KR20030016535A - 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (5)
- 기판을 구비하는 단계;상기 기판 상에 아일랜드 형태의 다결정 실리콘층을 형성하는 단계;상기 다결정 실리콘층 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상부에 금속 물질로 이루어진 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 마스크로 저농도 이온주입을 실시하는 단계;상기 저농도 이온주입된 다결정 실리콘층을 포함하는 기판 상부에 플라즈마 화학기상증착법으로 실리콘 산화막을 증착하는 단계;상기 실리콘 산화막이 증착된 기판에 고농도 이온주입을 실시하여 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계;상기 소스 및 드레인 영역의 이온을 활성화시키는 단계;상기 실리콘 산화막 상부에 층간 절연막을 형성하고, 상기 실리콘 산화막과 함께 패터닝하여 상기 소스 및 드레인 영역을 각각 드러내는 제 1 및 제 2 콘택홀을 형성하는 단계;상기 층간 절연막 상부에 상기 제 1 및 제 2 콘택홀을 통해 상기 소스 및 드레인 영역과 각각 연결되는 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 산화막은 상기 게이트 전극 상부의 제 1 두께와 상기 게이트 전극 및 게이트 절연막 측벽의 제 2 두께, 상기 다결정 실리콘층 상부의 제 3 두께로 이루어지며, 상기 제 1 두께는 상기 제 2 및 제 3 두께 보다 두꺼운 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 1 두께는 상기 제 3 두께의 두 배인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 소스 및 드레인 영역의 이온을 활성화시키는 단계는 레이저를 이용하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 기판과;상기 기판 상부에 다결정 실리콘으로 이루어진 액티브층과;상기 액티브층의 양측에 위치하며 불순물이 고농도로 도핑된 다결정 실리콘으로 이루어진 소스 및 드레인 영역과;상기 액티브층과 소스 및 드레인 영역 사이에 위치하며 불순물이 저농도로 도핑된 다결정 실리콘으로 이루어진 LDD 영역과;상기 액티브층 상부에 위치하는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상부에 위치하고 금속 물질로 이루어진 게이트 전극과 제 1 방향으로 연장된 게이트 배선;상기 게이트 전극 상부의 제 1 두께와 상기 게이트 전극 및 게이트 절연막 측벽의 제 2 두께, 상기 소스 및 드레인 영역 상부의 제 3 두께로 이루어지며, 상기 제 1 두께가 상기 제 2 및 제 3 두께 보다 두꺼운 실리콘 산화막;상기 실리콘 산화막 상부에 형성되고 상기 실리콘 산화막과 함께 상기 소스 및 드레인 영역을 각각 드러내는 제 1 및 제 2 콘택홀을 가지는 층간 절연막;상기 층간 절연막 상부에 형성되고 상기 제 1 콘택홀을 통해 상기 소스 영역과 접촉하며 제 2 방향으로 연장되어 있는 데이터 배선 및 상기 제 2 콘택홀을 통해 상기 드레인 영역과 접촉하는 드레인 전극;상기 데이터 배선 및 드레인 전극을 덮고 있으며, 상기 드레인 전극을 드러내는 제 3 콘택홀을 가지는 보호층;상기 보호층 상부에 투명 도전 물질로 이루어지고, 상기 제 3 콘택홀을 통해 상기 드레인 영역과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하는 액정 표시 장치용 어레이 기판.
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