KR20020088373A

KR20020088373A - 레지스터

Info

Publication number: KR20020088373A
Application number: KR1020020027072A
Authority: KR
Inventors: 스케메나우어죤; 센크데이빗디
Original assignee: 쉬플리 캄파니, 엘.엘.씨.
Priority date: 2001-05-17
Filing date: 2002-05-16
Publication date: 2002-11-27
Also published as: JP2003059702A; CN1387200A; US20030016117A1; US20030001719A1; EP1258891A2

Abstract

복수의 관통공을 갖는 저항체가 제공된다.이러한 저항체는 레지스터 제조에 유용하다. 이들 레지스터는 인쇄배선판에 매입되는 레지스터로 사용하기에 매우 적합하다.

Description

레지스터{Resistors}

본 발명은 저항체 분야에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 전자 장치에서의 매입식 레지스터로서 사용하기에 적합한 저항체 분야에 관한 것이다.

인쇄회로기판(printed circuit board)은 일반적으로 많은 수의 표면 실장되는 전자 장치와, 각 인쇄회로기판 내에서 활성층(active layer)의 형태로 존재할 수 있는 부가적인 부품들을 포함한다. 상기와 같은 인쇄회로기판에서의 장치 및 부품들에 대한 요구사항은 통상적인 전자 설계 제한조건에 의해 제약을 받는다. 특히, 상기와 같은 인쇄회로기판 상에 위치하는 많은 수의 표면 실장 장치들과 다른 부품들은 의도된 기능을 달성하기 위해 각각의 레지스터와 연결되어야 한다.

종래 기술에서 상기 문제점을 해결하기 위한 가장 널리 알려진 방법으로 인쇄회로기판에 부가적으로 표면 실장된 부품의 형태로서 개별적인 레지스터들을 사용해 왔다. 인쇄회로기판의 설계에서는 또한, 레지스터들을 서로 적절하게 연결하기 위한 관통홀(through-hole)을 필요로 해왔다. 이점에 대해서, 레지스터들은 표면 장치, 부품, 활성 부품, 또는 인쇄회로기판 상에 또는 내부에 형성된 층들 중 임의의 조합 사이에서 서로 연결될 수 있다.

결과적으로, 인쇄회로기판의 복잡성은 증가되어 왔고, 동시에 인쇄회로기판 상에서 다른 소자들을 활용하기 위한 면적은 점차 줄어들거나, 필요한 레지스터들을 포함하는 표면 장치 및 부품들을 수용하기 위해 인쇄회로기판의 전체 크기가 증가되어 왔다.

이에 대한 한 가지 해결책으로서 인쇄회로기판의 내부 층에 형성된 평판 레지스터를 사용해왔는데, 상술한 바와 같은 표면 실장된 레지스터를 대신하면서도 다른 부품들을 장착하도록 인쇄회로기판의 표면부에 공간을 확보하기 위한 것이다. 예를 들어, 미국특허 4,808,967호는 지지층, 상기 지지층에 부착된 전기적 저항체로 이루어진 층, 및 상기 전기 저항층에 부착된 전도성 층을 갖는 인쇄배선판(printed wiring board)을 개시한다.

이러한 평판 레지스터는 별개의 표면실장 레지스터에 비해서 특정 분야에서 이점을 제공하지만, 여전히 복잡성 및 인쇄회로기판에서 요구되는 공간을 증가시키는 경향이 있다. 예를 들어, 평판 레지스터가 인쇄회로기판의 표층에 형성되면, 활성(active) 표면 장치를 레지스터 위에 배치할 수 있음은 물론이다. 그러나, 평판 레지스터가 차지한 인쇄회로기판의 표면부는 평판 레지스터 자체에만 할당되어야 한다. 따라서, 기판의 상기 부분은 실장패드, 관통홀 등에는 사용할 수 없다.

이러한 기판상의 공간 문제를 해결하기 위한 한 가지 방법은 관통홀 주변의 공간을 이용하는 것이다. 예를 들어, 미국특허 제5,347,258호(Howard et al.)는 인쇄회로기판 내에서의 필요한 공간을 줄이면서도 간소화된 레지스터 요소용 구조를 개시하는데, 표면 장치 또는 부품들을 인쇄회로기판의 표면 또는 내부에 존재하는 전도성 층과 연결하기 위해 인쇄회로기판에 존재하는 기존의 관통홀과 결합하여 레지스터 요소를 형성하는 것이다. 개시된 레지스터는 원형 구조를 가지며, 고리의 중심은 관통홀이다.

다양한 종류의 저항체가 통상적인 평판 레지스터에 사용된다. 많은 수의 종래의 저항체는 이들이 적용될 지지체 또는 레지스터 상에 배치되는 절연체에 잘 접착되지 않는다는 문제점을 갖는다. 이는 특히, 이러한 낮은 접착성능으로 인해 박리현상을 일으킬 수도 있는 다층 인쇄회로기판에서 특히 문제가 된다.

따라서, 지지체 및 절연층 모두에 잘 부착될 수 있고, 부착성의 저하로 인한 박리현상의 문제를 감소시키거나 제거할 수 있는 평판 레지스터가 필요한 것이다.

따라서, 본 발명은 지지체 및 절연층 모두에 잘 부착될 수 있고, 부착성의 저하로 인한 박리현상의 문제를 감소시키거나 제거할 수 있는 평판 레지스터를 제공하는 것을 기술적 과제로 삼고 있다.

도 1은 원형 관통공을 갖는 저항체를 갖는 레지스터를 도시한 것이다.

도 2는 슬릿(slit) 형태의 관통공을 갖는 저항체를 갖는 레지스터를 도시한 것이다.

종래의 저항체로도 유기 절연체 내에 매입될 때 박리되는 경향이 낮은 평판 레지스터를 제조할 수 있다는 것이 밝혀졌다.

한 가지 특징으로, 본 발명은 복수의 관통공(perforation)을 갖는 저항체를 제공한다. 바람직하게는, 상기 레지스터는 박막 레지스터인 것이 좋다.

다른 특징으로, 본 발명은 저항체 및 한 쌍의 전극을 갖는 레지스터를 제공하며, 상기 저항체는 복수의 관통공을 갖는다.

또 다른 특징으로, 본 발명은 절연층에 매입되는 하나 이상의 레지스터를 포함하는 인쇄배선판을 제공하며, 상기 레지스터는 복수의 관통공을 갖는 저항체를 포함한다.

또 다른 특징으로, 본 발명은 복수의 관통공을 갖는 저항체를 갖는 레지스터를 인홰배선판 기판에 적용한 후, 상기 레지스터 위에 유기 절연체 층을 적용하는 단계를 포함하는 인쇄배선판의 제조방법을 제공한다. 바람직하게는, 상기 레지스터는 인쇄배선판 기판면에 적용되는 것이 좋으며, 그러한 면은 제1절연체를 포함한다.

또 다른 특징으로, 본 발명은 복수의 관통공을 갖는 저항체를 갖는 하나 이상의 레지스터를 포함하는 전자 장치를 제공한다.

또 다른 특징으로, 본 발명은 유기 절연층에 매입되는 하나 이상의 레지스터를 포함하는 하나 이상의 인쇄배선판을 포함하는 전자 장치를 제공하며, 상기 레지스터는 복수의 관통공을 갖는 저항체를 포함한다.

본 명세서의 전체에 걸쳐서, 문맥상 명백하게 다른 것을 지시하지 않는 이상, 다음의 부호는 다음과 같은 의미를 갖는다: ℃=섭씨온도; ℉=화씨온도; ㎚=나노미터; ㎛=미크론=마이크로미터; Å=옹스트롬; Ω=옴; Ω/□=제곱당 옴; M=몰;wt%=중량 %; 및 mil=0.001인치.

"인쇄배선판" 및 "인쇄회로기판"이란 용어는 본 명세서 전체에 걸쳐서 혼용하여 사용된다. "실질적으로 수직"이란 용어는, 서로에 대해서 실질적으로 직각인 방향, 즉 90°±15°, 바람직하게는 90°±10°, 보다 바람직하게는 90°±5°, 더욱 바람직하게는 90°±3°인 것을 의미한다. 다르게 지시하지 않는 이상, 모든 양은 중량에 의한 퍼센트이고, 모든 비율은 중량비이다. 모든 수치범위는, 수치범위의 총합이 100%가 되게 되는 것이 명백한 경우를 제외하고, 임의의 순서로 포괄적이고 병합할 수 있다(inclusive and combinable).

레지스터는 일반적으로 전기적 저항체 부와 한 쌍의 전극을 갖는다. 전극들중 하나는 저항체의 일단에 배치되며, 나머지 하나는 저항체의 반대쪽 단부에 배치된다. 본 발명은 저항체와 한 쌍의 전극을 갖는 레지스터를 제공하며, 각 전극은 저항체의 양단에 배치되고, 저항체는 복수의 관통공을 갖는다. "관통공"이란 용어는 저항체 내에 있는 임의의 구멍 또는 빈 공간을 의미한다. 임의의 형태 및 크기를 갖는 관통공이 사용될 수 있다. 예를 들어, 이러한 관통공은 원형, 사다리꼴, 다각형, 정사각형, 슬릿 또는 슬롯과 같은 사각형, 및 타원형 뿐만 아니라 그 외에 어떠한 형태를 가질 수 있다. 예시된 관통공들은 일반적인 의미로 사용된다. 즉, "원형"은 완전한 원뿐만 아니라 대체로 원형인 것을 포함한다. "정사각형" 및 "사각형"은 완전한 정사각형 및 사각형 뿐만 아니라 대체적으로 정사각형 및 사각형인 것, 예를 들어 모서리가 라운드처리된 정사각형 또는 사각형을 포함한다. "슬롯" 및 "슬릿"은 서로 바꿔서 사용될 수 있으며, 짧은변 보다 훨씬 긴 긴변을 가지며,직각 또는 라운드처리된 모서리, 심지어 짧은 변이 원형이거나 곡선인, 대체적으로 사각형 구조를 갖는 것을 의미한다. 원형 관통공 및 실릿형의 관통공이 적합하다. 원형 관통공과 슬릿형을 조합하는 것과 같이, 다른 형태의 관통공을 조합하면 본 발명에서 보다 유리하게 사용될 수 있다.

2개 이상의 관통공이 존재한다면, 본 발명에서 임의의 수의 관통공을 사용할 수 있다. 사용될 수 있는 관통공 개수의 상한은 없다. 관통공의 크기는 넓은 범위를 갖는다. 선호되는 특정한 크기나 치수는 없다. 특정한 경우, 저항체 내에서 다양한 크기를 갖는 관통공을 사용할 필요도 있다. 예를 들어, 레지스터는 저항체가 관통공으로서 원형 관통공 및 슬릿을 혼합하거나, 또는 짧은 슬릿과 긴 슬릿 처럼 치수가 변화하는 슬릿을 혼합할 것을 필요로 할 수 있다.

저항체에 존재하는 관통공의 어떠한 특정한 형태도 요구되지 않는다. 관통공은 저항체 내에서 한 줄로 또는 여러줄, 어긋나게 또는 무작위로 위치할 수 있다. "어긋나게"라는 용어는 가장 근접하게 위치하는 줄에 대해서 오프셋되도록 관통공이 줄을 지어 위치하는 것을 의미한다. 어긋난 관통공들은 임의의 크기로 오프셋될 수 있다. 일반적으로, 이러한 오프셋은 관통공의 치수의 일부에 해당하는 양, 관통공의 치수에 해당하는 양, 또는 관통공의 치수 보다 큰 양일 수 있다.

일 실시예에서, 본 발명은 제1방향에서 제1저항률과, 제2방향에서 제2저항률을 갖는 저항체를 제공하며, 상기 제2방향은 제1방향과 실질적으로 직각이며, 저항체는 복수의 관통공을 갖는다. 저항체의 저항률은 축에 의존한다. 따라서, 저항체는 X 방향으로 제1저항률을 가지며, Y 방향, 즉 제1(또는 X)방향에 실질적으로 직각인 방향으로는 매우 다른 저항률을 갖는다. 저항률에 있어서의 이러한 차이는 저항체에 존재하는 관통공의 구조에 의해 달성된다.

예를 들어, 하나의 전극에서 다른 전극으로의 직선 경로가 저항체 내에 존재하지 않는 경우, 레지스터의 저항률은 전극 사이에 직선 경로가 저항체 내에 존재하는 유사한 레지스터에 비해서 높다. 따라서, 관통공이 슬릿인 경우, 이러한 슬릿들은 전극에 대해서 거의 수직, 바람직하게는 수직이거나, 전극에 대해서 거의 평행, 바람직하게는 거의 평행하게 위치할 수 있다. "거의 평행"이란 용어는 슬릿과 전극의 열이 서로 거의 평행한 것을 의미한다.

넓은 범위의 저항체가 본 발명에 적합하게 사용될 수 있으며, 전도체와 소량의 매우 높은 저항(절연)체의 혼합물이 여기에 포함되나, 이것으로 제한되지는 않는다. 매우 소량의 높은 저항체, 예를 들어 0.1wt%에서 약 20wt%의 저항체가 전도체의 전도성을 매우 크게 감소시킨다. 귀금속들이 전도체임에도 불구하고, 귀금속을 비교적 소량의 실리카 또는 알루미나와 같은 산화물과 함께 도포하는 경우 도포된 재질이 매우 높은 저항값을 갖게 되는 것이 발견되었다. 따라서, 예를 들어 0.1% 내지 5% 정도의 소량의 산화물을 함유하는 백금과 같은 금속은 인쇄회로기판에서 레지스터로서 작동할 수 있다. 그러나, 예를 들어, 우수한 전도체인 백금이 0.1 내지 약 5wt%의 실리카와 함께 도포되면, 레지스터로서 작용하며, 여기서 저항은 함께 도포된 실리카 수준의 기능이다. 백금, 이리듐, 루테늄, 니켈, 구리, 은, 금, 인듐, 주석, 철, 몰리브덴, 코발트, 납, 팔라듐 등과 같은 임의의 전도체가 적합하며, 반드시 이에 한정되지는 않는다. 실리카, 알루미나, 크로미아(chromia),티타니아, 세리아(ceria), 징크 옥사이드(zinc oxide), 지르코니아, 파스포러스 옥사이드(phosphorous oxide), 비스무스 옥사이드, 일반적인 희토금속의 산화물(oxide of rare earth metal), 파스포러스, 및 이들의 혼합물과 같은 금속 산화물, 또는 메탈로이드 산화물(metalloid oxide)이 적합한 절연체에 포함되나, 반드시 이에 한정되지는 않는다.

바람직한 전기적 저항체는 니켈 또는 백금계, 즉 주된 재질은 각각 니켈 또는 백금이다. 바람직한 적절한 저항체는 니켈 - 파스포러스, 니켈 - 크로미움(chromium), 니켈-파스로퍼스-텅스텐, 세라믹스, 전도성 폴리머, 전도성 잉크, 백금-이리듐, 백금-루세니움 및 백금-이리듐-루세니움 등과 같은 백금계 재질이다. 바람직한 백금계 재질은 약 10 내지 70 몰 퍼센트의 이리듐, 루세니움 또는 그들의 혼합체를 함유하며, 바람직하게는 100%의 백금에 대해 상대적으로 계산된 2 몰 퍼센트 내지 50 몰 퍼센트를 함유한다. 만일 루세니움만이 사용되면(이리듐은 없음), 100%의 백금에 대해 상대적으로 계산된 약 2 내지 10 몰 퍼센트를 사용하는 것이 바람직하다. 만일 이리듐만이 사용되면(루세니움은 없음), 100%의 백금에 대해 상대적으로 계산된 약 20 내지 70 몰 퍼센트를 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 저항체에서, 이리듐, 루세니움 또는 그들의 혼합물은 원소의 형태 및 산화물의 형태로 존재한다. 일반적으로, 이리듐, 루세니움 또는 그들의 혼합물은 약 50 내지 90 몰 퍼센트의 금속원소이고, 약 10 내지 약 50 몰 퍼센트의 이리듐, 루세니움 또는 그들의 혼합물의 산화물이다.

저항체 층의 두께는 넓은 범위에서 변화할 수 있다. 더 큰 두께가 사용될 수있지만, 바람직하게는, 저항체는 1밀(mil)까지의 두께를 갖는 것이 좋다. 매입식 레지스터용으로는, 저항체는 일반적으로 적어도 약 40Å의 두께를 갖는다. 대체로, 저항체 층의 두께는 40 내지 100,000Å(10미크론)이고, 바람직하게는 40 내지 50,000Å이며, 더욱 바람직하게는 100 내지 20,000Å이다.

저항체 층은 자체적으로 지지될 수도 있지만, 일반적으로는 자체적으로 지지되기에는 너무 얇으므로, 자체적으로 지지되는 기판 상에 위치하여야 한다. 저항체는 일반적으로 금속박과 같은 전도체 기판에 배치되는 것에 의해 지지된다. 본 기술분야에서 통상적인 지식을 갖는 자에게는 다른 적절한 전도체도 잘 알려져 있다. 적합한 금속박은 동박, 니켈박, 은박, 금박, 백금박 등이 포함하지만, 반드시 이에 한정되지는 않는다. 본 발명에 사용하기 위한 적절한 전도성 금속박은 넓은 범위의 두께를 갖는다. 일반적으로, 이러한 전도성 금속박은 0.002 내지 0.02인치 범위를 갖는 공칭두께(nominal thickness)를 갖는다. 금속박 두께는 종종 중량단위로 표현된다. 예를 들어, 적합한 동박은 제곱 피트당 0.125 내지 14 온스의 무게를 가지며, 보다 바람직하게는 제곱 피트당 0.25 내지 6온스의 무게를 가지며, 더욱 바람직하게는 제곱 피트당 0.5 내지 5온스의 무게를 갖는다. 매우 적합한 동박은 제곱 피트당 3 내지 5 온스의 무게를 갖는 것이다. 적합한 전도성 금속박은 통상의 전착(electrodeposition) 기술을 사용하여 제조될 수 있으며, 오크-미쓰이(Oak-Mitsui) 또는 구울드 일렉트로닉스(Gould Electronics)와 같은 다양한 공급원으로부터 구할 수 있다.

전도체 기판은 차단층(barrier layer)을 추가적으로 포함할 수 있다. 이러한차단층은 전도체의 첫 번째 면, 즉 저항체와 가장 가까운 면, 전도성 층의 두 번째 면 또는 전도체 층의 양면에 위치할 수 있다. 차단층은 본 기술분야에서 통상의 지식을 갖는 자들에게 잘 알려져 있다. 적합한 차단층은 아연, 인듐, 주석, 니켈, 코발트, 크로미움, 황동, 청동 등을 포함할 수 있으나, 반드시 이에 한정되지는 않는다. 이러한 차단층은 전기분해, 무전해, 침지도금, 스퍼터링, 화학증착, 연소 화학증착, 대기제어 화학증착법 등으로 도포될 수 있다. 바람직하게는, 이러한 차단층은 전기분해, 무전해 또는 침지도금법에 의해 도포되는 것이 좋다. 일 실시예에서, 전도성 층이 동박인 경우, 차단층을 사용하는 것이 바람직하다.

보호차단층을 적용한 후에, 크로미움 산화물의 보호층을 차단층 또는 전도체에 화학적으로 도포할 수 있다. 마지막으로, 접착성을 더욱 향상시키기 위해, 실레인이 전도체/차단층/선택적인 크로미움 산화물 층의 표면에 적용될 수 있다. 적합한 실레인은 미국특허 제5,885,436호(Ameen et al.)에 개시된 것 들이다.

저항체는 졸-겔법, 스퍼터링, 화학증착, 연소 화학증착(CCVD), 대기제어 연소화학증착(CACCVD), 스핀코팅, 롤러코팅, 실크 스크린법, 전기도금법 등과 같은 다양한 방법에 의해 도포될 수 있다. 예를 들어, 니켈-파스포러스 저항체는 전기도금법에 의해 도포된다. 예로서 국제특허출원 제WO89/02212호를 보라. 일 실시예에서, 첫 번째 재질은 CCVD 및/또는 CACCVD에 의해 도포된다. CCVD 및/또는 CACCVD에 의한 저항체 도포는 당업자들에게 잘 알려져 있다. 예로서, 상기 공정 및 사용되는 장치에 관한 설명은 미국특허 제6,208,234호(Hunt et al.)를 참조하라.

CCVD는 매입식 커패시터 및 레지스터의 절연층으로서 작용하는 매우 얇고 균일한 막을 도포할 수 있는 장점을 갖는다. 재질은 임의의 원하는 두께로 도포될 수 있지만, CCVD에 의해 저항체 층을 형성하는 경우에는 50,000Å(5미크론)을 좀처럼 넘지 않는다. 일반적으로, 막 두께는 100 내지 10,000Å 범위에 있고, 가장 일반적으로는 300 내지 5,000Å 범위에 있다. 층의 두께가 얇을수록, 예를 들어 백금의 경우 더 높은 저항값과 적은 재료가 필요하므로, 매우 얇은 막을 도포할 수 있는 능력은 CCVD 공정의 장점이다. 코팅의 두께 또한 별개의 레지스터를 형성하는 에칭공정을 신속하게 한다.

전도성 금속과 소량의 절연체의 혼합물인 저항체의 경우, 금속은 저항체가 CCVD 또는 CACCVD에 의해 도포되어야 한다면, 산소를 함유하는 계에서 영가 금속(zero-valence metal)으로서 도포될 수 있어야 한다. 화염을 사용하여 영가 상태에서 도포하기 위한 기준은 금속은 도포 온도에서 이산화탄소 또는 물의 산화 전위 중 낮은 것(실온에서는 물이 낮은 산화 전위를 가지며, 그 외의 온도에서는 이산화탄소가 낮은 산화 전위를 갖는다) 보다 낮은 산화 전위를 가져야 한다는 것이다. CCVD에 의해서 용이하게 도포될 수 있는 영가 금속은 은의 산화 전위와 거의 비슷하거나 그보다 낮은 산화 전위를 갖는 것이다. 따라서, 은, 금, 백금 및 이리듐은 직렬형(straight) CCVD에 의해 도포될 수 있다. 약간 높은 산화 전위를 갖는 영가 금속은 보다 환원성의 분위기를 제공하는 CACCVD에 의해 도포될 수 있다. 니켈, 구리, 인듐, 팔라듐, 주석, 철, 몰리브데늄, 코발트 및 납은 CACCVD에 의해 가장 잘 도포된다. 여기서, 금속은 이러한 영가 금속의 혼합물인 합금도 포함한다. 실리콘, 알루미늄, 크로미움, 티타니움, 세륨, 징코니움, 마그네슘, 비스무스, 희토 금속 및 파스포러스는 각각 비교적 높은 산화 전위를 가지므로, 상술한 금속 중 어느 하나가 절연성 도판트(dopant)를 위한 적절한 전구체(precursor)와 함께 도포되면, 상기 금속은 영가 상태로 도포되고, 상기 도판트는 산화물로서 도포될 것이다. 따라서, 화염을 사용하지 않는 경우에도, 원하는 두 개의 상을 형성하기 위해서는 절연 물질이 더 높은 산화, 인화, 탄화, 질화 또는 붕화 전위를 가져야 할 필요가 있다.

보다 산소와 반응하기 쉬운 금속 및 금속합금의 경우, CACCVD를 선택할 수 있다. 심지어, 금속이 직렬형 CCVD에 의해서 영가 금속으로서 도포될 수 있어도, 도포될 기판 재질이 산화하기 쉬우면 분위기 제어, 즉 CACCVD를 제공하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 구리와 니켈 기판은 용이하게 산화되므로, CACCVD에 의해 이들 기판에 도포하는 것이 바람직하다.

CCVD에 의해 기판에 박막으로서 도포될 수 있는 저항체의 다른 형태는 "전도성 산화물(conductive oxide)"이다. 특히, Bi₂Ru₂O₇및 SrRuO₃는 CCVD에 의해 도포될 수 있는 전도성 산화물이다. 이들 재질은 전도성임에도 불구하고, 이들의 전도성은 비결정 상태로 도포되면 비교적 낮은 저항값을 가지므로, 이러한 혼합 산화물로 이루어진 박막은 별개의 레지스터를 형성하는데 사용될 수 있다. 전도성 금속과 같이, 이러한 전도성 산화물은 저항률을 증가시키기 위해 금속 또는 비금속 산화물과 같은 절연체와 함께 첨가될 수 있다. 이러한 혼합 산화물들은 비결정층 또는 결정층으로서 도포될 수 있으며, 비결정층은 낮은 도포온도에서 도포되는 경향이 있고,결정층은 더 높은 도포온도에서 도포되는 경향이 있다. 레지스터로서 사용하기 위해서, 일반적으로 결정체 보다 높은 저항률을 갖는 비결정층이 선호된다. 따라서, 이들 금속이 보통의 결정상태에서 전도성 산화물로 분류되는 반면, 첨가되지 않은 상태에서도 비결정 산화물은 훌륭한 저항률을 만들어 낼 수 있다. 1 내지 100Ω의 낮은 저항을 만들 것이 요구되는 경우에는, 레지스터 및 백금, 금, 은, 구리 또는 철과 같은 전도성-개선 도판트가 추가될 수 있다. 전도성 산화물의 저항률을 증가시키기 위한 금속 또는 비금속 산화물과 같은 절연체, 또는 전도성 산화물의 저항률을 감소시키기 위한 전도성-개선 물질을 첨가하면, 이러한 균일하게 혼합된 절연체 또는 전도성-개선 물질은 일반적으로 절연체의 0.1wt% 내지 20wt% 수준이며, 바람직하게는 적어도 0.5wt% 이상이다.

전기적으로 전도성임에도 불구하고 본 발명에 따른 레지스터를 형성하기에 충분한 저항률을 갖는 전도체는 많이 존재한다. 그 예에는, 이트륨, 바륨, 구리 산화물 및 La_1-xSr_xCoO₃, 0≤x≤1, 예를 들면 x=0.5 등이 속한다. 일반적으로, 임계 온도 이하에서 초전도성을 갖는 임의의 혼합 산화물은 임계 온도 이상에서는 전기적으로 저항체로서 작용할 수 있다. 이렇게 다양한 절연체들은 본 명세서에서 상술한 것들 중에서 선택된 적절한 전구체들을 선정하면 도포될 수 있다.

CCVD 또는 CACCVD 공정을 사용하여 금속/산화물 절연체 막을 형성하기 위해, 금속을 위한 전구체와 금속 또는 비금속 산화물을 위한 전구체를 함유하는 전구체 용액이 제공된다. 예를 들어, 백금/실리카 막을 형성하기 위해, 도포용액은백금(II) - 아세틸아세토네이트 또는 디페닐 - (1, 5-시클로옥타디엔) 백금(II)[Pt(COD)]과 같은 백금 전구체와, 테트라에톡시실레인과 같은 실리콘-함유 전구체를 함유한다. 이리듐 및 루세니움에 적합한 전구체는 트리스(노보나디엔)이리듐(III) 아세틸아세토네이트("IrNBD"), 및 비스 (에틸시클로펜타디에닐) 루세니움(II)이 포함되지만, 반드시 이에 한정되지는 않는다. 상기 전구체들은 일반적으로 금속 및 도포될 물질의 저항을 감소시키기 위한 개선물질의 비율에 따라 혼합되며, 추가적인 전구체는 예를 들면 첨가되고 도포된 전도성 금속 산화물의 0.1 내지 20wt%, 바람직하게는 적어도 약 0.5wt% 이상의 소량의 금속 산화물 또는 비금속 산화물을 형성하기 위해 제공된다. 일반적으로, 상기 전구체는 톨루엔 또는 톨루엔/프로판과 같은 단일 용매계에서 0.15wt% 내지 1.5wt%의 농축물(백금, 이리듐 및/또는 루세니움 전구체 전체)에 공용해 된다. 이 용액은 전구체 용액을 미세한 에어로졸로 분사하기 위해 분무기를 통과하게 되며, 에어로졸은 산화제, 특히 산소가 첨가되면 연소되어, 백금, 이리듐, 루세니움 또는 영가 금속 및 산화물의 혼합물을 형성한다. CCVD에 대한 보다 완전한 설명은 본 명세서에 참고적으로 포함된 미국특허 제6,208,234호를 참고하라.

기계적 드릴링, 레이저 드릴링, 습식화학에칭 또는 플라즈마 에칭과 같은 에칭, 에칭에 이은 포토리토그래피 등을 포함하나 반드시 이에 한정되지는 않는 임의의 적절한 수단에 의해, 관통공을 저항체에 형성할 수 있다. 기계적 드릴링과 레이저 드릴링은 인쇄배선판의 제조에 있어서, 널리 알려진 방법이다. 에칭은 저항체에 대한 적절한 식각액을 선택하는 것에 의해 이루어진다. 이러한 식각액은 원하는 패턴의 관통공을 제공할 수 있는 방식으로 저항체에 적용될 수 있다. 예를 들어, 상기 식각액은 원하는 패턴을 제공하도록 잉크젯 프린팅에 의하는 것과 같이 선택적으로 적용될 수 있다. 또한, 포토레지스트가 저항체에 적용되고, 적절한 파장을 갖는 화학 방사선을 사용하여 마스크를 통해 노출될 수 있다. 상기 마스크는 복수의 원형홀, 슬릿, 또는 적절한 관통공, 또는 이들을 혼합한 관통공을 제공할 수 있다. 그 후, 상이 부여된 레지스트는 원하는 관통공 패턴, 즉 레지스트가 없는 영역을 제공하기 위해 현상된다. 다음에, 저항체는 관통공을 형성하기 위하여 에칭과 같은 방법으로 레지스트가 없는 영역으로부터 제거된다. 이러한 에칭은 화학적 에칭(습식 에칭) 또는 플라즈마 에칭(건식 에칭)일 수 있다. 이러한 기술들은 당업자에게 잘 알려져 있다. 어떤 경우에는, 레이져 드릴링이 관통공을 형성하는 바람직한 방법이다.

도 1은 본 발명의 일 실시예를 도시한다. 도 1에 도시된 레지스터는 저항체 부, 예를 들어 실리카가 함유된 백금재질(5), 한 쌍의 구리전극(10)을 가지며, 각 전극(10)은 저항체(5)의 양단에 배치된다. 저항체(5)는 복수의 원형 관통공(15)을 갖는다. 원형 관통공(15)은 저항체(5)를 레이져 드릴링하여 형성된다.

도 2는 본 발명의 두 번째 실시예를 도시한다. 도 2의 레지스터는 저항체 부(20) 및 한 쌍의 전극(25)을 포함하며, 각 전극(25)은 저항체(20)의 양단에 배치된다. 저항체(20)는 슬릿형의 복수의 관통공(30)을 갖는다.

본 발명의 일 예에서, 통상의 니켈-파스포러스 저항체가 전기도금법 등에 의해 전도성 기판 또는 절연층에 적용된다. 원하는 크기의 관통공을 원하는 패턴으로드릴링하도록 프로그램된 레이져가 저항체에 복수의 관통공을 드릴링하는데 사용된다. 저항체는 관통공이 형성되기 전 또는 후에 원하는 크기가 되도록 다듬어 진다. 전도성 기판이 사용되면, 이러한 기판은 관통공의 형성 전 또는 후에 저항체로부터 제거될 수 있다. 저항체가 자립형(free-standing) 또는 자체적으로 지지되지 않는 경우, 전도체는 관통공을 형성한 후 또는 저항체가 유기 절연층과 같은 다른 기판에 적층되는 경우 처럼 지지된 후에 대개 제거된다. 레지스터를 형성하기 위하여, 관통공이 형성되기 전 또는 후에 전극이 저항체에 형성, 부착 또는 제공될 수 있다.

관통공을 갖는 레지스터는 종래의 레지스터에 비해 많은 장점을 제공한다. 관통공은 요구되는 저항률을 제공하기 위해 저항체의 저항값을 바꾸거나 조정할 수 있는 수단으로서 사용될 수 있다. 본 발명에 의한 레지스터는 인쇄배선판의 제조시에 매입식 레지스터로 사용하기에 특히 적합하다. 관통공은 에폭시 또는 폴리이미드 수지와 같은 유기 절연체의 관통류(through-flow)를 위한 장소를 제공한다. 이러한 절연체의 관통류는 매입식 저항체의 각 면에서 유기 절연층간의 접합을 용이하게 한다. 따라서, 절연층은 저항체의 관통공을 통해서 밀접하게 접촉하거나 서로 통하게 된다. 이렇게 밀접하게 접촉하거나 서로 통하게 되므로, 절연층 간에 접착력이 증가하여, 매입식 평판 레지스터의 영역에서 박리를 감소시키거나 제거시키게 된다.

본 발명에 의한 관통홀을 갖는 저항체는 레지스터, 특히 인쇄배선판 제조에 유용한 매입식 박막 레지스터를 제조하는데 적합하다. 박막 레지스터는 일반적으로4㎛ 또는 그 이하, 바람직하게는 2㎛ 또는 그 이하, 더욱 바람직하게는 1㎛ 또는 그 이하, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 또는 그 이하의 저항체 전체 두께를 갖는다.

일반적으로 레지스터는 한 쌍의 전극을 가지며, 각 전극은 저항체 부의 양단에 배치된다. 이러한 전극은 저항체 상에 직접 형성하거나, 하부에 위치하는 전도성 기판에 직접 형성하는 것과 같이 여러 가지 방법으로 제공될 수 있다. 예를 들면, 촉매처리된 영역에만 전극이 도포, 형성 또는 부착될 수 있도록, 전극을 수용하기 위한 저항체의 영역을 촉매처리할 수 있다. 또는, 전극을 수용하지 않는 영역을 레지스트와 같이 마스킹하여, 전극이 마스킹되지 않은 영역에만 도포, 형성 또는 부착될 수 있도록 할 수 있다.

전도성 폴리머 또는 금속과 같은 임의의 전도성 재질에 의해 적합한 전극이 형성될 수 있다. 상기 금속의 예는 구리, 금, 은, 니켈, 주석, 백금, 납, 알루미늄, 이들의 혼합물 및 이들의 합금을 포함하지만, 반드시 이에 한정되지는 않는다. 이러한 금속의 "혼합물"은 합금되지 않은 금속 혼합물 및 다층 전극에서와 같은 개별적인 금속으로 이루어지는 둘 또는 그 이상의 층을 포함한다. 다층 전극의 한 가지 예는 금층에 이은 구리 상에 형성된 은층 또는 니켈층을 갖는 구리이다. 이러한 전극들은 일반적으로 전도체의 도포에 의해 형성된다. 적절한 도포방법에는 무전해 도금, 전기분해 도금, 화학증착, CCVD, CACCVD, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 롤러코팅 등이 포함되나, 반드시 이에 한정되지는 않는다. 전도성 접착제가 전극을 형성하기 위해 사용된 경우, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 롤러코팅 등을 사용하는 것이 적절하다.

상술한 바와 같이, 저항체가 자체적으로 지지되지 않는 경우, 기판에 적용되는 것이 일반적이다. 전도성 기판이 한 쌍의 전극을 형성하기 위해 사용될 수 있는 것처럼, 전도성 기판은 특히 다음에 이어질 레지스터, 특히 박막 레지스터를 형성하는데 적합하다. 전도성 기판이 사용되는 경우, 전극 형성은 일반적으로 저항체 층 위에 레지스트 패턴을 형성하는데 사용되는 포토레지스트와, 레지스트에 의해 덮여지지 않은 영역에 위치하는 저항체를 저거하기 위한 적절한 식각액을 사용하는 것에 의해 달성된다. 금속/산화물 저항체 층에 있어서, 선택된 식각액은 저항체의 금속부분을 제거하기 위한 식각액이다. 일반적으로 이러한 식각액은 산 또는 구리에 대한 FeCl₃또는 CuCl₂와 같은 루이스산이다. 질산 및 다른 무기산(황산, 염산 및 인산)이 니켈 및 전도성 산화물뿐만 아니라 도포될 수 있는 다른 많은 금속들을 에칭하는데 사용될 수 있다.

비반응성으로 인해, 귀금속들은 인쇄회로기판을 생산하기 위한 많은 공정에서 요구되는 바와 같은 에칭이 어렵다. 왕수(aqua regia)는 인쇄회로기판 공정에서 금속, 특히 귀금속을 위한 적절한 식각액이다. 왕수는 잘 알려진 두 개의 산으로부터 만들어진다; 3부의 농축된(12M) 염산(HCl)과 1부의 농축된(16M) 질산(HNO₃). 따라서, 질산에 대한 염산의 몰비는 9:4이며, 이러한 비율과 다소 차이가 나는 비율, 즉 6:4 내지 12:4도 본 발명에 따른 에칭 목적에 적합할 수 있다. 부식성 및 제한된 보존기간으로 인해, 왕수는 상업적으로 판매되지 않지만, 사용하기 전에는 제조되어야 한다. 부식성을 줄이기 위해, 왕수는 약 3:1의 비율로 물에 의해 희석될 수있다. 반면에, 백금과 같은 귀금속은 구리를 에칭하기 위한 FeCl₃또는 CuCl₂와 같은 많은 수의 적합한 물질에 의해 에칭되지 않기 때문에, 본 발명에 따른 레지스터를 제조하는데 많은 수의 선택사항이 허용된다. 에칭 속도는 왕수의 농도 및 온도를 포함하는 몇 가지 요인에 의존한다. 일반적으로 왕수 에칭은 55 내지 60℃의 온도에서 수행되나, 이는 적용분야에 따라서 변경될 수 있다.

예를 들어, 배선 공정은 동박과 같은 전도성 박을 가지고 시작되는데, 그 위에 전기도금, CCVD 또는 CACCVD와 같은 방법에 의해 전기적 저항체 층이 도포된다. 그 후, 관통공이 저항체 또는 선택적으로 전도성 박에 상술한 방법 중 임의의 방법 의해 형성되어, 관통공을 갖는 저항체가 형성된다. 그 후, 포토레지스트 층이 양면, 즉 저항체 부 및 전도성 박에 적용된다. 저항체 층을 덮는 포토레지스트는 패턴을 갖는 화학 방사선(actinic radiation)에 노출되는 반면에, 전도성 박을 덮는 포토레지스트는 화학 방사선에 일률적으로 노출된다. 그 후, 포토레지스트가 현상되면, 저항체 층을 덮는 패턴을 갖는 포토레지스트 층과, 전도성 박을 보호하는 일률적으로 노출된 포토레지스트 층을 갖는 구조를 제공한다.

그 후, 저항체 층은 포토레지스트가 제거된 영역으로부터 선택적으로 에칭된다. 이어서, 남아있는 포토레지스트가 벗겨진다.

이어서, 폴리이미드, 에폭시, 유리-충전 폴리이미드, 또는 유리-충전 에폭시 프리프레그 등과 같은 유기물 박판이 저항체 면에 적용된다. 유기성 절연박판은 패턴을 갖는 저항체 층을 후속 공정으로부터 보호하며, 전도성 박 부분들이 저항체층의 반대면에서 제거될 때, 저항체 층의 패치(patch)들을 지지한다.

다음에, 포토레지스트 층이 전도성 박에 적용된다. 이는 패턴을 갖는 화학선 조사에 의해 형상이 만들어지며, 현상된다. 그 후, 전도성 박은 선택적으로 전도성 박을 에칭하나, 저항체 층은 에칭하지 않는 식각액으로 에칭된다. 포토레지스트를 벗기면, 에폭시, 유리-충전, 폴리이미드 등을 포함하지만 반드시 이에 한정되지 않는 B 단계의 절연체와 같은 유기 절연체에 매입될 수 있는 레지스터가 남게 된다.

상기 공정의 변형으로서, 선택적으로 전기적 저항체 층을 에칭하지만 전도성 박을 에칭하지 않거나 단지 부분적으로만 에칭하는 식각액이 사용되면, 전도성 박에 레지스트 층을 사용할 필요가 없다.

본 명세서에서 "에칭"을 언급하는 경우, 이 용어는 강력한 화학물질이 상기 층중에서 하나의 층의 재질을 녹이거나 제거하는 것, 예를 들어 질산이 니켈을 녹이는 것과 같이 본 기술분야에서 흔히 사용되는 것뿐만 아니라, 레이저 제거 및 접합을 제거하는 것과 같이 물리적인 제거도 의미하도록 사용된다. 이런 관점에서, 본 발명의 한 가지 특징에 따르면, 다른 물질이 첨가된 니켈 또는 백금과 같이 CCVD 또는 CACCVD에 의해 도포된 저항체는 다공성이다. 이러한 구멍들은 일 미크론 또는 그보다 작은 직경, 바람직하게는 50 나노미터 또는 그 이하(1000㎚=1㎛)의 직경을 갖는 매우 작은 크기일 것으로 생각된다. 그럼에도 불구하고, 이로 인해 액체 식각액이 전기적 저항체 층을 관통하여 확산될 수 있고, 물리적인 공정에서 저항체 층과 그 하부에 존재하는 층 사이의 접착을 파괴할 수 있게 한다. 예를 들어, 전도성 박 층이 구리이고, 저항체 층이 예를 들어 백금/실리카와 같은 다른 물질이 첨가된 백금 또는 Ni/PO₄와 같은 다른 물질이 첨가된 니켈이면, 황산동이 저항체 층의 노출된 부분을 제거하는데 사용될 수 있다. 황산동은 백금과 니켈을 용해시키지 못하지만, 저항체 층의 구멍들이 황산동이 하부에 존재하는 구리에 도달할 수 있게 한다. 구리의 작은 부분이 용해되고, 전기적 저항층의 노출된 부분이 물리적인 제거에 의해 제거된다. 이러한 물리적인 제거는 황산동이 하부에 존재하는 구리층을 상당한 정도까지 에칭하기 전에 발생한다.

만일 구리가 전도체 층이면, 때때로 상업적으로 사용가능한 산화된 동박을 사용하는 것이 유리하다. 산화 동박의 이점은 예를 들어 1/2%의 묽은 염산용액이 영가 구리를 녹이지 않고 구리 산화물을 용해한다는 것이다. 따라서, 전기적 저항체 층이 다공성이면, 묽은 염산용액이 이들을 통하여 확산되므로, 염산이 제거 에칭을 위해 사용될 수 있다. 구리 산화물의 표면을 용해시키면, 동박과 전기적 저항체 층간의 접착을 파괴하게 된다.

공정 수를 최소화하기 위해, 사용되는 포토레지스트는 메사추세츠주 말버러에 위치한 쉬플리 컴패니로부터 공급가능한 영구적 에칭 레지스트와 같이 그 자체가 재료에 매입될 수 있다. 그러면, 식각액이 전도체를 에칭하지 않거나 부분적으로만 에칭하는 경우, 양면에 대해 동시에 작업이 진행될 수 있다. 특히, 저항체 쪽 포토레지스트만이 매입될 필요가 있고, 전도성 면은 최종 공정단계로서 제거될 수 있다. 또한, 전도체 쪽에 사용되는 포토레지스트는 저항체 쪽의 포토레지스트를 제거하는데 사용되는 특정한 박리제로는 제거되지 않도록 선택될 수 있다. 일단 포토레지스트가 제거되면 언더컷된 재질이 제거하는 저항체의 특별한 언더커팅으로 인해 매입가능한 포토레지스트는 공차손실을 감소시킬 수 있다.

제거 기술에 의해 실질적으로 제거할 수 있기 위해서는, 저항체 층은 일반적으로 충분히, 전기적 저항층을 용해시키는 것이 아니라, 하부에 존재하는 물질을 충분히 용해하여 면간의 접착력을 손상시켜서 전기적 전도체를 약 2 내지 5분 안에 제거할 수 있는 식각액을 침투시킬 수 있어야 한다. 동시에, 이러한 식각액은 에칭 기간동안에는 예를 들어 동박과 같은 하부에 존재하는 재질을 실질적으로 손상시키지 않아야 하며, 이는 과도한 언더커팅 또는 기계적 강도의 손실(즉, 유용성을 감소시키는)을 초래할 수도 있다.

본 발명은 절연 기판, CCVD에 의해 본 발명에 따라 형성된 백금/실리카와 같은 관통홀을 갖는 저항체 층, 및 구리와 같은 전도성 층을 포함하는 삼층구조를 제공한다. 일 실시예에서, 관통홀을 갖는 저항체 패치와 전기적 접속 전도성 패치(즉, 전극) 모두가 포토이미징 기술에 의해 형성된다.

상기 삼층구조는 포토이미징 기술을 사용하여 두 가지의 2단계 절차 중 하나에 의해 패턴이 부여될 수 있다. 한 가지 방법으로서, 전도체 층은 포토이미징 기술에 의해 패턴이 부여된 레지스트로 덮일 수 있으며, 레지스트의 노출된 영역에, 전도체 층과 하부에 존재하는 저항체 층이 예를 들어 왕수에 의한 에칭으로 제거되어, 패턴이 부여된 구조를 갖는 저항체 패치(및 패턴이 부여된 전도체 패치 또는 전극)를 갖는 구조가 제공된다. 다음에, 두 번째 포토레지스트가 적용되고, 포토이미징되며, 현상된다. 이번에는, 전도성 층을 선택적으로 에칭하고, 저항체 패치는에칭하지 않는, 즉 전도체 층으로 구리가 사용되고, 전기적 저항체로서 백금/실리카가 사용된 경우의 FeCl₃또는 CuCl₂와 같은 식각액에 의해 전도체 패치의 노출된 부분만이 에칭으로 제거된다. 다른 방법으로는, 패턴이 부여된 레지스트 층이 형성되고, 전도체 층의 노출된 부분이 예를 들어 FeCl₃에 의한 에칭으로 제거되며, 패턴이 부여된 별도의 레지스트 층이 형성되고, 그 후 저항체 층의 노출된 부분이 왕수에 의한 에칭으로 제거되어 전기적 접점을 형성한다. 어느 방법으로도, 별개의 얇은 층의 레지스터가 통상적인 인쇄된 전기회로 제조분야에서 널리 알려진 포토이미징 기술에 의해 형성된다.

따라서, 본 발명은 저항체와 한 쌍의 전극을 갖는 레지스터를 제공하며, 각 전극은 저항체의 양단에 배치되고, 저항체는 복수의 관통공을 갖는다. 본 발명에 의한 레지스터가 인쇄회로기판 소자의 표면에 위치할 수도 있지만, 대부분의 경우에 레지스터는 다층 인쇄회로기판 내부에 매입될 것이며, 예를 들어, 폴리이미드와 같은 유기 절연기판상에 형성된 레지스터는 에폭시 또는 유리-충전 에폭시 프리프레그 재질과 같은 추가적으로 매입되는 유기 절연체 층 내에 매입된다.

본 발명에 의한 관통공을 갖는 저항체를 포함하는 레지스터는 전자 장치의 제조시에 사용될 수 있으며, 특히, 절연체에 매입되는 레지스터로서 사용가능하다. 따라서, 본 발명은 저항체와 한 쌍의 전극을 갖는 레지스터를 포함하는 전자 장치를 제공하며, 각 전극은 저항체의 양단에 배치되고, 저항체는 복수의 관통공을 갖는다.

특히, 본 발명에 의한 레지스터는 인쇄배선판의 제조시에 절연체 내에 매입하기에 적합하다. 따라서, 본 발명은 또한 저항체와 한 쌍의 전극을 갖는 레지스터를 포함하는 인쇄배선판을 포함하는 전자 장치를 제공하며, 각 전극은 저항체의 양단에 배치되고, 저항체는 복수의 관통공을 갖는다. 또한, 본 발명에 의하면 레지스터를 포함하는 전자 장치가 제공되는데, 상기 레지스터는 한 쌍의 전극을 포함하며, 각 전극은 저항체의 양단에 배치되고, 저항체는 원형, 사다리꼴, 다각형, 정사각형, 사각형, 타원형 및 이들의 혼합 중에서 선택된 형태의 관통공을 갖는다. 또한, 본 발명은 복수의 관통공을 갖는 저항체를 갖는 레지스터를 인홰배선판 기판에 적용한 후, 상기 레지스터 위에 유기 절연체 층을 적용하는 단계를 포함하는 인쇄배선판의 제조방법을 제공한다. 바람직하게는, 상기 레지스터는 인쇄배선판 기판면에 위치하는 제1절연체 적용되는 것이 좋다.

본 발명은 또한 저항체에 관통공을 형성하는 단계를 포함하는 저항체 층의 저항률을 변경하는 방법을 제공한다. 그러한 관통공은 상술된 방법 중 임의의 방법에 의해 형성된다.

본 발명에 의한 관통공을 갖는 레지스터는 종래의 레지스터에 비해 많은 장점을 제공한다. 관통공은 요구되는 저항률을 제공하기 위해 저항체의 저항값을 바꾸거나 조정할 수 있는 수단으로서 사용될 수 있다. 본 발명에 의한 레지스터는 인쇄배선판의 제조시에 매입식 레지스터로 사용하기에 특히 적합하다. 관통공은 에폭시 또는 폴리이미드 수지와 같은 유기 절연체의 관통류(through-flow)를 위한 장소를 제공한다. 이러한 절연체의 관통류는 매입식 저항체의 각 면에서 유기 절연층간의 접합을 용이하게 한다. 따라서, 절연층은 저항체의 관통공을 통해서 밀접하게 접촉하거나 서로 통하게 된다. 이렇게 밀접하게 접촉하거나 서로 통하게 되므로, 절연층 간에 접착력이 증가하여, 매입식 평판 레지스터의 영역에서 박리를 감소시키거나 제거시키게 된다.

Claims

저항체와 한 쌍의 전극을 갖는 레지스터로서, 각 전극은 저항체의 양단에 배치되고, 상기 저항체는 복수의 관통공을 갖는 레지스터.
제1항에 있어서,

상기 관통공은 원형, 사다리꼴, 다각형, 정사각형, 사각형, 타원형 및 이들의 혼합으로 구성되는 그룹 중에서 선택되는 레지스터.
제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 전극은 구리, 금, 은, 니켈, 주석, 백금, 납, 알루미늄 및 이들의 혼합물 및 이들의 합금으로 이루어지는 그룹 중에서 선택되는 레지스터.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 저항체는 전도체와 절연체의 혼합물을 포함하는 레지스터.
제4항에 있어서,

상기 저항체는 0.1 내지 20wt%의 절연체를 포함하는 레지스터.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 저항체는 니켈계 또는 백금계 재질을 포함하는 레지스터.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 레지스터를 포함하는 인쇄배선판.
제7항에 따른 인쇄배선판을 포함하는 전자 장치.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 레지스터를 인쇄배선판에 적용하고; 그 후 유기 절연체 층을 상기 레지스터에 적용하는 단계를 포함하는 인쇄배선판의 제조방법.
저항체에 관통공을 제공하는 단계를 포함하는 저항체 층의 저항률을 변경하는 방법.