KR200213531Y1 - Heater Block of Semiconductor Manufacturing Equipment - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체 제조공정의 일 공정인 와이어 본딩시 본딩력을 증대시키기 위해 반도체 칩의 본딩패드와 리드 프레임의 리드에 열을 전달하게 되는 반도체 제조장비의 히터블럭에 관한 것으로, 중앙부위에는 바노체 치(30)이 탑재된 리드 프레임(20)의 반도체 칩 탑재판(24)이 안치되는 안치부(12)가 형성되고, 이 안치부(12)의 주위로 리드 프레임(20)의 리드(22)를 지지하면서 가열시킬 수 있는 지지부(14)가 형성되어 있는 히터블럭에 있어서, 상기 안치부(12)의 중앙부분에는 소정높이로 깍여진 함몰부(16)가 형성되어 있는 반도체 제조장비의 히터블럭이다.The present invention relates to a heater block of a semiconductor manufacturing equipment that transfers heat to a bonding pad of a semiconductor chip and a lead of a lead frame in order to increase bonding force during wire bonding, which is one step of a semiconductor manufacturing process. A settling portion 12 is formed in which the semiconductor chip mounting plate 24 of the lead frame 20 on which the 30 is mounted is formed, and the lead 22 of the lead frame 20 is surrounded by the settling portion 12. In the heater block is provided with a support portion 14 capable of heating while supporting the heater, the heater block of the semiconductor manufacturing equipment is formed in the central portion of the settled portion 12, the depression 16 is cut to a predetermined height to be.
Description
제 1A도 내지 제 1C 도는 종래 히터블럭을 나타내는 도면어로서,1A to 1C are diagrams illustrating a conventional heater block.
제 1A 도는 평면도,1a turning top view,
제 1B도는 제 1A도의 A-A선 단면도,1B is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG. 1A,
제 1C도는 반도체 칩이 부착된 리드 프레임이 히터블럭에 안치된 상태를 나타내는 요부 확대단면도.1C is an enlarged sectional view showing a main portion showing a state in which a lead frame with a semiconductor chip is placed on a heater block.
제 2A 도 내지 제 2C 도는 본 고안에 따른 히터블럭을 나타내는 도면으로서,2A to 2C are views showing a heater block according to the present invention,
제 2A 도는 평면도,2a turning top view,
제 2B도는 제 2A도의 B-B선 단면도,2B is a sectional view taken along the line B-B of FIG. 2A,
제 2C 도는 반도체 칩이 부착된 리드 프레임이 히터블럭에 안치된 상태를 나타내는 요부 확대단면도.Fig. 2C is an enlarged cross sectional view showing a main portion showing a state in which a lead frame with a semiconductor chip is placed on a heater block.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
10 : 히터블럭 12 : 안치부10: heater block 12: mounting part
14 : 지지부 16 : 함몰부14: support 16: depression
20 : 리드 프레임 22 : 리드20: lead frame 22: lead
24 : 반도체 칩 탑재판 30 : 반도체 칩24: semiconductor chip mounting plate 30: semiconductor chip
32 : 패드32: pad
본 고안은 반도체 제조공정의 일 공정인 와이어 본딩시 본딩력을 증대시키기 위해 반도체 칩의 본딩패드와 리드 프레임의 리드에 열을 전달하게 되는 반도체 제조장비의 히터블럭에 관한 것이다.The present invention relates to a heater block of a semiconductor manufacturing apparatus that transfers heat to a bonding pad of a semiconductor chip and a lead of a lead frame in order to increase bonding force during wire bonding, which is one step of a semiconductor manufacturing process.
일반적으로, 반도체 패키지의 제조공정중 반도체 칩이 정상적인 동작수행을 할 수 있도록 반도체 칩의 패드와 리드 프레임의 리드 사이를 와이어(Gold Wire)로 연결하게 되는데, 이를 와이어 본딩(Wire Bonding)공정이라 한다.In general, the semiconductor chip is connected between the pad of the semiconductor chip and the lead of the lead frame in a manufacturing process of the semiconductor package with a wire, which is called a wire bonding process. .
여기서, 상기 와이어 본딩을 수행하기 전에는 리드 프레임의 반도체 칩 탑재판 상면에 에폭시(Epoxy)를 묻히고, 그 위에 개개의 반도체 칩을 올려 놓은 후, 경화시키는 다이 본딩(Die Bonding) 공정을 거치게 된다. 한편, 와이어 본딩시에는 본딩력을 향상시키기 위하여 히터블럭을 매개체로 리드 프레임의 리드 및 반도체 칩을 가열하였다.In this case, before the wire bonding is performed, epoxy is applied to the upper surface of the semiconductor chip mounting plate of the lead frame, and each semiconductor chip is placed thereon, followed by a die bonding process of curing. On the other hand, during wire bonding, the lead of the lead frame and the semiconductor chip were heated with a heater block to improve the bonding force.
이를 첨부도면 제 1A 도를 참조하여 좀더 상세히 살펴보면, 첨부도면 제 1A도는 종래 히터블럭이고, 제 1B 도는 제 1A 도의 A-A선 단면도이고, 제 1C 도는 반도체 칩이 부착된 리드 프레임이 히터블럭에 안치된 상태를 나타내는 도면으로서, 종래 히터블랙(10)의 상면 중앙 부분에는 리드 프레임(20)의 반도체 칩 탑재판(24)이 안치되는 안치부(12)가 형성되어 있고, 이 안치부(12)의 외곽으로는 리드 프레임(20)의 리드(22)를 지지하는 지지부(14)가 형성되어 있다.1A is a conventional heater block, FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1A, and FIG. 1C is a lead frame having a semiconductor chip mounted thereon. As a diagram showing the state, a mounting portion 12 in which the semiconductor chip mounting plate 24 of the lead frame 20 is placed is formed in the center of the upper surface of the heater black 10 in the related art. Outside, the support part 14 which supports the lead 22 of the lead frame 20 is formed.
따라서, 상기 히터블럭(10)은 리드 프레임(20)의 반도체 칩 탑재판(24)과 와이어 본딩되는 부분의 리드(22)를 가열하여 상기 리드(22) 및 반도체 칩 탑재판(34) 상부에 부착되어 있는 반도체 칩(30)을 적절한 온도로 상승시켜 줌으로써, 결국 와이어 본딩력을 향상시키게 되는 것이다. 그러나, 상기 종래의 히터블럭은 리드 프레임(20)의 리드(22) 일부와 반도체 칩 탑재판(24) 전체를 가열시키게 되므로, 이 반도체 칩 탑재판(24)의 표면은 산화가 진행되며 이 산화막은 몰딩시 수지(몰딩 컴파운드)와 리드 프레임(20)의 반도체 칩 탑재판(24)간의 결합력을 저하시켜 박리(Delamination)를 유발시키고, 심할 경우에는 패키기에 크랙(Crack)이 발생하는 문제점이 있었다.Accordingly, the heater block 10 heats the lead 22 of the portion of the lead frame 20 that is wire bonded to the semiconductor chip mounting plate 24, and is disposed on the lead 22 and the semiconductor chip mounting plate 34. By raising the attached semiconductor chip 30 to an appropriate temperature, the wire bonding force is eventually improved. However, since the conventional heater block heats a part of the lead 22 of the lead frame 20 and the entire semiconductor chip mounting plate 24, the surface of the semiconductor chip mounting plate 24 is oxidized, and this oxide film is formed. In the case of silver molding, the bonding force between the resin (molding compound) and the semiconductor chip mounting plate 24 of the lead frame 20 is lowered to cause delamination, and in some cases, cracking occurs in the package. there was.
따라서, 본 고안은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 고안의 목적은 히터블럭의 구조를 개선하여 반도체 패키지의 와이어 본딩시 상기 반도체 패키지가 열화로 인한 손상을 입지 않도록 하는 개선된 히터블럭을 제공하는데 있다.Therefore, the present invention has been devised to solve the conventional problems as described above, and an object of the present invention is to improve the structure of the heater block so that the semiconductor package is not damaged due to deterioration during wire bonding of the semiconductor package. To provide a heated heater block.
이와 같은 목적을 달성하기 위해 본 고안은 상면 중앙부분에 리드 프레임(20)의 반도체 칩 탑재판(24)이 안치되는 안치부(12)가 형성되어 있고, 이 안치부(12)의 외곽으로는 리드(22)의 일부가 지지되는 지지부(14)가 형성되어 있는 반도체 제조장비의 히터블럭(10)에 있어서, 상기 안치부(12)의 중앙부분을 깎여져서 함몰부(16)가 형성되어진 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention has a settling portion 12 in which the semiconductor chip mounting plate 24 of the lead frame 20 is placed at the center of the upper surface. In the heater block 10 of the semiconductor manufacturing equipment in which the support part 14 which supports a part of the lead 22 is formed, the center part of the settled part 12 is cut off, and the recessed part 16 is formed. It features.
이때, 상기 함몰부(16)는 안치부(12)에 안치되어 있는 리드 프레임(20)의 반도체 칩 탑재판(24)보다 적게 형성되어 있다.At this time, the depression 16 is formed less than the semiconductor chip mounting plate 24 of the lead frame 20 placed in the settled portion 12.
이하, 본 고안을 첨부된 도면을 참고하여 더욱 상세히 살펴보면, 첨부도면 제 2A 도는 본 고안의 히터블럭을 나타내는 평면도이고, 제 2B 도는 제 2A 도의 B-B선 단면도이며, 제 2C 도는 반도체 칩이 부착된 리드 프레임이 본 고안의 히터블럭에 안치된 상태를 나타내는 도면으로서 와이어 본딩시 원활한 본딩이 가열시켜 주는 역할을 하는 매개체인 본 고안의 히터블럭(10)은 상면 중앙부위에 반도체 칩(30)이 탑재된 리드 프레임(20)의 반도체 칩 탑재판(24)이 안치되는 안치부(12)가 상기 반도체 칩 탑재판(24)의 크기보다 약간 크게 형성되어 있고, 이 안치부(12)의 주위로는 리드 프레임(20)의 리드(22)를 지지하면서 가열시킬 수 있는 지지부(14)가 형성되어 있으며, 상기 안치부(12)의 중앙부분에는 소정높이로 깎여진 함몰부(16)가 형성되어 있다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 2A is a plan view showing a heater block of the present invention, FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 2A, and FIG. As a diagram showing a state in which the frame is placed in the heater block of the present invention, the heater block 10 of the present invention, which is a medium that plays a role of smooth bonding during wire bonding, has a semiconductor chip 30 mounted on a central portion of an upper surface thereof. The settling portion 12 on which the semiconductor chip mounting plate 24 of the lead frame 20 is placed is formed to be slightly larger than the size of the semiconductor chip mounting plate 24, and the lead around the settling portion 12 is formed. The support part 14 which can heat while supporting the lid 22 of the frame 20 is formed, and the recessed part 16 cut | disconnected to predetermined height is formed in the center part of the said mounting part 12. As shown in FIG.
이때, 상기 함몰부(16)의 반도체 칩 탑재판(24)의 크기보다 더욱 작게 형성되어 있는 것이 바람직하고, 또 이 반도체 칩 탑재판(24)의 상면에 부착되어 있는 반도체 칩(30)의 크기보다 작게 형성되어 있는 것이 바람직하다.At this time, the size of the semiconductor chip 30 is preferably smaller than that of the semiconductor chip mounting plate 24 of the depression 16, and is attached to the upper surface of the semiconductor chip mounting plate 24. It is preferable to form smaller.
한편, 이러한 본 고안의 작용과 효과를 살펴보면, 상기 히터블럭(10)의 지지부(14)에는 리드 프레임(20)의 리드(22) 일부(예컨데, 와이어 본딩영역의 리드부위)만 안치되어 히터블럭(10)으로 부터 가열받으며, 히터블럭(10)의 안치부(12)에는 상면에 반도체 칩(10)이 부착된 리드 프레임(20)의 반도체 칩 탑재판(24)의 외곽부분만 접촉되면서 안치되어 지고, 상기 반도체 칩 탑재판(24)의 중앙부분에는 함몰부(16)가 위치하게 되므로 히터블럭(10)과 직접적으로 접촉하지 않는다.On the other hand, when looking at the operation and effect of the present invention, the heater 14 is placed in the support 14 of the lead block 20, only a part of the lead 22 of the lead frame 20 (for example, the lead portion of the wire bonding area) is placed in the heater block. Heated from the (10), the settled portion 12 of the heater block 10 is placed in contact with only the outer portion of the semiconductor chip mounting plate 24 of the lead frame 20 attached to the upper surface of the semiconductor chip 10 Since the recessed portion 16 is positioned at the center portion of the semiconductor chip mounting plate 24, it does not directly contact the heater block 10.
따라서, 본 고안의 히터블럭은 와이어본딩시 본딩력 향상을 위해 가열이 필요한 리드(22)의 본딩영역과 반도체 칩(30)의 패드(32)는 충분히 가열 시켜 주고, 이를 제외한 나머지 부분에는 직접적인 열전달을 방지하여 열로 인하여 야기될 수 있는 불량을 사전에 방지할 수 있다.Therefore, the heater block of the present invention sufficiently heats the bonding region of the lead 22 and the pad 32 of the semiconductor chip 30 that require heating to improve the bonding force during wire bonding, and directly heat transfers to the remaining portions except for this. It can prevent the defects that may be caused by the heat in advance to prevent.
예컨데, 상부에 반도체 칩(30)의 패드(32)가 위치되는 반도체 칩 탑재판(24)의 외곽은 히터블럭(10)의 안치부(12)에 직접 접촉되어서 반도체 칩(30)의 패드(32)에 직접 열을 전달하여 본딩력을 향상시키고, 상기 반도체 칩 탑재판(24)의 중앙부분은 함몰부(6)가 위치하므로 직접 열을 받지 않게 되어, 과다한 열화로 인한 리드 프레임(20)의 산화 및 몰딩시 패키지의 크랙 등을 미연에 방지하게 되는 것이다.For example, the outside of the semiconductor chip mounting plate 24, on which the pad 32 of the semiconductor chip 30 is located, is in direct contact with the settling portion 12 of the heater block 10 so that the pad of the semiconductor chip 30 may be Direct transfer of heat to 32 improves the bonding force, and the recessed portion 6 is located at the center of the semiconductor chip mounting plate 24 so that the heat is not directly received, and the lead frame 20 due to excessive deterioration. The oxidation and molding of the package will prevent cracking in advance.
이상에서와 같이 본 고안은 히터블럭의 안치부에 단차진 함몰부를 형성하여서 와이어 본딩시 리드 프레임의 열화로 인한 산화 및 손상을 방지함은 물론, 반도체 패키지의 크랙 등을 사전에 방지할 수 있는 장점이 있다.As described above, the present invention forms a stepped depression in the settled portion of the heater block to prevent oxidation and damage due to deterioration of the lead frame during wire bonding, as well as to prevent cracking of the semiconductor package in advance. There is this.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019950045942U KR200213531Y1 (en) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | Heater Block of Semiconductor Manufacturing Equipment |
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|---|---|---|---|
| KR2019950045942U KR200213531Y1 (en) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | Heater Block of Semiconductor Manufacturing Equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR970046897U KR970046897U (en) | 1997-07-31 |
| KR200213531Y1 true KR200213531Y1 (en) | 2001-06-01 |
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ID=60845678
Family Applications (1)
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| KR (1) | KR200213531Y1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100401143B1 (en) * | 1999-12-31 | 2003-10-10 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Heat block for manufacturing semiconductor package |
-
1995
- 1995-12-22 KR KR2019950045942U patent/KR200213531Y1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100401143B1 (en) * | 1999-12-31 | 2003-10-10 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Heat block for manufacturing semiconductor package |
Also Published As
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|---|---|
| KR970046897U (en) | 1997-07-31 |
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