KR20030042615A - 반도체 웨이퍼를 가열하기 위한 몰딩히터 및 그 제조방법 - Google Patents
반도체 웨이퍼를 가열하기 위한 몰딩히터 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20030042615A KR20030042615A KR1020010073338A KR20010073338A KR20030042615A KR 20030042615 A KR20030042615 A KR 20030042615A KR 1020010073338 A KR1020010073338 A KR 1020010073338A KR 20010073338 A KR20010073338 A KR 20010073338A KR 20030042615 A KR20030042615 A KR 20030042615A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- metal plate
- recess
- molding heater
- groove
- heating wire
- Prior art date
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000465 moulding Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 67
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 67
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 10
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 4
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/68—Heating arrangements specially adapted for cooking plates or analogous hot-plates
- H05B3/72—Plates of sheet metal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
Abstract
본 발명에 따른 몰딩히터는; 일면에 오목부가 형성되어 있고, 상기 오목부 저면에는 긴 홈이 파여있는 제1금속판(110a); 상기 홈에 삽입된 열선(120a); 열선(120a)과 상기 홈 사이의 틈에 채워진 세라믹(120b); 및 상기 오목부의 저면 및 측면과 밀착되면서 상기 오목부를 채우도록 제1금속판(110a)과 접합되는 제2금속판(110b); 을 구비하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 열선(120a)이 세라믹(120b)의 단일층으로만 둘러싸여져 있기 때문에 열전도의 저항이 최소화된다. 따라서, 작은 전력으로도 금속판(110a, 110b)을 통하여 충분한 발열량을 얻을 수 있으며, 과부하에 따른 열선(120a)의 단선을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 종래와 같은 금속관(20c)을 사용하지 않으므로 탈가스 공정을 행할 필요가 없어 제작과정도 단순화된다. 그리고, 본 발명의 경우는 옆면에서 용접 또는 블레이징 하는 종래의 경우 달리 제2금속판(110b)이 제1금속판(110a)의 오목부에 들어가서 오목부의 입구에서 용접되므로 열 스트레스에 의해 금속판(110a, 110b)이 서로 떨어지는 것을 방지할 수 있다.
Description
본 발명은 몰딩히터(molding heater) 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히,반도체 웨이퍼를 가열하기 위한 몰딩히터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
화학기상증착, 스퍼터링, 및 플라즈마 식각 등의 반도체소자 제조공정에서 웨이퍼를 가열해야 하는 것이 거의 필수적이다. 이러한 웨이퍼의 가열은 웨이퍼가 안착되어지는 지지대 내부에 열선을 설치함으로써 구현된다.
도 1 및 도 2는 종래의 히터를 설명하기 위한 개략도들이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 히터는 제1금속판(10a), 제2금속판(10b), 및 히터선(20)을 포함하여 이루어진다. 히터선(20)은 열선(20a)과, 열선(20a) 둘레를 감싸는 MgO(20b)와, MgO(20b) 둘레를 감싸는 금속관(20c)으로 이루어진다. 히터선(20)은 금속판(10a, 10b)의 접합면에 길게 형성된 홈 내에 설치된다. 히터선(20)과 금속판(10a, 10b) 사이에는 압착에 의한 밀착효율을 높이기 위하여 필러(filler, 30)가 개재되어 있다.
열선(20a)이 직접 금속판(10a, 10b)과 접하면 전기적으로 서로 단락되므로, 이를 방지하기 위하여 금속관(20c) 내부 공간 가운데에 열선(20a)을 위치시키고 금속관(20c)과 열선(20a) 사이의 공간을 절연체인 MgO(20b)로 충진시킨다.MgO(20b)는 분말형태를 하기 때문에 금속관(20c)이 없다면 MgO(20b)가 쉽게 부서져 나가게 된다. 제1금속판(10a)과 제2금속판(10b)은 용접(welding)이나 블레이징(blazing) 법에 의해 서로 접합된다.
상술한 종래의 히터는, 열선(20a)이 MgO(20b)와 금속관(20c)의 이중층으로 감싸져 있어서 열선(20a)에서 발생한 열을 금속판(10a, 10b)으로 전달시키기 위해서 많은 전력(power)이 소비되며, 따라서, 열선(20a)의 과열에 의한 단락이 발생하기 쉽다. 열전달의 방해는 MgO(20b) 자체와, 금속관(20c)과 금속판(10a, 10b) 사이의 접촉면에서 이루어진다.
또한, MgO(20b)는 수분을 포함하여 충진되므로 열선(20a)에서 열이 발생할 경우에 이 부분이 팽창하여 금속관(20c)이 터질 우려가 있는 바, 금속관(20c) 내부에서 발생한 수분과 가스를 금속관(20c) 밖으로 빼내기 위하여 장시간에 걸친 탈가스(outgasing) 공정을 거쳐야만 한다.
그리고, 금속판(10a, 10b)의 접합방식으로 블레이징법을 사용할 경우, CVD 장비에서는 블레이징에 사용된 물질의 반응으로 인해 공정 중에 오염(contamination)의 원인이 되며 인-시튜 세정(in-situ cleaning) 중에는 블레이징 물질이 식각되는 문제가 발생한다. 또한, 용접법을 사용할 경우에도 용접면이 금속판(10a, 10b)의 옆면에서 이루어지므로 온도의 상승/하강 시에 금속판(10a, 10b)의 열스트레스로 인한 변형이 발생한다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 열전도에 방해가 되는 열저항층을 최소화하여 발열효율을 증가시킬 뿐만 아니라 과부하에 의한 열선의 단선을 방지할 수 있으며 상술한 탈가스공정도 필요없는 몰딩히터를 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 상기 기술적 과제를 달성하는 데 적합한 몰딩히터 제조방법을 제공하는 데 있다.
도 1 및 도 2는 종래의 히터를 설명하기 위한 개략도들;
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 몰딩히터 및 그 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 참조번호의 설명 >
10a, 110a: 제1금속판 10b, 110b: 제2금속판
20: 히터선 20a, 120a: 열선
20b: MgO 120b: 세라믹
20c: 금속관 30: 필러(filler)
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 몰딩히터는; 일면에 오목부가 형성되어 있고, 상기 오목부 저면에는 긴 홈이 파여있는 제1금속판; 상기 홈에 삽입된 열선; 상기 열선과 상기 홈 사이의 틈에 채워진 세라믹; 및 상기 오목부의 저면 및 측면과 밀착되면서 상기 오목부를 채우도록 상기 제1금속판과 접합되는 제2금속판; 을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 몰딩히터 제조방법은; 일면에 오목부가 형성되어 있고, 상기 오목부 저면에는 긴 홈이 파여있는 제1 금속판을 마련하는 제1단계; 상기 홈에 열선을 삽입하는 제2단계; 상기 열선과 상기 홈 사이의 틈에 세라믹을 층진시키는 제3단계; 및 상기 오목부의 저면 및 측면과 밀착되면서 상기 오목부를 채우도록 제2 금속판을 상기 제1금속판에 접합시키는 제4단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 몰딩히터 및 그 제조방법을 설명하기 위한 도면이다. 먼저, 일면에 오목부가 형성되어 있고 상기 오목부 저면에는 긴 홈이 파여있는 제1 금속판(110a)을 마련하고, 상기 홈에 열선(120a), 예컨대 칸탈선(Kanthal wire)을 삽입한 다음에, 열선(120a)과 상기 홈 사이의 틈에 세라믹(120b)을 충진한다. 세라믹(120b)의 충진은 Al2O3 분말과 바인더용액을 혼합하여 상기 홈에 부은 후에 열선(120a)에 전류를 흘려보내 이로 인한 저항열로 상기 바인더를 증발시키는 방법으로 이루어질 수 있다.
다음에, 상기 오목부의 저면 및 측면과 밀착되면서 상기 오목부를 채우도록 제2 금속판(110b)을 제1금속판(110a)에 용접하여 접합시킨다. 이 때의 용접은 상기 오목부의 입구부에서 주로 이루어진다. 바람직하게는, 용접 단계 이후에 금속판(110a, 110b)의 외표면을 산화시키는 단계를 더 행하는 것이 좋다.
금속판(110a, 110b) 표면에서의 열방출은 열전도와 복사의 두가지 물리적 현상을 통하여 진행되는데 상술한 바와 같이 표면을 산화시키면 표면의 색이 거무스름해져서 방사율(emissivity)이 더 증가하게 되므로 열방출효율이 증대된다. 또한, 표면 산화막은 부동태막(passivation film) 역할을 하기 때문에 CVD 장비 등에서 장기 사용하더라도 표면변화가 방지된다.
금속판(110a, 110b)이 인코넬 합금(Inconel alloy)으로 이루어진 경우에는 산소분위기에서 550~800℃로 가열함으로써 상기 산화단계를 진행하는 것이 좋다. 통상, 인코넬 합금이란 니켈에 크롬이나 철 등이 첨가된 합금을 말한다.
본 발명에 따른 몰딩히터는 제1금속판(110a)이 제2금속판(110b) 위에 오도록 하여 사용되어진다. 따라서, 웨이퍼는 오목부가 형성되지 않은 제1 금속판(110a)의 다른 일면 상에 올려놓여 진다. 이렇게 되면, 용접부위가 웨이퍼하고는 반대되는 위치에 존재하기 때문에 용접부위에서의 불균일한 열전달에 의해 웨이퍼가 불균일하게 가열되는 것도 방지할 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명에 의하면, 열선(120a)이 세라믹(120b)의 단일층으로만 둘러싸여져 있기 때문에 열전도의 저항이 최소화된다. 따라서, 작은 전력으로도 금속판(110a, 110b)을 통하여 충분한 발열량을 얻을 수 있으며, 과부하에 따른 열선(120a)의 단선을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 종래와 같은 금속관(20c)을 사용하지 않으므로 탈가스 공정을 행할 필요가 없어 제작과정도 단순화된다. 그리고, 금속판(110a, 110b)의 외표면을 산화시킬 경우에는 열방출효율이 더 증대되고 화학기체에 대한 내식성이 커지게 되어 CVD 공정에서 장기간 사용할 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 경우는 옆면에서 용접 또는 블레이징 하는 종래의 경우 달리 제2금속판(110b)이 제1금속판(110a)의 오목부에 들어가서 오목부의 입구에서 용접되므로 열 스트레스에 의해 금속판(110a, 110b)이 서로 떨어지는 것을 방지할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.
Claims (9)
- 일면에 오목부가 형성되어 있고, 상기 오목부 저면에는 긴 홈이 파여있는 제1금속판;상기 홈에 삽입된 열선;상기 열선과 상기 홈 사이의 틈에 채워진 세라믹; 및상기 오목부의 저면 및 측면과 밀착되면서 상기 오목부를 채우도록 상기 제1금속판과 접합되는 제2금속판;을 구비하는 것을 특징으로 하는 몰딩히터.
- 제1항에 있어서, 상기 세라믹이 Al2O3으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 몰딩히터.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 금속판 및 제2 금속판의 외표면이 산화처리된 것을 특징으로 하는 몰딩히터.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 금속판 및 제2 금속판이 인코넬 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 몰딩히터.
- 일면에 오목부가 형성되어 있고, 상기 오목부 저면에는 긴 홈이 파여있는제1 금속판을 마련하는 제1단계;상기 홈에 열선을 삽입하는 제2단계;상기 열선과 상기 홈 사이의 틈에 세라믹을 층진시키는 제3단계; 및상기 오목부의 저면 및 측면과 밀착되면서 상기 오목부를 채우도록 제2 금속판을 상기 제1금속판에 접합시키는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 몰딩히터 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제4단계 이후에 상기 제1 금속판 및 제2 금속판의 외표면을 산화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 몰딩히터 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 제1 금속판 및 제2 금속판이 인코넬 합금으로 이루어지고 상기 산화시키는 단계는 산소분위기에서 550~800℃로 가열함으로써 행해지는 것을 특징으로 하는 몰딩히터 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제3단계에서의 세라믹의 충진은 상기 홈에 Al2O3분말과 바인더가 혼합된 용액을 부은 후에 상기 열선의 저항열을 이용하여 상기 바인더를 증발시킴으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 몰딩히터 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제4단계에서의 제2금속판 접합이 상기 오목부 입구에서의 용접에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 몰딩히터 제조방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0073338A KR100430604B1 (ko) | 2001-11-23 | 2001-11-23 | 반도체 웨이퍼를 가열하기 위한 몰딩히터 및 그 제조방법 |
| US10/295,901 US6835917B2 (en) | 2001-11-23 | 2002-11-18 | Molding heater for heating semiconductor wafer and fabrication method thereof |
| TW091133595A TWI259535B (en) | 2001-11-23 | 2002-11-18 | Molding heater for heating semiconductor wafer and fabrication method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0073338A KR100430604B1 (ko) | 2001-11-23 | 2001-11-23 | 반도체 웨이퍼를 가열하기 위한 몰딩히터 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030042615A true KR20030042615A (ko) | 2003-06-02 |
| KR100430604B1 KR100430604B1 (ko) | 2004-05-10 |
Family
ID=19716244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0073338A KR100430604B1 (ko) | 2001-11-23 | 2001-11-23 | 반도체 웨이퍼를 가열하기 위한 몰딩히터 및 그 제조방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6835917B2 (ko) |
| KR (1) | KR100430604B1 (ko) |
| TW (1) | TWI259535B (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170118319A (ko) * | 2016-04-15 | 2017-10-25 | 전자부품연구원 | 유연 스트레처블 기반 저저항 세라믹 금속 복합체 구조의 히터 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060075970A1 (en) * | 2004-10-13 | 2006-04-13 | Guenther Rolf A | Heated substrate support and method of fabricating same |
| KR100797826B1 (ko) | 2005-12-26 | 2008-01-24 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 히터 및 이의 제조 방법 |
| US8193472B2 (en) * | 2007-03-23 | 2012-06-05 | Nihon Dennetsu Co., Ltd. | Susceptor |
| JP5267603B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2013-08-21 | Ｔｏｔｏ株式会社 | 静電チャック |
| CN102768932B (zh) * | 2011-05-06 | 2016-06-08 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 加热装置及等离子体加工设备 |
| CN105873249B (zh) * | 2016-05-30 | 2022-09-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 加热器、传感器、智能终端及加热器的制作方法 |
| CN109273340B (zh) * | 2018-10-15 | 2024-05-14 | 江苏先锋精密科技股份有限公司 | 一种刻蚀机腔体的内腔真空烘烤除气热板 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2152126A (en) * | 1936-10-02 | 1939-03-28 | John Wentworth | Heating device |
| US4304544A (en) * | 1974-10-21 | 1981-12-08 | Fast Heat Element Mfg. Co., Inc. | Electrically heated nozzles and nozzle systems |
| JPH04272685A (ja) * | 1991-02-26 | 1992-09-29 | Sakaguchi Dennetsu Kk | シ−ズヒ−タ |
| US5796074A (en) | 1995-11-28 | 1998-08-18 | Applied Materials, Inc. | Wafer heater assembly |
| JPH09205134A (ja) * | 1996-01-23 | 1997-08-05 | Souzou Kagaku:Kk | 静電チャック |
| KR100249391B1 (ko) | 1997-12-30 | 2000-03-15 | 김영환 | 가열장치 |
| JP3937004B2 (ja) * | 1998-11-18 | 2007-06-27 | 日本発条株式会社 | ヒータユニット |
| JP3646912B2 (ja) * | 1998-12-01 | 2005-05-11 | 東芝セラミックス株式会社 | 発熱体封入ヒータ |
| JP2000243542A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-08 | Nhk Spring Co Ltd | ヒータユニット及びその製造方法 |
| KR20030032277A (ko) * | 2001-10-17 | 2003-04-26 | 주식회사 신화이앤지 | 블레이징 히터 |
-
2001
- 2001-11-23 KR KR10-2001-0073338A patent/KR100430604B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-11-18 TW TW091133595A patent/TWI259535B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-11-18 US US10/295,901 patent/US6835917B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170118319A (ko) * | 2016-04-15 | 2017-10-25 | 전자부품연구원 | 유연 스트레처블 기반 저저항 세라믹 금속 복합체 구조의 히터 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200409242A (en) | 2004-06-01 |
| US6835917B2 (en) | 2004-12-28 |
| TWI259535B (en) | 2006-08-01 |
| KR100430604B1 (ko) | 2004-05-10 |
| US20030098300A1 (en) | 2003-05-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5004927B2 (ja) | 被加熱型基板支持構造体 | |
| JP3790000B2 (ja) | セラミックス部材と電力供給用コネクターとの接合構造 | |
| JP4602691B2 (ja) | 独自にシールされた構成要素を有する密封ランプのシール技術及びランプ | |
| US9536728B2 (en) | Lamp for rapid thermal processing chamber | |
| CN102105253A (zh) | 高温静电卡盘和使用方法 | |
| KR100430604B1 (ko) | 반도체 웨이퍼를 가열하기 위한 몰딩히터 및 그 제조방법 | |
| WO2008101044A2 (en) | Lamp for rapid thermal processing chamber | |
| JP2007088324A (ja) | 発熱体の保持構造体、絶縁構造体、加熱装置および基板処理装置 | |
| JP2525974B2 (ja) | 半導体ウエハ―加熱装置 | |
| JP2021132043A (ja) | 高温管状ヒーター | |
| JPH04272685A (ja) | シ−ズヒ−タ | |
| US6825448B2 (en) | Low residual-stress brazed terminal for heater | |
| JP3881937B2 (ja) | 半導体製造装置または加熱装置 | |
| JPH09148056A (ja) | 石英プレートヒータおよびその製造方法 | |
| JP3914031B2 (ja) | マイクロヒータ | |
| KR102081801B1 (ko) | 열처리 오븐의 시즈히터 실링장치 | |
| JP4987839B2 (ja) | 加熱装置 | |
| RU2736734C1 (ru) | Термоэлектрическая батарея. | |
| JP2698537B2 (ja) | 加熱装置 | |
| KR100532142B1 (ko) | 화학 기상 증착용 석영몰드 히터 어셈블리 | |
| CN115410978B (zh) | 静电卡盘和半导体工艺设备 | |
| JPH04104494A (ja) | セラミックスヒータおよびその製造方法 | |
| JP2002286675A (ja) | マイクロヒータ及びその製造方法とガスセンサ | |
| JPH0536469A (ja) | 赤外線ヒ−タ | |
| JPH04296485A (ja) | セラミックスヒーター |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130410 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140402 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150303 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |