KR20030037874A - 반도체 포토리소그래피 방법 - Google Patents
반도체 포토리소그래피 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20030037874A KR20030037874A KR1020010068966A KR20010068966A KR20030037874A KR 20030037874 A KR20030037874 A KR 20030037874A KR 1020010068966 A KR1020010068966 A KR 1020010068966A KR 20010068966 A KR20010068966 A KR 20010068966A KR 20030037874 A KR20030037874 A KR 20030037874A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- photoresist
- bake
- photolithography method
- baking
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
반도체 포토리소그래피 방법이 개시되어 있다.
본 발명에 따른 반도체 포토리소그래피 방법은, 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 코팅하는 단계, 상기 포토레지스트가 코팅된 웨이퍼를 1차 베이크하는 단계, 상기 1차 베이크 완료된 상기 웨이퍼 표면의 상기 포토레지스트를 소정두께로 식각하는 단계, 상기 식각이 완료된 상기 웨이퍼를 2차 베이크하는 단계, 상기 2차 베이크된 상기 웨이퍼를 노광하는 단계, 상기 노광 완료된 상기 웨이퍼를 3차 베이크하는 단계, 상기 3차 베이크된 상기 웨이퍼를 현상하는 단계 및 상기 현상 완료된 상기 웨이퍼를 4차 베이크 하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 포토레지스트 패턴의 경도를 향상시킴으로써 포토레지스트 패턴이 무너져 인접하는 포토레지스트 패턴과 서로 접촉하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 반도체 포토리소그래피 방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 포토레지스트 패턴의 경도를 향상시켜 포토레지스트 패턴이 무너지는 것을 방지할 수 있는 반도체 포토리소그래피 방법에 관한 것이다.
최근에, 반도체소자가 64MDRAM, 256MDRAM 및 1GDRAM으로 고집적화되어 칩(Chip) 단위면적이 작아지고, 회로선폭(Critical dimension)이 축소됨에 따라 웨이퍼 상에 패턴(Pattern)을 구현하는 포토리소그래피(Photolithography)공정의 중요성이 대두되고 있다.
일반적으로, 상기 포토리소그래피공정은 웨이퍼 상에 포토레지스트를 코팅한후, 노광 및 현상하는 공정이며, 상기 각 단위공정 후에는 베이크공정이 더 수행됨으로써 웨이퍼 상의 포토레지스트의 경도를 강화시키고 있다.
그리고, 최근에 고집적화된 반도체 소자의 선폭의 축소에 따라 상기 포토레지스트 패턴은 하부폭이 상부폭보다 작은 마이너스(-) 기울기의 패턴 프로파일(Profile)이 발생하거나 현상공정을 진행하는 과정에 현상액 및 세정액의 공급압에 의해서 인접하는 포토레지스트 패턴이 서로 접촉하는 등의 문제점이 발생하고 있다.
종래의 반도체 포토리소그래피 방법은, 도1에 도시된 바와 같이 먼저 S2단계에서 웨이퍼 표면에 포토레지스트의 접착성을 높이기 위한 접착 강화제를 도포한다. 이때, 상기 접착 강화제로 통상 HMDS(Hexamethyldisilazane)를 주로 사용하며, 상기 접착 강화제는 스프레이(Spray)방식, 딥(Dip)방식 등을 사용하여 형성할 수 있다.
다음으로, S4단계에서 접착 강화제가 도포된 웨이퍼 전면에 포토레지스트를 얇게 코팅한다. 이때, 상기 포토레지스트는 스핀척 상에 웨이퍼를 위치시킨 후, 웨이퍼를 회전시키며 웨이퍼 상에 일정량의 포토레지스트틀 공급하여 약 4,000 Å ~ 5,000Å의 두께로 코팅할 수 있다.
이어서, S6단계에서 포토레지스트가 코팅된 웨이퍼를 베이크 챔버 내부에 투입하여 약 110℃ 정도의 온도에서 소정시간동안 1차 베이크하여 포토레지스트에 포함된 액상의 성분을 제거한다. 이때, 상기 1차 베이크에 의해서 포토레지스트의 경도는 향상되며, 상기 1차 베이크 온도를 높이면 포토레지스트의 경도는 향상시킬수 있으나 후속 현상공정에서 포토레지스트가 현상액에 의해서 과식각된다.
다음으로, S8단계에서 1차 베이크가 완료된 웨이퍼를 스텝퍼 등의 노광장치에 투입하여 웨이퍼 상의 포토레지스트에 마스크를 통해서 빛을 주사함으로써 마스크에 구현된 회로패턴을 포토레지스트에 전사하는 노광공정을 진행한다.
계속해서, S10단계에서 노광공정이 완료된 웨이퍼를 다시 베이크 챔버 내부에 투입하여 약 115℃ 정도의 온도에서 소정시간동안 2차 베이크한다. 이때, 상기 노광공정의 진행과정에 단파장 광의 노출에 의해서 형성된 물결무늬 프로파일(Profile) 등이 제거된다.
이어서, S12단계에서 2차 베이크된 상기 웨이퍼를 현상장치 내부로 투입하여 선행된 노광공정의 수행에 의해서 빛을 받은 영역 또는 빛을 받지 않은 영역을 현상액을 이용하여 선택적으로 제거함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다. 또한, 현상액에 의해서 현상된 웨이퍼 표면에 세정액을 분사하여 웨이퍼 표면을 세정함으로써 웨이퍼 표면에 잔류하는 현상액, 포토레지스트 식각물 등을 제거한다.
이때, 현상액에 의해서 약 4,000 Å ~ 5,000Å 두께의 포토레지스트는 약 100Å 정도 식각된다. 그리고, 포토레지스트 패턴의 높이가 너무 높거나 포토레지스트 패턴이 마이너스(-) 경사를 가지거나 포토레지스트의 경도가 약할 경우에는 포토레지스트 패턴은 현상액 및 세정액의 공급압력에 의해서 무너져 인접하는 포토레지스트 패턴과 접촉할 수 있다.
마지막으로, S14단계에서 현상공정이 완료된 상기 웨이퍼를 다시 베이크 챔버 내부에 투입하여 약 110℃ 정도의 온도에서 소정시간동안 3차 베이크한다.
그러나, 종래의 포토리소그래피 방법에 따른 포토레지스트 패턴은 반도체소자가 고집적화되어 회로선폭이 축소됨에 따라 포토레지스트 패턴의 선폭 역시 축소되고, 포토레지스트 패턴의 높이가 너무 높고, 포토레지스트 패턴이 마이너스 경사를 가지고, 포토레지스트의 경도가 약한 등의 원인에 의해서 포토레지스트 패턴이 현상과정에 무너져 인접하는 포토레지스트 패턴과 서로 접촉하는 문제점이 발생하고 있다.
본 발명의 목적은, 포토레지스트 패턴의 경도를 향상시킴으로써 포토레지스트 패턴이 현상과정에 무너져 인접하는 포토레지스트 패턴과 서로 접촉하는 것을 방지할 수 있는 반도체 포토리소그래피 방법을 제공하는 데 있다.
도1은 종래의 반도체 포토리소그래피 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 포토리소그래피 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 포토리소그래피 방법은,
웨이퍼 표면에 포토레지스트를 코팅하는 단계; 상기 포토레지스트가 코팅된 웨이퍼를 1차 베이크하는 단계; 상기 1차 베이크 완료된 상기 웨이퍼 표면의 상기 포토레지스트를 소정두께로 식각하는 단계; 상기 식각이 완료된 상기 웨이퍼를 2차 베이크하는 단계; 상기 2차 베이크된 상기 웨이퍼를 노광하는 단계; 상기 노광 완료된 상기 웨이퍼를 3차 베이크하는 단계; 상기 3차 베이크된 상기 웨이퍼를 현상하는 단계; 및 상기 현상 완료된 상기 웨이퍼를 4차 베이크 하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 코팅하기 이전에 상기 웨이퍼표면에 포토레지스트의 접착성을 높이기 위한 접착 강화제를 도포하는 단계를 더 수행할 수 있다.
그리고, 상기 1차 베이크 단계는, 상기 2차, 3차 및 4차 베이크 단계보다 높은 공정온도에서 수행함으로써 포토레지스트의 경도를 향상시킴이 바람직하다.
또한, 상기 1차 베이크 단계의 공정온도는 120℃ ~ 130℃로 이루어지고, 상기 2차 베이크 단계의 공정온도는 105℃ ~ 115℃로 이루어지고, 상기 3차 베이크 단계의 공정도는 110℃ ~ 120℃로 이루어지고, 상기 4차 베이크 단계의 공정온도는 105℃ ~ 115℃로 이루어질 수 있다.
그리고, 상기 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 코팅하는 단계는 상기 상기 포토레지스트를 소정두께로 식각하는 단계에서 식각되는 양을 감안하여 소정두께로 형성함이 바람직하다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 포토리소그래피 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
본 발명에 따른 반도체 포토리소그래피 방법은, 도2에 도시된 바와 같이 먼저 S20단계에서 웨이퍼 표면에 포토레지스트의 접착성을 높이기 위하여 접착 강화제로 HMDS를 형성한다. 이때, 상기 HMDS는 복수의 웨이퍼를 HMDS욕조에 소정시간동안 투입한 후, 방출하는 딥방식, 웨이퍼를 스핀척 상에 위치시켜 웨이퍼를 회전시키며 HMDS를 웨이퍼 상에 분사하는 스프레이방식 및 HMDS를 탱크 내에서 질소(N2)가스를 이용하여 기포발생시켜 질소(N2)가스와 HMDS가 함께 웨이퍼 표면을 감싸게 하는 기상도포방식 등이 사용될 수 있다.
다음으로, S22단계에서 접착 강화제가 도포된 웨이퍼 전면에 포토레지스트를 약 5,000 Å ~ 6,000Å 두께로 코팅한다. 이때, 상기 포토레지스트는 웨이퍼를 스핀척 상에 올려놓고 웨이퍼를 회전 또는 정지시킨 상태에서 포토레지스트를 분사한 후, 스핀척을 고속으로 회전시켜 포토레지스트를 웨이퍼 전면에 도포하는 방식을 사용할 수 있다.
이때, 상기 포토레지스트는 후속 식각공정의 진행과정에 식각되는 것을 감안하여 약 5,000 Å ~ 6,000Å 두께로 종래의 포토레지스트 두께보다 약 1,000Å 정도 두껍게 형성한다.
이어서, S24단계에서 포토레지스트가 코팅된 웨이퍼를 베이크 챔버 내부에 투입하여 약 120℃ ~ 130℃ 정도의 온도에서 소정시간동안 1차 베이크하여 포토레지스트에 포함된 액상의 성분을 제거한다.
이때, 상기 1차 베이크 온도는 후속 2차, 3차 및 4차 베이크 온도보다 높은 온도로써 상기 1차 베이크 온도의 수행에 의해서 웨이퍼 상에 도포된 포토레지스트의 경도는 향상된다.
다음으로, S26단계에서 1차 베이크가 완료된 웨이퍼를 현상장치 등과 같은 포토레지스트 식각장치 내부에 투입하여 현상액과 동일한 성분의 케미클(Chemical)을 사용하여 약 1,000Å 정도 두께의 포토레지스트를 식각한다.
이어서, S28단계에서 식각공정이 완료된 웨이퍼를 베이크 챔버 내부에 투입하여 약 105℃ ~ 115℃, 바람직하게는 110℃ 정도의 온도에서 소정시간동안 2차 베이크한다.
계속해서, S30단계에서 2차 베이크가 완료된 웨이퍼를 스텝퍼 등의 노광장치에 투입하여 웨이퍼 상의 포토레지스트에 마스크를 통해서 빛을 주사함으로써 마스크에 구현된 회로패턴을 포토레지스트에 전사하는 노광공정을 진행한다.
계속해서, S32단계에서 노광공정이 완료된 웨이퍼를 다시 베이크 챔버 내부에 투입하여 약 110℃ ~ 120℃, 바람직하게는 약 115℃ 정도의 온도에서 소정시간동안 3차 베이크한다. 이때, 상기 노광공정의 진행과정에 단파장 광의 노출에 의해서 형성된 물결무늬 프로파일(Profile) 등이 제거된다.
이어서, S34단계에서 3차 베이크된 상기 웨이퍼를 현상장치 내부로 투입하여 선행된 노광공정의 수행에 의해서 빛을 받은 영역 또는 빛을 받지 않은 영역을 현상액을 이용하여 선택적으로 제거함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다.
또한, 현상액에 의해서 현상된 웨이퍼 표면에 세정액을 분사하여 웨이퍼 표면을 세정함으로써 웨이퍼 표면에 잔류하는 현상액, 포토레지스트 식각물 등을 제거한다.
이때, 현상액에 의해서 약 4,000 Å ~ 5,000Å 두께의 포토레지스트는 약 100Å 정도 식각되며, 상기 현상에 의해서 형성된 포토레지스트 패턴은 선행된 약 120℃ ~ 130℃ 정도의 온도에서 수행된 1차 베이크에 의해서 경도가 향상되어 있으므로 후속공정을 진행하는 과정에 포토레지스트 패턴이 무너지는 것을 방지할 수 있다.
마지막으로, S36단계에서 현상공정이 완료된 상기 웨이퍼를 다시 베이크 챔버 내부에 투입하여 약 105℃ ~ 115℃, 바람직하게는 약 110℃ 정도의 온도에서 소정시간동안 4차 베이크한다.
본 발명에 의하면, 포토레지스트의 경도를 향상시켜 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 현상공정을 수행하는 과정에 포토레지스트 패턴이 무너져 인접하는 포토레지스트 패턴이 서로 접촉하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
이상에서는 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
Claims (5)
- 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 코팅하는 단계;상기 포토레지스트가 코팅된 웨이퍼를 1차 베이크하는 단계;상기 1차 베이크 완료된 상기 웨이퍼 표면의 상기 포토레지스트를 소정두께로 식각하는 단계;상기 식각이 완료된 상기 웨이퍼를 2차 베이크하는 단계;상기 2차 베이크된 상기 웨이퍼를 노광하는 단계;상기 노광 완료된 상기 웨이퍼를 3차 베이크하는 단계;상기 3차 베이크된 상기 웨이퍼를 현상하는 단계; 및상기 현상 완료된 상기 웨이퍼를 4차 베이크 하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 포토리소그래피 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 코팅하기 이전에 상기 웨이퍼 표면에 포토레지스트의 접착성을 높이기 위한 접착 강화제를 도포하는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 포토리소그래피 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 1차 베이크 단계는, 상기 2차, 3차 및 4차 베이크 단계보다 높은 공정온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 포토리소그래피 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 1차 베이크 단계의 공정온도는 120℃ ~ 130℃로 이루어지고, 상기 2차 베이크 단계의 공정온도는 105℃ ~ 115℃로 이루어지고, 상기 3차 베이크 단계의 공정도는 110℃ ~ 120℃로 이루어지고, 상기 4차 베이크 단계의 공정온도는 105℃ ~ 115℃로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 포토리소그래피 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 코팅하는 단계는 상기 상기 포토레지스트를 소정두께로 식각하는 단계에서 식각되는 양을 감안하여 소정두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 포토리소그래피 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010068966A KR20030037874A (ko) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | 반도체 포토리소그래피 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010068966A KR20030037874A (ko) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | 반도체 포토리소그래피 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030037874A true KR20030037874A (ko) | 2003-05-16 |
Family
ID=29568241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020010068966A KR20030037874A (ko) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | 반도체 포토리소그래피 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20030037874A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100907889B1 (ko) * | 2007-11-29 | 2009-07-15 | 주식회사 동부하이텍 | 마스크 패턴 형성 방법 |
-
2001
- 2001-11-06 KR KR1020010068966A patent/KR20030037874A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100907889B1 (ko) * | 2007-11-29 | 2009-07-15 | 주식회사 동부하이텍 | 마스크 패턴 형성 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20170343899A1 (en) | Developing method | |
| KR100271761B1 (ko) | 반도체장치 제조용 현상장치 및 그의 제어방법 | |
| KR100493029B1 (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 | |
| KR20030037874A (ko) | 반도체 포토리소그래피 방법 | |
| KR920010129B1 (ko) | 콘택홀의 패턴형성방법 | |
| JPH09246166A (ja) | フォトレジストの現像方法 | |
| KR100591156B1 (ko) | 스핀 코터 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR100842736B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| KR19990011634A (ko) | 반도체장치의 반사방지막을 이용한 패턴 형성방법 | |
| KR20010070467A (ko) | 포토레지스트 마스크내의 현상관련 결함을 제거하는 방법및 이에 이용되는 청정 트랙 시스템 | |
| KR100641538B1 (ko) | 반도체 제조용 현상 방법 | |
| KR100308421B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 배선층 형성 방법 | |
| US20080070406A1 (en) | Pattern forming method and semiconductor device manufacturing method using the same | |
| KR920002028B1 (ko) | 부산물을 이용한 리프트 오프 공정 | |
| KR100617069B1 (ko) | 반도체 소자의 반사 방지막 형성방법 | |
| KR19980084528A (ko) | 반도체 제조장치 | |
| JPS57108970A (en) | Pattern checking method | |
| KR20050001187A (ko) | 반도체 소자의 레지스트 패턴 형성방법 | |
| US20040029394A1 (en) | Method and structure for preventing wafer edge defocus | |
| KR19980054470A (ko) | 포토레지스트 패턴 형성방법 | |
| KR19980057145A (ko) | 반도체 소자 제조용 포토마스크 | |
| JPH0777810A (ja) | 感光性ポリマ被膜の現像装置および現像方法 | |
| KR20000045237A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR20010003462A (ko) | 디유브이 공정을 이용한 실리콘 산화막 식각방법 | |
| JPS60106132A (ja) | パタ−ン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |