JP2011089645A - 断熱ブロック - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ヒータユニット20はケース21内に隙間22をとって同心円に設置された断熱壁体23と、断熱壁体23の内周に敷設されたヒータ34とを備え、断熱壁体23は円盤形状の天井壁部24と円筒形状の側壁部25とから構成され、側壁部25は複数個の断熱ブロック26が積み重ねられて構成されている。断熱ブロック26は断熱材を用い成形型でドーナツ形状に成形された本体27を備え、本体27の上端部の印籠結合雄部28と下端部の印籠結合雌部29とを印籠結合されて側壁部25に組み立てられる。ヒータ34を構成する発熱体32は断熱ブロック26の内周面の取付溝30にそれぞれ取り付けられる。断熱ブロックは断熱壁体の長さ仕様に関わらず同一のものを複数個、成形型で一体成形すればよいため、断熱壁体の製造コストを低減できる。
【選択図】図2
Description
例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)が作り込まれる基板としての半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に窒化シリコン(Si3 N4 )やポリシリコン等を堆積(デポジション)させる減圧CVD装置や、酸化処理や拡散だけでなくイオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフロー等にも利用される拡散装置等の基板処理装置に利用して有効なものに関する。
バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置(以下、CVD装置という。)は、ウエハが搬入される処理室を形成するインナチューブおよびこのインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成され縦形に設置されたプロセスチューブと、インナチューブ内に原料ガスを導入するガス導入管と、プロセスチューブ内を排気する排気管と、プロセスチューブ外に敷設されてプロセスチューブ内を加熱するヒータユニットとを備えており、複数枚のウエハがボートによって垂直方向に整列されて保持された状態でインナチューブ内に下端の炉口から搬入され、インナチューブ内に原料ガスがガス導入管から導入されるとともに、ヒータユニットによってプロセスチューブ内が加熱されることにより、ウエハにCVD膜がデポジションされるように構成されている。
そして、従来のこの種の断熱壁体はアルミナやシリカ等の断熱材が使用されてバキュームフォーム(真空吸着成形)法によって一体成形されている。
基板処理装置の断熱ブロックであって、該断熱ブロックは、断熱材により筒形状に形成され、該断熱ブロックの内周には溝が形成され、該溝には発熱体が一巻き巻回されることを特徴とする断熱ブロック。
図1は、本発明の一実施形態である断熱壁体の製造方法によって製造された断熱壁体を使用するCVD装置を示している。
本発明に係る基板処理装置の一実施の形態であるCVD装置(バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置)は、図1に示されているように、垂直に配されて固定的に支持された縦形のプロセスチューブ1を備えている。
プロセスチューブ1はインナチューブ2とアウタチューブ3とから構成されており、インナチューブ2は石英(SiO2 )もしくは炭化シリコン(SiC)が使用されて円筒形状に一体成形され、アウタチューブ3は石英ガラスが使用されて円筒形状に一体成形されている。インナチューブ2は上下両端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ2の筒中空部はボートによって垂直方向に整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室4を実質的に形成している。インナチューブ2の下端開口は被処理基板としてのウエハを出し入れするための炉口5を実質的に構成している。したがって、インナチューブ2の内径は取り扱うウエハの最大外径よりも大きくなるように設定されている。
インナチューブ2とアウタチューブ3との間の下端部は円形リング形状に形成されたマニホールド6によって気密封止されており、マニホールド6はインナチューブ2およびアウタチューブ3についての交換等のためにインナチューブ2およびアウタチューブ3にそれぞれ着脱自在に取り付けられている。マニホールド6がCVD装置の機枠17に支持されることにより、プロセスチューブ1は垂直に据え付けられた状態になっている。
シールキャップ10の中心線上には被処理基板としてのウエハWを保持するためのボート11が垂直に立脚されて支持されるようになっている。
図2に示されているように、ヒータユニット20はステンレス鋼(SUS)が使用されて上端閉塞で下端開口の円筒形状に形成されたケース21を備えており、ケース21の内径および全長はアウタチューブ3の外径および全長よりも大きく設定されている。
断熱壁体23はケース21の内径と等しい外径を有する円盤形状の天井壁部24と、アウタチューブ3の外径よりも若干大径の内径およびケース21の内径よりも小径の外径を有する円筒形状の側壁部25とを備えている。天井壁部24は側壁部25の上端面に開口を閉塞するように被せられており、天井壁部24の上端面はケース21の天井壁の下面に当接されている。側壁部25の外径がケース21の内径よりも小径に設定されていることにより、側壁部25とケース21との間には空冷空間としての隙間22が形成されている。そして、断熱壁体23の側壁部25は図3に示された断熱ブロック26が複数個、垂直方向に積み重ねられて一本の筒体に構築されている。
本体27の上端部には印籠結合雄部28が外周の一部を円形リング形状に切り欠かれた状態に形成されており、本体27の下端部には印籠結合雌部29が内周の一部を円形リング形状に切り欠かれた状態に形成されている。本体27の内周面における上端と印籠結合雌部29の上端との間には、発熱体を取り付けるための取付溝30が一定深さ一定高さに没設されており、取付溝30の内周面には発熱体を位置決め保持するためのスペーサ31が複数個、周方向に等間隔に配置されて突設されている。
図3(d)、(e)に示されているように、発熱体32は各スペーサ31、31が波形の隙間33にそれぞれ嵌入するように取付溝30に建て込まれて取り付けられる。
印籠結合雄部28と印籠結合雌部29とが印籠結合されることにより、上下の断熱ブロック26、26同士の径方向および周方向のずれは防止された状態になる。
ちなみに、断熱クロス35は断熱ブロック26が積み上げられる毎に巻いてもよい。
その後、側壁部25と天井壁部24との組立体である断熱壁体23にはケース21が被せられ、ヒータユニット20が構築される。ちなみに、天井壁部24が天井壁下面に敷設されたケース21を側壁部25に被せてもよい。
また、発熱体の取付構造は前記実施の形態のように取付溝にスペーサによって取り付けるように構成するに限らず、発熱体に突設したアンカを断熱ブロックの本体に挿入して取り付けるように構成してもよいし、発熱体を断熱ブロックに取付ピンによって取り付けるように構成してもよい。
Claims (1)
- 基板処理装置の断熱ブロックであって、該断熱ブロックは、断熱材により筒形状に形成され、該断熱ブロックの内周には溝が形成され、該溝には発熱体が一巻き巻回されることを特徴とする断熱ブロック。
Priority Applications (1)
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JP2010283080A JP2011089645A (ja) | 2010-12-20 | 2010-12-20 | 断熱ブロック |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2016084879A (ja) * | 2014-10-27 | 2016-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 断熱部材及びこれを用いた熱処理装置 |
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2010
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