JPS6144791A - シリコン単結晶引上装置の炭素ルツボ - Google Patents

シリコン単結晶引上装置の炭素ルツボ

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JPS6144791A
JPS6144791A JP16684284A JP16684284A JPS6144791A JP S6144791 A JPS6144791 A JP S6144791A JP 16684284 A JP16684284 A JP 16684284A JP 16684284 A JP16684284 A JP 16684284A JP S6144791 A JPS6144791 A JP S6144791A
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JP
Japan
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carbon
crucible
single crystal
silicon single
carbon crucible
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Mitsuhiro Yamato
充博 大和
Nagateru Uyama
宇山　長輝
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Coorstek KK
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Toshiba Ceramics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はシリコン単結晶の引上装置の炭素ルツボに関す
るものである。
〔従来の技術〕
従来シリコン単結晶は主にチョコラルスキー法（ＣＺ法
）によって製造されている。この方法は石英ルツが内に
シリコン多結晶原料を入れ、周囲から加熱して該シリコ
ン多結晶を溶融させ、その溶融物を種結晶により上方に
引上け、シリコン単結晶をつくるものである。
例えば第１図に示すように、チャンバー１内に炭素ヒー
ター２を設置するとともに、その内側には炭素ルツボ３
と石英ルツボ４があシ、石英ルツボ４の中にシリコン多
結晶を入れて溶融し、その溶融物５を種結晶によシ上方
に引上け、シリコン単結晶６をつくっているものである
。
この際シリコン単結晶に不純物が含まれるのを防止する
ためにチャンバー１内にアルゴン等の不活性ガスを上方
よシ供給し、下方より引出す方法がとられている。
このようにチャンバー１内にアルゴン等の不活性ガスを
導入することによシリコン多結晶をつくっていた。
また、公知の方法として炭素ルツボのシリコン溶融面以
上の部分において、その周辺にそって複数個の貫通孔を
設けて引上速度を増大させて生産量を増加させ、かつ引
上装置の消費電力を減少させるものが知られているが、
このものはシリコン溶融面以上の部分に孔を穿孔したも
ので、シリコン単結晶の冷却効果を目的とするものであ
る。
〔発明の解決しようとする問題点〕
本発明はシリコン単結晶の冷却効果を目的とするもので
なく、石英ルツぎのサセプターとして使用している炭素
ルツボの炭素が、石英ルツがの５ｉ０２の０２と化学反
応を起して一部がＣＯガスとなって、シリコン融液中に
混入してシリコン単結晶中に炭素が数ｐｐｍ含まれると
いう欠陥を防止するものである。
Ｃ問題点を解決するための手段〕 本発明を図面について説明する。
第２図において２は炭素ヒーターであり、その内側に炭
素ルツボ３と石英ルン？４があるは従来のものと同じ、
炭素ルッぎ３のＣと石英ルッが４の５ｉＱ２とが化学反
応即ち、５ｉ０２の０２が遊離して ２Ｃ＋　５ｉ０２　＝　Ｓｉ　＋　２ＣＯとなり、この
ＣＯガスがシリコン融液に混入し、シリコン単結晶中に
炭１ｇが数ｐｐｍ含まれる。この炭素がシリコン単結晶
の欠陥を発生するものである。
そこで、上方から下方部にアルゴンのような不活性ガス
が流れているので、この不活性ガスを利用して排出する
方法を考えたもので、ヒーター２の側壁を流れるアルゴ
ン等の不活性ガス流に炭素と石英間で反応するＣＯガス
をのせて強制的に炉外へ排出するために、炭素ルツボ３
に小孔７を穿孔し、該小孔７は炭素ルツボ３の内側から
外側に向けて稍下向きのテーパをつける。
また、該小孔７け炭素ルツボの下方部の周壁に複数個設
けるのがよい。
〔作用〕
本発明は複数個の小孔を炭素ルツがの下方部に設けたこ
とにより、石英ルツボ４と炭素ルツボ３との間を流れる
アルゴン流によシＣＯガスをチャンバー１外に排出する
もので、シリコン単結晶中に炭素を混入しない。
また本発明の小孔は、炭素ルツボ３の側壁の内側から外
側圧下向きのテーパをつけて、１）、アルゴン流の流れ
をスムースにしであるので効果的に排出できるものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のシリコン単結晶の引上装置の断面図、第
２図は本発明の要部の断面図である。 ２・・・炭素ヒーター　　　３・・・炭素ルツが４・・
・石英ルツボ　　　　７・・・小孔第１図 第２図 ム

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 炭素ルツボの下方部に複数個の小孔を穿孔し、該小孔を
    内側から外側に下向きにテーパーをつけたことを特徴と
    するシリコン単結晶引上装置の炭素ルツボ。
JP16684284A 1984-08-09 1984-08-09 シリコン単結晶引上装置の炭素ルツボ Granted JPS6144791A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009289880A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Fuji Electric Systems Co Ltd パワー電子機器
CN102094235A (zh) * 2009-12-11 2011-06-15 硅电子股份公司 石墨坩埚及制造硅单晶的装置
CN102206855A (zh) * 2010-03-29 2011-10-05 上海杰姆斯电子材料有限公司 直拉单晶炉石墨坩埚

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58140392A (ja) * 1982-02-16 1983-08-20 Komatsu Denshi Kinzoku Kk シリコン単結晶引上方法およびその装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58140392A (ja) * 1982-02-16 1983-08-20 Komatsu Denshi Kinzoku Kk シリコン単結晶引上方法およびその装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009289880A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Fuji Electric Systems Co Ltd パワー電子機器
CN102094235A (zh) * 2009-12-11 2011-06-15 硅电子股份公司 石墨坩埚及制造硅单晶的装置
EP2336396A1 (en) 2009-12-11 2011-06-22 Siltronic AG Graphite crucible and silicon single crystal manufacturing apparatus
JP2011121827A (ja) * 2009-12-11 2011-06-23 Siltronic Japan Corp 黒鉛ルツボ及びシリコン単結晶製造装置
US8992682B2 (en) 2009-12-11 2015-03-31 Siltronic Ag Graphite crucible and silicon single crystal manufacturing apparatus
CN102206855A (zh) * 2010-03-29 2011-10-05 上海杰姆斯电子材料有限公司 直拉单晶炉石墨坩埚

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