은 합금에 대하여 도 13를 참조하여 설명한다. 도 13에 도시한 바와 같이, 반투명막(104)의 은의 조성비가 Ag= 97.5 atom.% 인 실시예 1, 은의 조성비가 Ag= 92 atom.% 인 실시예 2, 및 은의 조성비가 Ag= 88 atom.% 인 비교예 1의 매체를 제작하였다. 또, 각각이 Ag= 97.5 atom.%, Ag= 92 atom.%, Ag= 88 atom.% 인 합금 타깃을 준비하여, 미리 스퍼터에 의해서 박막을 제작하여 복소 굴절율(n-ik)을 측정하고, 그 측정 결과를 도 13에 도시한다. 또, 도 13에 있어서는, 이용한 광의 파장은 405 ㎚ 이다. 도 13로부터, Ag의 조성비의 증가에 의해서 k는 별로 변화하지 않지만 n이 대폭 증대하였다. 이들의 실시예 1, 2 및 비교예1의 매체의 해당 트랙만 10회 랜덤 신호 기록 후의 지터값을, 도 13의 1 Tr 란에, 인접 트랙에 동일 패턴을 10회 오버라이트한 후의 지터값을 도 13의 3Tr 란에 나타낸다. 도 13로부터 알 수 있듯이, 인접 트랙에의 기록 전후의 지터 상승량은 어느 것이나 작아서, 열적인 효과에 의한 크로스이레이즈 저감 효과를 볼 수 있다. 그러나, 지터값 그 자체는 어느 것이나 Ag 조성비의 증가에 의해 저하하여, Ag 조성비 88%의 비교예 1에서는 지터값 13%를 넘어, 실질적으로 불충분한 특성을 나타내는 것이 판명되었다.
여기서 그 이유를 설명한다. 광기록 매체는 비정질부의 반사율과 결정부의 반사율의 차가 클수록, 높은 신호 강도가 얻어지지만, 여기서 비교한 3 종류의 매체는 반투명막의 Ag 조성비가 클수록 그 반사율 차가 작아진 것이 원인이다. 이것은, 도 13에 도시한 바와 같이 반투명막의 복소 굴절율의 실수부와 관계가 있다.일반적으로 상변화 광기록 매체의 특성은 비정질부와 결정부의 반사율의 차가 클수록 신호 강도가 높게 얻어지고, 에러가 적은 재생이 가능하다. 해당 반투명막의 복소 굴절율은, 그 허수부가 클수록, 또한 허수부가 동일하면 실수부가 작을수록 반사율의 차를 크게 할 수 있다. 도 13의 실시예 1은 n= 0.5로 낮지만, 실시예 2, 비교예1의 순서로 높게 되고, 특히 비교예는, 본 실시 형태의 적합 범위 n<1를 만족하지 않고, 특히 지터값이 나쁘다. 이 때문에, Ag 합금 내의 Ag 조성비가 90% 이상이 적합한 것을 알 수 있다.
다음에, Al 합금에 대하여 도 14를 참조하여 설명한다. 반투명막(104)로서 AlTi 합금의 Al의 조성비가 99.0%인 층을 이용한 실시예 3의 매체와, AlTi 합금의 Al의 조성비가 88.0%인 층을 이용한 비교예2의 매체를 제작하였다. 이 실시예 3와 비교예 2의 매체의 해당 트랙만 10회 랜덤 신호 기록한 후의 지터값을, 도 14의 1 Tr 란에, 인접 트랙에 동일 패턴을 10회 오버라이트한 후의 지터값을 도 14의 3 Tr 란에 나타낸다. 도 14로부터 알 수 있듯이, 실시예 3는 Al 조성비가 높아서, n이 작기 때문 양호한 지터값을 얻었지만, 비교예2에서는 Al 조성비가 낮아서, n이 4배 정도 증대하였기 때문에 지터값이 열화하였다. 또, 도 14에 있어서, 복소 굴절율의 측정에 이용한 파장은 405 ㎚ 이다. 이 때문에, Al 합금 내의 Al의 조성비가 90.0% 이상인 것이 적합한 것을 알 수 있다.
다음에, 반투명막(104)으로서 Au 또는 Cu를 베이스로 한 금속을 이용한 경우를 도 15를 참조하여 설명한다. 또, 도 15에 있어서, 복소 굴절율의 측정에 이용한 파장은 405 ㎚ 이다. Au 또는 Cu는, 모두 열전도율이 높아서 이미 설명한 냉각효과를 가져오는데 있어서는 바람직하다. 그러나, 광학적으로는, 도 15에 도시한 바와 같이, 파장 405 ㎚ 에서는, Au, Cu는, Ag 또는 Al 베이스의 합금에 비교하여 n 이 크기 때문에, 좋은 결과를 가져오지 않는다. Cu를 이용한 경우에는 실시예 5에 보인 바와 같이 Au를 이용한 실시예 4보다는, 지터값은 좋지만, Ag 계 또는 Al계 합금을 이용한 경우에 비교하여 뒤떨어진다. 또한 여기서는 실험을 위해 순금속을 이용하였기 때문에, n이 최저한으로 억제되고 있지만 수명을 연장시키기 위해서 다른 금속과의 합금으로 하여 이용한 경우에는, 더욱 n이 커져, 상술한 바와 같이 반사율 차가 저하하여 지터가 더욱 악화한다. 또한, 도 15에 비교예3로서 Mo의 광학 상수를 나타낸다. Mo의 n이 3으로 더 높기 때문에, Ag, Al, Au, 또는 Cu를 베이스로 한 재료 이외의 금속은, 이와 같이 적합하지 않다.
다음에, 광원 파장을 650 ㎚으로 한 경우의, 실시예 1, 실시예 3, 실시예 4, 실시예 5의 반투명막(104)으로 이용한 각 재료의 광학 상수를 도 16에 도시한다. Au 및 Cu의 어느 것이나, 파장 405 ㎚ 인 경우와 달리, 낮은 n이 얻어지기 때문에, 광기록 매체로서 적합한 반사율 차를 실현할 수 있고, 결과적으로 양호한 지터값이 얻어진다. 그리고, 양호한 지터값을 얻기 위해서는, Au 합금 내의 Au 조성비 및 Cu 합금 내의 Cu 조성비가 각각 90% 이상이면, 적합한 것을 알 수 있다. 또, 실시예 1 및 실시예 3의 반투명막(104)으로 이용한 재료는, 단파장(405 ㎚)인 경우보다도 n이 상승하기 때문에, 본 실시 형태의 범위로부터 벗어나는 것을 알 수 있다.
또, 상기 실시예에 있어서는, 기록막(106)과 이 기록막(106)을 사이에 둔 유전체막(105, 107) 사이에는 아무것도 형성하지 않았지만, 소거율 향상을 위해, 기록막(106)의 전후로 얇은 막을 형성해도 된다. 이 얇은 막의 재료로서는, GeN, SiC, SiN, CrO 등이 거론된다. 이 얇은 막의 열전도율이 본 실시 형태에 규정하는 범위, 즉 2.0 W/mK 이하이면, 본 실시 형태의 범위에 포함되기 때문에, 도 1의 유전체막(105)의 일부를 상기 얇은 막으로 치환하면 된다. 상기 얇은 막의 열전도율이 2.0 W/mK를 넘어 있는 경우라도, 상기 얇은 막의 막 두께가 5 ㎚ 이하이면, 본 실시 형태와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있어, 도 1의 유전체막(105)의 일부를 상기 얇은 막으로 치환하여 사용하는 것이 가능하다.
또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 기판(101)의 위에, 반사막(102), 유전체막(103), 반투명 금속막(104), 유전체막(105), 기록막(106), 유전체막(107)을 순차 적층함으로써 형성하고, 광을 유전체막(107)측으로부터 입사하도록 구성하였다. 이것과는 반대로, 투명 기판 상에, 유전체막(107), 기록막(106), 유전체막(105), 반투명 금속막(104), 유전체막(103), 반사막(102)의 순으로 적층하고, 기판을 통해서 광을 입사하도록 구성해도 된다. 이 경우, 광원으로서 기판면 입사에 적합한 대물 렌즈를 이용할 필요가 있다. 또한, 반사막(102)의, 유전체막(103)이 형성된 면과는 반대측의 면에는 반사막(102)을 보호하기 위한 보호막을 형성해도 된다.
(제2 실시 형태)
다음에, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 상변화 광기록 매체를, 도 9를 참조하여 설명한다. 이 실시 형태의 상변화 광기록 매체는, 폴리카보네이트로 이루어지는 기판(201) 상에 금속 반사막(202), 투명한 유전체막(203), 반투명 금속막(204), 유전체막(205), 기록막(206), 유전체막(207), 반투명 금속막(208),및 커버층(209)을 순차 적층한 구성으로 되어 있다. 즉, 제1 실시 형태의 상변화 광기록 매체에 있어서, 광입사측으로 더 한층의 반투명 금속막(208)을 형성한 구성으로 되어 있다.
본 실시 형태의 구성의 특징은 다음과 같다. 도 10에 도시하는 종래의 구성, 즉 기록막(304)과 금속 반사막(302)의 사이에 유전체/반투명 금속막/유전체막의 3층을 이용하지 않은 구성에 있어서는, 결정·비정질 간의 반사율 차를 높게 유지한 채로, 결정 상태에서의 기록막의 흡수율 Ac, 비정질 상태에서의 기록막의 흡수율 Aa로 하였을 때의 이들의 비 Ac/Aa를 높일 수 없다. 그러나, 본 실시 형태와같이, 유전체막(203)/반투명 금속막(204)/유전체막(205)의 3층을 기록막(206)과 반사막(202) 사이에 형성하고, 또한 반투명 금속막(208)을 한층 더 광입사측에 형성함으로써, 높은 반사율 차를 유지한 채로 Ac/Aa를 높일 수 있다.
결정 상태의 기록막(206)은 내부 에너지가 낮은 상태에 있고, 비정질 상태의 기록막은 내부 에너지가 높은 상태에 있다. 즉, 결정 상태의 기록막을 용융하기 위해서는, 비정질 상태의 기록막(206)을 용융하는 것보다도 높은 에너지가 필요하다. 이것은, 레이저 스폿 내에 결정·비정질이 동시에 존재하는 경우, 그 인접하는 영역에서는 비정질부가 결정부보다 먼저 용융되는 것을 의미한다. 따라서, 다이렉트 오버라이트 시에, 비정질 마크는 용융하여 새로운 마크가 되지만, 그 주위의 결정부는 용융하지 않고서 마크가 되지 않는다고 하는 현상이 발생한다. 즉, 오버라이트 전의 상황이 오버라이트 후의 상태에 영향을 주게 된다. 따라서 새로운 기록 정보가 이전의 정보에 의해서 변조되어, 오버라이트 소거비가 불충분하여진다.
이것을 해결하는 하나의 수단은, Ac/Aa를 높이는 것이다. 통상, 결정부의 반사율 Rc가 비정질 Ra보다도 높다, 소위 High-to-Low 매체는, Ac/Aa<1이다. 이것은, 전반사 구조의 매체에서는 Ac+Rc= Aa+Ra= 1이 되기 때문에, 예를 들면 Rc-Ra= 0.2으로 한 경우에는, Ac과 Aa에는 0.2의 차가 있으므로, 그 차를 단축하기 위해서는 광을 흡수하는 막을 형성할 필요가 있다. 그러나, 예를 들면 Rc이 15% 이상, Ra가 3% 이하인 조건으로 그것을 가능하게 하기 위해서는, 기록막(206)과 반사막(202) 사이의 거리를 25 ㎚ 이상으로 할 필요가 있었다. 이 거리를 메우기 위해서, ZnS:SiO2와 같은 열전도율이 낮은 유전체 재료를 사용한 경우에는 기록 후의 냉각이 지나치게 서냉이 되어, 재결정화와 크로스이레이즈가 현저하다. 또한, 기록막(206)에 인접하여 열전도율이 높은 유전체막을 사용한 경우에는, 기록막(206)을 가열하자마자 냉각이 이루어지기 때문에 감도가 현저하게 나쁜 기록 매체가 된다. 기록막(206)에 인접하여 ZnS:SiO2와 같은 정도의 열전도율을 갖는 유전체막을, 그 위에 열전도율이 높은 유전체막을 적층함으로써 어느 정도 개선이 가능하지만, 본 실시 형태와 같이 금속을 이용한 경우에 비교하면 열전도율이 월등하게 나쁘기 때문에 가로 방향으로 방열할 수 없어서, 기록 파워 조사 직후의 급냉이 불충분하였다.
다음에 본 실시 형태의 실시예를 설명한다.
도 9는, 본 발명의 실시예에 의한 광기록 매체의 단면 구성이다. 이 실시예의 기록 매체는, 광입사와 반대측으로부터 순서대로, Ag 합금으로 이루어지는 반사막(202), ZnS:SiO2로 이루어지는 유전체막(203), Ag 합금으로 이루어지는 반투명막(204), ZnS:SiO2으로 이루어지는 유전체막(205), GeSbTe로 이루어지는 기록막(206), ZnS:SiO2으로 이루어지는 유전체막(207), Ag 합금으로 이루어지는 반투명막(208)이 적층되어 있고, 이들의 막 두께는 동일한 순서로, 100 ㎚, 10 ㎚, 15 ㎚, 10 ㎚, 12 ㎚, 120 ㎚, 12 ㎚ 이다. 이 중, Ag 합금의 단층막을 별도로 제작하여, 엘립소메트리에 의해서 복소 굴절율(광학 상수)을 측정한 바, 파장 405 ㎚ 에서 0.50-1.73i 이었다. 또한, 기록막을 구성하는 GeSbTe의 복소 굴절율(광학 상수)을 마찬가지로 측정한 바, 비정질 상태에서 2.6-2.1i, 결정 상태에서 1.45-2.8i 이었다. 또한, 상기 ZnS:SiO2는, 몰비로 ZnS:SiO2= 80:20이다.
본 실시예의 상변화 광기록 매체는, 1.1㎜ 두께의 폴리카보네이트로 이루어지는 기판(201) 상에, 스퍼터링법에 의해서 상기한 순서로 성막하여 제작되었다. 성막 후, 자외선 경화형 수지를 스핀 코팅하고, 광경화하여 0.1㎜ 두께의 커버층(209)으로 하였다. 다음에, 50㎛ 폭·1㎛ 길이의 타원형 빔을 갖는 상변화 매체 초기화 장치에 의해서, 전면의 기록막을 결정화하여, 매체를 완성하였다. 기판에는, 0.6㎛ 피치·깊이 40 ㎚의 그루브가 형성되어 있고, 랜드·그루브 기록으로서 평가할 때에는 트랙 피치 0.3㎛의 기판이 되는 것을 이용하였다. 이하, 그루브·트랙이란 광입사면으로부터의 거리가 먼 쪽의 트랙, 랜드·트랙이란 광입사면으로부터 가까운 쪽의 트랙을 가리키는 것으로 한다.
본 매체에서 그루브가 없는 미러부의 반사율을 측정한 바, 초기화부에서 17.5%, 미초기화부에서 1.7% 이었다.
상기한 매체를 이용하여, 기록·소거 실험을 행하였다. 여기서 평가에는 개구수 NA= 0.85의 대물 렌즈와 405 ㎚의 파장의 반도체 레이저를 갖춘 픽업을 갖는 광디스크 평가 장치를 이용하였다. 여기서 최단 마크 길이 0.15 ㎛이 되는 패턴을 3T로 하고, 최장 마크 길이 0.55㎛이 되는 패턴을 11T로 하여, 3·4…11T의 계열이 랜덤하게 조합된 펄스 패턴을 조사하고 기록 실험을 행하였다.
기록 방법은, 최적의 파워를 이용하여 행하였다. 1회만 랜덤 패턴을 기록했을 때의 지터값은 8.2% 이었다. 다음에, 상기한 랜덤 패턴을 그루브 트랙 상에 10회 오버라이트하였다. 그 결과, 얻어진 지터는 8.2% 이었다. 다음에, 양측의 인접하는 랜드 트랙에 10회씩, 동일한 랜덤 패턴을 기록하고, 원래의 트랙에 있어서도 지터의 변화를 조사한 바, 8.2로 전혀 열화가 보이지 않았다.
이 결과는, 광입사측에 매우 얇은 반투명의 Ag 합금막(208)을 형성하고, 기록막(206)의 결정·비정질 간의 흡수율 보정을 행한 결과이다. 즉, 흡수율 보정을 행하지 않은 경우에는, 결정의 흡수율 Ac과 비정질의 흡수율의 비 Ac/Aa∼0.75가 되지만, 본 실시예의 광기록 매체인 경우에는 0.90으로 흡수율이 보정되어 있고, 기록 마크 상과 그 이외의 부분의 온도 차가 생기기 어려운 구성이 되고 있고, 오버라이트 시의 기록 잔류, 즉 전의 기록에 의해서 새로운 기록이 변조되는 현상이 발생하지 않는다. 게다가, 인접 트랙의 기록 마크(즉 비정질)의 광 흡수의 절대량이 억제되기 때문에, 크로스이레이즈 시의 인접 트랙내 마크 열화가 적다. 이것을반영하여, 크로스이레이즈 전후 모두 지터값이 개선되고, 또한 특히 크로스이레이즈에 의한 지터값의 증가가 전혀 없다.
본 실시예는 파장 405 ㎚ 에서의 동작 예를 기술하였지만, 여러가지의 가능성을 검토한 결과, 반투명 금속막(204)에 관해서는, 사용하는 광원 파장에 있어서 굴절율의 실수부 n이 0<n<1을 만족하는 재료가 적합한 것이 판명되었다. 따라서, 상기 파장에 있어서는 Ag 외에 Al내지 그 합금이 사용 가능하다. 더욱 자세하게는, 반투명 금속막(208)의 복소 굴절율을 n208-ik208로 하면, k208가 동일하면 n208가 작을수록, n208가 동일하면 k208가 높을수록 적합하다. 순 A1, 순 Ag에, 다른 금속을 첨가하면, 첨가량이 증가할수록 n208가 높아지게 되는 경향이 있으므로, 합금 조성과 상기 굴절율의 관계로부터, Ag 합금의 Ag 조성비는 90% 이상, Al 합금의 Al 조성비도 90%가 바람직하다. 이것은, 이 범위를 일탈하면 비정질부의 반사율과 결정부의 반사율의 차가 작아져, 재생 신호가 작아지고, 흡수율의 보정 효과가 불충분하게 되기 때문이다.
반투명 금속막(208)을 구성하는 재료로서 Ag 합금을 이용하여, Ag 합금 내의 Ag의 조성비를 바꾼 매체를 제작하여, 지터값을 측정한 결과를 도 17에 도시한다. 도 17에 도시한 바와 같이, 반투명 금속막(208)의 은의 조성비가 Ag= 97.5 atom.% 인 실시예 1, 은의 조성비가 Ag= 92.0 atom.% 인 실시예 2, 은의 조성비가 Ag= 88.0 atom.% 인 비교예의 매체가 제작되었다. 이들의 실시예 1, 2 및 비교예의 매체의 해당 트랙만 10회 랜덤 신호 기록한 후의 지터값을 도 17의 1 Tr 란에, 인접트랙에 동일 패턴을 10회 오버라이트한 후의 지터값을 도 17의 3 Tr 란에 나타낸다. 또, 여기서는, 어디까지나 반투명 금속막(208)의 재료를 바꾼 효과를 조사하였기 때문에, 반사막(202), 반투명 금속막(204)에는 동일한 Ag 합금(Ag= 97.5 atom.%, Pd= 1.0 atom.%, Cu= 1.5 atom.%)를 이용하였다. 또한, 도 17에 있어서, 복소 굴절율의 측정은 광원 파장이 405 ㎚인 광을 이용한 경우를 나타낸다. 도 17로부터 알 수 있는 바와 같이, Ag 조성비가 높은 실시예 1, 실시예 2는, 비교예에 비교하여 오버라이트전후 모두, 지터값이 낮다. 이 때문에, Ag 합금 내의 Ag 조성비가 90% 이상이 적합한 것을 알 수 있다.
또한, 반투명막(208)에 상기한 Ag 합금 이외의 금속을 이용한 경우, 예를 들면 Al 합금을 이용한 경우에는 Al 합금 내의 Al 조성비가 90% 이상일 때에는 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 그러나, 예를 들면 파장 405 ㎚ 에서는, n208가 Ag, Al 보다도 큰 Au, Cu, 또는 다른 금속을 사용한 경우에는 바람직한 효과가 얻어지지 않는다. 예를 들면 Au를 이용하면, 결정부의 반사율 15%로 한 경우 비정질부(미초기화부)의 반사율이 6%로 커져, 충분한 신호 강도가 얻어지지 않았다. 지터값을 측정한 바, 1회만 랜덤 패턴을 기록했을 때의 지터값은 9.5% 이었다. 또한 랜덤 패턴의 마크 열을 10회 오버라이트한 후의 지터값이 12%, 인접 트랙에 오버라이트한 후의 지터값이 14.5%가 되고, 반사율 차가 작을 뿐만아니라 오버라이트에 의한 지터값의 상승이 크기 때문에 흡수율의 보정을 충분히 행할 수 없고, 인접 트랙의 기록 마크에의 영향도 억제할 수 없는 것이 판명되었다. 이것은, Au의 광학 상수가 1.57-1.93i이기 때문에, 사용 파장에 있어서 본 실시 형태의 범위를 일탈하고 있어, 흡수율비 Ac/Aa를 보정할 수 없는 것이 원인이다.
그러나, 보다 긴 파장역의 광원을 사용하는 경우, 예를 들면 파장 650 ㎚ 전후이면, Ag, Al 내지 그 합금은 물론, 또한, Au, Cu 내지 그 합금도 사용 가능하다. 그 경우도, Au, Cu의 조성비가 높은 쪽, 예를 들면 90% 이상인 것이 바람직하다. 또한, Au 또는 Cu 합금을 반투명막(204)에 이용하는 경우에도, Au, Cu의 조성비가 높은 쪽, 예를 들면 90% 이상인 것이 바람직하다.
또, 상기 실시예에 있어서는, 기록막(206)과 이 기록막(206)을 사이에 둔 유전체막(205, 207) 사이에는 아무것도 형성하지 않았지만, 소거율 향상을 위해, 기록막(206)의 전후로 얇은 막을 형성하더라도 된다. 이 얇은 막의 재료로서는, GeN, SiC, SiN, CrO 등이 거론된다. 이 얇은 막의 열전도율이 본 실시 형태에 규정하는 범위, 즉, 2.0 W/mK 이하이면, 본 실시 형태의 범위에 포함되기 때문에, 도 1의 유전체막(105)의 일부를 상기 얇은 막으로 치환하면 된다. 상기 얇은 막의 열전도율이 2.0 W/mK를 넘는 경우라도, 상기 얇은 막의 막 두께가 5 ㎚ 이하이면, 본 실시 형태와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있어, 도 9의 유전체막(205)의 일부를 상기 얇은 막으로 치환하여 사용하는 것이 가능하다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 주지를 일탈하지않은 범위에서 변경이 가능하다. 예를 들면, 기록막에는 GeSbTe 외에, GeSbTeSn, GeSbTeBi, AgInSbTe, InSbTe, AgInGeSbTe, GeInSbTe, AgInSbTeV 등이 사용 가능하다.
또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 기판(201)의 위에, 반사막(202), 유전체막(203), 반투명 금속막(204), 유전체막(205), 기록막(206), 유전체막(207) 반투명 금속막(208)을 순차 적층함으로써 형성하고, 광을 반투명 금속막(208) 측으로부터 입사하도록 구성하였다. 이것과는 반대로, 기판 상에, 반투명 금속막(208), 유전체막(207), 기록막(206), 유전체막(205), 반투명 금속막(204), 유전체막(203), 반사막(202)의 순으로 적층하고, 기판을 통해서 광을 입사하도록 구성해도 된다. 이 경우, 광원으로서 기판면 입사에 적합한 대물 렌즈를 이용할 필요가 있다. 또한, 반사막(202)의, 유전체막(203)이 형성된 면과는 반대측의 면에는 반사막(202)을 보호하기 위한 보호막을 형성해도 된다.
또한, 미국 특허 등록 공보: 제4,839,861 호(Ikegawa, S. et al.)에는, Au-Ge 계 재료를 기록막으로 사용하여, 결정-결정 간의 상전이에 의해서 기록을 행하는 기술을 개시하고 있다. 이와 같이, 상변화 광기록은 엄밀히 결정-비정질 간의 상전이만으로 이루어지는 것뿐만 아니라, 서로 다른 복수의 결정 상태 간의 상전이라도 되고, 혹은 미결정과 비정질, 미결정과 조대 결정의 상전이 등, 요컨대, 원자 배열을 가역적으로 변화시키는 것에 의해서 광학적 반사율을 변화시키고, 이에 따라 기록을 유지하는 것이 가능하면, 널리 본 발명은 적용 가능하다.
이상 진술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 트랙 피치를 협소화해도 크로스이레이즈를 방지하는 것이 가능해져서, 1장당의 기억 용량을 높게 할 수가 있어, 보다 많은 정보를 기록할 수 있다.

Claims (16)

  1. 반사막과,
    이 반사막 상에 형성된 제1 투명막과,
    이 제1 투명막 상에 형성된 제1 반투명막과,
    이 제1 반투명막 상에 형성된 제2 투명막과,
    이 제2 투명막 상에 형성된, 원자 배열을 가역적으로 변화시킬 수 있는 기록막과,
    이 기록막 상에 형성된 제3 투명막
    을 구비하며,
    상기 제1 반투명막의 복소 굴절율을 n-ik로 할 때, 0<n<1, 또한 1<k이고, 상기 제1 반투명막의 막 두께 d(㎚)와, 상기 복소 굴절율의 감쇠 계수 k와의 곱이, d.k≤44인 것을 특징으로 하는 광기록 매체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반투명막과 기록막과의, 막면에 대하여 수직 방향의 거리가, 5 ㎚ 이상, 15 ㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 광기록 매체.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 투명막의 열전도율이 2.0 W/mK 이하인 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 반사막의 복소 굴절율을 n-ik로 할 때, 1<k이고, 또한 상기 반사막의 막 두께 r와 상기 복소 굴절율의 감쇠 계수 k와의 곱이 r·k≥ 60인 것을 특징으로 하는 광기록 매체.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 반투명막은, 알루미늄, 은, 금, 구리 중의 적어도 한종류를 90 atom% 이상 포함하는 단체 혹은 합금인 것을 특징으로 하는 광기록 매체.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제3 투명막 상에 형성되는 제2 반투명막을 더 구비하며,
    상기 제2 반투명막은, 알루미늄, 은, 금, 구리 중의 적어도 한종류를 90 atom% 이상 포함하는 단체 혹은 합금이고,
    상기 제2 반투명막의 막 두께가 25 ㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 광기록 매체.
  7. 반사막과,
    이 반사막 상에 형성된 제1 투명막과,
    이 제1 투명막 상에 형성된 제1 반투명막과,
    이 제1 반투명막 상에 형성된 제2 투명막과,
    이 제2 투명막 상에 형성된, 원자 배열을 가역적으로 변화시킬 수 있는 기록막과,
    이 기록막 상에 형성된 제3 투명막
    을 구비하며,
    상기 제1 반투명막이 알루미늄, 은, 금, 구리 중의 적어도 한종류를 90 atom% 이상 포함하는 단체 혹은 합금이고, 상기 제1 반투명막의 막 두께가 25 ㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 광기록 매체.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 반투명막과 기록막과의, 막면에 대하여 수직 방향의 거리가, 5 ㎚ 이상, 15 ㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 광기록 매체.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제2 투명막의 열전도율이 2.0 W/mK 이하인 것을 특징으로 하는 광기록 매체.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 반사막의 복소 굴절율을 n-ik로 할 때, 1<k이고, 또한 상기 반사막의막 두께 r와 상기 복소 굴절율의 감쇠 계수 k와의 곱이 r·k≥60인 것을 특징으로 하는 광기록 매체.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 제3 투명막 상에 형성되는 제2 반투명막을 더 구비하며,
    상기 제2 반투명막은, 알루미늄, 은, 금, 구리 중의 적어도 한종류를 90 atom% 이상 포함하는 단체 혹은 합금이고,
    상기 제2 반투명막의 막 두께가 25 ㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 광기록 매체.
  12. 반사막과,
    이 반사막 상에 형성된 제1 투명막과,
    이 제1 투명막 상에 형성된 제1 반투명막과,
    이 제1 반투명막 상에 형성된 제2 투명막과,
    이 제2 투명막 상에 형성된, 원자 배열을 가역적으로 변화시킬 수 있는 기록막과,
    이 기록막 상에 형성된 제3 투명막과,
    이 제3 투명막 상에 형성된 제2 반투명막
    을 구비하며,
    상기 제1 반투명막이 알루미늄, 은, 금, 구리 중의 적어도 한종류를 90atom% 이상 포함하는 단체 혹은 합금이고, 상기 제1 반투명막의 막 두께가 25 ㎚ 이하이고, 상기 제2 반투명막이 알루미늄, 은 중의 적어도 한종류를 90 atom% 이상 포함하는 단체 혹은 합금이고, 상기 제2 반투명막의 막 두께가 25 ㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 광기록 매체.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 반투명막과 기록막과의, 막면에 대하여 수직 방향의 거리가, 5 ㎚ 이상, 15 ㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 광기록 매체.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제2 투명막의 열전도율이 2.0 W/mK 이하인 것을 특징으로 하는 광기록 매체.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 반사막의 복소 굴절율을 n-ik로 할 때, 1<k이고, 또한 상기 반사막의 막 두께 r와 상기 복소 굴절율의 감쇠 계수 k와의 곱이 r·k≥ 60인 것을 특징으로 하는 광기록 매체.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 제1 반투명막의 복소 굴절율을 n-ik로 할 때, 0<n<1, 또한 1<k 인 것을특징으로 하는 광기록 매체.
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