KR20020039809A - 내부 전원전압 발생기 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 내부 전원전압 발생기에 관한 것으로, 온도 변화에 따른 특성 변화를 내부 전원전압 레벨에 직접 반영하여 보상하도록 함으로써 안정된 레벨의 내부 전원전압을 공급하도록 하는데 그 목적이 있다. 이와 같은 목적의 본 발명에 따른 내부 전원전압 발생기는 온도 연동 펄스 발생기와 기준 전압 변환기, 구동부를 포함하여 이루어진다. 온도 연동 펄스 발생기는 내부 전원전압을 공급받아 동작하여 온도에 반비례하는 펄스 폭의 가변 펄스 신호를 발생시킨다. 기준전압 변환기에는 제 1 기준 전압이 입력되고, 가변 펄스 신호에 의해 동작하여 제 1 노드의 전압을 가변시키는 전류 싱크를 구비하며, 제 1 기준 전압과 제 1 노드의 전압 차에 따라 제 1 구동 트랜지스터를 구동하는 제 1 비교기를 포함하여 이루어져서 내부 전원전압 레벨의 제 2 기준 전압을 발생시킨다. 구동부는 전원전압과 내부 전원전압 사이에 제 2 구동 트랜지스터가 연결되고, 제 2 비교기가 제 2 기준 전압과 내부 전원전압의 전압 차를 비교하여 제 2 기준 전압이 내부 전원전압보다 크면 로우 레벨의 신호를 출력하여 제 2 구동 트랜지스터를 턴 온시키고, 제 2 기준 전압이 내부 전원전압보다 작으면 하이 레벨의 신호를 출력하여 제 2 구동 트랜지스터를 턴 오프시키는 제 2 비교기를 포함하여 이루어진다.

Description

내부 전원전압 발생기{Internal supply voltage generator}
본 발명은 반도체 집적 회로의 전압 발생기에 관한 것으로, 특히 기준 전압 발생기에 관한 것이다.
반도체 집적 회로에서는 특정 노드의 AC 임피던스를 낮추고 DC 레벨을 안정화하여 그 노드의 전압을 내부 전원으로 사용하는 것이 필요할 때가 있다. 그러나 이 두 가지 요구 조건을 동시에 만족하는 것이 쉽지 않은데, 그 가운데 낮은 임피던스라는 점에 중심을 둔 것을 내부 전원이라 한다.
또 반도체 집적 회로에서는 온도나 외부 전압 변동에 대해 안정하게 일정한 레벨의 전압을 공급해 줄 필요가 있는데, 이와 같은 기능의 회로를 기준 전압 발생기라고 한다. 우수한 내부 전원을 확보하기 위해서는 이 두 가지 회로를 연계해서 설계한 내부 전원전압 발생기가 필요하다.
도 1은 종래의 내부 전원전압 발생기를 나타낸 블록 다이어그램이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 기준전압 발생기(102)는 전원전압(VDD)으로부터 소정 레벨의 제 1 기준전압(Vref1)을 발생시킨다.
기준전압 변환기(104)는 기준전압 발생기(102)에서 출력되는 제 1 기준전압(Vref1)이 입력된다. 기준전압 변환기(104)는 전류 싱크(current sink)(106)를 포함하는데, 이 전류 싱크(106)는 기준전압 변환기(104) 내의 특정 노드의 전류량을 제어한다.
구동부(110)는 제 2 기준 전압(Vref2)이 입력되고, 내부 전원전압(Vperi)이 출력된다. 구동부(110)는 내부적으로 내부 전원전압(Vperi)과 제 2 기준전압(Vref2)의 전압 차를 검출하는 비교기와, 이 비교기의 출력에 의해 구동하는 매우 큰 사이즈의 구동 트랜지스터를 갖고 있다. 구동부(110)의 작용은 내부 전원전압(Vperi)을 제 2 기준 전압(Vref2) 레벨이 되도록 제어하는 것이다.
이와 같은 종래의 내부 전원전압 발생기는 온도와 무관하게 기준 전압을 발생시켜서 온도 변화에 따른 반도체 소자의 지연 특성 변화를 보상하지 충분히 보상하지 못한다. 이 때문에 동작 온도 조건 내에서 회로의 특성이 변화하여 회로 동작 여유도 감소의 주원인이 되고 있다.
본 발명에 따른 내부 전원전압 발생기의 목적은 온도 변화에 따른 특성 변화를 내부 전원전압 레벨에 직접 반영하여 보상하도록 함으로써 안정된 레벨의 내부 전원전압을 공급하도록 하는데 있다.
이와 같은 목적의 본 발명에 따른 내부 전원전압 발생기는 온도 연동 펄스 발생기와 기준 전압 변환기, 구동부를 포함하여 이루어진다.
온도 연동 펄스 발생기는 내부 전원전압을 공급받아 동작하여 온도에 반비례하는 펄스 폭의 가변 펄스 신호를 발생시킨다.
기준전압 변환기에는 제 1 기준 전압이 입력되고, 가변 펄스 신호에 의해 동작하여 제 1 노드의 전압을 가변시키는 전류 싱크를 구비하며, 제 1 기준 전압과 제 1 노드의 전압 차에 따라 제 1 구동 트랜지스터를 구동하는 제 1 비교기를 포함하여 이루어져서 내부 전원전압 레벨의 제 2 기준 전압을 발생시킨다.
구동부는 전원전압과 내부 전원전압 사이에 제 2 구동 트랜지스터가 연결되고, 제 2 비교기가 제 2 기준 전압과 내부 전원전압의 전압 차를 비교하여 제 2 기준 전압이 내부 전원전압보다 크면 로우 레벨의 신호를 출력하여 제 2 구동 트랜지스터를 턴 온시키고, 제 2 기준 전압이 내부 전원전압보다 작으면 하이 레벨의 신호를 출력하여 제 2 구동 트랜지스터를 턴 오프시키는 제 2 비교기를 포함하여 이루어진다.
도 1은 종래의 내부 전원전압 발생기를 나타낸 블록 다이어그램.
도 2는 본 발명에 따른 내부 전원전압 발생기를 나타낸 블록 다이어그램.
도 3은 본 발명에 따른 온도 연동 펄스 발생기를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명에 따른 온도 연동 펄스 발생기의 동작 특성을 나타낸 타이밍 다이어그램.
도 5는 본 발명에 따른 기준전압 변환기(204)와 구동부(210)를 나타낸 회로도.
본 발명에 따른 내부 전원전압 발생기의 바람직한 실시예를 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명하면 다음과 같다. 먼저 도 2는 본 발명에 따른 내부 전원전압 발생기를 나타낸 블록 다이어그램이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 기준전압 발생기(202)는 전원전압(VDD)으로부터 소정 레벨의 제 1 기준전압(Vref1)을 발생시킨다.
온도 연동 펄스 발생기(208)는 내부 클럭(CLK_I)을 입력받아 온도에 따라 펄스 폭이 가변되는 가변 펄스 신호(Ptemp)를 발생시킨다. 이 가변 펄스 신호(Ptemp)는 저온일수록 하이 레벨 구간이 커지고, 고온일수록 하이 레벨 구간이 작아진다.
기준전압 변환기(204)는 기준전압 발생기(202)에서 출력되는 제 1 기준전압(Vref1)과 온도 연동 펄스 발생기(208)에서 출력되는 가변 펄스 신호(Ptemp)가 입력된다. 기준전압 변환기(204)는 전류 싱크(current sink)(206)를 포함하는데, 이 전류 싱크(206)는 가변 펄스 신호(Ptemp)에 의해 제어되어 기준전압 변환기(204) 내의 특정 노드의 전류량을 가변 제어하도록 이루어진다. 기준전압 변환기(204)는 제 1 기준 전압(Vref1)을 레벨 쉬프트시켜서 소정의 내부 전원전압(Vperi) 레벨의 제 2 기준 전압(Vref2)을 만들어내기 위한 것이다.
구동부(210)에는 제 2 기준 전압(Vref2)이 입력되고, 내부 전원전압(Vperi)이 출력된다. 구동부(210)는 내부적으로 내부 전원전압(Vperi)과 제 2 기준전압(Vref2)의 전압 차를 검출하는 비교기와, 이 비교기의 출력에 의해 구동하는 매우 큰 사이즈의 구동 트랜지스터를 갖고 있다. 구동부(210)의 작용은 내부 전원전압(Vperi)을 제 2 기준 전압(Vref2) 레벨이 되도록 제어하는 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 온도 연동 펄스 발생기를 나타낸 도면으로서, (a)는 전체 회로도이고 (b)는 딜레이를 구성하는 인버터 체인의 회로도이다.
먼저 도 3(a)에 나타낸 바와 같이, 앤드 게이트(302)는 내부 클럭(CLK_I)과 이 내부 클럭(CLK_I)의 지연 및 반전된 신호를 입력받아 그 위상 차에 의해 펄스 폭이 결정되는 가변 펄스 신호(Ptemp)를 출력한다. 딜레이(304)는 내부 클럭(CLK_I)을 일정 시간 동안 지연시키고, 이 지연된 내부 클럭(CLK_I)은 인버터(306)에 의해 반전되어 앤드 게이트(302)에 입력된다. 딜레이(304)는 도 3(b)와 같이 짝수 개의 인버터(308)가 직렬 연결된 인버터 체인으로 구성된다. 이 딜레이(304)에서 지연된 신호가 도 3(a)의 인버터(306)에 의해 반전되어 앤드 게이트(302)에 입력된다. 앤드 게이트(302)의 출력 신호는 가변 펄스 신호이다. 도 3에 나타낸 온도 연동 펄스 발생기의 각 소자에는 내부 전원전압(Vperi)이 공급된다.
도 4는 본 발명에 따른 온도 연동 펄스 발생기의 동작 특성을 나타낸 타이밍 다이어그램이다. 도 4(2)에서 도 4(4)에 나타낸 파형에서 굵은 실선(━)은 저온에서의 파형이고, 가는 실선(─)은 상온에서의 파형이며, 파선(--)은 고온에서의 파형이다.
도 4(1)의 내부 클럭(CLK_I)이 딜레이(304)에 의해 지연되어 도 4(2)의 VN1과 같이지연된 클럭 신호가 만들어진다. VN1이 인버터(306)에 의해 지연되어 도 4(3)과 같이 위상이 반전된다. 원래의 내부 클럭(CLK_I)과 VN2가 앤드(AND) 연산되어 도 4(4)와 같은 가변 펄스 신호(Ptemp)가 만들어진다.
도 4(4)에서 알 수 있듯이, 온도 변화에 따라 가변 펄스 신호(Ptemp)의 듀티 사이클도 함께 변화하는데, 이는 온도가 상승함에 따라 도 3의 딜레이(304)의 지연 값도 함께 커지기 때문이다. 온도가 상승할수록 가변 펄스 신호(Ptemp)의 하이 레벨 구간은 작아진다.
도 5는 본 발명에 따른 기준전압 변환기(204)와 구동부(210)를 나타낸 회로도이다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 기준전압 변환기(204)는, 먼저 제 1 구동 트랜지스터(502)와 두 개의 저항(504)(506)이 전원전압(VDD)과 접지(VSS) 사이에 직렬 연결된다. 저항(506)에는 엔모스 트랜지스터(508)와 캐패시터(510)가 병렬 연결된다. 저항(506)과 엔모스 트랜지스터(508)는 전류 싱크(206)를 구성하는데, 이 전류 싱크(206)의 엔모스 트랜지스터(508)가 가변 펄스 신호(Ptemp)에 의해 제어되어 노드(N3)의 전류량을 가변 시킨다. 즉, 저온일 때 가변 펄스 신호(Ptemp)의 하이 레벨 구간이 커지므로 전류 싱크(206)의 엔모스 트랜지스터(508)의 턴 온 시간이 길어지고, 노드(N3)의 전압은 낮아진다. 캐패시터(510)는 저항(506) 양단의 전압을 평활(smoothing)하기 위한 것이다.
이렇게 전류 싱크(206)에 의해 전류량이 변화하는 노드(N3)의 전압은 제 1비교기(512)에 입력되어 제 1 기준전압(Vref1)과 비교된다. 노드 전압(VN1)보다 제 1 기준전압(Vref1)이 더 크면 제 1 비교기(512)는 논리 0을 출력하여 제 1 구동 트랜지스터(502)를 턴 온 시킨다. 제 1 구동 트랜지스터(502)가 턴 온되면 노드(N4)에서 출력되는 제 2 기준전압(Vref2)은 전원전압(VDD) 레벨이 된다.
구동부(210)는 제 2 비교기(516)와 제 2 구동 트랜지스터(514)로 구성된다. 제 2 비교기(516)는 기준전압 변환기(204)에서 출력되는 제 2 기준 전압(Vref2)과 내부 전원전압(Vperi)의 크기를 비교하여 제 2 기준 전압(Vref2)이 크면 논리 0을, 내부 전원전압(Vperi)이 크면 논리 1을 출력한다. 제 2 구동 트랜지스터(514)는 제 2 비교기(516)의 출력 신호에 의해 제어되는데, 소스에는 전원전압(VDD)이 공급되고 드레인에는 내부 전원전압(Vperi)이 연결된다.
만약, 내부 전원전압(Vperi)이 제 2 기준 전압(Vref2)보다 작으면 제 2 비교기(516)의 출력은 논리 0이 되고, 이 때문에 제 2 구동 트랜지스터(514)가 턴 온되어 전원전압(VDD)에 의해 부하에 전류가 공급됨으로써 내부 전원전압(Vperi)이 상승한다. 반대로 내부 전원전압(Vperi)이 제 2 기준 전압(Vref2) 이상으로 상승하면 제 2 비교기(516)의 출력은 논리 1이 되고, 이 때문에 제 2 구동 트랜지스터(514)가 턴 오프되어 전원전압(VDD)에 의한 전류 공급이 중단됨으로써 내부 전원전압(Vperi)이 상승을 멈춘다.
고온에서는 가변 펄스 신호(Ptemp)의 하이 레벨 구간이 감소하여 전류 싱크(206)의 동작 구간이 감소한다. 이 때문에 도 5의 저항(506)의 등가 저항 값이 증가하여 노드(N3)의 전압이 상승한다. 따라서 노드(N4)의 출력 전압 즉, 기준 전압 변환기(204)의 출력 전압 역시 상승한다. 이 경우 구동부(210)에서는 제 2 비교기(516)와 제 2 구동 트랜지스터(514)의 작용에 의해 내부 전원전압(Vperi)이 상승한다. 내부 전원전압(Vperi)의 상승은 온도 연동 펄스 발생기(208)의 딜레이(304)에서의 시간 지연을 감소시킨다. 이로 인하여 구동부(210)의 제 2 구동 트랜지스터(514)가 턴 온되어 내부 전원전압(Vperi)을 높인다.
반대로 저온에서는 가변 펄스 신호(Ptemp)의 하이 레벨 구간이 증가하여 상술한 고온의 경우와 반대의 작용을 유발한다. 즉, 전류 싱크(206)의 동작 구간을 증가시켜서 기준 전압 변환기(204)의 출력 전압을 낮춘다. 이 때문에 구동부(210)에서는 제 2 구동 트랜지스터(514)가 턴 오프되어 내부 전원전압(Vperi)이 상승하는 것을 막는다.
본 발명에 따른 내부 전원전압 발생기는 온도 변화에 따른 특성 변화를 내부 전원전압 레벨에 직접 반영하여 보상하도록 함으로써 안정된 레벨의 내부 전원전압을 공급하는 효과가 있다.

Claims (4)

  1. 내부 전원전압을 공급받아 동작하여 온도에 반비례하는 펄스 폭의 가변 펄스 신호를 발생시키는 온도 연동 펄스 발생기와;
    제 1 기준 전압이 입력되고, 상기 가변 펄스 신호에 의해 동작하여 제 1 노드의 전압을 가변시키는 전류 싱크를 구비하며, 상기 제 1 기준 전압과 상기 제 1 노드의 전압 차에 따라 제 1 구동 트랜지스터를 구동하는 제 1 비교기를 포함하여 이루어져서 내부 전원전압 레벨의 제 2 기준 전압을 발생시키는 기준전압 변환기와;
    전원전압과 내부 전원전압 사이에 제 2 구동 트랜지스터가 연결되고, 제 2 비교기가 상기 제 2 기준 전압과 상기 내부 전원전압의 전압 차를 비교하여 상기 제 2 기준 전압이 상기 내부 전원전압보다 크면 로우 레벨의 신호를 출력하여 상기 제 2 구동 트랜지스터를 턴 온시키고, 상기 제 2 기준 전압이 상기 내부 전원전압보다 작으면 하이 레벨의 신호를 출력하여 상기 제 2 구동 트랜지스터를 턴 오프시키는 제 2 비교기를 구비하는 구동부를 포함하는 내부 전원전압 발생기.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 온도 연동 펄스 발생기는,
    상기 내부 클럭을 일정 시간 지연시키는 딜레이와;
    상기 딜레이의 출력 신호를 반전시키는 제 1 인버터와;
    상기 내부 클럭과 상기 제 1 인버터의 출력 신호를 입력받아 상기 가변 펄스 신호를 출력하는 앤드 게이트를 포함하여 이루어지는 것이 특징인 내부 전원전압 발생기.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 딜레이는 짝수개의 제 2 인버터가 직렬 연결되어 이루어지는 인버터 체인인 것이 특징인 내부 전원전압 발생기.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 전류 싱크는,
    엔모스 트랜지스터와 수동 저항 및 캐패시터가 상기 제 1 구동 트랜지스터와 접지 사이에 병렬 연결되고;
    상기 엔모스 트랜지스터의 게이트가 상기 가변 펄스 신호에 의해 제어되도록 이루어지는 것이 특징인 내부 전원전압 발생기.
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KR20140080284A (ko) * 2012-12-20 2014-06-30 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100924345B1 (ko) * 2007-12-28 2009-11-02 주식회사 하이닉스반도체 내부전압 생성회로
US7839700B2 (en) 2007-12-28 2010-11-23 Hynix Semiconductor Inc. Internal voltage generating circuit and semiconductor memory device using the same
KR20140080284A (ko) * 2012-12-20 2014-06-30 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치

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