JP3881937B2 - 半導体製造装置または加熱装置 - Google Patents
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【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置に関し、特に、基板を加熱するヒータユニットの改良に係り、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に窒化シリコン(Si3 N4 )やポリシリコン等を堆積(デポジション)させる減圧CVD装置や、酸化膜形成装置や拡散装置、イオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローおよびアニール等の熱処理(thermal treatment )に使用される熱処理装置(furnace )等の半導体製造装置に利用して有効なものに関する。
【0002】
【従来の技術】
ICの製造方法において、ウエハに窒化シリコンやポリシリコン等のCVD膜をデポジションするのにバッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置が広く使用されている。バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置(以下、CVD装置という。)は、ウエハが搬入される処理室を形成するインナチューブおよびこのインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されて縦形に設置されたプロセスチューブと、被処理基板である複数枚のウエハを保持してインナチューブの処理室に搬入するボートと、インナチューブ内に原料ガスを導入するガス導入管と、プロセスチューブ内を排気する排気管と、プロセスチューブ外に敷設されてプロセスチューブ内を加熱するヒータユニットとを備えており、複数枚のウエハがボートによって垂直方向に整列されて保持された状態でインナチューブ内に下端の炉口から搬入(ボートローディング)され、インナチューブ内に原料ガスがガス導入管から導入されるとともに、ヒータユニットによってプロセスチューブ内が加熱されることにより、ウエハにCVD膜がデポジションされるように構成されている。
【0003】
従来のこの種のCVD装置において、ヒータユニットはアルミナやシリカ等の断熱材が使用されてバキュームフォーム(真空吸着成形)法によってプロセスチューブを全体的に被覆する長い円筒形状に形成された断熱壁体と、鉄−クロム−アルミニウム(Fe−Cr−Al)合金やモリブデンシリサイド(MoSi2 )が使用されて長大に形成された発熱体と、断熱壁体を被覆するケースとを備えており、発熱体が断熱壁体の内周に敷設されて構成されている。
【0004】
このようなヒータユニットにおいて30℃/分以上の急速加熱を実施する場合には、発熱有効面積を大きくするために板形状に形成された発熱体が使用されている。そして、この板形状の発熱体が使用される場合には、この発熱体に通電させるための給電部は次のように構成されている。板形状の発熱体が厚さ方向に直角に屈曲されて断熱壁体を貫通され、この貫通部がさらに直角に屈曲され、この屈曲部に給電端子が接続される。この給電部の屈曲部には発熱時の熱膨張によって暴れるのを防止するために補強を兼ねて別体の発熱体が溶接される。また、外側の屈曲部での上下間の発熱体同士を接続するための渡り線には、発熱体と同形の板形状の別体の発熱体が使用されている。給電端子も同様に板形状の別体の発熱体が使用されており、ケースの外部に引き出されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、発熱体同士の屈曲部の間には発熱体が存在しない状態になることにより加熱温度が低くなるため、ウエハ面内の温度分布がこの屈曲部に向かって低くなる。ウエハ面内の温度分布の偏りはそのまま成膜結果に影響するため、この屈曲部側の成膜速度が遅くなり、膜厚分布に重大な悪影響が及ぶ。
【0006】
本発明の目的は、発熱体の無い給電部での温度低下を防止することができる半導体製造装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するための第一の手段は、一対の給電部を有する発熱体が筒形状に形成された断熱壁体の内周に敷設されており、前記一対の給電部が耐熱性のホルダによって互いに絶縁された状態で保持されていることを特徴とする。
【0008】
前記した第一の手段によれば、ホルダによって保持された一対の給電部を互いに接近させることができるため、発熱体の無い給電部での温度低下を最小限度に抑制することができる。
【0009】
前記課題を解決するための第二の手段は、一対の給電部を有する複数の発熱体が筒形状に形成された断熱壁体の内周に前記筒心と同方向に配列されており、これら発熱体の前記一対の給電部同士が周方向にずらされていることを特徴とする。
【0010】
前記した第二の手段によれば、発熱体の無い給電部が一列に並ばないため、温度が低下する部分を分散させることができ、複数の発熱体の加熱温度分布への影響を抑制することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【0012】
本発明に係る半導体製造装置の一実施の形態であるCVD装置(バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置)は、図1に示されているように、垂直に配されて固定的に支持された縦形のプロセスチューブ1を備えている。プロセスチューブ1はインナチューブ2とアウタチューブ3とから構成されており、インナチューブ2は石英(SiO2 )もしくは炭化シリコン(SiC)が使用されて円筒形状に一体成形され、アウタチューブ3は石英ガラスが使用されて円筒形状に一体成形されている。インナチューブ2は上下両端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ2の筒中空部はボート11によって垂直方向に整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室4を形成している。インナチューブ2の下端開口はウエハを出し入れするための炉口5を構成している。
【0013】
アウタチューブ3は内径がインナチューブ2の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ2にその外側を取り囲むように同心円に被せられている。インナチューブ2とアウタチューブ3との間の下端部は円形リング形状に形成されたマニホールド6によって気密封止されており、マニホールド6はインナチューブ2およびアウタチューブ3についての交換等のためにインナチューブ2およびアウタチューブ3にそれぞれ着脱自在に取り付けられている。マニホールド6がCVD装置の筐体17に支持されることにより、プロセスチューブ1は垂直に据え付けられた状態になっている。
【0014】
マニホールド6の側壁の上部には排気管7が接続されており、排気管7は排気装置(図示せず)に接続されて処理室4を所定の真空度に真空排気し得るように構成されている。排気管7はインナチューブ2とアウタチューブ3との間に形成された隙間に連通した状態になっており、インナチューブ2とアウタチューブ3との隙間によって排気路8が、横断面形状が一定幅の円形リング形状に構成されている。排気管7がマニホールド6に接続されているため、排気管7は円筒形状の中空体を形成されて垂直に延在した排気路8の最下端部に配置された状態になっている。マニホールド6の側壁の下部にはガス導入管9がインナチューブ2の炉口5に連通するように接続されており、ガス導入管9には原料ガス供給装置およびキャリアガス供給装置(いずれも図示せず)に接続されている。ガス導入管9によって炉口5に導入されたガスはインナチューブ2の処理室4内を流通して排気路8を通って排気管7によって排気される。
【0015】
マニホールド6には下端開口を閉塞するシールキャップ10が垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ10はアウタチューブ3の外径と略等しい円盤形状に形成されており、プロセスチューブ1の外部に垂直に設備されたエレベータ(図示せず)によって垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ10の中心線上には被処理基板としてのウエハWを保持するためのボート11が垂直に立脚されて支持されるようになっている。
【0016】
ボート11は上下で一対の上側端板12および下側端板13と、上側端板12と下側端板13との間に垂直に立脚された複数本(本実施の形態においては三本とする。)の保持部材14とを備えており、三本の保持部材14には多数の保持溝15が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。ボート11は三本の保持部材14の保持溝15間にウエハWを挿入されることにより、複数枚のウエハWを水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するようになっている。ボート11とシールキャップ10との間には断熱キャップ部16が配置されており、断熱キャップ部16はボート11をシールキャップ10の上面から持ち上げた状態に支持することにより、ボート11の下端を炉口5の位置から適当な距離だけ離間させるように構成されている。
【0017】
アウタチューブ3の外部にはプロセスチューブ1の内部を加熱するヒータユニット20がアウタチューブ3の周囲を包囲するように同心円に設備されている。ヒータユニット20はステンレス鋼(SUS)が使用されて上端閉塞で下端開口の円筒形状に形成されたケース21を備えており、ケース21の内径および全長はアウタチューブ3の外径および全長よりも大きく設定されている。ケース21の内部にはアウタチューブ3の外径および全長よりも若干大きめの円筒形状に構築された断熱壁体23が、ケース21の内周面との間に空冷のための空間としての隙間22をとって同心円に設置されている。断熱壁体23はケース21の内径と等しい外径を有する円盤形状の天井壁部24と、アウタチューブ3の外径よりも若干大径の内径およびケース21の内径よりも小径の外径を有する円筒形状の側壁部25とを備えている。天井壁部24は側壁部25の上端面に開口を閉塞するように被せられており、天井壁部24の上端面はケース21の天井壁の下面に当接されている。側壁部25の外径がケース21の内径よりも小径に設定されていることにより、側壁部25とケース21との間には空冷空間としての隙間22が形成されている。そして、断熱壁体23の側壁部25は図2に示された断熱ブロック26が複数個、垂直方向に積み重ねられて一本の筒体に構築されている。
【0018】
図2に示されているように、断熱ブロック26は短尺の円筒形状であるドーナツ形状の本体27を備えており、本体27は繊維状または球状のアルミナやシリカ等の断熱材が使用されてバキュームフォーム法の成形型によって一体成形されている。本体27の下端部には印籠結合雄部28が外周の一部を円形リング形状に切り欠かれた状態に形成されており、本体27の上端部には印籠結合雌部29が内周の一部を円形リング形状に切り欠かれた状態に形成されている。本体27の内周面における下端と印籠結合雌部29の上端との間には、発熱体を取り付けるための取付溝30が一定深さ一定高さに没設されており、取付溝30の内周面には発熱体を位置決め保持するための保持具31が複数個、周方向に等間隔に配置されて取り付けられている。
【0019】
発熱体32はFe−Cr−Al合金やMOSi2 およびSiC等の抵抗発熱材料が使用されて、図2に示されているように、波形の平板形状にプレス加工やレーザ切断加工等によって一体成形されており、断熱ブロック26の取付溝30の内径よりも若干だけ小径であって一部に切欠部34を有する円形リング形状に丸められている。図2に示されているように、発熱体32は取付溝30の内周面に当接された状態で、各保持具31、31が波形の隙間33にそれぞれ嵌入されることにより保持されている。図2および図3に示されているように、発熱体32の切欠部34の両端部には一対の給電部35、36が径方向外向きの直角にそれぞれ屈曲されて形成されており、一対の給電部35、36の先端部には一対の接続部37、38が互いに外向きの直角にそれぞれ屈曲されて形成されている。一対の給電部35、36における区間抵抗値を上げることにより給電部35、36でも有効に発熱させるために、一対の給電部35、36の断面積は従来よりも小さく設定されている。
【0020】
断熱ブロック26の本体27の取付溝30における一対の給電部35、36にそれぞれ対応する位置には一対の挿入溝39、40がそれぞれ径方向に延在するように形成されており、両給電部35、36は両挿入溝39、40に取付溝30側から本体27の外周側にそれぞれ挿入されている。取付溝30の内周面における両挿入溝39、40の間にはホルダ嵌入穴41が径方向に没設されており、ホルダ嵌入穴41にはホルダ42が嵌入されている。図3(a)、(b)に示されているように、ホルダ42はアルミナやシリカ等の耐熱性を有するセラミックが使用されて焼結法等の適当な製法によって略直方体に一体成形されており、ホルダ嵌入穴41に嵌入されることにより本体27に固定されている。ホルダ42の上面における両挿入溝39、40に対応する位置には一対の保持溝43、44がそれぞれ形成されており、両保持溝43、44には両挿入溝39、40に挿入された両給電部35、36がそれぞれ挿入されている。ホルダ42の両保持溝43、44は発熱体32の給電部35、36を保持することにより発熱体32の暴れを抑えることができるように構成されており、両保持溝43、44の間隔および本体27の挿入溝39、40は比較的に狭く(小さく)設定されている。
【0021】
図3に示されているように、上段側の発熱体32の一方の接続部(以下、プラス側接続部という。)37には給電端子45が溶接されており、他方の接続部(以下、マイナス側接続部という。)38には渡り線46の上端部が溶接されている。渡り線46の下端部は下段側の発熱体32のプラス側接続部37に接続されている。したがって、下段側の発熱体32のプラス側接続部37は上段側の発熱体32のマイナス側接続部38の真下に位置しており、その分だけ下段側の発熱体32の切欠部34は上段側の発熱体32の切欠部34よりも周方向にずれた状態になっている。このように上下で隣合う発熱体32、32の切欠部34、34同士が周方向にずれることにより、発熱体32における発熱しない部分である切欠部34が一直線上に整列しないため、非発熱部分を分散させることができ、複数の発熱体32の加熱温度分布への影響を防止することができる。渡り線46はこの渡り線46の表面からの放熱を小さく抑制するために、Fe−Cr−Al合金やMOSi2 およびSiC等の抵抗発熱材料が使用されて、丸棒形状に形成されている。ちなみに、渡り線46を丸棒形状に形成することにより、表面積を同一の断面積の角棒形状の20%程度減少させることができる。但し、渡り線の電流容量の都合によっては、渡り線46は角棒形状に形成してもよい。
【0022】
図4に示されているように、ヒータユニット20のケース21の外周面における給電端子45の設置場所に対応する位置には、両接続部37、38や渡り線46を被覆する端子ケース47が被せ付けられており、端子ケース47の内部にはガラスウール等の断熱材(図示せず)が充填されている。端子ケース47には複数個の給電端子45が絶縁碍子48を介して挿入されている。
【0023】
次に、ヒータユニット20の構築作業について説明する。
【0024】
ヒータユニット20の構築に当たり、前記構成に係る断熱ブロック26は断熱壁体23の側壁部25の長さに対応して指定された個数が準備される。この際、断熱ブロック26は断熱壁体23の長さ仕様に関わらず同一のものを複数個、バキュームフォーム法の成形型によって一体成形すればよいため、断熱壁体23の製造コストをきわめて小さく抑えることができる。複数個の断熱ブロック26による断熱壁体23の組み立て作業の前に、各断熱ブロック26の取付溝30には発熱体32が取り付けられる。上段の断熱ブロック26の印籠結合雄部28に下段の断熱ブロック26の印籠結合雌部29が嵌入されて上下の断熱ブロック26、26が印籠結合されつつ、複数個の断熱ブロック26が次々に積み重ねられて行くことにより、指定された長さの断熱壁体23の側壁部25が組み立てられる。上下の断熱ブロック26、26の積み重ねに際して、上下の断熱ブロック26、26の発熱体32、32同士が互いに電気的に直列に接続される。これにより、一本の断熱壁体23が組み立てられた状態において、図1に示されているように、複数本の発熱体32は一本の螺旋状のヒータ49の状態になる。しかも、各発熱体32は波形に形成されているため、ヒータ49の全長はきわめて長大のものとなる。したがって、ヒータ49の線密度はきわめて大きくなり、温度リカバリー時間等のヒータ特性はきわめて良好なものとなる。
【0025】
以上のようにして組み立てられた側壁部25には天井壁部24が被せられる。その後、側壁部25と天井壁部24との組立体である断熱壁体23にはケース21が被せられ、ヒータユニット20が構築される。ちなみに、天井壁部24が天井壁下面に敷設されたケース21を側壁部25に被せてもよい。断熱壁体23にケース21が被せられてなるヒータユニット20における断熱壁体23の外周とケース21の内周との間に形成された隙間22は、それ自体で良好な断熱層を形成する。但し、隙間22に送風すると、断熱壁体23を強制冷却することができるため、ヒータユニット20の温度下降速度を早く設定することができる。
【0026】
以上のように構築されたヒータユニット20の成膜工程における作用は従来のヒータユニットのそれと同様であるから、前記構成に係るCVD装置による成膜工程の作用の説明は省略する。
【0027】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【0028】
1) 発熱体の一対の給電部を耐熱性のホルダによって互いに絶縁された状態で保持することにより、ホルダによって保持した一対の給電部を互いに接近させることができるため、発熱体の無い給電部での温度低下を最小限度に抑制することができる。
【0029】
2) 複数の発熱体の一対の給電部同士を周方向にずらすことにより、発熱体の温度が低下する部分である給電部を分散させることができるため、複数の発熱体の加熱温度分布への影響を抑制することができる。
【0030】
3) 一対の給電部の断面積を小さく設定することにより、給電部における区間抵抗値を上げて給電部でも有効に発熱させることができるため、非発熱部分である給電部での温度の低下を防止することができる。
【0031】
4) 渡り線を丸棒形状に形成することにより、渡り線の表面からの放熱を小さく抑制することができるため、発熱体の給電部における温度の低下を防止することができる。
【0032】
5) ヒータユニットのケースの外周面における給電端子の設置場所に対応する位置に接続部や渡り線を被覆する端子ケースを被せ付け、端子ケースの内部にガラスウール等の断熱材を充填することにより、接続部や渡り線における放熱を抑制することができるため、発熱体の給電部における温度の低下を防止することができる。
【0033】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【0034】
例えば、発熱体は断熱ブロックに一つのターン(一巻き)だけ巻回するに限らず、二つのターン(二巻き)以上巻回してもよい。また、発熱体の取付構造は前記実施の形態のように取付溝に保持具によって取り付けるように構成するに限らず、発熱体に突設したアンカを断熱ブロックの本体に挿入して取り付けるように構成してもよいし、発熱体を断熱ブロックに取付ピンによって取り付けるように構成してもよい。
【0035】
断熱壁体とケースとの間に隙間を介設するに限らず、ケースは断熱壁体に密着するように被せてもよい。
【0036】
ヒータユニット、断熱壁体およびケース等は円筒形状に形成するに限らず、四角形筒形状や多角形筒形状に形成してもよい。
【0037】
CVD装置はバッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置に限らず、横形ホットウオール形減圧CVD装置等の他のCVD装置であってもよい。
【0038】
さらに、半導体製造装置はCVD装置に限らず、酸化膜形成装置や拡散装置、イオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローおよびアニール等の熱処理(thermal treatment )に使用される熱処理装置(furnace )等の半導体製造装置全般に適用することができる。
【0039】
【発明の効果】
本発明によれば、基板面内の温度分布を改善することができるため、単位時間内に処理する枚数を増加させてスループットや生産効率の向上に大きく貢献し、経済性や製品の品質および信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるCVD装置を示す正面断面図である。
【図2】ヒータユニットの主要部を示しており、(a)は斜視図、(b)は側面断面端面図である。
【図3】同じくヒータユニットの主要部を示しており、(a)は平面図、(b)は(a)のb−b線に沿う矢視図、(c)は正面図である。
【図4】ヒータユニットの斜視図である。
【符号の説明】
W…ウエハ(基板)、1…プロセスチューブ、2…インナチューブ、3…アウタチューブ、4…処理室、5…炉口、6…マニホールド、7…排気管、8…排気路、9…ガス導入管、10…シールキャップ、11…ボート、12、13…端板、14…保持部材、15…保持溝、16…断熱キャップ部、17…筐体、20…ヒータユニット、21…ケース、22…隙間、23…断熱壁体、24…天井壁部、25…側壁部、26…断熱ブロック、27…本体、28…印籠結合雄部、29…印籠結合雌部、30…取付溝、31…保持具、32…発熱体、33…隙間、34…切欠部、35、36…給電部、37、38…接続部、39、40…挿入溝、41…ホルダ嵌入穴、42…ホルダ、43、44…保持溝、45…給電端子、46…渡り線、47…端子ケース、48…絶縁碍子、49…ヒータ。
Claims (6)
- 波形に形成され、両端部に一対の給電部を有し、円形リング形状に丸められて断熱材に保持される発熱体と、
前記発熱体の一対の給電部を互いに絶縁された状態で保持する給電部保持部と、
前記発熱体の波形の隙間に嵌入され、前記断熱壁体に前記発熱体を保持する発熱体保持具とを有し、
前記発熱体は前記断熱壁体の筒心と同方向に配列され、
少なくとも一部の隣り合う一対の給電部同士が周方向にずらされることを特徴とする加熱装置。 - 波形に形成され、両端部に一対の給電部を有し、円形リング形状に丸められて断熱材に保持される発熱体と、
前記発熱体の一対の給電部を互いに絶縁された状態で保持する給電部保持部と、
前記発熱体の波形の隙間に嵌入され、前記断熱壁体に前記発熱体を保持する発熱体保持具と、
被処理基板を処理する基板処理室とを有し、
前記発熱体は前記断熱壁体の筒心と同方向に配列され、
少なくとも一部の隣り合う一対の給電部同士が周方向にずらされることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記発熱体保持具は前記断熱壁体を貫通し、該断熱壁体の外壁で、前記保持具とは別体に設けられた固定部材と接続されることを特徴とする請求項1乃至2記載の加熱装置または半導体製造装置。
- 第一の一対の給電部のうち、片方の給電部には給電線が接続され、他方の給電部には渡り線の一端が接続され、第二の一対の給電部のうち片方の給電部は前記渡り線の他端が接続されることを特徴とする請求項1乃至3記載の加熱装置または半導体製造装置。
- 前記第二の一対の給電部は、前記第一の一対の給電部に対して、筒心方向下側に配置されることを特徴とする請求項4記載の加熱装置または半導体製造装置。
- 前記発熱体保持具は、前記波形発熱体の上側凹部と下側凹部で固定され、前記発熱体保持具が斜めになるように前記発熱体を保持することを特徴とする請求項1乃至5記載の加熱装置または半導体製造装置。
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