JP2582534B2 - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
係わり、特にリードフレームを用いて製造される半導体
装置の製造方法に関する。The present invention relates relates to a method of manufacturing a semiconductor device, a method of manufacturing a semiconductor device which is especially manufactured using a lead frame.
【０００２】[0002]
【従来の技術】リードフレームを用いてモールド樹脂で
封止する一般的な半導体装置を図４に示す。金属板から
形成されリードフレーム構成になっていた内部リード２
１、外部リード２２およびアイランド（タブ）２６を有
し、アイランド２６上に半導体ペレット１が固着搭載さ
れ、その電極１３と内部リード２１の上面とがボンディ
ングワイヤ３で接続され、モールド樹脂５により封止さ
れている。2. Description of the Related Art FIG. 4 shows a general semiconductor device which is sealed with a molding resin using a lead frame. Internal lead 2 formed of a metal plate and having a lead frame configuration
1, an external lead 22 and an island (tab) 26. The semiconductor pellet 1 is fixedly mounted on the island 26. The electrode 13 and the upper surface of the internal lead 21 are connected by the bonding wire 3 and sealed by the mold resin 5. Has been stopped.
【０００３】この種の半導体装置を小型化して実装密度
を向上させるために、また半導体ぺレット１が大型化し
ても半導体装置全体を大きくしないために、図５や図６
に示す改良構造が提案されている。In order to reduce the size of this type of semiconductor device and improve the packaging density, and to keep the overall size of the semiconductor device small even when the size of the semiconductor pellet 1 is increased, FIGS.
Has been proposed.
【０００４】図５は特開昭６１−２１８１３９号公報に
開示されている半導体装置であり、リードフレームのア
イランドを省略し、内部リード２１を半導体ペレット１
の周辺下まで延在させ、その上に絶縁シート７を接着
し、この絶縁シート７上に半導体ペレット１を固着して
いる。また図５の変形として内部リードを半導体ペレッ
トの上を延在させることもできる。FIG. 5 shows a semiconductor device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-218139, in which islands of a lead frame are omitted, and internal leads 21 are connected to a semiconductor pellet 1.
, The insulating sheet 7 is adhered thereon, and the semiconductor pellet 1 is fixed on the insulating sheet 7. In addition, as a modification of FIG. 5, the internal leads can be extended over the semiconductor pellet.
【０００５】図６は特開昭５８−１４３５４１号公報に
開示されている半導体装置であり、リードフレームのア
イランドを省略し、内部リード２１の下面に絶縁シート
８を接着し、この接着シート８の上面に半導体ペレット
１を固着している。FIG. 6 shows a semiconductor device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-143541. The island of the lead frame is omitted, and the insulating sheet 8 is adhered to the lower surface of the internal lead 21. The semiconductor pellet 1 is fixed on the upper surface.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】図４に示す従来技術で
は、半導体ペレット１より大きな面積のアイランド２６
を有しているために内部リード２１を半導体ペレット１
により近づけることができないから、横方向（Ｘ方向）
の寸法をより縮小することに制限を生じる。また、内部
リード２１の先端は半導体ペレット固着後も樹脂モール
ド工程まで自由端となっているから変形する懸念があ
る。また、半導体ペレット１はアイランド２６の金属板
２６の上に搭載され、その上のモールド樹脂５は耐湿性
等を考慮した所定の厚さを必要とするから縦方向（Ｚ方
向）の寸法をより縮小することにも制限を生じる。In the prior art shown in FIG. 4, an island 26 having a larger area than the semiconductor pellet 1 is provided.
The internal leads 21 and the semiconductor pellet 1
In the horizontal direction (X direction)
There is a limitation on further reducing the size of. In addition, there is a concern that the tip of the internal lead 21 is deformed even after the semiconductor pellet is fixed, since it is a free end until the resin molding step. Further, the semiconductor pellet 1 is mounted on the metal plate 26 of the island 26, and the mold resin 5 on the island 26 needs a predetermined thickness in consideration of moisture resistance and the like. There is also a limitation on shrinking.
【０００７】図５に示す従来技術では、アイランドを省
略してあるから半導体ペレット１により近い内部リード
２１の表面箇所にボンディングワイヤ３を接続すること
ができ、したがって図４よりもＸ方向の寸法を縮小する
ことができる。また、内部リード２１の先端は絶縁シー
ト７に接着しているから変形することがない。しかしな
がら内部リードを構成する金属板の膜厚に樹脂シート７
の膜厚を加算しただけ半導体ペレット１が上方向に突出
し、その上部のモールド樹脂５は図４と同様の膜厚を必
要とするから、縦方向（Ｚ方向）における図５の外形寸
法は図４より大きな値になってしまう。In the prior art shown in FIG. 5, since the island is omitted, the bonding wire 3 can be connected to the surface of the internal lead 21 closer to the semiconductor pellet 1. Therefore, the dimension in the X direction is smaller than that in FIG. Can be reduced. Further, the tip of the internal lead 21 is not deformed because it is bonded to the insulating sheet 7. However, the thickness of the metal sheet constituting the internal lead is reduced by the resin sheet 7.
The semiconductor pellet 1 protrudes upward by the sum of the thicknesses of the above, and the mold resin 5 on the upper side thereof needs the same thickness as that of FIG. 4. The value will be larger than 4.
【０００８】図６に示す従来技術では、大きな面積のア
イランドを省略してあるから半導体ペレット１により近
い内部リード２１の表面箇所にボンディングワイヤ３を
接続することができ、したがって図４よりもＸ方向の寸
法を縮小することができる。また、内部リード２１の先
端は絶縁シート８に接着しているから変形することがな
い。Ｚ方向に関しては、半導体ペレット１の下面と内部
リード２１の下面とが一致しているから上方向の寸法は
図４より縮小できるが、絶縁シート８の厚さだけ下方向
に突出しており、その下部のモールド樹脂５の膜厚は図
４のアイランド２６下のモールド樹脂の膜厚と同様の値
を必要とするから、絶縁シート８の厚さ分だけ図５の外
形寸法は図４より大きな値になってしまう。さらに絶縁
シート８の同一表面に間隔をあけて半導体ペレット１と
内部リード２１が接着しているから、この接着工程−ワ
イヤボンディング工程−モールド封止工程の間にねじれ
作用で両者間に上下移動を発生し、ボンディングワイヤ
の短絡等の不都合を発生する。一方この不都合を回避す
るために絶縁シート８の膜厚を大きくすると、上記した
下方向の突出がますます大きくなり、これによりモール
ド樹脂のＺ方向の外形寸法がますます大きくなる。In the prior art shown in FIG. 6, since the island having a large area is omitted, the bonding wire 3 can be connected to the surface of the internal lead 21 closer to the semiconductor pellet 1, so that the X direction can be smaller than that in FIG. Can be reduced in size. Further, the tip of the internal lead 21 is not deformed because it is bonded to the insulating sheet 8. In the Z direction, since the lower surface of the semiconductor pellet 1 and the lower surface of the internal lead 21 coincide with each other, the dimension in the upward direction can be reduced as compared with FIG. 4, but it protrudes downward by the thickness of the insulating sheet 8. Since the thickness of the lower mold resin 5 needs to be the same as the thickness of the mold resin below the island 26 in FIG. 4, the outer dimensions of FIG. Become. Further, since the semiconductor pellet 1 and the internal lead 21 are bonded to the same surface of the insulating sheet 8 with a space therebetween, the semiconductor pellet 1 and the internal lead 21 are vertically moved by a twisting action during the bonding step, the wire bonding step, and the mold sealing step. This causes inconvenience such as short-circuiting of the bonding wire. On the other hand, if the film thickness of the insulating sheet 8 is increased to avoid this inconvenience, the above-mentioned downward protrusion is further increased, whereby the external dimension of the mold resin in the Z direction is further increased.
【０００９】したがって本発明の目的は、横方向（Ｘ方
向）にも縦方向（Ｚ方向）にも小型化することが可能
で、かつ製造工程中に半導体ペレットと内部リードとの
相対的な上下移動を防止した半導体装置およびその製造
方法を提供することである。Accordingly, it is an object of the present invention to reduce the size in both the horizontal direction (X direction) and vertical direction (Z direction). An object of the present invention is to provide a semiconductor device in which movement is prevented and a method for manufacturing the same.
【００１０】[0010]
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
ペレットの側面と内部リードの先端部とを絶縁性接着部
材で固着した後、前記半導体ペレットの電極と前記内部
リードの表面をボンディングワイヤで接続し、しかる
後、前記半導体ペレット、前記内部リードおよび前記ボ
ンディングワイヤをモールド樹脂で封止する半導体装置
の製造方法であって、内部リード、外部リードおよび外
枠を有するリードフレームならびに上面に電極を有する
半導体ペレットを用意する工程と、前記半導体ペレット
の下面を真空吸着した状態で該半導体ペレットを第１の
治具の上面に固定し、前記内部リードの先端部が前記半
導体ペレットの側面と所定の間隔を有して対面した状態
で、前記リードフレームを前記第１の治具の上面に固定
する工程と、前記内部リードの先端部と前記半導体ペレ
ットの側面との間の前記間隔にエポキシ系の熱硬化型の
樹脂を流し込み、熱処理することにより該樹脂を硬化さ
せる工程を有し、前記内部リードの全上面を含む前記リ
ードフレームの上面を第２の治具で押えることにより該
リードフレームを前記第１の治具上に固定し、前記第１
の治具の上面に凹部が形成され、該凹部に前記半導体ペ
レットが固定されかつ前記内部リードの先端部が該凹部
上に突出し、これにより前記樹脂は前記半導体ペレット
の側面ならびに前記内部リードの先端部の側面および下
面に固着する半導体装置の製造方法にある。 A feature of the present invention is that after the side surface of the semiconductor pellet and the tip of the internal lead are fixed with an insulating adhesive member, the electrode of the semiconductor pellet and the surface of the internal lead are bonded with a bonding wire. in connecting, thereafter, the semiconductor pellet, said inner lead and the bonding wire method for manufacturing a semiconductor device sealed with mold resin, the internal lead, the electrode on the lead frame and the upper surface having external leads and the outer frame Preparing a semiconductor pellet having the following steps: and fixing the semiconductor pellet to an upper surface of a first jig in a state where the lower surface of the semiconductor pellet is vacuum-sucked, and a tip of the internal lead is fixed to a side surface of the semiconductor pellet by a predetermined distance. Fixing the lead frame to the upper surface of the first jig while facing each other with an interval of Pouring an epoxy-based thermosetting resin of the distance between the lead tip and the side surface of the semiconductor pellet, comprising the step of curing the resin by heat treatment, including total upper surface of the internal lead By pressing the upper surface of the lead frame with a second jig, the lead frame is fixed on the first jig.
A concave portion is formed in the upper surface of the jig, the semiconductor pellet is fixed in the concave portion, and the tip of the internal lead protrudes above the concave portion, whereby the resin is removed from the side surface of the semiconductor pellet and the tip of the internal lead. In a method of manufacturing a semiconductor device fixed to a side surface and a lower surface of a portion .
【００１２】[0012]
【作用】このように本発明は半導体ペレットの側面と内
部リードの先端部とを絶縁性接着部材で固着するもので
あるから、半導体ペレット搭載用のアイランド（タブ）
や樹脂シートが不要となる。また、半導体ペレットと内
部リードとは側面接着であり、絶縁シートの表面にそれ
ぞれの下面を接着するものではないから、半導体ペレッ
トと内部リードとの相対位置の変化がなくなる。As described above, according to the present invention, the side surface of the semiconductor pellet and the tip of the internal lead are fixed to each other by the insulating adhesive member.
And a resin sheet is not required. In addition, since the semiconductor pellet and the internal lead are bonded to the side surface and the lower surfaces thereof are not bonded to the surface of the insulating sheet, the relative position between the semiconductor pellet and the internal lead does not change.
【００１３】[0013]
【実施例】以下図面を参照して本発明を説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１４】図１は本発明の一実施例により得られた半
導体装置を示す断面図である。リードフレームの金属板
から形成された内部リード２１と一体的に接続された外
部リード２２がモールド樹脂５から導出され、下方向に
曲げられている。この内部リード２１の先端部２１Ａと
半導体ペレット１の側面１１とがエポキシ系の熱硬化型
の樹脂４で固着されている。この接着樹脂４は内部リー
ド２１の先端部２１Ａの側面だけでなくその下面にも回
り込んで被着されているから、薄い内部リードにも確実
に接着される。このように半導体ペレット１は内部リー
ド２１の先端部２１Ａにより保持されているからアイラ
ンド（タブ）も他の絶縁シートも不必要である。また、
半導体ペレット１の固着後は内部リードの先端は自由端
で無いからその後の製造工程中に変形することがない。FIG. 1 is a sectional view showing a semiconductor device obtained according to an embodiment of the present invention. An external lead 22 integrally connected to an internal lead 21 formed of a metal plate of a lead frame is led out of the mold resin 5 and bent downward. The tip 21A of the internal lead 21 and the side surface 11 of the semiconductor pellet 1 are fixed with an epoxy-based thermosetting resin 4. Since the adhesive resin 4 is applied not only to the side surface of the tip portion 21A of the internal lead 21 but also to the lower surface thereof, it is securely bonded to the thin internal lead. As described above, since the semiconductor pellet 1 is held by the tip 21A of the internal lead 21, neither an island (tab) nor another insulating sheet is required. Also,
After the semiconductor pellet 1 is fixed, the tip of the internal lead is not a free end, so that it does not deform during the subsequent manufacturing process.
【００１５】半導体ペレット１の上面１２に形成されて
いる電極１３と内部リード２１の上面とをボンディング
ワイヤ３で接続し、モールド樹脂５で封止されている。
このモールド樹脂５は半導体ペレット１の下面１４の全
箇所に被着されている。The electrodes 13 formed on the upper surface 12 of the semiconductor pellet 1 and the upper surfaces of the internal leads 21 are connected by bonding wires 3 and are sealed with a molding resin 5.
This mold resin 5 is applied to all portions of the lower surface 14 of the semiconductor pellet 1.
【００１６】したがって半導体装置の縦方向（Ｚ方向）
の外形寸法（モールド樹脂の縦方向の外形寸法であり外
部リードの下方向への突出箇所を除く）は、半導体ペレ
ット１の厚さ、すなわち上面１２と下面１４との間の寸
法に、上下それぞれの方向のモールド樹脂の膜厚寸法、
すなわち耐湿性を考慮したモールド樹脂の必要最小限の
膜厚寸法を加算した値にすることができ、リードフレー
ムの金属板の厚さや他の絶縁シートの厚さを考量するこ
とがないから、この実施例の半導体装置は７００μｍ程
度まで薄くすることができる。Therefore, the vertical direction (Z direction) of the semiconductor device
Of the semiconductor pellet 1, that is, the dimension between the upper surface 12 and the lower surface 14, is the upper and lower dimension of the semiconductor pellet 1. The thickness of the mold resin in the direction of
In other words, it is possible to obtain a value obtained by adding the minimum required film thickness of the mold resin in consideration of the moisture resistance, and there is no need to consider the thickness of the metal plate of the lead frame or the thickness of other insulating sheets. The semiconductor device of the embodiment can be thinned to about 700 μm.
【００１７】図２は図１の半導体装置の製造方法であり
本発明の一実施例の半導体装置の製造方法を示す。図２
（Ａ）の平面図のＢーＢ部の断面が図２（Ｂ）の断面図
であるが、図２（Ａ）では図２（Ｂ）の治具３１，３２
の図示を省略してある。また、図２（Ｃ）および図２
（Ｄ）は図２（Ｂ）と同じ断面箇所における図２（Ｂ）
以降の工程を示す断面図である。[0017] Figure 2 is the manufacturing method of the semiconductor device of FIG. 1
1 shows a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention . FIG.
The cross section taken along the line BB in the plan view of FIG. 2A is a cross-sectional view of FIG. 2B, but in FIG. 2A, the jigs 31 and 32 of FIG.
Are not shown. 2 (C) and FIG.
FIG. 2 (B) shows the same cross section as FIG. 2 (B).
It is sectional drawing which shows the following process.
【００１８】図２（Ａ）および（Ｂ）の工程において、
薄い金属板から形成されたリードフレーム２は、それぞ
れ先端部２１Ａを有して４辺の各辺に配列された多数の
内部リード２１、各内部リードに接続する外部リード２
２、内部リードと外部リードの接続箇所において隣りの
接続箇所と接続するタイバー（ダム）２３、デバイスホ
ール２４およびスプロケットホール２５を具備してい
る。In the steps of FIGS. 2A and 2B,
The lead frame 2 formed from a thin metal plate has a number of internal leads 21 each having a front end portion 21A and arranged on each of four sides, and external leads 2 connected to each internal lead.
2. At the connection point between the internal lead and the external lead, a tie bar (dam) 23, a device hole 24, and a sprocket hole 25 that are connected to an adjacent connection point are provided.
【００１９】第１の治具３１の上面に凹部３１Ａが形成
され、凹部３１Ａの中央に半導体チップ１の下面１４を
真空孔３３で真空引きして固定する。一方、各辺に配列
された内部リード２１の先端部２１Ａと半導体チップ１
の４方向の側面１１とが同じ所定の間隔となるようにリ
ードフレーム２を第１の治具３１に載置する。この場
合、第１の治具３１に位置出し孔（図示省略）を形成し
ておいてこれとリードフレーム２のスプロケットホール
２５とをノックピン（図示省略）で位置出しすることが
好ましい。また、第１の治具３１の凹部３１Ａは、その
上に内部リード２１の先端部２１Ａが突出するように形
成されている。そして先端部２１Ａを含めた内部リード
２１の全上面およびリードフレームの他の箇所の上面を
第２の治具３２で加圧することによりリードフレーム２
を第１の治具３１上に固定する。A concave portion 31A is formed on the upper surface of the first jig 31, and the lower surface 14 of the semiconductor chip 1 is fixed to the center of the concave portion 31A by vacuuming through a vacuum hole 33. On the other hand, the tip 21A of the internal lead 21 arranged on each side and the semiconductor chip 1
The lead frame 2 is placed on the first jig 31 so that the side surfaces 11 in the four directions have the same predetermined interval. In this case, it is preferable that a positioning hole (not shown) is formed in the first jig 31 and the positioning hole and the sprocket hole 25 of the lead frame 2 are positioned with a knock pin (not shown). Further, the concave portion 31A of the first jig 31 is formed such that the distal end portion 21A of the internal lead 21 projects thereon. Then, the entire upper surface of the internal lead 21 including the distal end portion 21A and the upper surface of the other part of the lead frame are pressed by the second jig 32 so that the lead frame 2
Is fixed on the first jig 31.
【００２０】次にエポキシ系の熱硬化型の樹脂４を半導
体ペレット１の側面１１と内部リード２１の先端部２１
Ａとの間に流し熱処理することにより接着樹脂４を硬化
させて半導体ペレット１が内部リード２１の先端部２１
Ａにより保持された状態にする。この際に第１の治具３
１の凹部３１Ａにより、接着樹脂４は先端部２１Ａの外
側面のみならずその下面および内側面にも回り込むか
ら、薄い金属板による先端部２１Ａと樹脂４との接続は
確実のものとなる。一方、先端部２１Ａを含めた内部リ
ード２１の全上面は第２の治具３２が当接しているか
ら、内部リード２１の上面には接着樹脂４が存在しな
い。したがって次のワイヤボンディングに支障を生じな
い。Next, the epoxy-based thermosetting resin 4 is applied to the side surface 11 of the semiconductor pellet 1 and the tip 21 of the internal lead 21.
A, and the adhesive resin 4 is hardened by heat treatment, so that the semiconductor pellet 1 is
The state is held by A. At this time, the first jig 3
Due to the one concave portion 31A, the adhesive resin 4 goes around not only the outer surface but also the lower surface and the inner surface of the tip portion 21A, so that the connection between the tip portion 21A and the resin 4 by a thin metal plate is ensured. On the other hand, since the second jig 32 is in contact with the entire upper surface of the internal lead 21 including the tip portion 21A, the adhesive resin 4 does not exist on the upper surface of the internal lead 21. Therefore, no trouble occurs in the next wire bonding.
【００２１】次に図２（Ｃ）の工程において、半導体ペ
レット１とリードフレーム２との接続体を第１の治具３
１から取り出して、ボンディングステージの第３の治具
３４上に載置する。この第３の治具３４には、第１の治
具３１の凹部３１Ａより少し大きめの凹部３４Ａが形成
されており、そこに半導体ペレット１および硬化された
接着樹脂４が挿入載置される。そしてボンディングツー
ル（図示省略）により、半導体チップ１の上面１２に形
成された電極１３と内部リード２１の上面とをボンディ
ングワイヤ３で接続する。Next, in the step shown in FIG. 2C, the connection body between the semiconductor pellet 1 and the lead frame 2 is connected to a first jig 3.
1 and placed on the third jig 34 of the bonding stage. The third jig 34 has a recess 34A slightly larger than the recess 31A of the first jig 31, and the semiconductor pellet 1 and the cured adhesive resin 4 are inserted and mounted therein. Then, the electrodes 13 formed on the upper surface 12 of the semiconductor chip 1 and the upper surfaces of the internal leads 21 are connected by bonding wires 3 using a bonding tool (not shown).
【００２２】次に図２（Ｄ）の工程において、ワイヤボ
ンディング接続された半導体ペレット１とリードフレー
ム２との接続体を第３の治具３４から取り出して、モー
ルドステージの第４の治具（下型）３５と第５の治具
（上型）３６との間に載置して、モールド樹脂５を充填
し硬化させる。Next, in the step of FIG. 2D, a connection body between the semiconductor pellet 1 and the lead frame 2 connected by wire bonding is taken out from the third jig 34, and the fourth jig ( The mold resin 5 is placed between the lower mold 35 and the fifth jig (upper mold) 36, and the mold resin 5 is filled and cured.
【００２３】その後、モールド樹脂５により各半導体ペ
レット１が封止されたリードフレーム２を取り出して、
タイバー２３を切断するとともに外部リード２２を所定
の長さに切断してリードフレームから切り離し、モ−ル
ド樹脂５から導出している外部リード２２を下方向に曲
げて図１の半導体装置となる。Thereafter, the lead frame 2 in which each semiconductor pellet 1 is sealed with the mold resin 5 is taken out, and
The tie bar 23 is cut and the external lead 22 is cut to a predetermined length to be separated from the lead frame, and the external lead 22 derived from the mold resin 5 is bent downward to obtain the semiconductor device of FIG.
【００２４】図３は本発明に関係のある技術の半導体装
置を示す断面図である。図３において図１と同一もしく
は類似の箇所は同じ符号で示してあるから重複する説明
は省略する。FIG. 3 shows a semiconductor device according to a technology related to the present invention.
It is sectional drawing which shows an arrangement | positioning . In FIG. 3, the same or similar parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the duplicate description will be omitted.
【００２５】図３において、半導体ペレット１の側面１
１を内部リード２１の先端部２１Ａに固着する絶縁性接
着材として、テフロンもしくはポリイミド樹脂の膜６１
を基材としその両面に接着剤としてエポシキ系の樹脂６
２，６２をコーテイングした両面接着型テープ６を用
い、接着剤の樹脂６２，６２が半導体ペレット１の側面
１１および内部リード２１の先端部２１Ａの側面にそれ
ぞれ接着している。この両面接着型テープ６は半導体ペ
レット１の４辺の側面１１それぞれ分離して設けても、
半導体ペレット１の４辺の側面１１の全周にわたって一
体的に巻いて設けてもよい。In FIG. 3, the side surface 1 of the semiconductor pellet 1 is shown.
Teflon or polyimide resin film 61 is used as an insulating adhesive material for fixing the semiconductor chip 1 to the tip 21A of the internal lead 21.
Epoxy resin as an adhesive on both sides
Adhesive resins 62 and 62 are adhered to the side surface 11 of the semiconductor pellet 1 and the side surface of the tip 21A of the internal lead 21, respectively, by using a double-sided adhesive tape 6 coated with the resin 2 and 62. Even if the double-sided adhesive tape 6 is provided separately from the four side surfaces 11 of the semiconductor pellet 1,
The semiconductor pellet 1 may be provided by being integrally wound around the entire periphery of the four side surfaces 11.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体ペレットの側面と内部リードの先端部とを絶縁性接
着部材で固着するものであるから、半導体ペレット搭載
用のアイランドや樹脂シートが不要となる。したがって
半導体装置の外形を横方向（Ｘ方向）にも縦方向（Ｚ方
向）にも縮小することができる。また、半導体ペレット
固着後は内部リードの先端は自由端でないから、その後
の製造工程において、先端が自由端であることに起因す
る内部リードの変形は発生しない。さらに、半導体ペレ
ットと内部リードとは側面接着であり、絶縁シートの表
面にそれぞれの下面を接着するものではないから、製造
工程中の半導体ペレットと内部リードとの相対的な上下
移動を防止することができ、これによりボンディングワ
イヤの短絡等の不都合を回避することができる。As described above, according to the present invention, the side surface of the semiconductor pellet and the tip of the internal lead are fixed to each other with an insulating adhesive member. It becomes unnecessary. Therefore, the outer shape of the semiconductor device can be reduced both in the horizontal direction (X direction) and in the vertical direction (Z direction). In addition, since the tip of the internal lead is not a free end after the semiconductor pellet is fixed, no deformation of the internal lead due to the free end occurs in the subsequent manufacturing process. Furthermore, since the semiconductor pellet and the internal lead are side-surface bonded and do not bond the respective lower surfaces to the surface of the insulating sheet, it is necessary to prevent the relative vertical movement between the semiconductor pellet and the internal lead during the manufacturing process. Thus, it is possible to avoid inconveniences such as short-circuiting of the bonding wires.
【図１】本発明の一実施例の半導体装置の製造方法によ
り得られた半導体装置を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a semiconductor device obtained by a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
【図２】図１の半導体装置を製造する方法であり本発明
の一実施例の半導体装置の製造方法を示す図であり、
（Ａ）は平面図、（Ｂ）、（Ｃ）および（Ｄ）は断面図
である。FIG. 2 shows a method of manufacturing the semiconductor device of FIG. 1 according to the present invention;
FIG. 6 is a diagram illustrating a method of manufacturing a semiconductor device according to one embodiment ;
(A) is a plan view, and (B), (C) and (D) are cross-sectional views.
【図３】本発明に関係のある技術の半導体装置を示す断
面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a semiconductor device of a technique related to the present invention.
【図４】従来技術の半導体装置を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a conventional semiconductor device.
【図５】他の従来技術の半導体装置を示す断面図であ
る。FIG. 5 is a sectional view showing another conventional semiconductor device.
【図６】別の従来技術の半導体装置を示す断面図であ
る。FIG. 6 is a sectional view showing another conventional semiconductor device.
１ 半導体ペレット ２ リードフレーム ３ ボンディングワイヤ ４ 絶縁性接着部材としての樹脂 ５ モールド樹脂 ６ 絶縁性接着部材としての両面接着型テープ ７，８ 絶縁シート １１ 半導体ペレットの側面 １２ 半導体ペレットの上面 １３ 半導体ぺレットの電極 １４ 半導体ペレットの下面 ２１ 内部リード ２２ 外部リード ２３ タイバ− ２４ デバイスホール ２５ スプロケットホール ２６ アイランド ３１ 第１の治具 ３２ 第２の治具 ３３ 真空孔 ３４ 第３の治具 ３５ 第４の治具（上型） ３６ 第５の治具（下型） ６１ 両面接着型テープの基材となる膜 ６２ 両面接着型テープの接着剤となる樹脂 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor pellet 2 Lead frame 3 Bonding wire 4 Resin as an insulating adhesive member 5 Mold resin 6 Double-sided adhesive tape as an insulating adhesive member 7, 8 Insulating sheet 11 Side surface of semiconductor pellet 12 Top surface of semiconductor pellet 13 Semiconductor pellet Electrode 14 lower surface of semiconductor pellet 21 internal lead 22 external lead 23 tie bar 24 device hole 25 sprocket hole 26 island 31 first jig 32 second jig 33 vacuum hole 34 third jig 35 fourth jig Tool (upper die) 36 Fifth jig (lower die) 61 Film serving as base material for double-sided adhesive tape 62 Resin serving as adhesive for double-sided adhesive tape
Claims (1)
端部とを絶縁性接着部材で固着した後、前記半導体ペレ
ットの電極と前記内部リードの表面をボンディングワイ
ヤで接続し、しかる後、前記半導体ペレット、前記内部
リードおよび前記ボンディングワイヤをモールド樹脂で
封止する半導体装置の製造方法であって、内部リード、
外部リードおよび外枠を有するリードフレームならびに
上面に電極を有する半導体ペレットを用意する工程と、
前記半導体ペレットの下面を真空吸着した状態で該半導
体ペレットを第１の治具の上面に固定し、前記内部リー
ドの先端部が前記半導体ペレットの側面と所定の間隔を
有して対面した状態で、前記リードフレームを前記第１
の治具の上面に固定する工程と、前記内部リードの先端
部と前記半導体ペレットの側面との間の前記間隔にエポ
キシ系の熱硬化型の樹脂を流し込み、熱処理することに
より該樹脂を硬化させる工程とを有し、これにより前記
硬化された樹脂を前記絶縁性接着部材となし、前記半導
体ペレットの側面と内部リードの先端部とを固着する半
導体装置の製造方法において、 前記内部リードの全上面
を含む前記リードフレームの上面を第２の治具で押える
ことにより該リードフレームを前記第１の治具上に固定
し、前記第１の治具の上面に凹部が形成され、該凹部に
前記半導体ペレットが固定されかつ前記内部リードの先
端部が該凹部上に突出し、これにより前記樹脂は前記半
導体ペレットの側面ならびに前記内部リードの先端部の
側面および下面に固着されることを特徴とする半導体装
置の製造方法。 1. The method according to claim 1 , further comprising: fixing a side surface of the semiconductor pellet and a tip of the internal lead with an insulating adhesive member; connecting an electrode of the semiconductor pellet to a surface of the internal lead with a bonding wire; A method for manufacturing a semiconductor device in which the internal leads and the bonding wires are sealed with a mold resin ,
Lead frame having external leads and outer frame, and
A step of preparing a semiconductor pellet having an electrode on the upper surface,
The semiconductor pellet is held in a state where the lower surface of the semiconductor pellet is vacuum-adsorbed.
The body pellet is fixed on the upper surface of the first jig,
A predetermined distance from the side surface of the semiconductor pellet.
With the lead frame facing the first
Fixing to the upper surface of the jig, and the tip of the internal lead
The gap between the part and the side of the semiconductor pellet
Pour a xy-based thermosetting resin and heat treat it.
Further curing the resin, whereby the
The cured resin is used as the insulating adhesive member, and the semiconductor
A half that secures the side of the body pellet to the tip of the internal lead
In the method for manufacturing a conductor device, the entire upper surface of the internal lead is provided.
Pressing the upper surface of the lead frame with a second jig
Fix the lead frame on the first jig
A recess is formed on the upper surface of the first jig, and the recess is formed in the recess.
The semiconductor pellet is fixed and the tip of the internal lead is
An end protrudes above the recess, so that the resin is
The side of the conductor pellet and the tip of the internal lead
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the semiconductor device is fixed to a side surface and a lower surface .
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP6192607A JP2582534B2 (en) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | Method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6192607A JP2582534B2 (en) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | Method for manufacturing semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855952A JPH0855952A (en) | 1996-02-27 |
| JP2582534B2 true JP2582534B2 (en) | 1997-02-19 |
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| JP3055581B2 (en) * | 1992-02-25 | 2000-06-26 | 日立電線株式会社 | Semiconductor device |
-
1994
- 1994-08-16 JP JP6192607A patent/JP2582534B2/en not_active Expired - Fee Related
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