KR20020081236A - 실리카 도가니 제조를 위한 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 바닥벽부 및 측벽부를 가지면서 그 안의 중공 공간을 한정하는 중공 몰드를 포함하는 석영 도가니의 제조장치에 관한 것이다. 상기 몰드의 벽은 그를 통한 기체 통과를 용이하게 하기 위한 다수의 개구를 포함한다. 상기 몰드의 회전가능한 지지체가 수직 축 주위로 몰드를 회전시키도록 제공된다. 진공이 상기 벽들에 대해 석영 입자를 드로잉하고 기체를 제거하기 위해 상기 몰드의 벽을 통해 적용된다. 보호판은 중공 몰드의 적어도 일부를 감싸고, 상기 보호판과 상기 몰드 사이의 공간으로 기체를 제공하도록 위치된 하나 이상의 기체 유입구가 존재한다. 하우징은 보호판과 중공 몰드의 적어도 일부를 오버랩한다. 하나 이상의 기체 유출구가 보호판과 몰드 사이의 공간을 빠져나갈 수 있는 기체를 배출시키도록 배치된다. 선택적으로, 또는 상기 유출구에 덧붙여서, 하우징(후드)과 보호판 사이에 공간이 제공되어 기체 방출을 용이하게 할 수 있다. 이러한 장치중에 도가니를 제조할 때, 기체 유동으로 조절 기체의 유입률이 유출구 또는 공간을 통해 조절된 분위기로부터의 배출 속도보다 과량이 되도록 균형을 맞출 수 있다.

Description

실리카 도가니 제조를 위한 장치{APPARATUS FOR SILICA CRUCIBLE MANUFACTURE}

실리콘 결정의 제조시, 크조크랄스키(Czochralski) 방법을 종종 사용하는데, 이때 먼저 다결정성 실리콘을 석영 도가니 안에서 용융시킨다. 다결정성 실리콘이 용융된 후, 상기 용융물 안에 씨드 결정을 담그고 후속적으로 상기 도가니를 회전시키면서 추출하여 단결정 실리콘 주괴(ingot)를 형성한다.

특히 반도체 산업을 위해 단결정 실리콘을 제조하는데 사용된 도가니는 불순물을 필수적으로 함유하지 않는 것이 중요하다. 또한, 상기 석영 도가니는 내포된 기포 및 기타 구조적 결함을 다량으로 함유하지 않는 것이 바람직하다.

따라서, 낮은 기포 함량 및/또는 실리콘 결정 성장에 부정적인 영향을 거의 또는 전혀 미치지 않는 기체 함유 기포를 갖는 실리카 도가니를 형성하는 방법을상용화하는 것이 매우 바람직하다.

전통적으로, 이러한 도가니를 제조하기 위해 원료 물질 석영을, 측부 및 바닥에 기체 투과성 벽 영역을 갖는 회전 중공 몰드에 도입하였다. 원료 석영 물질을 도입한 후, 열 공급원을 상기 몰드에 도입하여 상기 석영을 용융시킨다. 가열중에, 진공을 회전 몰드의 외부에 도입하여 틈새 기체를 빨아낸다. 이러한 방법이 기포 함량을 감소시키기는 하지만, 그럼에도 불구하고 기포는 여전히 남아있다. 게다가, 분위기를 조절하기 위한 시도가 이루어졌지만, 석영 도가니 제조를 위한 특유의 요건을 적절히 만족시킬 만한 만족스러운 장치는 존재하지 않는다.

따라서, 낮은 기포 함량 및/또는 다결정성 용융물 및 드로잉된 결정에 유해한 영향을 거의 미치지 않는 기체 함유 기포를 갖는 도가니를 위한 필요성이 반도체 산업분야에서 여전히 존재한다. 이는 기포의 수를 감소시키고 상기 기포 안에 붙잡힌 기체의 조성을 조절하여 결정 성장에 미치는 영향을 감소시킴으로써 달성될 수 있다. 게다가, 상기 기포중 기체의 조성은 상기 포함된 기체가 실리콘 용융물중 매우 가용성이 되도록 또는 상기 용융물로부터 전개되도록 조절될 수 있다. 이러한 목적을 달성하기 위한 한가지 중요한 요건은 감소된 기포의 수 및 조절된 기포 기체 조성을 갖는 도가니의 제조를 용이하게 하는 도가니 제조장치를 사용하는 것이다.

발명의 요약

본 발명의 예시적인 실시태양에 따르면, 석영 도가니의 제조장치가 제공된다. 상기 장치는 중공 공간을 한정하는 바닥벽부 및 측벽부를 갖는 중공 몰드를 포함한다. 상기 벽들은 진공하에 몰드의 벽을 통해 기체의 드로잉을 용이하게 하는 다수의 경로를 포함한다. 이러한 특징에 의해, 상기 벽들에 대해 석영 입자는 드로잉되고 기체는 제거된다.

상기 몰드를 위한 회전가능한 지지체가 또한 제공되어 수직축 주위로 상기 몰드를 용이하게 회전시킬 수 있다. 이러한 특징은 또한 원심력을 통해 상기 몰드의 벽에 상기 석영 모래를 보유할 수 있게 도와준다.

보호판이 중공 몰드의 적어도 일부를 감싸고, 상기 보호판과 몰드 사이의 공간에 기체를 공급하기 위한 하나 이상의 기체 유입구가 제공된다. 일반적으로, 상기 보호판은 상기 몰드의 외부 바닥 벽과 측벽, 및 상기 중공 몰드의 상부의 외부 둘레를 감싼다.

하우징, 또는 후드가 상기 보호판과 상기 몰드의 적어도 일부를 감싸는데, 상기 하우징은 기체를 배기하기 위해 위치된 하나 이상의 기체 유출구를 갖는다. 바람직하게는, 상기 하우징은 a) 주변 분위기로부터 밀봉되거나 또는 b) 환경으로의 요구되는 유동을 유지함으로써 외측 공기에 대한 양의 압력을 유지하기에 충분히 가까운 허용도로 생성된(예를 들면, 후드) 도가니 형성 환경을 구축할 것이다. 이로써 밖으로 유동하는 조절 기체는 있어도, 하우징 안으로 유동해서 들어오는 주변 분위기는 전혀 없다.

바람직하게는, 압축된 공기 공급원이 진공 시스템과 연결되도록 제공되어 몰드중 개구를 역압에 노출시켜 용융 및 소결 후 도가니를 배출시킬 수 있다.

바람직하게는, 회전 진공 연결 조인트를 사용하여 진공 라인을 중공 몰드에 연결하여 상기 몰드의 회전을 허용한다.

본 발명은 석영(또는 실리카라 칭함) 도가니에 관한 것이고, 더욱 구체적으로는 단결정 실리콘 제품을 성장시키기 위한 반도체 산업에 사용되는 용융 석영 도가니를 제조하기 위한 장치에 관한 것이다.

도 1은 본 발명에 따른 도가니를 제조하기 위한 장치의 개략도이다.

용융 석영 도가니는 크조크랄스키 방법에 따라 다결정성 실리콘으로부터 단결정성 실리콘 주괴를 성장시키기 위한 반도체 산업에 사용된다. 상기 방법을 수행할 때, 다결정성 실리콘을 석영 도가니 안에 놓고 약 1500EC에서 용융시킨다. 생성된 용융물을 씨드 결정과 접촉시킨다. 인발됨에 따라, 단결정 실리콘 주괴가 성장한다.

주괴 성장중에, 용융된 실리콘은 용융된 석영 도가니와 반응하고 도가니 벽의 일부를 용해시킨다. 용해되는 상기 도가니 벽이 기포를 함유하면, 상기 용해 방법은 상기 기포를 둘러싸는 물질이 분획화되도록 할 수 있다. 그렇게 하는 동안, 용융된 석영의 분획의 미세 조각을 이형시킬 수 있다. 부서져 나간 분획은 여러개의 성장 자리를 유발하고 상기 결정 성장 방법의 평형을 깨뜨려서 결정 성장 수율을 제한한다. 또한, 상기 기포 안에 함유된 임의의 기체가 상기 드로잉된 실리콘중 용해되거나, 또는 가용성이라면 그 안에 비말동반될 수 있다. 따라서, 도가니 기포의 양, 크기 및 기체 함량을 조절하는 것이 바람직하다.

상기 도가니 자체는 석영 모래를 회전 흑연 포트 안에 위치시킴으로써 형성된다. 원심력에 의해 상기 모래가 상기 포트의 측벽에 거의 가깝게 넥킹되어 그룻의 형상에 순응된다. 전기 아크가 열을 공급하여 상기 모래를 용융시킨다. 상기 아크가 삽입될 때, 상기 아크에서의 온도는 약 6000 EC이고, 상기 벽에서의 온도는 약 2000EC이다. 흑연 포트의 바닥에 있는 일련의 개구가 진공을 공급하여 상기 모래로부터 잔존 기체를 제거한다.

상기 모래 입자들 사이의 모든 기체가 상기 진공에 의해 제거되지는 않는다. 게다가, 상기 모래 입자들 사이의 공간은 허용가능한 진공 수준에서조차도 약간의 잔류 기체를 보유할 것이다. 또한, 상기 모래 입자는 일반적으로 함께 신속하게 용융되어 기체들을 공극안에 잡아둔다. 상기 기체는 대략 주변 분위기의 조성과 유사하다. 종래에는, 주변 분위기의 열등한 조절이 용융 방법중에 유지되었다. 유사하게는, 초기의 도가니 형성 장치는 주변 분위기의 효율적인 모니터링 및 변형을 허용하지 않았다.

바람직하지 않은 기체를 감소된 양으로 포함하는 분위기중에서 도가니를 용융시킴으로써, 많은 기포를 감소시킬 수 있고 상기 도가니 공극중 형성하는 기포는 바람직하지 않은 기체를 감소된 함량으로 가질 수 있다. 따라서, 더욱 적은 수의 더욱 작은 기포가 상기 도가니가 결정 성장중에 용해됨에 따라 상기 용융물로 방출될 때, 상기 바람직하지 않은 기체에 의해 야기된 결정중 공극 결함이 최소화되거나 없어진다. 본 발명에 따라, 도가니 용융 분위기를 조절하기 위해서는, 상기 도가니 용융 방법을 유리하게 그리고 경제적으로 조절하기 위해 특정 장치가 필요하다는 것을 발견하였다.

도 1을 참조하면, 석영 도가니를 제조하기 위한 장치(10)가 도시되어 있다. 장치(10)는 용융 분위기(12)를 포함한다. 회전가능한 몰드(14)에는 회전 축(16)이 장착되어 있다. 회전 축(16)은 바람직하게는 속이 비었거나 다르게는 몰드(14)와 연통된 진공 라인이 장착되어 있어 몰드(14)의 벽을 통해 용융 분위기(12)를 쉽게 드로잉할 수 있다. 또한, 몰드(14)에는 통로(도시되지 않음)가 제공되어 있지만 일반적으로 화살표(15)로 표시한다. 몰드(14)에서, 도가니(20)를 형성하기 위한 공동(18)이 있다. 몰드(14)는 회전하고 열 공급원(22 및 24)(전기 아크)은 몰드(14) 안에서 고온 분위기를 생성한다. 석영 분말이 몰드(14) 위에 배치된 공급물(도시되지 않음)을 통해 공동(18)에 공급된다. 석영 분말은 몰드(14)의 내면상에 배치되고 열 공급원(22 및 24)으로부터의 열에 의해 용융되어 도가니(20)를 형성한다.

상기 몰드(14)에는 통상적인 유형의 냉각 메카니즘이 제공될 수 있다. 몰드(14)의 구성 및 크기는 대략 생성될 도가니의 구성 및 크기에 따라 결정될 수 있다. 상기 몰드(14)는 만족스러운 내열성 및 기계적 강도를 갖는 물질로 제조된다.

상기 몰드(14) 안의 용융 기체 분위기(12)는 고도로 조절된다. 특히, 몰드(14)의 바닥 및 측면을 감싸는 보호판(26)이 제공된다. 또한, 보호판(26)은 숄더(28)를 포함하는데, 상기 숄더(28)는 유입 도관(30,32)을 통해 들어가는 기체를 분위기(12)로 직접 보내준다.

보호판(26) 자체는 하우징(34)에 의해 부분적으로 감싸진다. 하우징(34)은 보호판(26)으로 기체 조임(또는 적어도 양의 압력) 밀봉(36)을 형성하여 조절된 분위기(38)를 설정한다. 하우징(34)은 또한 배기구(40)를 포함한다. 숄더(28)로부터 및 분위기(38)로부터 직접 이동된 기체는 몰드(14)로 유입되어 요구되는 용융 분위기(12)를 형성할 수 있다. 상기 기체가 분위기(12)로 직접 주입되지 않는 것이 유리한데, 이렇게 하면 개발 도가니의 가열 전류 및/또는 벽에 부정적인 영향을 미칠 수 있다.

상기 보호판에 일련의 기체 유입관을 제공함으로써, 바람직하게는 바닥 가장자리에서 둘레로 적어도 실질적으로 밀봉된 회전 포트 둘레에 원통형 보호체를 제공함으로써, 적절한 기체 분위기가 구상될 수 있다. 상기 기체는 유입관으로 들어오고 원통형 보호체와 회전 몰드 사이의 공간으로 들어간다. 상기 공간은 고압상태가 되어 상기 기체가 감소된 속도로 들어오게 한다.

게다가, 기체는 포트의 상부 가장자리를 향해 그리고 도가니의 열린 입구를 향해 가면서 상대적으로 느리게 유동할 수 있다. 높은 체적 유속을 갖되 낮은 선 속도를 갖는 것이 바람직하다. 게다가, 고속 제트와 같은 유동은 고성능 전기 아크 안에서 그 둘레로 정상 유동 패턴을 방해할 수 있다. 그럼에도 불구하고, 몰드의 상부상의 체적 안으로의 유동은 바람직하게는 동일한 체적으로부터의 모든 외부 유동의 합계보다 크다.

기체 선택은 비제한적으로 헬륨, 수소, 산소, 질소, 네온, 아르곤, 크립톤, 크세논을 포함하고, 덜 바람직하게는 불소, 염소, 브롬, 라돈, 일산화탄소, 이산화탄소 및 수증기를 포함한다. 상기 선택은 또한 상기 혼합물에 제한되지 않고, 헬륨 + 산소, 헬륨 + 질소, 질소 + 산소, 헬륨 + 네온과 같은 2성분 혼합물, 헬륨 + 산소 + 질소, 네온 + 산소 + 질소와 같은 3성분 혼합물을 포함한다.

모래 베드 뒤에 진공 시스템이 존재한다는 사실로 인해 포트 안에 음의 압력이 유발된다. 조절 기체는 포트 안으로 끌어 내려지고 모래 베드를 통해 포트 안에 음의 압력을 유발시킨다. 진공은 바람직하게는 75,000 Pa 미만, 더욱 바람직하게는 15,000 Pa 미만, 가장 바람직하게는 5,000 Pa 미만이다.

이러한 영역으로부터 모든 유출량은 유입량이 모든 유출량보다 크도록 조절되는 것이 바람직하다. 상기 영역은 양의 압력이 되고 따라서 요구되는 기체 화학양론적 양의 조절된 체적을 더욱 많이 설정할 수 있다. 모래 베드를 통과하면, 상기 흑연 몰드 안으로 배기되어 진공 라인이 진공 펌프를 향해 끌어 내려진다.

용융 포트 배기의 진공 펌프측 바로 위의 파이핑은 기체 조성을 모니터하기에 바람직한 위치를 만든다. 예를 들면, 기체 분광계를 이 위치에서 사용할 수 있다. 게다가, 상기 위치에서, 실제로 모래 베드를 통해 끌어당겨진 기체 조성이 모니터될 수 있다. 조절 기체가 상기 모래 베드 안으로 들어옴에 따라, 정상 주변 공기를 대체하기 시작하고 공기와 상이한 기체가 사용되면 공기 조성으로부터 선택된 기체 조성까지 구배적 변화가 모니터링될 수 있다. 이러한 분위기 전환은 진공 펌핑 속도, 원료 유속 및 기타 유속에 따라 몇분에서 몇십분까지 임의의 지점에서 일어날 수 있다. 모든 인자가 만족될 때, 예를 들면 순수한 질소는 약 1 내지 1.5분안에 공기를 대체할 수 있고, 정상 공기의 나머지는 약 2 내지 3분 안에 남아 있는 것의 10% 미만 내지 2% 미만일 수 있다. 상기 조절된 분위기로부터 기체가 모래 베드를 통해 안으로 들어가기 때문에, 당업자는 모래 입자들 사이의 틈 안에 있는 기체를, 모래 베드 안에서 기체로의 공급물인 조절된 공기 체적 이상으로 조절함으로써 조절할 수 있다.

바람직하게는, 모든 관련 유입량 및 유출량이 균형을 맞춘다. 또한, 유입 기체 유동량은 바람직하게는 진공 펌핑 유속과 후드 배기 속도보다 과량이다. 이로써 상기 포트 개구 위에서 요구되는 조절 기체의 바람직한 양의 압력 영역이 설정된다.

바람직하게는, 잘 밀봉된 후드 구성을 용융 포트 위에 사용한다. 잘 밀봉되지 않은 후드는 조절된 분위기로의 훨씬 느린 전이를 나타내고 동일한 최종 값에 도달하지는 않는다.

일단 요구되는 수준의 분위기 조절이 이루어지면, 상기 아크가 점화되고 전원이 상기 아크에 공급되어 모래 베드가 가열되어 용융되기 시작한다. 일단 모래 베드의 내면이 용융되기 시작하면, 연속적인 기체 유동에 대해 밀봉되기 시작한다.

또한, 본 발명의 장치는 상기 도가니의 내면상에 증기 침적의 패치를 감소시킨다. 또한, 제트를 통한 분위기 조절 기체를 미리 사용하면 증기 스폿을 형성함으로써 형성 도가니의 표면이 붕괴하였다. 기체 공간 한정 및 비교적 저속의 기체 유동을 제공함으로써 본 장치는 증기 스폿을 감소시킨다.

상기 아크 효과에 덧붙여, 기체의 확산 능력은 높은 확산성을 갖도록 공지된 기체를 피킹함으로써 조절될 수 있다. 이는 특정 목표 영역에서 상기 도가니의 기포 밀도를 감소시킬 때 진공계를 더욱 효과적으로 만들 수 있다.

용융 분위기를 조절함으로써, 적어도 하기 장점이 수득된다.

1. 공기 온도 및 습도에서 주기적인 변화를 제거할 수 있다.

2. 전기 아크를 적절히 유지할 수 있다. 존재하는 기체의 플라즈마 화학이 선택될 수 있다. 질소, 또는 대부분의 질소는 아크를 억제하는 것으로 공지되어 있다. 아르곤 또는 헬륨 등의 기타 기체는 그 낮은 제 1 이온화 포텐셜에 의해 아크 안정성을 증진시킨다. 따라서, 상기 아크 분위기는 필요에 따라 신속하게 조절될 수 있다.

3. 기체 혼합물의 이동성(확산성)이 선택될 수 있다. 기체가 다공성 모래 베드를 통해 당겨지기 때문에, 상기 모래 베드를 통해 더 높은 이동성을 갖는 기체가 임의의 소정의 조건 설정에 대해 낮은 기포 밀도 및 아마도 더 적은 기포 크기(체적)를 갖는 용융 베드를 생성하기 쉽다. 고도의 이동성 기체는 덜 이동성인 기체하에 용융으로부터 갖게 되는 것보다 더 적고 작은 기포를 갖는 용융 석영을 산출해야 한다. 예를 들면, 헬륨을 선택함으로써, 기체가 통상의 공기보다 훨씬 높은 확산성을 갖도록 할 수 있다.

4. 상기 기체의 산화 포텐셜은 화학량론에 의해 선택될 수 있다. 따라서, 산소 존재량은 기체상이 다소 산화되도록 조절될 수 있다. 이는 모래 입자 안에 또는 그 위에 유기 기체 형성제로부터 오는 기체 구조의 일부에 상당한 영향을 미칠 수 있다. 이는 또한 전극 소모율 및 도가니 표면의 산화에 영향을 미칠 수 있다.

5. 상기 기체 또는 혼합 기체는, 선택된 분위기가 생성되는 성장된 실리콘 결정 안의 임의의 미세 결함에 대해 최적이 되도록 하는 소비자의 요구 및/또는 요건을 만족시키도록 선택될 수 있다. 예를 들면, 도가니는 질소가 제거되도록 만들어질 수 있다. 실리콘 용융물을 갖는 결정 풀링 시스템이 실리콘 니트라이드 또는 실리콘 옥시니트라이드를 형성하고, 이것이 성장 실리콘 결정 안으로 도입될 것을 인식한다면, 니트라이드 또는 옥시니트라이드를 전혀 사용하지 않고 결정을 제조하는 것이 결정 풀링 및 결정 생성물에 유리하다.

도가니(22" 및 24")를 아르곤을 거의 포함하지 않는 N₂+ O₂의 조절된 분위기 하에 도 1의 장치 안에서 제조하였다. 도가니(22")를 질소 + 산소 혼합물(아르콘 없음)하에 제조하고 시험 22" 도가니에 대해 0.352 내지 0.014의 아르곤 잔류 분율이 달성되었다. 잔류 분율이란, 시험편에 대한 기체 환경중 아르곤 양 대 정상 공기 환경중 아르곤 양과 관련된 분율이다. 도가니(24")를 아르곤이 거의 또는 전혀 존재하지 않는 동일한 질소 + 산소 혼합물하에 제조하였고, 아르곤 잔류 분율을 측정하였다. 0.117 내지 0.011의 아르곤 잔류 분율이 계산되었다. 헬륨하에 시험 도가니를 또한 제조하였고, 이는 헬륨의 존재가 도가니의 내면 체적중 기포의 크기가 감소되도록 한다는 것을 나타낸다. 이들 시험 도가니로부터의 샘플 조각은 크조크랄스키 결정 풀링을 시뮬레이팅하도록 진공 밀봉되었고, 기포는 정상적으로 포획된 공기를 함유하는 기포보다 크기면에서 훨씬 적은 성장을 나타냈다는 것을 발견하였다.

본 발명을 바람직한 실시태양을 참고로 기술하였다. 물론, 당업자들은 본 명세서를 읽고 이해하면서 변형 및 변화를 시도할 수 있을 것이다. 첨부된 특허청구범위 또는 그의 등가물의 범주 안에 포함되는 한, 이러한 모든 변형 및 변화를 본원에서 포함하고자 한다.

Claims (14)

1. 기체 통과를 용이하게 하기 위한 다수의 개구를 포함하는 바닥벽부 및 측벽부를 갖고, 내부의 중공 공간을 한정하는 중공 몰드(14);

   수직축 둘레로 상기 몰드(14)를 회전시키기 위한 상기 몰드(14)의 회전가능한 지지체;

   상기 중공 몰드(14)의 벽 및 바닥을 통해 적용되어 상기 벽에 대해 석영 입자를 드로잉하고 기체를 제거하기 위한 진공;

   상기 중공 몰드(14)의 적어도 일부를 감싸는 보호판(26);

   상기 보호판(26)과 상기 중공 몰드(14) 사이의 공간으로 기체를 제공하도록 위치된 하나 이상의 기체 유입구;

   상기 보호판(26)과 상기 중공 몰드(14)의 적어도 일부를 둘러싸는 하우징; 및

   상기 보호판(26)과 상기 몰드(14) 사이의 공간을 빠져나갈 수 있는 기체를 배기시키기 위해 위치된 하나 이상의 기체 유출구를 포함하는, 석영 도가니의 제조장치(10).
2. 제 1 항에 있어서,

   용융 및 소결 후 도가니(20)를 배출시킬 수 있도록 상기 몰드(14)의 개구와 연결된 압축 공기 공급원을 추가로 포함하는 장치(10).
3. 제 1 항에 있어서,

   진공 라인을 중공 몰드(14)에 연결시키기 위해 회전 진공 연결 조인트를 포함하는 장치(10).
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 진공이 75,000 Pa 미만인 장치(10).
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 진공이 15,000 Pa 미만인 장치(10).
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 진공이 5,000 Pa 미만인 장치(10).
7. 제 1 항에 있어서,

   진공 라인과 연통된 기체 조성 분석 장치를 포함하는 장치(10).
8. 제 1 항에 있어서,

   상기 보호판(26)이 상기 중공 몰드(14)의 외부 바닥 및 측벽 및 상부의 외부 둘레를 감싸는 장치(10).
9. 제 1 항에 있어서,

   하나 이상의 전기 가열 부재를 추가로 포함하는 장치(10).
10. 제 1 항에 있어서,

    상기 하우징이 보호판(26)과 함께 기체 밀봉(36)을 형성하는 장치(10).
11. 제 1 항에 있어서,

    상기 하우징이 후드를 포함하는 장치(10).
12. 제 11 항에 있어서,

    상기 후드가 외측 분위기에 비해 양의 압력 조절 분위기(38)를 용이하게 설정하기 위해 상기 보호판(26)에 충분히 가깝게 근접해 있는 장치(10).
13. 제 1 항에 있어서,

    상기 하나 이상의 기체 유출구가 상기 하우징내의 덕트를 포함하는 장치(10).
14. 제 12 항에 있어서,

    상기 하나 이상의 기체 유출구가 상기 후드와 상기 보호판(26) 사이의 공간을 포함하는 장치(10).