KR20020034215A - 센스 앰프 오버 드라이브 회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 메모리 장치의 센스 앰프 오버 드라이브 회로에 관한 것으로, 파워 다운 모드에서 셀프 리프레시를 할 경우 오버 드라이브에 의한 외부 전원전압을 사용을 제어함으로써, 파워 다운 모드 상태에서 불필요한 파워의 소모를 줄였다. 이를 위해, 본 발명의 센스 앰프 오버 드라이브 회로는 다수개의 메모리 셀로 구성된 메모리 셀부와, 상기 메모리 셀의 데이터를 감지 증폭하거나 입력된 데이터를 감지 증폭하여 상기 메모리 셀로 출력하는 다수개의 센스 앰프부와, 센스 앰프 인에이블 신호에 의해 센스 앰프의 풀업 바이어스 전위로 내부 전원전압을 공급하는 제 1 풀업 드라이버부와, 상기 센스 앰프 인에이블 신호에 의해 센스 앰프의 풀업 바이어스 전위로 외부 전원전압을 공급하는 제 2 풀업 드라이버와, 상기 센스 앰프 인에이블 신호에 의해 센스 앰프의 풀다운 바이어스 전위로 접지전압을 공급하는 풀다운 드라이버와, 상기 센스 앰프의 초기 동작에서는 상기 센스 앰프의 풀업 바이어스 전위로 상기 외부 전원전압을 공급하고, 파워 다운 모드에서는 상기 풀업 바이어스 전위로 상기 외부 전원전압의 공급을 제어하도록 상기 제 2 풀업 드라이버의 동작을 제어하는 신호를 발생하는 오버 드라이브 제어부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

Description

센스 앰프 오버 드라이브 회로{SENSE AMPLIFIER OVER DRIVE CIRCUIT}
본 발명은 반도체 메모리 장치의 센스 앰프 오버 드라이브 회로에 관한 것으로, 특히 파워 다운 모드(power down mode) 상태에서 불필요한 파워(power)의 소모를 줄이기 위하여, 파워 다운 모드에서 셀프 리프레시(self refresh)를 할 경우 오버 드라이브(over drive)에 의한 외부 전원전압(Vext)을 사용하지 않도록 제어한 센스 앰프 오버 드라이브 회로에 관한 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 센스 앰프 오버 드라이브 회로의 구성도로서, 다수개의 메모리 셀로 구성된 메모리 셀부(14)와, 리드 동작시 상기 메모리 셀부(14)의데이터를 감지 증폭하거나 또는 라이트 동작시 입력된 데이터를 감지 증폭하여 상기 메모리 셀부(14)로 출력하는 비트라인 센스 앰프부(10n)와, 센스 앰프 인에이블 신호(/SAEN)에 의해 센스 앰프의 풀업 바이어스 전위(SPC)로 내부 전원전압(Vint)을 공급하는 제 1 풀업 드라이버(P1)와, 센스 앰프 인에이블 신호(SAEN)에 의해 센스 앰프의 풀다운 바이어스 전위(SNC)로 접지전압(Vss)을 공급하는 풀다운 드라이버(N1)와, 상기 센스 앰프 인에이블 신호(/SAEN)에 의해 일정 폭을 갖는 펄스 신호를 생성하는 펄스 발생부(12)와, 상기 펄스 발생부(12)의 출력 신호에 의해 외부 전원전압(Vext)을 상기 센스 앰프의 풀업 바이어스 전위(SPC)로 공급하는 제 2 풀업 드라이버(P2)로 구성되어 있다.
일반적으로, 셀의 데이터를 읽거나 쓰기 위해서는 우선 워드 라인(WL)을 활성화하여 셀의 값을 비트 라인(BL 또는 /BL)에 실어 주어야 한다. 그 후 비트 라인(BL)과 비트 라인바(/BL)의 전압 차이가 적으므로 이를 증폭하기 위하여 센스 앰프를 사용한다.
센스 앰프는 워드 라인이 활성화된 후 센스 앰프 인에이블 신호(SAEN)가 인에이블되면서 동작을 시작한다. 센스 앰프의 전압 소오스인 풀업 바이어스 전위(SPC)와 풀다운 바이어스 전위(SNC)는 초기에 반전위(1/2Vint)로 유지하다가 센스 앰프 인에이블 신호(SAEN)가 인에이블되면서 각각 내부 전원전압(Vint)과 접지전압(Vss)으로 벌어진다. 그러나, 이때 내부 전원전압(Vint)을 전달하여 주는 PMOS 트랜지스터(P1)의 특성이 NMOS 트랜지스터(N1)보다 좋지 않으므로 풀업 바이어스 전위(SPC)는 내부 전원전압(Vint) 레벨까지 빠르게 상승하지 못한다.
따라서, 종래에는 외부 전원전압(Vext)을 센스 앰프 인에이블 신호(SAEN)가 인에이블되었을때 일정 시간동안 풀업 바이어스 전위(SPC)에 오버 드라이버(over drive)함으로써, 센스 앰프의 풀업 바이어스 전위(SPC)를 높여주어 비트 라인(BL)과 비트 라인바(/BL)의 데이터 전이(develop)를 빠르게 하고, 결과적으로 tRCD시간을 줄일 수 있도록 하였다.
그러나, 파워 다운 모드에서 셀프 리프레시 동작에서는 동작 속도가 중요하지 않으므로, 파워 다운 모드에서 센스 앰프의 오버 드라이빙 동작은 불필요하게 전류를 소모하는 원인이 된다.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 파워 다운 모드 상태에서 불필요한 파워의 소모를 줄이기 위하여, 파워 다운 모드에서 셀프 리프레시(self refresh)를 할 경우 오버 드라이브(over drive)에 의한 외부 전원전압(Vext)을 사용하지 않도록 제어한 센스 앰프 오버 드라이브 회로를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 센스 앰프 오버 드라이브 회로는,
다수개의 메모리 셀로 구성된 메모리 셀부와,
상기 메모리 셀의 데이터를 감지 증폭하거나 입력된 데이터를 감지 증폭하여 상기 메모리 셀로 출력하는 다수개의 센스 앰프부와,
센스 앰프 인에이블 신호에 의해 센스 앰프의 풀업 바이어스 전위로 내부 전원전압을 공급하는 제 1 풀업 드라이버부와,
상기 센스 앰프 인에이블 신호에 의해 센스 앰프의 풀업 바이어스 전위로 외부 전원전압을 공급하는 제 2 풀업 드라이버와,
상기 센스 앰프 인에이블 신호에 의해 센스 앰프의 풀다운 바이어스 전위로 접지전압을 공급하는 풀다운 드라이버와,
상기 센스 앰프의 초기 동작에서는 상기 센스 앰프의 풀업 바이어스 전위로 상기 외부 전원전압을 공급하고, 파워 다운 모드에서는 상기 풀업 바이어스 전위로 상기 외부 전원전압의 공급을 제어하도록 상기 제 2 풀업 드라이버의 동작을 제어하는 신호를 발생하는 오버 드라이브 제어부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명의 센스 앰프 오버 드라이브 회로에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 풀업 드라이버부는 PMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 센스 앰프 오버 드라이브 회로에 있어서, 상기 풀다운 드라이버부는 NMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 센스 앰프 오버 드라이브 회로에 있어서, 상기 오버 드라이브 제어부는, 상기 센스 앰프 인에이블 신호에 의해 일정폭의 펄스 신호를 발생하는 펄스 발생부와, 상기 펄스 발생부의 출력 신호의 반전 신호와 파워 다운 모드 신호를 입력하여 논리 연산한 신호를 상기 제 2 풀업 드라이버부의 게이트단으로 출력하는 NAND 게이트로 구성된 것을 특징으로 한다.
도 1은 종래 기술에 따른 센스 앰프 오버 드라이브 회로의 구성도
도 2는 본 발명에 의한 센스 앰프 오버 드라이브 회로의 구성도
도 3은 본 발명에 의한 센스 앰프 관련 동작 타이밍도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10∼10n : 센스 앰프부 12 : 펄스 발생부
20 : 오브 드라이브 제어부
이하, 본 발명의 실시예에 관하여 첨부도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
또, 실시예를 설명하기 위한 모든 도면에서 동일한 기능을 갖는 것은 동일한 부호를 사용하고 그 반복적인 설명은 생략한다.
도 3은 본 발명에 의한 센스 앰프 오버 드라이브 회로의 구성을 나타낸 것이다.
본 발명에 의한 센스 앰프 오버 드라이브 회로는 도시한 바와 같이, 다수개의 메모리 셀로 구성된 메모리 셀부(14)와, 리드 동작시 상기 메모리 셀부(14)의 데이터를 감지 증폭하거나 또는 라이트 동작시 입력된 데이터를 감지 증폭하여 상기 메모리 셀부(14)로 출력하는 비트라인 센스 앰프부(10n)와, 센스 앰프 인에이블 신호(/SAEN)에 의해 센스 앰프의 풀업 바이어스 전위(SPC)로 내부 전원전압(Vint)을 공급하는 제 1 풀업 드라이버(P1)와, 상기 센스 앰프의 풀업 바이어스 전위(SPC)로 외부 전원전압(Vext)을 공급하는 제 2 풀업 드라이버(P2)와, 센스 앰프 인에이블 신호(SAEN)에 의해 센스 앰프의 풀다운 바이어스 전위(SNC)로 접지전압(Vss)을 공급하는 풀다운 드라이버(N1)와, 상기 센스 앰프 인에이블 신호(/SAEN)에 의해 센스 앰프 초기 동작에서는 외부 전원전압(Vext)을 상기 센스 앰프의 풀업 바이어스 전위(SPC)로 공급하도록 상기 제 2 풀업 드라이버(P2)의 동작을 제어하고 파워 다운 모드 신호(/powerdown)에 의해 파워 다운 모드에서는 상기 풀업 바이어스 전위(SPC)로 상기 외부 전원전압(Vext)의 공급을 제어하도록 상기 제 2 풀업 드라이버(P2)의 동작을 제어하는 신호를 발생하는 오버 드라이브 제어부(20)를 구비한다.
디램(DRAM)은 파워 다운 모드에서 최소한의 파워를 소모하면서 셀들의 상태를 유지해야 하며, 셀들의 상태를 유지하기 위해서는 셀프 리프레시를 수행해야 한다. 종래의 기술에서는 센스 앰프 인에이블 신호(SAEN)가 인에이블되면 오버 드라이브 회로가 동작하여 셀프 리프레시 동작에서도 오버 드라이브된다. 그러나, 셀프 리프레시 동작에서는 비트 라인(BL)과 비트 라인바(/BL)의 빠른 데이터 전이가 필요 없으므로, 오버 드라이브 동작을 하여 불필요하게 파워를 소모시킬 필요가 없다.
따라서, 본 발명에서는 파워 다운 모드에서 셀프 리프레시 동작시 오버 드라이브를 하지 않도록 도 2에 도시한 바와 같은 오버 드라이브 제어부(20)를 구현하였다.
상기 회로에서, 센스 앰프 인에이블 신호(/SAEN)가 인에이블된 상태에서 파워 다운 모드 상태가 아니면, 상기 오버 드라이브 제어부(20)는 '로우' 신호를 출력하여 상기 제 2 풀업 드라이버부(P2)를 턴온시킨다. 따라서, 센스 앰프의 초기 동작시 턴온된 제 1 풀업 드라이버부(P1)를 통해 풀업 바이어스 전위(SPC)로 내부 전원전압(Vint)이 공급됨과 동시에, 상기 제 2 풀업 드라이버부(P2)를 통해 상기 풀업 바이어스 전위(SPC)로 외부 전원전압(Vext)이 공급되어 센스 앰프의 구동 속도를 향상시킨다.
그리고, 상기 센스 앰프 인에이블 신호(/SAEN)가 인에이블된 상태에서 파워 다운 모드 상태이면, 상기 오버 드라이브 제어부(20)는 '하이' 신호를 출력하여 상기 제 2 풀업 드라이버부(P2)가 동작하지 못하도록 제어한다. 따라서, 외부 전원전압(Vext)이 센스 앰프의 풀업 바이어스 전위(SPC)로 공급되지 못하여 파워 다운 모드시 전류 소모를 줄일 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 센스 앰프 오버 드라이브 회로에 의하면, 파워 다운 모드에서 셀프 리프레시를 할 경우 오버 드라이브에 의한 외부 전원전압(Vext)을 사용하지 않도록 제어함으로써, 파워 다운 모드 상태에서 불필요한 파워의 소모를 줄일 수 있다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가등이 가능할 것이며, 이러한 수정 변경등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.

Claims (4)

  1. 반도체 메모리 장치에 있어서,
    다수개의 메모리 셀로 구성된 메모리 셀부와,
    상기 메모리 셀의 데이터를 감지 증폭하거나 입력된 데이터를 감지 증폭하여 상기 메모리 셀로 출력하는 다수개의 센스 앰프부와,
    센스 앰프 인에이블 신호에 의해 센스 앰프의 풀업 바이어스 전위로 내부 전원전압을 공급하는 제 1 풀업 드라이버부와,
    상기 센스 앰프 인에이블 신호에 의해 센스 앰프의 풀업 바이어스 전위로 외부 전원전압을 공급하는 제 2 풀업 드라이버와,
    상기 센스 앰프 인에이블 신호에 의해 센스 앰프의 풀다운 바이어스 전위로 접지전압을 공급하는 풀다운 드라이버와,
    상기 센스 앰프의 초기 동작에서는 상기 센스 앰프의 풀업 바이어스 전위로 상기 외부 전원전압을 공급하고, 파워 다운 모드에서는 상기 풀업 바이어스 전위로 상기 외부 전원전압의 공급을 제어하도록 상기 제 2 풀업 드라이버의 동작을 제어하는 신호를 발생하는 오버 드라이브 제어부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 센스 앰프 오버 드라이버 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 풀업 드라이버부는 PMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 센스 앰프 오버 드라이버 회로.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 풀다운 드라이버부는 NMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 센스 앰프 오버 드라이버 회로.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 오버 드라이브 제어부는,
    상기 센스 앰프 인에이블 신호에 의해 일정폭의 펄스 신호를 발생하는 펄스 발생부와,
    상기 펄스 발생부의 출력 신호의 반전 신호와 파워 다운 모드 신호를 입력하여 논리 연산한 신호를 상기 제 2 풀업 드라이버부의 게이트단으로 출력하는 NAND 게이트로 구성된 것을 특징으로 하는 센스 앰프 오버 드라이버 회로.
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