KR20030029915A - 이온 주입기용 벌크 가스 이송 시스템 - Google Patents
이온 주입기용 벌크 가스 이송 시스템 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20030029915A KR20030029915A KR10-2003-7003230A KR20037003230A KR20030029915A KR 20030029915 A KR20030029915 A KR 20030029915A KR 20037003230 A KR20037003230 A KR 20037003230A KR 20030029915 A KR20030029915 A KR 20030029915A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas
- source
- ion
- delivery system
- pressure
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/36—Gas-filled discharge tubes for cleaning surfaces while plating with ions of materials introduced into the discharge, e.g. introduced by evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Claims (26)
- 제1전압 전위의 가스 소스(gas source)(102)와;제1전압 전위보다 더 큰 제2전압 전위의 이온 소스(ion source); 및가스 소스 및 이온 소스 사이에 접속된 전기적 절연 커넥터(108)를 구비하는, 이온 주입 시스템용 가스 이송 시스템(100).
- 제1항에 있어서, 제1전압 전위는 접지 회로 전위를 포함하는, 이온 주입 시스템용 가스 이송 시스템(100).
- 제1항에 있어서, 가스 소스는 가압 가스를 구비하는, 이온 주입 시스템용 가스 이송 시스템(100).
- 제1항에 있어서, 전기적 절연 커넥터(108)는 제1전기적 절연 튜브(150, 160)를 포함하는, 이온 주입 시스템용 가스 이송 시스템(100).
- 제4항에 있어서, 제1전기적 절연 튜브(150, 160)는 붕규산 유리, 규산 알루미늄 유리, 석영, 또는 세라믹 재료를 포함하는, 이온 주입 시스템용 가스 이송 시스템(100).
- 제4항에 있어서, 전기적 절연 커넥터(108)는, 상기 제1전기적 절연 튜브 (150, 160)를 감싸고, 그것과 끼워넣는 배치의 제2전기적 절연 튜브(158, 162)를 추가로 포함하고, 끼워넣는 배치는, 그 사이에 스페이싱(spacing)(172)을 형성하여 상기 스페이싱(172) 내에서 가압 가스의 이송을 용이하게 하는, 이온 주입 시스템용 가스 이송 시스템(100).
- 제6항에 있어서, 스페이싱(172) 내의 가스의 압력은 제1전기적 절연 튜브 (150, 160) 내의 가스의 압력보다 더 크며, 이에 따라 제1전기적 절연 튜브(150, 160)로부터 스페이싱(172)으로의 가스의 누출을 방지하는, 이온 주입 시스템용 가스 이송 시스템(100).
- 제7항에 있어서, 제2전기적 절연 튜브(158, 162)와 연관된 포트(port)에 접속된 압력 감시 장치(128)를 추가로 구비하고, 또한 상기 압력 감시 장치(128)는 스페이싱(172) 내의 압력의 변화를 검출하도록 동작하는, 이온 주입 시스템용 가스 이송 시스템(100).
- 제8항에 있어서, 압력 감시 장치(128)와 연관된 안전 제어기를 추가로 구비하고, 또한 상기 안전 제어기는 압력 감시 장치(128)에 의해서 제공된 압력 정보에 근거하여 전기적 절연 커넥터(108)로부터 가스 소스의 접속을 차단하기에 적합한, 이온 주입 시스템용 가스 이송 시스템(100).
- 제6항에 있어서, 스페이싱(172) 내의 가스 압력은 제1전기적 절연 튜브(150, 160) 내의 가스 압력과 상이하며, 전기적 절연 커넥터(108)와 연관된 감시 장치 (128)를 추가로 구비하고, 또한 상기 감시 장치(128)는 전기적 절연 커넥터(108)와 연관된 누출을 검출하도록 동작하는, 이온 주입 시스템용 가스 이송 시스템(100).
- 제1항에 있어서, 전기적 절연 커넥터(108)는 다수의 가스 이송 고전압 아이솔레이터를 포함하고, 또한 각각의 아이솔레이터는:가스 소스로부터 원료 가스를 이온 소스에 이송시키기에 적합한 가늘고 긴 내부 튜브(150, 160); 및내부 튜브(150, 160)와 일반적으로 끼워넣는 배치인 가늘고 긴 외부 튜브 (158, 162)를 추가로 구비하고, 또한 상기 끼워넣는 배치는, 내부 튜브(150, 160)와 외부 튜브(158, 162) 사이에 스페이싱(172)을 각각 형성하여 상기 스페이싱(172) 내의 비활성 보호 가스를 수용하기에 적합한, 이온 주입 시스템용 가스 이송 시스템 (100).
- 제11항에 있어서, 각각의 아이솔레이터는 다른 아이솔레이터의 원료 가스와 상이한 원료 가스를 이송하기에 적합함으로써, 이온 소스에서 원료 가스의 신속한 변경을 용이하게 하는, 이온 주입 시스템용 가스 이송 시스템(100).
- 제11항에 있어서, 아이솔레이터의 제1단부를 감싸고 가스 소스에 접속된 제1배기 용기(110a), 및 아이솔레이터의 제2단부에 있고 이온 소스에 접속된 제2배기 용기(110b)를 추가로 구비하고, 또한 제1배기 용기(110a)는 제1전압 전위에 유지되고 제2배기 용기(110b)는 제2전압 전위에 각각 유지되는, 이온 주입 시스템용 가스 이송 시스템(100).
- 제13항에 있어서, 제1 및 제2배기 용기(110a, 110b)에 연관된, 제1구성에서 가스 소스를 향한 제1방향에 있어서의 원료 가스의 세정을 실행하고, 제2구성에서 이온 소스를 향한 제2방향에 있어서의 원료 가스의 세정을 각각 실행하기에 적합한 밸브 장치(121, 124, 138)를 추가로 구비하는, 이온 주입 시스템용 가스 이송 시스템(100).
- 이온 주입 시스템에 가스를 이송시키는 방법(200)에 있어서,저장 위치에 있어서의 원료 가스의 전압 전위를 이온 주입 시스템의 이온 소스에 있어서의 제2전압 전위보다 작은 제1전압 전위에서 유지하는 단계(202); 및저장 위치로부터 원료 가스를 이온 소스에 이송시키는 단계(204)를 포함하는, 방법(200).
- 제15항에 있어서, 저장된 원료 가스는 가압된, 방법(200).
- 제15항에 있어서, 제1전압 전위는 대략 접지 회로 전위인, 방법(200).
- 제15항에 있어서, 제2전압은 약 80KV인, 방법(200).
- 제15항에 있어서, 저장된 원료 가스 이송 단계(204)는,가스 이송 시스템이 일반적으로 제1전압 전위에 있으며, 상기 가스 이송 시스템을 통해서 원료 가스가 이온 소스를 향해 흐르게 하는 밸브 장치를 맞물리는 단계(206)와;고전압 아이솔레이터를 통해서 상기 가스 이송 시스템을 이온 소스에 접속시키는 단계(208)를 포함하는, 방법(200).
- 제19항에 있어서, 고전압 아이솔레이터를 통해서 상기 가스 이송 시스템을 이온 소스에 접속시키는 단계는,제1단부가 제1전압 전위에 있는 고전압 아이솔레이터의 상기 제1단부를 가스 이송 시스템에 접속시키는 단계; 및제2단부가 제2전압 전위에 있는 고전압 아이솔레이터의 상기 제2단부를 이온 소스에 접속시키는 단계를 포함하는, 방법(200).
- 제19항에 있어서, 고전압 아이솔레이터는, 그것을 가로지르는 전압에 충분히 견디는 길이를 갖는 제1전기적 절연 튜브(150, 160)를 구비하며, 또한 상기 전압은제1전압 전위와 제2전압 전위 간의 차(差)인, 방법(200).
- 제21항에 있어서, 고전압 아이솔레이터는, 제2전기적 절연 튜브(158, 162)를 추가로 구비하며, 또한 제2튜브(158, 162)는 일반적으로 제1튜브(150, 160)와 끼워넣는 배치이고 제1튜브(150, 160)를 일반적으로 감싸며, 일반적으로 끼워넣는 배치는 그 사이에서 스페이싱(172)을 형성하는, 방법(200).
- 제22항에 있어서, 저장 위치로부터 원료 가스를 이온 소스에 이송시키는 단계는,제1튜브(150, 160) 내의 제1압력의 원료 가스를 이송시키는 단계; 및제1 및 제2튜브 사이의 스페이싱(172) 내에서 제1압력보다 더 큰 제2압력의 비활성 가스를 이송시킴으로써, 원료 가스가 스페이싱에 누출되는 것을 방지하는 단계를 포함하는, 방법(200).
- 제23항에 있어서, 스페이싱(172) 내에서 비활성 가스의 제2압력을 감시하는 단계(210)를 추가로 구비하고, 또한 제2압력이 소정의 임계 압력 이하로 강하되면, 누출을 검출하는, 방법(200).
- 제19항에 있어서, 제1방향에서 고전압 아이솔레이터를 세정시키는 단계를 추가로 구비하며, 또한 원료 가스는 가스 이송 시스템으로부터 배기되는, 방법(200).
- 제19항에 있어서, 제2방향에서 고전압 아이솔레이터를 세정시키는 단계를 추가로 구비하며, 또한 원료 가스는 이온 소스 근방의 영역으로부터 배기되는, 방법 (200).
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/654,958 | 2000-09-05 | ||
US09/654,958 US6515290B1 (en) | 2000-09-05 | 2000-09-05 | Bulk gas delivery system for ion implanters |
PCT/GB2001/003755 WO2002021566A2 (en) | 2000-09-05 | 2001-08-21 | Bulk gas delivery system for ion implanters |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030029915A true KR20030029915A (ko) | 2003-04-16 |
KR100881077B1 KR100881077B1 (ko) | 2009-01-30 |
Family
ID=24626912
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020037003230A KR100881077B1 (ko) | 2000-09-05 | 2001-08-21 | 이온 주입기용 벌크 가스 이송 시스템 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6515290B1 (ko) |
EP (1) | EP1316104B1 (ko) |
JP (1) | JP5257562B2 (ko) |
KR (1) | KR100881077B1 (ko) |
CN (1) | CN100527346C (ko) |
AU (1) | AU2001282296A1 (ko) |
TW (1) | TW507246B (ko) |
WO (1) | WO2002021566A2 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130124338A (ko) * | 2010-11-30 | 2013-11-13 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 원격 도펀트 소스를 포함하는 이온 주입기 시스템 및 방법 |
KR20210123183A (ko) * | 2020-04-01 | 2021-10-13 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 이온 주입기 독가스 전달 시스템 |
KR20210145065A (ko) * | 2020-05-22 | 2021-12-01 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 이온 주입을 위한 가스 전달 시스템 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060043316A1 (en) * | 2003-06-10 | 2006-03-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion implanter having enhanced low energy ion beam transport |
US8110814B2 (en) | 2003-10-16 | 2012-02-07 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
DE102004052580B4 (de) * | 2004-10-29 | 2008-09-25 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Vorrichtung und Verfahren zum Zuführen von Vorstufengasen zu einer Implantationsanlage |
JP4355321B2 (ja) * | 2005-03-04 | 2009-10-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
JP4695911B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-06-08 | 株式会社Sen | 絶縁配管部材、ガス供給装置およびイオンビーム装置 |
JP2009507344A (ja) * | 2005-08-30 | 2009-02-19 | アドバンスト テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 低圧ドーパントガスの高電圧イオン源への配送 |
US7446326B2 (en) * | 2005-08-31 | 2008-11-04 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for improving ion implanter productivity |
WO2007067296A2 (en) * | 2005-12-02 | 2007-06-14 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
US8143604B2 (en) * | 2006-03-31 | 2012-03-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Insulator system for a terminal structure of an ion implantation system |
US7655928B2 (en) * | 2007-03-29 | 2010-02-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion acceleration column connection mechanism with integrated shielding electrode and related methods |
DE102007030106A1 (de) * | 2007-06-28 | 2009-01-02 | Intega Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln eines Halbleitersubstrats |
DE102008028136A1 (de) * | 2008-06-13 | 2009-12-17 | Intega Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Halbleitersubstraten |
WO2010132265A2 (en) * | 2009-05-12 | 2010-11-18 | Carl Zeiss Nts, Llc. | Gas delivery in a microscope system |
US9212785B2 (en) | 2012-10-11 | 2015-12-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Passive isolation assembly and gas transport system |
EP3025366A1 (en) * | 2013-07-23 | 2016-06-01 | Entegris, Inc. | Remote delivery of chemical reagents |
JP6231219B2 (ja) * | 2013-12-24 | 2017-11-15 | ウオーターズ・テクノロジーズ・コーポレイシヨン | 電気的に接地された電気スプレーための大気インターフェース |
US11062873B2 (en) * | 2018-05-11 | 2021-07-13 | Axcelis Technologies, Inc. | Hydrogen bleed gas for an ion source housing |
JP6801763B1 (ja) * | 2019-10-23 | 2020-12-16 | 株式会社三井E&Sマシナリー | ガス供給用電気絶縁装置及びプラズマ処理装置 |
TWI729801B (zh) * | 2020-05-08 | 2021-06-01 | 晨碩國際有限公司 | 遠端摻雜氣體供應系統之氣體傳輸適配裝置 |
US11651928B2 (en) * | 2021-06-30 | 2023-05-16 | Fei Company | Reentrant gas system for charged particle microscope |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5173623A (ja) * | 1974-12-24 | 1976-06-25 | Asahi Chemical Ind | Nijukanhoshikipaipurainni okeru ryutaiyusohoshiki |
JPS622442A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Fujitsu Ltd | イオン注入装置 |
JPS6298543A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-08 | Sony Corp | イオンビ−ム発生装置 |
JPH08980Y2 (ja) * | 1987-06-25 | 1996-01-17 | 日電アネルバ株式会社 | 有害・有毒ガス配管装置 |
US4977785A (en) * | 1988-02-19 | 1990-12-18 | Extrel Corporation | Method and apparatus for introduction of fluid streams into mass spectrometers and other gas phase detectors |
JPH0262039A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Hitachi Ltd | 多層素子の微細加工方法およびその装置 |
JP2724503B2 (ja) * | 1989-06-29 | 1998-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | イオン注入装置 |
JPH0831369A (ja) * | 1994-07-13 | 1996-02-02 | Nissin Electric Co Ltd | ガス供給装置 |
US5518528A (en) | 1994-10-13 | 1996-05-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Storage and delivery system for gaseous hydride, halide, and organometallic group V compounds |
JPH09283821A (ja) * | 1996-04-12 | 1997-10-31 | Shibuya Kogyo Co Ltd | レーザガス循環装置を具備するレーザ発振器 |
KR980010094A (ko) | 1996-07-08 | 1998-04-30 | 김광호 | 가스 압력 상태 정보 검출 및 디스플레이 장치 |
JPH10275695A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ装置へのガス供給方法及びプラズマ処理装置並びにイオンビーム装置 |
JP3807057B2 (ja) * | 1997-11-13 | 2006-08-09 | 石川島播磨重工業株式会社 | イオン源ガス供給方法及びその装置 |
JP3533916B2 (ja) * | 1997-11-26 | 2004-06-07 | 日新電機株式会社 | イオンビーム照射装置 |
US6406519B1 (en) * | 1998-03-27 | 2002-06-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Gas cabinet assembly comprising sorbent-based gas storage and delivery system |
-
2000
- 2000-09-05 US US09/654,958 patent/US6515290B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-08-02 TW TW090118862A patent/TW507246B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-08-21 CN CNB018184995A patent/CN100527346C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-21 JP JP2002525891A patent/JP5257562B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-21 EP EP01960905A patent/EP1316104B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-21 KR KR1020037003230A patent/KR100881077B1/ko active IP Right Grant
- 2001-08-21 WO PCT/GB2001/003755 patent/WO2002021566A2/en active Application Filing
- 2001-08-21 AU AU2001282296A patent/AU2001282296A1/en not_active Abandoned
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130124338A (ko) * | 2010-11-30 | 2013-11-13 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 원격 도펀트 소스를 포함하는 이온 주입기 시스템 및 방법 |
KR20210123183A (ko) * | 2020-04-01 | 2021-10-13 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 이온 주입기 독가스 전달 시스템 |
US11527380B2 (en) | 2020-04-01 | 2022-12-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Ion implanter toxic gas delivery system |
KR20210145065A (ko) * | 2020-05-22 | 2021-12-01 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 이온 주입을 위한 가스 전달 시스템 |
US11569062B2 (en) | 2020-05-22 | 2023-01-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Gas delivery system for ion implanter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5257562B2 (ja) | 2013-08-07 |
WO2002021566A2 (en) | 2002-03-14 |
EP1316104B1 (en) | 2011-06-15 |
AU2001282296A1 (en) | 2002-03-22 |
CN1473348A (zh) | 2004-02-04 |
EP1316104A2 (en) | 2003-06-04 |
TW507246B (en) | 2002-10-21 |
KR100881077B1 (ko) | 2009-01-30 |
US6515290B1 (en) | 2003-02-04 |
CN100527346C (zh) | 2009-08-12 |
WO2002021566A3 (en) | 2002-08-01 |
JP2004508681A (ja) | 2004-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100881077B1 (ko) | 이온 주입기용 벌크 가스 이송 시스템 | |
EP0036665B1 (en) | Ion generating apparatus | |
KR100466702B1 (ko) | 진공펌프용이중벽배기어셈블리,이온주입시스템및이중벽배기어셈블리를재구성하는방법 | |
CN103329252B (zh) | 包括远程掺杂剂源的离子注入器系统以及包含该系统的方法 | |
US20080220596A1 (en) | Delivery of Low Pressure Dopant Gas to a High Voltage Ion Source | |
CN102597312A (zh) | 用于束处理系统的气体传输 | |
KR101687736B1 (ko) | 패시브 분리 어셈블리 및 가스 이송 시스템 | |
KR101166271B1 (ko) | 절연배관부재, 가스공급장치 및 이온빔장치 | |
JP2009140762A (ja) | マイクロ波イオン源装置 | |
US20100187448A1 (en) | Arrangment and method for processing a substrate | |
US6867422B1 (en) | Apparatus for ion implantation | |
TWI797540B (zh) | 離子佈植系統以及用於離子佈植之氣體運輸的方法 | |
US8181666B2 (en) | Switch valve | |
TWI785406B (zh) | 離子植入機毒性氣體輸送系統及其輸送方法 | |
JP3405161B2 (ja) | イオンビーム照射装置 | |
JP4269342B2 (ja) | イオン注入装置 | |
KR20210137376A (ko) | 원격 도핑 가스 공급 시스템의 가스 전송 적응 장치 | |
US5160825A (en) | Process and device for supplying processing gas to a reactor located in a zone subjected to intense electric and/or electromagnetic fields | |
JP2021144896A (ja) | イオン源装置 | |
CN115692144A (zh) | 氢供给装置及具备其的离子束照射装置 | |
TW201604311A (zh) | 氣體傳輸裝置及方法 | |
KR19990034511U (ko) | 반도체 이온주입장비의 가스공급장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121227 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131227 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141230 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160104 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161229 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171228 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181227 Year of fee payment: 11 |