KR20030038686A

KR20030038686A - 광학소자 유지장치

Info

Publication number: KR20030038686A
Application number: KR10-2003-7001653A
Authority: KR
Inventors: 니시까와진
Original assignee: 가부시키가이샤 니콘
Priority date: 2000-08-25
Filing date: 2001-08-23
Publication date: 2003-05-16
Also published as: EP1326114A1; CN1471650A; AU2001280121A1; US20030147155A1; WO2002016992A1

Abstract

광학소자 유지장치 (51) 는 렌즈 (60) 의 플랜지부 (60a) 를 유지하기 위한 좌면 (63) 과 클램프 부재 (64) 를 갖는 유지부 (62) 와, 경통 (37) 에 연결되는 틀체 (61) 를 구비한다. 유지부는 렌즈를 그 광축 (AX') 이 수평방향을 지향하도록 유지한다. 유지부는 그 유지위치를 포함하여 렌즈의 광축과 교차하는 방향으로 연장되는 면 (P1) 이 렌즈의 중심위치 (Gc) 를 거의 통과하도록 배치된다. 이 배치에 의하여, 모멘트의 발생을 억제하면서 렌즈가 안정적으로 유지되는 동시에, 렌즈의 광학면의 변형이 억제되어, 광학성능이 양호하게 유지된다.

Description

광학소자 유지장치{OPTICAL ELEMENT HOLDING DEVICE}

[기술분야]

본 발명은 광학소자를 유지하기 위한 광학소자 유지장치에 관한 것이며, 상세하게는 반도체소자, 액정표시소자, 촬상소자, 박막자기헤드 등의 마이크로 디바이스, 또는 레티클, 포토마스크 등의 마스크 등의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정에서 사용되는 노광장치에 있어서, 노광광의 광로중에 배치되는 광학소자를 유지하기 위한 광학소자 유지장치에 관한 것이다. 또한, 그 광학소자 유지장치를 구비한 경통 및 그 경통을 구비한 노광장치에 관한 것이다. 또한, 그 노광장치를 사용한 마이크로 디바이스의 제조방법에 관한 것이다.

[배경기술]

이 종류의 광학소자 유지장치로는, 예를 들면 도 16 및 도 17 에 나타내는 바와 같이, 광학소자로서의 렌즈 (81A) 를, 그 광축 (AX) 이 수직방향 (중력방향) 을 지향하도록 유지하는 구성의 것이 알려져 있다. 이 종래 구성에 있어서는, 렌즈 (81A) 를 유지하기 위한 틀체 (82) 가 원환 형상으로 형성되어 있다. 틀체 (82) 의 내주면에는 3 개의 좌면 (83) 이 등각도 간격으로 형성되고, 렌즈 (81A) 의 외주에 형성된 플랜지부 (81a) 가 이들 좌면 (83) 위에 지지되도록 되어 있다.

상기 각 좌면 (83) 과 대응하도록, 틀체 (82) 의 상면에는 3 개의 클램프 부재 (84) 가 틀체 (82) 위의 나사 구멍 (85) 에 대한 볼트 (86) 의 나사결합에 의하여 등각도 간격으로 장착되어 있다. 그리고, 이들 볼트 (86) 를 조임으로써, 렌즈 (81A) 의 플랜지부 (81a) 가 각 클램프 부재 (84) 와 좌면 (83) 사이에 끼워져, 렌즈 (81A) 가 틀체 (82) 내에서 소정 위치에 유지되도록 되어 있다.

그러나, 예를 들면 반사굴절형 투영광학계 등에서는 렌즈 (81A) 를 그 광축 (AX) 이 수평방향 또는 수평방향에 대하여 소정 각도로 경사진 비스듬한 방향을 지향하도록 배치하는 경우가 있다. 이러한 구성에 있어서는 렌즈 (81A) 의 중력방향 (Gd) 이 광축 (AX) 의 방향과 일치하지 않고, 광축 (AX) 과 교차하는 방향을 지향하게 된다. 따라서, 이 구성의 광학계에 있어서, 다음과 같은 문제가 발생하였다.

즉, 렌즈 (81A) 의 플랜지부 (81a) 를 3 개의 클램프 부재 (84) 와 좌면 (83) 사이에 클램프 유지한 경우, 클램프 위치 (3 개의 유지위치를 포함하는 면 P1) 와 렌즈 (81A) 의 중심위치 (Gc) 가 떨어져 있으므로, 클램프 위치와 광축 (AX) 의 교차점을 지점 (F1) 으로 하여, 렌즈 (81A) 의 중력에 의한 회전 모멘트 (M1) 가 발생한다. 이로써, 렌즈면이나 미러면에 변형이 발생하여, 렌즈 (81A) 또는 미러의 광학특성이 악화되거나, 파면수차(波面收差), 구면(球面)수차 등의 모든 수차가 커진다는 문제가 있었다.

[발명의 개시]

본 발명의 목적은 광학소자에 발생하는 모멘트를 억제하면서 안정적으로 유지할 수 있어, 광학소자의 광학면의 변형을 억제하고, 광학성능을 양호하게 유지할수 있는 광학소자 유지장치를 제공하는 데 있다.

본 발명은 광학소자의 둘레부를 유지하는 유지부를 구비하는 광학소자 유지장치를 제공한다. 상기 유지부는 상기 광학소자의 광축이 수평방향 또는 비스듬한 방향을 지향하도록 상기 광학소자를 유지하는 동시에, 상기 광학소자의 유지위치에 포함되며, 또한 상기 광학소자의 광축과 교차하는 방향으로 연장되는 면이 광학소자의 중심위치를 거의 통과하도록 형성되어 있다.

[도면의 간단한 설명]

도 1 은 노광장치의 전체를 나타내는 개략구성도이다.

도 2 는 도 1 의 투영광학계 및 그 주변구성을 나타내는 개략구성도이다.

도 3 은 본 발명의 제 1 실시형태의 광학소자 유지장치를 나타내는 단면도이다.

도 4 는 도 3 의 광학소자 유지장치의 측면도이다.

도 5 는 도 3 의 광학소자 유지장치의 분해사시도이다.

도 6 은 본 발명의 제 2 실시형태의 광학소자 유지장치를 나타내는 단면도이다.

도 7 은 도 6 의 광학소자 유지장치의 분해사시도이다.

도 8 은 본 발명의 제 3 실시형태의 광학소자 유지장치의 광학소자를 나타내는 사시도이다.

도 9 는 도 8 의 광학소자의 다른 방향에서 본 사시도이다.

도 10 은 본 발명의 제 4 실시형태의 광학소자 유지장치를 나타내는 측면도이다.

도 11 은 본 발명의 제 5 실시형태의 광학소자 유지장치를 나타내는 측면도이다.

도 12 는 본 발명의 제 6 실시형태의 광학소자 유지장치를 나타내는 측면도이다.

도 13 은 본 발명의 제 7 실시형태의 광학소자 유지장치를 나타내는 단면도이다.

도 14 는 디바이스의 제조예의 플로우차트이다.

도 15 는 반도체 디바이스의 경우에 있어서의 도 14 의 기판처리에 관한 상세한 플로우차트이다.

도 16 은 종래의 광학소자 유지장치를 나타내는 단면도이다.

도 17 은 도 16 의 광학소자 유지장치의 분해사시도이다.

[발명을 실시하기 위한 최선의 형태]

(제 1 실시형태)

이하, 본 발명의 제 1 실시형태에 대하여 도 1∼도 5 에 기초하여 설명한다.

이 제 1 실시형태는 소위 스텝 앤드 스캔 방식의 주사형 투영노광장치에 있어서, 본 발명의 광학소자 유지장치를 광축이 수평방향으로, 또는 수평방향에 대하여 소정 각도로 경사진 비스듬한 방향을 지향하는 광학소자 (예를 들면, 렌즈나 미러 등) 의 유지장치로 구체화하는 동시에, 본 발명의 경통을 투영광학계의 일부에 구체화한 것이다.

도 1 은 투영광학계로서의 반사굴절 광학계를 구비한 노광장치의 전체 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다. 또한, 도 1 에 있어서 투영광학계 (35) 를 구성하는 반사굴절 광학계의 기준광축 (AX) 에 평행하게 Z 축을, 광축 (AX) 에 수직인 면내에 있어서 도 1 의 지면에 평행하게 Y 축을, 지면에 수직으로 X 축을 각각 설정하고 있다.

이 노광장치 (31) 는 자외영역의 노광광 (EL) 을 공급하기 위한 광원 (32) 으로서의, 예를 들면 F2 레이저 (발진중심파장 157.624nm) 를 구비하고 있다. 광원 (32) 으로부터 사출된 노광광 (EL) 은 조명광학계 (33) 를 통하여, 소정의 패턴이 형성된 레티클 (R) 을 균일하게 조명한다. 또한, 광원 (32) 과 조명광학계 (33) 사이의 광로는 케이싱 (도시하지 않음) 으로 밀봉되어 있다. 그리고, 광원 (32) 으로부터 조명광학계 (33) 중의 가장 레티클 (R) 측의 광학소자까지의 공간은 노광광 (EL) 의 흡수율이 낮은 기체인 헬륨가스나 질소 등의 불활성가스로 치환되어 있거나, 또는 거의 진공상태로 유지되어 있다.

또한, 조명광학계 (33) 는 빔 정형 광학계와 옵티컬 인테그레이터로서의 플라이아이 렌즈 또는 로드 렌즈와, 플라이아이 렌즈의 사출면에 배치된 조명계의 개구조리개와, 주사노광 방향과 직교한 방향으로 연장되는 직선 슬릿을 형성하는 개구부를 구비하는 레티클 블라인드와, 레티클 블라인드에 의해 슬릿 형상으로 형성된 노광광을 레티클 (R) 에 조사하는 콘덴서 렌즈를 포함한다. 또한, 개구조리개는 통상 조명용 원형 개구조리개와, 광축으로부터 편심된 복수의 소개구로 이루어지는 변형 조명용 개구조리개와, 윤대(輪帶)조명용 원형 개구조리개를 구비하고,이들 각종 조리개가 플라이아이렌즈의 사출면에 선택적으로 배치된다.

레티클 (R) 은 레티클 홀더 (34a) 를 통하여, 레티클 스테이지 (34) 위에서 레티클 (R) 에 형성되어 있는 패턴면이 XY 평면에 평행해지도록 유지되어 있다. 레티클 (R) 의 패턴면에는 웨이퍼 (W) 위에 전사해야 할 패턴이 형성되어 있다. 이 레티클 (R) 에 대하여, 전술한 조명광학계 (33) 는 패턴영역 전체 중 X 방향을 따라 긴 변을 가지며, 또한 Y 방향을 따라 짧은 변을 갖는 직사각형 형상 (슬릿 형상) 의 조명영역을 조명한다. 레티클 스테이지 (34) 는 도시하지 않은 구동계의 작용에 의하여, 패턴면 (즉, XY 평면) 을 따라 2 차원적으로 이동 가능하며, 그 위치좌표는 레티클 스테이지 (34) 위에 설치된 미러 (34b) 의 위치를 간섭계 (34c) 로 계측함으로써 구해지며, 그 계측결과에 기초하여 레티클 스테이지 (34) 의 위치가 제어된다.

레티클 (R) 에 형성된 패턴으로부터의 광은 반사굴절형 투영광학계 (35) 를 통하여, 감광성 기판인 웨이퍼 (W) 위로 유도된다. 웨이퍼 (W) 는 웨이퍼 테이블 (웨이퍼 홀더 ; 36a) 을 통하여, 웨이퍼 스테이지 (36) 위에 유지되어 있다. 그리고, 레티클 (R) 위에서의 직사각형 형상의 조명영역에 광학적으로 대응하도록, 웨이퍼 (W) 위에서는 X 방향을 따라 긴 변을 가지며, 또한 Y 방향을 따라 짧은 변을 갖는 직사각형 형상의 노광영역에 패턴상이 형성된다. 웨이퍼 스테이지 (36) 는 도시하지 않은 구동계의 작용에 의하여 웨이퍼면 (즉, XY 평면) 을 따라 2 차원적으로 이동 가능하며, 그 위치좌표는 웨이퍼 스테이지 (36) 또는 웨이퍼 홀더 (36a) 에 설치된 미러 (36b) 의 위치를 간섭계 (36c) 로 계측함으로써 구해지며,그 계측결과에 기초하여 웨이퍼 스테이지 (36) 의 위치가 제어된다.

또한, 도시한 노광장치 (31) 에서는 투영광학계 (35) 를 구성하는 광학소자 중 가장 레티클 (R) 측으로 배치된 광학소자와 가장 웨이퍼 (W) 측으로 배치된 광학소자 (본 실시형태에서는 렌즈 L1) 사이에서 투영광학계 (35) 의 내부가 기밀상태를 유지하도록 구성되어 있다. 그리고, 투영광학계 (35) 의 내부의 기체는 헬륨가스나 질소 등의 불활성 가스로 치환되어 있거나, 또는 거의 진공상태로 유지되어 있다.

또한, 조명광학계 (33) 와 투영광학계 (35) 사이의 좁은 광로에는 레티클 (R) 및 레티클 스테이지 (34) 등이 배치되어 있다. 이들 레티클 (R) 및 레티클 스테이지 (34) 등을 케이싱 (도시하지 않음) 으로 밀봉하고, 이 케이싱의 내부를 질소나 헬륨가스 등의 불활성 가스로 충진하거나, 또는 거의 진공상태로 유지한다.

또한, 투영광학계 (35) 와 웨이퍼 스테이지 (36) 사이의 좁은 광로에는 웨이퍼 (W) 및 웨이퍼 스테이지 (36) 등이 배치되어 있다. 이들 웨이퍼 (W) 및 웨이퍼 스테이지 (36) 등을 케이싱 (도시하지 않음) 으로 밀봉하고, 이 케이싱의 내부를 질소나 헬륨가스 등의 불활성 가스로 충진하거나, 또는 거의 진공상태로 유지한다.

이와 같이, 광원 (32) 에서 웨이퍼 (W) 까지의 광로 전체에 걸쳐, 노광광 (EL) 이 거의 흡수되는 일이 없는 분위기가 형성되어 있다.

상술한 바와 같이, 조명광학계 (33) 에 의하여 규정되는 레티클 (R) 위의 조명영역 및 웨이퍼 (W) 위의 노광영역은 Y 방향을 따라 짧은 변을 갖는 직사각형 형상이다. 따라서, 구동계 및 간섭계 (34c, 36c) 등을 이용하여 레티클 (R) 및 웨이퍼 (W) 의 위치제어를 하면서, 직사각형 형상의 노광영역 및 조명영역의 짧은 변 방향 즉 Y 방향을 따라 레티클 스테이지 (34) 와 웨이퍼 스테이지 (36) 를, 나아가서는 레티클 (R) 과 웨이퍼 (W) 를 동일한 방향으로 (즉, 같은 쪽을 향하여) 동기적으로 이동 (주사) 시킨다. 이로써, 웨이퍼 (W) 위에는 노광영역의 긴 변과 동등한 폭을 가지며, 또한 웨이퍼 (W) 의 주사량 (이동량) 에 따른 길이를 갖는 영역에 대하여 레티클 패턴이 주사노광된다.

다음으로, 도 2 는 경통 (37) 의 내부에 수용된 상기 투영광학계 (35) 의 기본적 구성을 설명하기 위한 도면이다. 또한, 투영광학계 (35) 를 구성하는 모든 굴절광학소자 (렌즈 성분) 에는, 형석 (CaF₂결정) 을 사용하고 있다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 반사굴절 광학계는 제 1 면 (투영광학계의 물체면) 에 배치된 레티클 (R) 의 패턴의 제 1 중간이미지를 형성하기 위한 굴절형 제 1 결상광학계 (40) 를 구비하고 있다. 제 1 결상광학계 (40) 는 렌즈군 (L1, L2, L3, L4, L5, L6) 에 의하여 구성된다.

제 1 결상광학계 (40) 가 형성하는 제 1 중간이미지의 형성위치의 근방에는 제 1 광로절곡경 (41) 이 배치되어 있다. 제 1 결상광학계 (40) 가 형성하는 제 1 중간이미지의 형성위치가 제 1 결상광학계 (40) 와 제 1 광로절곡경 (41) 사이인 경우, 이 제 1 광로절곡경 (41) 은 제 1 중간이미지로부터의 광속을 제 2 결상광학계 (42) 를 향하여 편향되고, 또한 제 1 결상광학계 (40) 가 형성하는 제 1중간이미지의 형성위치가 제 1 광로절곡경 (41) 과 제 2 결상광학계 (42) 사이인 경우, 이 제 1 광로절곡경 (41) 은 제 1 결상광학계 (40) 에서 결상되는 광속을 제 2 결상광학계 (42) 를 향하여 편향된다. 제 2 결상광학계 (42) 는 오목면 반사경 (43) 과 적어도 하나의 마이너스 렌즈로 이루어지는 렌즈군 (44) 을 가지며, 제 1 중간이미지로부터의 광속에 기초하여 제 1 중간이미지와 거의 등배인 제 2 중간이미지 (제 1 중간이미지의 상로 패턴의 2 차 이미지) 를 제 1 중간이미지의 형성위치의 근방에 형성한다. 이들 오목면 반사경 (43) 및 렌즈군 (44) 은 그 광축 (AX') 이 수평방향을 지향하도록, 세로설치 상태로 배치되어 있다. 이하, 렌즈군 (44) 을 세로설치 렌즈군이라 칭한다.

제 2 결상광학계 (42) 가 형성하는 제 2 중간이미지의 형성위치의 근방에는 제 2 광로절곡경 (45) 이 배치되어 있다. 제 2 결상광학계 (42) 가 형성하는 제 2 중간이미지의 형성위치가 제 2 결상광학계 (42) 와 제 2 광로절곡경 (45) 사이인 경우, 이 제 2 광로절곡경 (45) 은 제 2 중간이미지로부터의 광속을 제 3 결상광학계 (46) 를 향하여 편향되고, 또한 제 2 결상광학계 (42) 가 형성하는 제 2 중간이미지의 형성위치가 제 2 광로절곡경 (45) 과 제 3 결상광학계 (46) 사이인 경우, 이 제 2 광로절곡경 (45) 은 제 2 결상광학계 (42) 에서 결상되는 광속을 제 3 결상광학계 (46) 를 향하여 편향된다. 여기서, 제 1 광로절곡경 (41) 의 반사면과 제 2 광로절곡경 (45) 의 반사면은 공간적으로 격리되어 있다. 즉, 제 1 광로절곡경 (41) 에서 반사된 광속이 직접 제 2 광로절곡경 (45) 으로 유도되지 않도록, 또한, 제 2 광로절곡경 (45) 에서 반사된 광속이 직접 제 1 광로절곡경(41) 으로 유도되지 않도록 구성되어 있다.

또한, 제 1 광로절곡경 (41) 과 제 2 광로절곡경 (45) 은 각각 독립적인 부재로 형성해도 되며, 또는 제 1 광로절곡경 (41) 과 제 2 광로절곡경 (45) 을 단일 부재에 동시에 형성해도 된다.

제 3 결상광학계 (46) 는 제 2 중간이미지로부터의 광속에 기초하여, 레티클 (R) 의 패턴의 축소상 (제 2 중간이미지의 이미지로 반사굴절 광학계의 최종 이미지) 을 제 2 면 (투영광학계의 이미지면) 에 배치된 웨이퍼 (W) 위에 형성한다. 제 3 결상광학계 (46) 는 렌즈군 (L7, L8, L9, L10) 에 의하여 구성되어 있다.

경통 (37) 은 제 1 결상광학계 (40) 및 제 3 결상광학계 (46) 를 수용하는 제 1 배럴부 (52a) 와, 제 2 결상광학계 (42) 를 수용하는 제 2 배럴부 (52b) 를 구비한다.

다음으로, 상기 제 2 결상광학계 (42) 의 세로설치 렌즈군 (44) 을 유지하기 위한 제 1 실시형태의 광학소자 유지장치 (51) 의 상세한 구성에 대하여 설명한다.

도 3 은 제 1 실시형태의 광학소자 유지장치 (51) 의 단면도를 나타내며, 도 4 는 광학소자 유지장치 (51) 를 상기 세로설치 렌즈군 (44) 의 광축 (AX') 방향에서 본 측면도를 나타내고, 도 5 는 제 1 실시형태의 광학소자 유지장치 (51) 의 분해사시도를 나타낸다.

도 3∼도 5 에 나타내는 바와 같이, 상기 세로설치 렌즈군 (44) 을 구성하는 광학소자로서의 렌즈 (60) 의 외주면에는 플랜지부 (60a) 가 형성되어 있다. 플랜지부 (60a) 가 렌즈 (60) 의 유지위치에 해당한다. 이 플랜지부 (60a) 는면 (P1) 을 포함하며, 이 면 (P1) 은 렌즈 (60) 를 세로설치 상태로 배치하였을 때, 그 렌즈 (60) 의 중심위치 (Gc) 를 포함하고, 그 렌즈 (60) 의 광축 (AX') 에 거의 직교하는 동시에 중력방향을 따라 연장된다. 그리고, 플랜지부 (60a) 는 면 (P1) 으로부터 등간격 떨어진 위치에 서로 평행한 플랜지면 (60b, 60c) 을 구비하는 구성이다.

광학소자 유지장치 (51) 는 제 2 배럴 (52b) 에 연결되는 연결부로서의 틀체 (61) 와, 그 틀체 (61) 위에 등각도 간격을 두고 배치된 3 개의 유지부 (62) 로 구성되어 있다. 그리고, 이들 유지부 (62) 에 있어서 렌즈 (60) 의 플랜지부 (60a) 가 유지되도록 되어 있다.

즉, 상기 틀체 (61) 는 알루미늄 등의 금속재료에 의하여 원환 형상으로 형성되고, 그 내주면은 유지부 (62) 를 구성하는 3 개의 좌면 (63 ; 도 5 참조) 이 등각도 간격으로 형성되어 있다. 각 좌면 (63) 과 대응하도록 틀체 (61) 의 일측면에는 유지부 (62) 를 구성하는 3 개의 클램프 부재 (64) 가, 틀체 (61) 위의 나사 구멍 (65) 에 대한 볼트 (66) 의 나사결합에 의하여 등각도 간격으로 부착되어 있다.

그리고, 이들 볼트 (66) 를 조임으로써, 렌즈 (60) 의 플랜지부 (60a) 가 각 클램프 부재 (64) 와 좌면 (63) 사이에 끼워져, 렌즈 (60) 가 틀체 (61) 내에 유지되도록 되어 있다. 또한, 이 상태에서 틀체 (61) 를 상기 경통 (37) 의 가로행(橫行) 배럴 (52) 내에 장착함으로써, 렌즈 (60) 가 그 광축 (AX') 을 수평방향으로 지향시킨 상태에서 유지되도록 되어 있다.

이 경우, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 3 개의 유지부 (62) 가 렌즈 (60) 의 플랜지부 (60a) 를 각각 유지하는 경우, 플랜지면 (60b, 60c) 의 중간위치에 있는 면 (P1) 이 렌즈 (60) 의 중심위치 (Gc) 를 통과하여 중력방향 (Gd) 과 동일 방향으로 배치되도록 되어 있다. 이 면 (P1) 은 렌즈 (60) 의 광축 (AX') 과 직교하는 면이다. 이로 인하여, 플랜지부 (60a) 의 중간위치에 있는 면 (P1) 과 렌즈의 중심위치 (Gc) 사이에 위치 어긋남이 발생하는 종래 구성과는 달리, 렌즈 (60) 에 작용하는 중력에 의하여 렌즈 (60) 에 회전 모멘트가 발생하는 일은 없다. 따라서, 렌즈면에 변형이 발생하여, 렌즈 (60) 의 광학성능 (예를 들면, 파면수차, 구면수차 등의 모든 수차) 이 악화되거나 할 우려가 억제된다.

또한, 제 1 실시형태에서는 면 (P1) 이 클램프 부재 (64) 및 좌면 (63) 사이, 즉 플랜지면 (60b, 60c) 간의 중간위치에 존재하는 경우에 대하여 설명하였는데, 플랜지면 (60b, 60c) 의 중간위치에 면 (P1) 이 존재하고 있지 않아도 된다. 예를 들면, 클램프 부재 (64) 와 접촉하는 플랜지부 (60a) 의 플랜지면 (60b) 을 포함하는 위치에 면 (P1) 이 있어도 되며, 또한 좌면 (63) 과 접촉하는 플랜지부 (60a) 의 플랜지면 (60c) 을 포함하는 위치에 면 (P1) 이 있어도 된다.

또한, 유지위치란, 플랜지부 (60a) 의 플랜지면 (60b, 60c) 을 포함하는 위치뿐만 아니라, 클램프 부재 (64) 및 좌면 (63) 을 포함하는 위치여도 된다.

또한, 상기 렌즈 (60) 의 유지상태에서는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 3 개의 유지부 (62) 가 렌즈 (60) 의 광축 (AX') 에 대하여 회전대칭이 되는 위치에서, 그 렌즈 (60) 의 주연부를 따라 거의 등각도 간격으로 배치되도록 되어 있다.또한, 3 개의 유지부 (62) 가 렌즈 (60) 의 광축 (AX') 을 포함하여 중력방향 (Gd) 으로 연장되는 면 (P2) 에 대하여 대칭이 되는 위치에 배치되도록 되어 있다. 즉, 위쪽의 한 유지부 (62) 가 면 (P2) 위에 배치되고, 나머지 2 개의 유지부 (62) 가 면 (P2) 에 대하여 대칭위치에 배치되도록 되어 있다. 이로써, 렌즈 (60) 가 편향을 발생시키지 않고 안정상태로 유지되게 된다.

따라서, 제 1 실시형태에 의하면, 이하와 같은 효과를 얻을 수 있다.

(A) 이 광학소자 유지장치 (51) 에서는 각 유지부 (62) 의 각각이 유지위치에 포함되는 면 (P1) 이 렌즈의 중심위치 (Gc) 를 통과하도록, 렌즈 (60) 의 플랜지부 (60a) 를 유지하고 있다.

이로 인하여, 유지부 (62) 의 유지위치에 포함되는 면 (P1) 이 렌즈 (60) 의 중심위치 (Gc) 로부터 편중되는 일 없이, 그 중심위치 (Gc) 를 통과하도록 설정되어, 렌즈 (60) 를 모멘트의 발생을 억제하면서 안정적으로 유지할 수 있다. 따라서, 모멘트의 발생에 의한 렌즈 (60) 의 광학면에 있어서의 변형을 억제할 수 있어, 광학성능을 양호하게 유지할 수 있다.

(B) 이 광학소자 유지장치 (51) 에서는 상기 유지부 (62) 가 렌즈 (60) 의 광축 (AX') 에 대하여 회전대칭이 되는 위치에서, 그 렌즈 (60) 의 주위둘레부를 따라 거의 등각도 간격으로 3 개 배치되어 있다. 이로 인하여, 광축 (AX') 에 대하여 회전대칭위치에서 거의 등각도 간격으로 설치된 3 개의 유지부 (62) 에서, 렌즈 (60) 를 더욱 안정적으로 유지할 수 있다.

(C) 이 광학소자 유지장치 (51) 에서는 상기 3 개의 유지부 (62) 가 렌즈(60) 의 광축 (AX') 을 포함하여 중력방향 (Gd) 으로 연장되는 면 (P2) 에 대하여 대칭이 되는 위치에 배치되어 있다. 이로 인하여, 렌즈 (60) 의 광축 (AX') 을 포함하여 중력방향 (Gd) 으로 연장되는 면 (P2) 에 대하여 대칭위치에 배치된 3 개의 유지부 (62) 에서, 렌즈 (60) 를, 편향이 발생되는 일 없이 한층 더 안정적으로 유지할 수 있다.

(D) 이 노광장치 (31) 에서는 경통 (37) 의 제 2 배럴 (52b) 내에 수용된 세로설치 구성을 이루는 세로설치 렌즈군 (44) 이 상기 (A)∼(C) 의 효과를 갖는 광학소자 유지장치 (51) 에 의하여 유지되어 있다.

이로 인하여, 이 세로설치 렌즈군 (44) 을 모멘트의 발생을 억제하면서 안정적으로 유지할 수 있다. 따라서, 투영광학계 (35) 의 광학성능을 양호하게 유지할 수 있어, 노광정밀도의 향상을 도모할 수 있다. 그리고, 이 노광장치 (31) 를 사용함으로써, 고집적도의 반도체소자 등을 고수율로 생산할 수 있다.

(제 2 실시형태)

다음으로, 본 발명의 제 2 실시형태에 대하여, 상기 제 1 실시형태와 다른 부분을 중심으로 설명한다.

이 제 2 실시형태에서는, 상기 제 2 결상광학계 (42) 에 있어서 광축 (AX') 이 수평방향을 지향하도록 세로설치 상태로 배치되는 오목면 반사경 (43) 을 유지하기 위한 광학소자 유지장치 (69) 의 상세한 구성에 대하여 설명한다.

도 6 은 제 2 실시형태의 광학소자 유지장치 (69) 의 단면도를 나타내고, 도 7 은 제 2 실시형태의 광학소자 유지장치 (69) 의 분해사시도를 나타낸다.

도 6 및 도 7 에 나타내는 바와 같이, 상기 오목면 반사경 (43) 을 이루는 광학소자로서의 미러 (70) 의 외주면에는 플랜지부 (70a) 가 형성되어 있다. 이 플랜지부 (70a) 는 면 (P1) 을 포함하며, 면 (P1) 은 미러 (70) 를 세로설치 상태로 배치하였을 때, 그 미러 (70) 의 중심위치 (Gc) 를 포함하고, 그 미러 (70) 의 광축 (AX') 에 거의 직교하는 동시에 중력방향을 따라 연장된다. 그리고, 플랜지부 (70a) 는 면 (P1) 으로부터 등간격 떨어진 위치에 서로 평행한 플랜지면 (70b, 70c) 을 구비하는 구성이다.

광학소자 유지장치 (69) 의 틀체 (71) 는 알루미늄 등의 금속재료에 의하여 원판 형상으로 형성되며, 그 일측면의 중앙에는 미러 (70) 를 수용하기 위한 원형상의 오목부 (71a) 가 형성되어 있다. 틀체 (71) 의 오목부 (71a) 의 내주면에는 유지부 (62) 를 구성하는 3 개의 좌면 (63) 이 등각도 간격으로 형성되는 동시에, 틀체 (71) 의 일측면에는 유지부 (62) 를 구성하는 3 개의 클램프 부재 (64) 가 볼트 (66) 에 의하여 장착되어 있다. 또한, 틀체 (71) 의 다른 측면은 경통 (37) 내에 소정의 연결기구 (볼트 등) 에 의하여 연결된다.

그리고, 상기 제 1 실시형태와 동일하게, 각 유지부 (62) 의 각각의 유지위치에 포함되는 면 (P1) 이 미러 (70) 의 중심위치 (Gc) 를 통과하도록, 각 유지부 (62) 가 미러 (70) 의 플랜지부 (70a) 를 유지하고 있다. 또한, 이 상태에서 틀체 (71) 가 경통 (37) 내에 장착됨으로써, 미러 (70) 가 그 광축 (AX') 을 수평방향으로 대략 지향시킨 상태 (세로설치 구성) 에서 유지되도록 되어 있다.

이 경우에도, 상기 제 1 실시형태와 동일하게, 각 유지부 (62) 의 각각의 유지위치에 포함되는 면 (P1) 이 미러 (70) 의 중심위치 (Gc) 를 통과하도록, 각 유지부 (62) 가 미러 (70) 의 플랜지부 (70a) 를 유지하고 있다. 또한, 3 개의 유지부 (62) 가 미러 (70) 의 광축 (AX') 에 대하여 회전대칭이 되는 위치에서, 그 미러 (70) 의 주위둘레부를 따라 거의 등각도 간격으로 배치되도록 되어 있다. 또한, 3 개의 유지부 (62) 중, 위쪽의 한 유지부 (62) 가 미러 (70) 의 광축 (AX') 을 포함하여 중력방향 (Gd) 으로 연장되는 면 (P2) 위에 배치되고, 나머지 2 개의 유지부 (62) 가 상기 면 (P2) 에 대하여 대칭위치에 배치되도록 되어 있다.

따라서, 이 제 2 실시형태에 있어서도, 상기 제 1 실시형태에 있어서의 (A)∼(C) 에 기재된 효과와 거의 동일한 효과를 얻을 수 있다.

(제 3 실시형태)

다음으로, 본 발명의 제 3 실시형태에 대하여, 상기 제 2 실시형태와 다른 부분을 중심으로 설명한다.

이 제 3 실시형태에서는 도 8 및 도 9 에 나타내는 바와 같이, 광학소자로서의 미러 (70) 가 세라믹으로 이루어지고, 그 외주면에는 플랜지부 (70a) 가 형성되어 있다. 플랜지부 (70a) 의 주위면에는 3 개의 절결면 (70b) 이 등각도 간격으로 형성되고, 이들 절결면 (70b) 의 중앙에는 돌기부 (70c) 가 형성되어 있다.

또한, 상기 제 2 실시형태와 동일하게, 광학소자 유지장치 (69) 의 틀체 (71) 위에는 좌면 (63) 과 클램프 부재 (64) 로 이루어지는 3 개의 유지부 (62) 가 형성되어 있다. 그리고, 이들 유지부 (62) 의 클램프 부재 (64) 와 좌면 (63) 사이에, 상기 돌기부 (70c) 의 양면이 끼워짐으로써, 미러 (70) 가 틀체 (71) 내에유지되도록 되어 있다. 그리고, 클램프 부재 (64) 와 좌면 (63) 에 의하여 끼워지는 돌기부 (70c) 의 양면 외에, 접선방향에 있어서의 돌기부 (70c) 의 양면을 끼워도 된다.

이 경우에도, 상기 제 2 실시형태와 동일하게, 각 유지부 (62) 의 각각의 유지위치를 포함하는 면 (P1) 이 미러 (70) 의 중심위치 (Gc) 를 통과하도록, 각 유지부 (62) 가 미러 (70) 의 플랜지부 (70a) 를 유지하고 있다. 또한, 각 유지부 (62) 가 미러 (70) 의 광축 (AX') 에 대하여 회전대칭이며, 또한 거의 등각도 간격을 둔 위치에 배치되어 있다. 또한, 각 유지부 (62) 중 위쪽의 한 유지부 (62) 가 상기 면 (P2) 위에, 나머지 2 개의 유지부 (62) 가 상기 면 (P2) 에 대하여 대칭위치에 각각 배치되어 있다.

따라서, 이 제 3 실시형태에 있어서도 상기 제 1 실시형태에 있어서의 (A)∼(C) 에 기재된 효과와 거의 동일한 효과를 얻을 수 있다.

(제 4 실시형태)

다음으로, 본 발명의 제 4 실시형태에 대하여, 상기 제 1 실시형태와 다른 부분을 중심으로 설명한다.

이 제 4 실시형태에서는 도 10 에 나타내는 바와 같이, 광학소자 유지장치 (51) 의 3 개의 유지부 (62) 중 아래쪽의 한 유지부 (62) 가 렌즈 (60) 또는 미러 (70) 의 광축 (AX') 을 포함하여 중력방향 (Gd) 으로 연장되는 면 (P2) 위에 배치되어 있다. 그리고, 나머지 2 개의 유지부 (62) 가 상기 면 (P2) 에 대하여 대칭위치에 배치되도록 되어 있다.

따라서, 이 제 4 실시형태에 있어서도 상기 제 1 실시형태에 있어서의 (A)∼(C) 에 기재된 효과와 거의 동일한 효과를 얻을 수 있다.

(제 5 실시형태)

다음으로, 본 발명의 제 5 실시형태에 대하여 상기 제 1 실시형태와 다른 부분을 중심으로 설명한다.

이 제 5 실시형태의 광학소자 유지장치 (51) 에서는 도 11 에 나타내는 바와 같이, 렌즈 (60) 또는 미러 (70) 의 주위둘레부에 6 개의 유지부 (62) 가 소정각도 간격으로 설치되어 있다. 그리고, 이 6 개의 유지부 (62) 중 위쪽 및 아래쪽의 한 쌍의 유지부 (62) 가 렌즈 (60) 또는 미러 (70) 의 광축 (AX') 을 포함하여 중력방향 (Gd) 으로 연장되는 면 (P2) 위에 배치되고, 나머지 4 개의 유지부 (62) 가 상기 면 (P2) 에 대하여 대칭위치에 배치되도록 되어 있다.

따라서, 이 제 5 실시형태에 있어서도 상기 제 1 실시형태에 있어서의 (A)∼(C) 에 기재된 효과와 거의 동일한 효과를 얻을 수 있다.

(제 6 실시형태)

다음으로, 본 발명의 제 6 실시형태에 대하여 상기 제 1 실시형태와 다른 부분을 중심으로 설명한다.

이 제 6 실시형태의 광학소자 유지장치 (51) 에 있어서도, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 렌즈 (60) 또는 미러 (70) 의 주위둘레부에 6 개의 유지부 (62) 가 소정각도 간격으로 설치되어 있다. 그리고, 이 6 개의 유지부 (62) 중 각 3 개의 유지부 (62) 가 렌즈 (60) 또는 미러 (70) 의 광축 (AX') 을 포함하여 중력방향(Gd) 으로 연장되는 면 (P2) 에 대하여 대칭위치에 배치되도록 되어 있다.

따라서, 이 제 6 실시형태에 있어서도 상기 제 1 실시형태에 있어서의 (A)∼(C) 에 기재된 효과와 거의 동일한 효과를 얻을 수 있다.

(제 7 실시형태)

다음으로, 본 발명의 제 7 실시형태에 대하여 상기 제 1 실시형태와 다른 부분을 중심으로 설명한다.

이 제 7 실시형태에서는 도 13 에 나타내는 바와 같이, 렌즈 (60) 가 광학소자 유지장치 (51) 의 유지부 (62) 에 유지되고, 틀체 (61) 를 통하여 경통 (37) 내에 장착된 상태에서, 그 렌즈 (60) 의 광축 (AX') 이 수평방향에 대하여 소정각도만큼 경사진 비스듬한 방향을 지향하도록 (경사설치 구성) 되어 있다. 즉, 이 상태에서는 유지부 (62) 의 유지위치에 포함되며, 또한 렌즈 (60) 의 광축 (AX') 과 직교하는 방향으로 연장되는 면 (P1) 이 렌즈 (60) 의 중심위치 (Gc) 를 통과하는 중력방향 (Gd) 에 대하여 소정 각도만큼 경사지게 된다.

그러나, 중력방향 (Gd) 이 유지위치, 즉 플랜지면 (60b, 60c) 사이에 존재하면, 종래의 광학소자를 유지하는 구조보다 렌즈 (60) 의 광학면에 있어서의 변형을 억제할 수 있다. 따라서, 경사설치 구성에 있어서는 수평방향에 대한 렌즈 (60) 의 광축 (AX') 의 경사각도가 커도, 플랜지면 (60b, 60c) 사이에 중력방향 (Gd) 이 존재하도록 플랜지부 (60a) 를 형성하면 된다.

제 7 실시형태에 있어서는, 렌즈 (60) 뿐만 아니라 제 2 및 제 3 실시형태에서 설명한 오목면 반사경을 지지하는 구성이어도 된다.

또한, 이와 같이 경사설치 구성의 렌즈 (60) 또는 미러를 지지하는 광학소자 유지장치 (51) 로는, 예를 들면 일본 공개특허공보 평2000-47114 호에 기재되어 있는 바와 같이, 카타디옵트릭 광학계에 사용할 수 있다.

따라서, 이 제 7 실시형태에 있어서도 상기 제 1 실시형태에 있어서의 (A)∼(C) 에 기재된 효과와 거의 동일한 효과를 얻을 수 있다.

(변경예)

또한, 본 발명은 이하와 같이 변경해도 된다.

· 각 실시형태에서는 렌즈 (60) 또는 미러 (70) 의 주위둘레부에 3 개 또는 6 개의 유지부 (62) 를 배치한 구성이 예시되어 있는데, 이 유지부 (62) 의 수는 4 개, 5 개 또는 7 개 이상의 복수로 변경하여 구성해도 된다.

· 각 실시형태에서는 유지부 (62) 가 좌면 (63) 과 클램프 부재 (64) 로 구성되어 있는데, 이 유지부 (62) 는 기타 클램프 기구나 접착제, 납땜 등으로 유지하는 구성으로 변경해도 된다.

· 제 2 실시형태에서는 미러 (70) 가 그 광축 (AX') 을 수평방향으로 지향시킨 상태에서 유지되도록 되어 있는데, 도 13 에 나타내는 제 7 실시형태와 같이 이 미러 (70) 를 그 광축 (AX') 이 수평방향에 대하여 소정각도만큼 경사진 비스듬한 방향을 지향하는 상태에서 유지하도록 구성해도 된다.

· 각 실시형태에서는 광학소자로서 렌즈 (60) 및 미러 (70) 가 예시되어 있는데, 이 광학소자는 평행평판 등의 다른 광학소자여도 된다. 또한, 오목면 반사경뿐만 아니라 평면 반사경이어도 된다.

· 본 발명의 광학소자 유지장치 (51) 는 상기 실시형태의 노광장치 (31) 의 투영광학계 (35) 에 있어서의 세로설치 타입의 광학소자의 유지구성에 한정되지 않고, 노광장치 (31) 의 기타 광학계, 예를 들면 조명광학계 등에 있어서의 세로설치 타입의 광학소자의 유지구성으로 구체화해도 된다. 또한, 다른 광학기계, 예를 들면 현미경, 간섭계 등의 광학계에 있어서의 광학소자의 유지구성으로 구체화해도 된다.

이상과 같이 한 경우에도, 상기 각 실시형태에 있어서의 효과와 거의 동일한 효과가 얻어진다.

· 노광장치 (31) 의 투영광학계 (35) 로는, 반사굴절 타입에 한정되지 않고, 투영광학계의 광축이 중력방향에 대하여 경사지게 배치되는 전체 굴절 타입이어도 된다.

· 광원 (32) 으로는, 파장 157nm 의 펄스광을 공급하는 F₂레이저광뿐만 아니라, 파장 248nm 의 광을 공급하는 KrF 엑시머 레이저, 파장 193nm 의 광을 공급하는 ArF 엑시머 레이저, 파장 126nm 의 광을 공급하는 Ar₂레이저를 이용해도 된다. 또한, DFB 반도체 레이저 또는 화이버 레이저로부터 발진되는 적외역, 또는 가시역의 단일파장 레이저광을 예를 들면, 에르븀 (또는 에르븀과 이테르븀 쌍방) 이 도프된 화이버 앰프로 증폭하고, 비선형 광학결정을 이용하여 자외광으로 파장변환된 고주파를 이용해도 된다.

· 반도체소자 등의 마이크로 디바이스 제조용 노광장치뿐만 아니라, 광노광장치, EUV 노광장치, X 선 노광장치 및 전자선 노광장치 등에서 사용되는 레티클 또는 마스크를 제조하기 위하여, 마더 레티클에서 유리기판이나 실리콘 웨이퍼 등으로 회로패턴을 전사하는 노광장치에도 본 발명을 적용할 수 있다. 여기서, DUV (딥자외) 나 VUV (진공자외) 광 등을 이용하는 노광장치에서는, 일반적으로 투과형 레티클이 이용되고, 레티클 기판으로는 석영유리, 불소가 도프된 석영유리, 형석, 플루오르화마그네슘 또는 수정 등이 이용된다. 또한, 프록시미티 방식의 X 선 노광장치나 전자선 노광장치 등에서는 반사형 마스크 (스텐실 마스크, 멤브레인 마스크 등) 가 사용되며, 마스크 기판으로는 실리콘 웨이퍼 등이 사용된다.

· 물론, 반도체 소자의 제조에 사용되는 노광장치뿐만 아니라, 액정표시소자 (LCD) 등을 포함하는 디스플레이의 제조에 사용되어 디바이스 패턴을 유리 플레이트 위에 전사하는 노광장치, 박막자기헤드의 제조에 사용되어 디바이스 패턴을 세라믹 웨이퍼 위에 전사하는 노광장치 및 CCD 등의 촬상소자의 제조에 사용되는 노광장치 등에도 본 발명을 적용할 수 있다.

· 상기 실시형태에서는, 본 발명이 스캐닝 스테퍼에 적용된 경우에 대하여 설명하였는데, 마스크와 기판을 정지시킨 상태에서 마스크의 패턴을 기판에 전사하고, 기판을 순서대로 스텝 이동시키는 스텝 앤드 리피트 방식의 노광장치에도 본 발명을 적용할 수 있다.

· 상기 실시형태에서는 반사굴절 투영광학계의 투영배율을 축소배율로 하였는데, 투영배율은 축소에 한정되지 않고, 등배, 확대배율이어도 된다. 예를 들면, 투영배율을 확대배율로 하는 경우에는 제 3 결상광학계 (46) 측으로부터 광을입사시키도록 배치하고, 제 3 결상광학계 (46) 에 의하여 마스크 또는 레티클 (R) 의 1 차 이미지를 형성하고, 제 2 결상광학계 (42) 에 의하여 2 차 이미지를 형성하고, 제 1 결상광학계 (40) 에 의하여 3 차 이미지 (최종 이미지) 를 웨이퍼 (W) 등의 기판 위에 형성시키면 된다.

또한, 조명광학계 (33), 투영광학계 (35) 를 구성하는 복수의 렌즈 또는 미러의 적어도 일부를 상기 각 실시형태의 광학소자 유지장치 (51, 69) 에서 유지하고, 이 조명광학계 (33) 및 투영광학계 (35) 를 노광장치 (31) 본체에 장착하고, 광학조정을 하는 동시에, 다수의 기계부품으로 이루어지는 웨이퍼 스테이지 (36) (스캔 타입의 노광장치의 경우에는 레티클 스테이지 (34) 도 포함) 를 노광장치 (31) 본체에 장착하여 배선을 접속하고, 노광광 (EL) 의 광로내에 가스를 공급하는 가스공급배관을 접속하고, 다시 종합조정 (전기조정, 동작확인 등) 을 함으로써, 실시형태의 노광장치 (31) 를 제조할 수 있다.

또한, 광학소자 유지장치 (51) 를 구성하는 각 부품은 초음파 세척 등에 의하여 가공유나, 금속물질 등의 불순물을 제거한 후에 조립된다. 또한, 노광장치 (31) 의 제조는 온도, 습도나 기압이 제어되고, 또한 클린도가 조정된 클린룸내에서 실시하는 것이 바람직하다.

· 본 실시형태에 있어서의 초재(硝材)로서, 형석을 예로 설명하였는데, 석영, 플루오르화리튬, 플루오르화마그네슘, 플루오르화스트론튬, 리튬-칼슘-알루미늄-플로라이드 및 리튬-스트론튬-알루미늄-플로라이드 등의 결정이나, 지르코늄-바륨-란탄-알루미늄으로 이루어지는 플루오르화 유리나 불소를 도프한 석영유리, 불소에 더하여 수소도 도프된 석영유리, OH 기를 함유시킨 석영유리, 불소에 더하여 OH 기를 함유한 석영유리 등의 개량 석영을 사용한 경우에도, 본 실시형태의 광학소자 유지장치 (51) 를 적용할 수 있다.

다음으로, 전술한 노광장치 (31) 를 리소그래피 공정에서 사용한 디바이스의 제조방법에 대하여 설명한다.

도 14 는 디바이스 (IC 나 LSI 등의 반도체 칩, 액정 패널, CCD, 박막자기헤드, 마이크로머신 등) 의 제조예의 플로우차트를 나타내는 도면이다. 도 14 에 나타내는 바와 같이, 먼저 스텝 S101 (설계 스텝) 에 있어서, 디바이스 (마이크로 디바이스) 의 기능ㆍ성능 설계 (예를 들면, 반도체 디바이스의 회로설계 등) 를 하고, 그 기능을 실현하기 위한 패턴설계를 한다. 계속해서, 스텝 S102 (마스크 제작 스텝) 에 있어서, 설계한 회로패턴을 형성한 마스크 (레티클 R, 포토마스크 등) 를 제작한다. 한편, 스텝 S103 (기판제조 스텝) 에 있어서, 규소, 유리 등의 재료를 이용하여 기판 (웨이퍼 W, 유리 플레이트 등) 을 제조한다.

다음으로, 스텝 S104 (기판처리 스텝) 에 있어서, 스텝 S101∼103 에서 준비한 마스크와 기판을 사용하여, 후술하는 바와 같이 리소그래피 기술 등에 의하여 기판 위에 실제의 회로들을 형성한다. 이어서, 스텝 S105 (디바이스 조립 스텝) 에 있어서, 스텝 S104 에서 처리된 기판을 사용하여 디바이스 조립을 한다. 이 스텝 S105 에는 다이싱 공정, 본딩 공정 및 패키징 공정 (칩 봉입) 등의 공정이 필요에 따라 포함된다.

마지막으로, 스텝 S106 (검사 스텝) 에 있어서, 스텝 S105 에서 제작된 디바이스의 동작확인 테스트, 내구성 테스트 등의 검사를 실시한다. 이러한 공정을 거친 후에 디바이스가 완성되고, 이것이 출하된다.

도 15 는 반도체 디바이스의 경우에 있어서의 도 14 의 스텝 S104 의 상세한 플로우의 일례를 나타내는 도면이다. 도 15 에 있어서, 스텝 S111 (산화 스텝) 에서는, 웨이퍼 (W ; 기판) 의 표면을 산화시킨다. 스텝 S112 (CVD 스텝) 에서는 웨이퍼 (W) 표면에 절연막을 형성한다. 스텝 S113 (전극형성 스텝) 에서는 웨이퍼 (W) 위에 전극을 증착에 의하여 형성한다. 스텝 S114 (이온주입 스텝) 에서는 웨이퍼 (W) 에 이온을 주입한다. 이상의 스텝 S111∼S114 의 각각은 웨이퍼 처리의 각 단계의 전처리 공정을 구성하고 있으며, 각 단계에 있어서 필요한 처리에 따라 선택되어 실행된다.

웨이퍼 프로세스의 각 단계에 있어서, 전술한 전처리 공정이 종료되면 이하와 같이 하여 후처리 공정이 실행된다. 이 후처리 공정에서는, 먼저 스텝 S115 (레지스트 형성 스텝) 에 있어서, 웨이퍼 (W) 에 포토레지스트 등의 감광제를 도포한다. 계속해서, 스텝 S116 (노광 스텝) 에 있어서, 앞서 설명한 리소그래피 시스템 (노광장치 31) 에 의하여 레티클 (R) 의 회로패턴을 웨이퍼 (W) 위에 전사한다. 다음으로, 스텝 S117 (현상 스텝) 에서는 노광된 웨이퍼 (W) 를 현상하고, 스텝 S118 (에칭 스텝) 에 있어서, 레지스트가 잔존해 있는 부분 이외의 부분의 노출부재를 에칭에 의하여 제거한다. 그리고, 스텝 S119 (레지스트 제거 스텝) 에 있어서, 에칭이 완료되고 불필요해진 레지스트를 제거한다.

이들 전처리 공정과 후처리 공정을 반복하여 실시함으로써, 웨이퍼 (W) 위에다중으로 회로패턴이 형성된다.

이상 설명한 디바이스 제조방법을 이용하면, 노광공정 (스텝 S116) 에 있어서 상기 노광장치 (31) 가 사용되고, 진공 자외역의 노광광 (EL) 에 의하여 해상력의 향상이 가능해지며, 게다가 노광량 제어를 고정밀도로 실시할 수 있다. 따라서, 결과적으로 최소선폭이 0.1㎛ 정도인 고집적도의 디바이스를 고수율로 생산할 수 있다.

Claims

광학소자 (60) 의 둘레부를 유지하는 유지부 (62) 를 구비하는 광학소자 유지장치 (69) 에 있어서,

상기 유지부는, 상기 광학소자의 광축 (AX') 이 수평 방향 또는 경사 방향을 지향하도록 상기 광학소자를 유지하는 동시에, 상기 광학소자의 유지위치에 포함되며, 또한 상기 광학소자의 광축과 교차하는 방향으로 연장되는 면 (P1) 이 광학소자의 중심위치 (Gc) 를 거의 통과하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광학소자 유지장치.
제 1 항에 있어서,

상기 유지부는, 상기 광학소자의 둘레부를 따라 거의 등각도 간격으로 적어도 3 개 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 광학소자 유지장치.
제 2 항에 있어서,

상기 유지부는, 상기 광학소자의 광축에 대하여 회전대칭으로 되는 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광학소자 유지장치.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,

상기 유지부는, 상기 광학소자의 광축을 포함하여 중력방향으로 연장되는 면에 대하여 대칭으로 되는 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광학소자 유지장치.
제 1 항에 있어서,

상기 광학소자의 유지위치는, 상기 광학소자의 둘레부에 형성된 플랜지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학소자 유지장치.
제 5 항에 있어서,

상기 면 (P1) 은, 상기 플랜지부를 구성하는 서로 평행한 플랜지면의 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 광학소자 유지장치.
제 6 항에 있어서,

상기 면 (P1) 은, 상기 플랜지면의 중간에 위치하는 것을 특징으로 하는 광학소자 유지장치.
제 1 항에 있어서,

상기 광학소자는 반사미러인 것을 특징으로 하는 광학소자 유지장치.
복수의 광학소자를 유지하는 경통 (37) 에 있어서,

상기 복수의 광학소자 중 적어도 하나를 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한항에 기재된 광학소자 유지장치 (69) 를 통해 유지한 것을 특징으로 하는 경통.
마스크 위에 형성된 패턴의 이미지를 투영광학계 (35) 를 통해 기판 (W) 위에 전사하는 노광장치 (31) 에 있어서,

상기 투영광학계는 제 9 항에 기재된 경통 (37) 을 갖는 것을 특징으로 하는 노광장치.
제 10 항에 기재된 노광장치 (31) 를 사용하여 마이크로 디바이스를 제조하는 것을 특징으로 하는 마이크로 디바이스의 제조방법.