KR20020021095A - 몰리브덴루테늄/베릴륨 다중층 - Google Patents

몰리브덴루테늄/베릴륨 다중층 Download PDF

Info

Publication number
KR20020021095A
KR20020021095A KR1020017014188A KR20017014188A KR20020021095A KR 20020021095 A KR20020021095 A KR 20020021095A KR 1020017014188 A KR1020017014188 A KR 1020017014188A KR 20017014188 A KR20017014188 A KR 20017014188A KR 20020021095 A KR20020021095 A KR 20020021095A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
moru
layer
multilayer
layers
thickness
Prior art date
Application number
KR1020017014188A
Other languages
English (en)
Inventor
마크에이 웰
사사시 바트
Original Assignee
추후보정
더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 추후보정, 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 filed Critical 추후보정
Publication of KR20020021095A publication Critical patent/KR20020021095A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • G21K1/062—Devices having a multilayer structure
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
    • Y10T428/12576—Boride, carbide or nitride component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
    • Y10T428/12611—Oxide-containing component
    • Y10T428/12618—Plural oxides
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
    • Y10T428/12625—Free carbon containing component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12632—Four or more distinct components with alternate recurrence of each type component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12674—Ge- or Si-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12729—Group IIA metal-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
    • Y10T428/12826—Group VIB metal-base component

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

높은 반사율, 낮은 고유 거칠기 및 낮은 스트레스를 갖는 초자외선(EUV) 리소그래피용 다중층 시스템은 비정질 MoRu층 및 결정질 Be층으로 이루어진다. 50겹층쌍으로된 MoRu/Be 다중층에서 70%이상의 반사율이 입증되었다. MoRu/Be 다중층의 광학 처리량은 Mo/Be 다중층 코팅보다 30∼40% 높을 수 있다. 계면을 보다 뚜렷하게 하도록 확산 장벽을 사용함으로써 상기 처리량을 개선할 수 있다. 다중층의 상부면상에 위치한 캐핑층은 내수성있는 매우 얇은 순수한 산화물을 형성함으로써 장기간 반사율과 EUV 조사 안정성을 증진시킨다.

Description

몰리브덴루테늄/베릴륨 다중층{MoRu/Be MULTILAYERS}
베릴륨(Be)계 다중층은 11.11nm이상의 파장에서 반사한다. 이들 파장에서, 레이저-플라즈마 EUV 공급원에 필적하는 스펙트럼은 현재 사용되는 Mo/Si 파장(13.4nm)에 비해 5의 계수만큼 광학 처리량을 개선시킨다. 개선된 처리량은 비용을 저감시키기 때문에 EUV 리소그래피의 상업적 성공에 결정적인 역할을 한다.
몰리브덴/베릴륨(Mo/Be) 다중층은 Skulina등에 의한, "초자외선내 정규투시용 몰리브덴/베릴륨 다중층 거울",Appl. Oppt.34:327-3730(1995) 및 Stearns등에 의한 "베릴륨계 다중층 구조",Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.382, 1995, Materials Research Society, 에서 논의된 바와 같이, EUV 적용처용 잠재적인 후보로서 연구되어 왔다. 피크 너비 11.3nm 및 0.28nm에서 Mo/Be 코팅을 70주기(겹침쌍)로 사용시 반사율 70%가 입증되고 있다. Mo/Be 다중층이 Mo/Si다중층보다 큰 반사율을 갖는다고 하여도, 이들은 반사율상에서 거친(>0.2nm RMS) 기판의 영향을 받는등 단점이 있었다. 보다 거친 기판은 Mo/Be 다중층의 거칠기를 실질적으로 증가시킨다. D.G.Stearns의 "다중층 코팅내 고유 결함: 통계 분석,"(1998)을 참조하라. 그 이유는 Mo층과 Be층의 결정도때문이다. 상기 층들은 결정질이기 때문에, 기판상에 다중층의 성장도중 일어나는 불완전함이나 결함을 치유할 메카니즘이 없다. 이때문에 Mo/Si 다중층에 비해 Mo/Be 다중층내에서 고유 거칠기가 훨씬 크다.
또한, 전형적인 Mo/Be 다중층은 70겹층(주기)으로 이루어진다. 피크 너비는 겹층수 및 다중층내 2가지 물질의 광학 특성에 의존한다. 겹층수가 보다 작은 것이 바람직한데, 이는 피크 너비가 보다 넓어지기 때문이다. 예를 들어, 전형적인 Mo/Si 다중층 코팅은 단지 40겹층으로 이루어지며, 따라서 피크 너비는 약0.5nm이다. 상기 70겹층 Mo/Be 코팅의 피크 너비는 0.28nm이다. 따라서, 겹층수가 작고 피크 너비가 큰 EUV 리소그래피 광학용 높은 반사율, 낮은 고유 거칠기 및 낮은 스트레스를 갖는 다중층 시스템을 필요로 한다.
본 발명은 50겹층으로 반사율이 70%이상이고 피크너비가 0.35∼0.45nm인 다중층 시스템을 제공함으로써 이같은 문제점을 해결하고자 한다. 본 발명의 다중층 시스템은 몰리브덴과 루테늄으로 이루어진 합금의 비정질층, 및 결정질 베릴륨층으로 이루어지며, 따라서 이상적인 이론 피크 너비가 0.45nm이고 반사율이 75%이상인 몰리브덴, 루테늄/베릴륨(MoRu/Be)의 다중층을 낳는다. 상기 주기(겹층) 두께는 전형적으로 5.85nm이고 다중층은 11.4nm에서 반사한다. 이들 다중층은 70겹층의 Mo/Be보다 훨씬 얇고 40겹층의 Mo/Si 다중층에 필적할만한 두께를 갖는다. 따라서, 두께 균일성으로 인한 화질은 Mo/Si 다중층 광학에 필적할 것이다. 상기 MoRu/Be 다중층 시스템은 매우 낮은 고유 스트레스(50겹층 시스템에 대한 인장 스트레스: 21MPa)를 갖는다. 피크 너비를 개선시키고 처리량을 증진시키기 위하여, 계면을 보다 뚜렷하게 하도록 확산 장벽이 첨가될 수 있다. 또한, 상기 다중층의 장기간 반사율 안정성을 증진시키는데 캐핑층이 사용될 수 있다.
본 발명은 초자외선(EUV) 적용처용 MoRu/Be 다중층으로서 넓게 요약될 수 있다.
본 발명은 다중층 거울, 특히 초자외선(EUV) 리소그래피 광학용 베릴륨계 다중층에 관한 것으로, 보다 상세하게는 MoRu/Be로 이루어지고, 계면 및/또는 캐핑층상에 확산 장벽을 포함할 수 있는, 높은 반사율, 낮은 고유거칠기, 및 낮은 스트레스를 갖는 다중층에 관한 것이다.
본 명세서에 편입되어 그 일부를 이루는 첨부도면은 본 발명의 실시예를 예시하고자 하는 것으로, 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하도록 제공된다.
도 1은 Be 상부층을 갖는 부분적인 MoRu/Be 다중층을 도시한 도면;
도 2는 MoRu 상부층을 갖는 부분적인 MoRu/Be 다중층을 도시한 도면;
도 3은 상기 기판과 제1 MoRu층사이에 비정질 실리콘(a-Si)층을 갖는 MoRu/Be 다중층을 도시한 도면;
도 4는 도 3과 유사하나 Be 상부층을 갖는 다중층을 도시한 도면;
도 5는 상기 MoRu 및 Be층사이에 카본 확산층을 갖는 MoRu/Be 다중층을 도시한 도면;
도 6은 도 5와 유사하나, Be 상부층을 갖는 다중층을 도시한 도면;
도 7은 도 5와 유사하며, SiO2캐핑층을 갖는 다중층을 도시한 도면;
도 8은 도 6과 유사하며, ZnO 캐핑층을 갖는 다중층을 도시한 도면; 및
도 9는 상기 Be K-에지(11.1nm)이상에서 반사하도록 최적화된 MoRu/Be 다중층의 반사율을 도시한 그래프;이다.
본 발명의 일 시도는 EUV 리소그래피에 대한 개선된 다중층 시스템을 제공하려는데 있다.
본 발명의 다른 시도는 EUV 리소그래피 광학에 대한 높은 반사율, 낮은 고유 거칠기 및 낮은 스트레스를 갖는 다중층 시스템을 제공하려는데 있다.
본 발명의 다른 시도는 비정질 MoRu층 및 결정질 Be층을 포함하는 다중층 시스템을 제공하려는데 있다.
본 발명의 또다른 시도는 피크너비 0.35∼0.45nm범위내에서 11.4nm에서 반사율이 70%이상인 다중층 시스템을 제공하려는데 있다.
본 발명의 또다른 시도는 EUV 리소그래피에 대한 낮은 고유 거칠기, 높은 반사율을 갖고, Mo/Be 다중층 시스템보다 큰 처리량을 갖는, MoRu/Be 다중층 거울을 제공하려는데 있다.
본 발명의 또다른 시도는 계면을 뚜렷하게 하고 처리량을 개선시키도록 Be-MoRu상에 확산 장벽을 갖는 MoRu/Be 다중층을 제공하려는데 있다.
본 발명의 또다른 시도는 다중층의 장기간 반사율 안정성을 증진시키도록 캐핑층을 갖는 MoRu/Be 다중층을 제공하려는데 있다.
본 발명의 또다른 시도는 피크 너비가 최대 0.45nm인 약50겹층의 MoRu/Be 다중층 시스템을 제공하려는데 있다.
본 발명의 다른 특징들은 후술하는 상세한 설명 및 첨부도면으로부터 명백해질 것이다. 기본적으로, 본 발명은 EUV 리소그래피에 대하여 낮은 고유 거칠기, 낮은 스트레스 및 높은 반사율을 갖는 MoRu/Be 다중층 거울을 포함한다. 상기 다중층은 몰리브덴과 루테늄으로 이루어진 합금의 비정질층 및 베릴륨의 결정질층으로 이루어진다. 50겹층을 갖는 MoRu/Be 다중층 시스템은 매우 낮은 인장 스트레스를 갖는다. 단지 21MPa의 인장 스트레스가 측정되었다. 기판을 매끄럽게하도록 다중층 겹침내 제1층으로서 비정질 실리콘층이 사용될 수 있다.
또한 광학 처리량을 증진시킬 목적으로 높은 반사율과 피크 너비를 제공하도록 카본 혹은 카바이드와 같은 낮은 Z 물질로 이루어지는 확산 장벽층(예를 들어, Be2C 혹은 B4C)이 겹칩의 MoRu/Be 계면에서 사용될 수 있으며, 이는 Mo/Be 다중층 코팅보다 잠재적으로 30∼40% 개선될 수 있다. 부가하여, 다중층의 장기간 반사율 안정성을 증진시키도록 ZrO2, SiO2(4nm) 혹은 ZnO(0.6nm)과 같은 얇은 캐핑층이 사용될 수 있다. 이들 캐핑 물질은 순수한 산화물을 형성하고, 잔류 수증기가 예상되는 EUV 시스템에 대한 중요한 특성인 내수성이 있다. 상기 캐핑층 물질은 EUV 파장에서 광학 투명성을 가져야만 한다. MoRu/Be 다중층내 겹층의 적정수는 전형적인 주기(겹층) 두께가 5.85nm일 때 50층이다. 최대 피크 반사율 파장은 피크 너비가 0.35∼0.45nm일 때 11.4nm이다.
본 발명은 몰리브덴(Mo)과 루테늄(Ru)의 비정질층 및 베릴륨(Be)의 결정질층으로 이루어진 높은 반사율, 낮은 고유 거칠기 및 낮은 스트레스를 갖는 다중층 시스템이 제공된다. 상기 다중층은 예를 들면, 2.45nm 두께의 MoRu층과 3.40nm 두께의 Be층이 교호되어 각 주기 두께가 전형적으로 5.85nm인 50주기(겹층)로 이루어진다. 상기 다중층은 Be-K 에지(11.1nm)이상에서 반사하며, 그 반사율은 70%이상이고, 피크 너비는 0.35∼0.45nm이다. 본 발명의 MoRu/Be 다중층의 처리량은 Mo/Be 다중층 코팅보다 30∼40% 큰 잠재적인 처리량을 갖는다.
상기 다중층 겹침의 제1층은 비정질 MoRu이거나 혹은 비정질 Si일 수 있다. 또한 처리량 증진을 목적으로 높은 반사율과 보다 넓은 피크 너비를 제공하도록 두께가 0.2∼0.3nm인 카본 혹은 카바이드와 같은 낮은 Z 물질의 확산 장벽 혹은 층(예를 들면, B4C, Be2C)이 MoRu층과 Be층사이 계면을 뚜렷하게 하도록 사용될 수 있다. 부가하여, 다중층의 상부면상에 형성된 SiO2, Zr2O, 혹은 ZnO의 캐핑층은 장기간 반사율 안정성을 증진시킬 것이다. 이들 캐핑 물질은 EUV 파장에서 투명하고, 잔류 수증기가 예상되는 EUV 시스템에 대하여 중요한 특성인 내수성이 있다.
도 1 내지 8은 본 발명의 MoRu/Be 다중층 시스템의 교차단면 실시예를 부분 확대한 도면이다. 도 1 및 2는 기판/MoRu/Be/MoRu/Be/MoRu로서 이루어지며, 단지 상부층 조성이 Be 혹은 MoRu와 같이 다른 다중층 구조를 도시하였다. 상기 MoRu는 Mo 30∼70% 및 Ru 70∼30%로 이루어진 합금이며, 일 조성내에서 상기 Mo:Ru의 중량비는 0.42:0.58이었다.
도 1에 도시한 바와 같이, 부호 10으로 일반적으로 나타낸 다중층 구조는 실리콘, Zerodur, ULE(초저단열 유리) 혹은 용융 실리카로 이루어질 수 있고, 비정질 MoRu층 122와 결정질 Be층 13을 교호하고, 그 상부에는 Be층 13을 갖는 기판 11로 이루어진다. 인접 MoRu층 및 Be층 12와 13은 겹층 14를 이루며, 상술한 바와 같이, MoRu/Be 다중층의 겹층 최적수는 50층이다.
도 2는 상부층을 MoRu층 12로 한 것을 제외하고는 도 1과 유사한 다중층 구조 10'의 실시예를 도시한 도면이다. 상술한 바와 같이, 도 1 및 2의 겹층 14의 두께는 예를 들어, MoRu층 12의 두께가 2.45nm이고, Be층 13의 두께가 3.40nm인 5.85nm이다. 상기 다중층 겹침의 상부층은 Be 혹은 MoRu일 수 있으며, 이중에서 Be가 두꺼운 BeO층(4nm)을 형성하며, MoRu 산화물에 비해 상대적으로 안정하므로 Be상부층을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 다중층 구조의 또다른 선택을 도 3 및 4에 도시하였으며, 여기서 비정질 실리콘(a-Si)층은 기판과 비정질 MoRu의 제1층사이에 삽입되며, 따라서 상기 다중층 구조는 기판/a-Si/MoRu/Be/MoRu/Be/MoRu의 구조로 이루어진다.
도 3 및 4에서 보듯이, 일반적으로 부호 20 및 20'로 나타낸 다중층 구조는 기판 21, 두께 2∼10nm의 a-Si층 22, 이어서 MoRu층 23과 Be층 24가 교호하고, 그 상부층으로서 도 3에서는 MoRu층 23을 그리고 도 4에서는 Be층 24를 포함하여 이루어진다. 도 1 및 2에서 보듯이, 인접 MoRu/Be층 23 및 24는 상술한 바와 같이, 예를 들어 50겹층의 다중층 구조를 갖는 겹층 25로 정의된다. 상기 a-Si 층 22는 기판을 매끄럽게 하도록 제공된다.
본 발명은 다중층 코팅내 박막 혹은 박층으로서 MoRu 합금을 사용한다. 벌크 물질로서 MoRu의 상평형도만이 문헌내에 존재한다. Kleykamp등의 "Mo-Ru 시스템의 조성",J. of Less Common Metals, 136:271-275(1998)을 참조하라. 벌크 물질의 상평형도는 Mo 및 Ru가 단하나의 안정화된 상 -Mo5Ru3를 형성하는 것을 보인다. 원자 Mo 및 Ru는 다른 결정질 구조를 가지므로, 이들 2가지 물질로된 합금은 비정질이어야 한다. 그러나, 벌크 물질 특성은 동일 물질의 박막 특성과는 종종 현저하게 다르다. 본 발명에 있어서, MoRu층의 두께는 약10 원자층에 상응하는 단지 3.40nm이다. 따라서, MoRu의 박막은 다른 Mo:Ru 중량비로 제조되었으며, 그 결정질 구조를 Rutherford 역분산주사를 사용하여 분석하였다. Mo:Ru중량비 0.625:0.375(예를 들어, Mo5Ru3) 뿐만 아니라 중량비 0.42:0.58로 제조된 MoRu층은 비정질인 것으로 밝혀졌다. 따라서, MoRu는 Mo:Ru의 큰 조성범위에 대하여 비정질 박층을 형성할 수 있다.
도 1 및 2에 도시한 바와 같이, 50주기(겹층)를 갖는 상기 MoRu/Be 다중층 코팅은 Be K-에지(11.1nm)이상에서 반사하도록 최적화되었다. 도 9내 그래프에서 보듯이, 무게중심 위치 11.43nm 및 대역폭 0.35nm에서 피크 반사율은 69.3%임이 입증되었다. 동일한 수의 주기(50)에 대한 피크 반사율 70%이상이 또한 증명되었다. 상기 코팅은 2.45nm 두께의 두꺼운 MoRu 합금층과 3.40nm 두께의 두꺼운 Be층을 교호하여 침착되었다. 상기 MoRu층 및 Be층은 Si(100) 연마된 4인치 웨이퍼상에 마그네트론 스퍼터 막 침착에 의해 형성되었다.
MoRu/Be 다중층 코팅은 Mo/Be 및 Mo/Si 다중층에 비해 다음과 같은 최소 4가지 주된 개선점을 갖는다.
1. 높은 반사율.
이론적으로 50겹층을 갖는 완전한 MoRu/Be 코팅에 대한 반사율은 75.4%일 수 있다. 이같은 코팅의 주기 두께는 5.84nm일 것이고 피크 너비 0.45nm로 11.44nm에서 반사될 것이다. 이에 반해, 동일한 주기 두께와 동일한 겹침수를 갖는 이상적 Mo/Be 코팅의 반사율은 피크 너비 0.39nm에서 74.7%일 것이다. 7가지 반사율 광학으로 이루어진 광학 시스템의 처리량은 다음 비례식을 만족한다:
광학 처리량 ∼ I공급원ㆍσMLㆍR7 ML.
(여기서 I공급원은 공급원 세기, σML은 피크 너비, 그리고 RML은 반사율이다)
이상적인 MoRu/Be 다중층에 대한 처리량은 공급원의 세기를 2가지 다중층이 동일한 것으로 가정할 때, 이상적 Mo/Be 코팅에 대한 처리량보다 26% 크다.
2. 큰 피크 너비(MoRu/Be 0.35nm : Mo/Be 0.28nm).
피크 너비는 처리량을 개선하는데 중요한 척도이다. 예를 들어, MoRu/Be의 처리량(반사율 69.3%, 피크 너비 0.35nm)에 견주어볼때, 평균 MoRu/Be는 Mo/Be 다중층보다 처리량이 14% 큰 것으로 결론짓는다. 부가하여, 피크 너비가 크면 중첩이 커짐으로 인해 동일한 EUV 시스템내 일련의 광학 코팅에 필적할만큼 코팅 명세를 완화시키고 정렬 공정을 용이하게 한다.
3. 작은 수의 겹층(MoRu/Be 50 : Mo/Be 70).
겹층수가 작으면 얇은 코팅인 것을 의미하며, 따라서 광학 기판상에 보다 작은 스트레스와 계산 오차를 나타낸다. 측정된 스트레스는 신장되어 약 21MPa이며, 이는 전형적인 Mo/Be 다중층(>300MPa)보다 약15배 작다.
4. 비정질 MoRu층으로 인한 작은 고유 거칠기.
실험 결과는 만약 기판 거칠기가 0.28nm이상이면, 그때 MoRu/Be 다중층은 어떠한 거칠기도 부가하지 않는다는 것을 나타내었다. 실제로, RMS 거칠기 0.28nm에서, MoRu/Be는 표면 거칠기를 저감시킬 수 있었다. Mo/Si 다중층에 대하여는 이와 동일한 효과를 얻으나, Mo/Be 다중층에 대하여는 항상 표면에 거칠기를 추가하게 된다.
본 발명의 다중층쌍은 비정질 MoRu 합금층 및 결정질 Be층으로 이루어진다. MoRu층 및 Be층의 결정도를 입증하기 위하여, 일련의 평가를 수행하였다. 우선, x-선 회절 평가(θ-2θ)를 전형적인 MoRu/Be 다중층상에 30∼50도에서 취하였다. 부가하여, 전자 예각 회절 평가를 수행하여 베릴륨층이 다결정질인 것을 보였다. 상기 MoRu 합금층은 결정질 Mo 혹은 Ru에 상응하는 어떠한 회절 피크도, 고리도, 점도 전혀 관찰되지 않았으므로 비정질인 것으로 결론지어졌다.
MoRu의 비정질층은 계면상에서 매끄러운 효과를 갖는다. 계면상에서 Be와 MoRu의 상호확산의 반사율과 피크 너비는 이상적인 반사율보다 줄고 피크 너비도 저감한다. 상호확산층의 두께는 계면에 의존한다. 예를 들어, MoRu-온(on)-Be의 상호확산 두께는 Be-온(on)-MoRu의 상호확산 두께보다 크다. 이들 계면을 뚜렷하게 함으로써 MoRu/Be 코팅 반사율을 개선시킬 수 있다. 이는 MoRu 및 Be층간 0.2∼0.3nm두께의 중간층상에 극히 얇은 확산 장벽 혹은 층을 삽입함으로써 달성된다. 일 잠재적인 후보로는 보론 카바이드 혹은 베릴륨 카바이드와 같은 카본층 혹은 카바이드층을 들 수 있다. 계면, 특히 세기영역이 최대인 계면상에 카본을 스퍼터링하는 것으로 충분할 것이다. MoRu/Be 시스템에 있어, 손상하기 쉬운 계면은 Be-온(on)-MoRu이다. 계면의 첨예도를 증진시키도록, 기판/MoRu/확산 장벽/Be/MoRu/확산 장벽/Be...와 같은 다중층 구조로된 실시예를 도 5 및 도 6에 도시하였다.
도 5 및 6에서 보듯이, 다중층 실시예는 그 상부층 조성이 도 5에서는 MoRu이고, 도 6에서는 Be인 것을 제외하고는 동일하다. 도시된 바와 같이, 일반적으로 부호 30 및 30'로 나타낸 다중층 구조는 기판 31, MoRu층 32, 카본(C)층 33, Be층 34, 및 MoRu, C, Be의 교대층으로 이루어지며, 그 상부층은 MoRu층 32이다. 인접 Be 및 MoRu층은 겹층 35를 형성한다.
카본 혹은 기타 물질로 이루어지는 확산 장벽은 상호확산을 방지함에 따라 반사율을 개선시키고 피크 너비를 개선시킨다. 계면상에 거칠기나 상호확산층이 없는 이상적인 다중층의 피크너비는 약0.45nm이어야 한다. 반사율이 72%(피크 너비 0.4nm)인 MoRu/Be 다중층은 Mo/Be 다중층보다 처리량이 42.5% 크다. MoRu/Be 다중층의 반사율이 70%(0.4nm 피크 너비)이어도, MoRu/Be의 처리량은 Mo/Be 다중층보다 여전히 30% 크다.
다중층 구조의 이상적 반사율보다 작은 또다른 공급원(캐핑층)으로는 상부층 혹은 외부층의 산화물을 들 수 있다. 예를 들어, Be의 상부층은 4nm 두께의 BeO층을 형성한다. 표면상에 적당한 물질을 사용하면 표면 산화를 줄이고 EUV 조사에 대항하여 보다 안정한 다중층을 만든다. 이같은 캐핑층으로서 다중층 겹침을 종료하는 것으로 여겨지는 물질로는 SiO2, Zr2O 및 ZnO이 있으며, 이중 2가지 캐핑층이 도 7 및 8에 도시되었다. 상기 캐핑층은 MoRu 혹은 Be의 상부층상에 Si, Zr 혹은 Zn을 침착함으로써 형성된다. 이들 물질은 공기 존재하에 순수한 산화물을 형성할 것이다.
EUV 조사 안정성 실험에 기초하여 볼때, SiO2는 BeO보다 우수한 표면 산화 장벽이다. Wedowski등의 "Mo/Si 및 Mo/Be 다중층 코팅형태 초자외선 리소그래피의 수명연구, 연성 x-선 코팅", Aspherics, and Applications, Proceedings of SPIE-Denver(1999)를 참조하라. 아연 산화물은 물과 반응하지 않으며, 이는 약간의 잔류 수증기를 갖는 EUV 시스템에 중요하므로 이롭다. G.V.Samsonov(편집자), The Oxide Handbook, IFI/Plenum, New York(1973)을 참조하라. 부가하여, Zn은 두께가 단지 0.5∼0.6nm인 순수한 산화물을 형성하며; 이는 두께가 2∼4nm인 순수 SiO2보다 얇다. 예를 들어, 산화물없는 이상적인 MoRu/Be다중층의 반사율은 75.4%이며, 상부층으로서 3nm의 SiO2를 갖는 MoRu/Be의 반사율은 71%이며, 상부층으로서 0.6nm의 ZnO를 갖는 MoRu/Be의 반사율은 75.3%이다. 이는 최상의 경우에 있어, ZnO가 EUV 광을 흡수하지 않는다는 것을 보인다. 상부층이 1nm두께의 Zn 및 0.6nm두께의 ZnO로 이루어진다고 가정하더라도, 반사율은 SiO2가 캐핑된 다중층의 반사율보다 훨씬큰(2.5%) 73.5%이다.
도 7 및 8은 도 5 및 6의 확산 장벽층을 포함하고 캐핑된, 부호 40 및 40'로 나타낸 다중층 구조를 도시한 도면이다. 캐핑층의 조성에 부가하여 도 7과 8의 차이는 다중층 겹침의 상부층 혹은 외부층이 다르다는데 있다. 도시된 바와 같이, 상기 다중층 구조 40 및 40'는 각각 42,43 및 44로 나타낸 MoRu, C 및 Be의 층을 교호하고, 도 7에서는 상부층 42로서 SiO2캐핑층 45를 갖는 MoRu를 그리고 도 8에서는 상부층 44로서 ZnO 캐핑층 46을 갖는 Be를 갖는 기판 41로 이루어지며, 여기서 인접한 Be와 MoRu층은 겹층 47을 형성한다.
본 발명은 EUV 리소그래피 시스템에서 거울로 사용하기 위한 낮은 고유 거칠기, 낮은 스트레스 및 높은 반사율을 갖는 MoRu/Be 다중층 구조를 제공한다. 상기 MoRu/Be 다중층은 Mo/Be다중층보다 큰 처리량과 피크 너비를 갖는다. 또한, 반사율과 피크 너비는 겹층의 계면을 뚜렷하게 하는 확산 장벽 혹은 층의 사용에 의해 증가될 수 있다. 또한, 다중층의 장기간 반사율 안정성을 증진시키는데 캐핑층이 사용될 수 있다.
상기 특정 실시예, 물질 및 척도로 본 발명의 이론을 예시하고 가르치고는 있으나, 본 발명을 이에 한정하는 것은 아니다. 본 발명을 첨부된 청구범위의 사상에 한정한다면, 그에 대한 변경 및 변화는 이 기술분야에서 숙달된 자에게 명백할 것이다.

Claims (19)

  1. EUV 리소그래피용 거울의 형태로 낮은 고유 거칠기, 낮은 스트레스 및 높은 반사율을 갖는 MoRu/Be 다중층
  2. 제1항에 있어서, 상기 MoRu/Be 다중층은 비정질 MoRu층 및 결정질 Be층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중층
  3. 제1항에 있어서, 상기 MoRu/Be 다중층은 MoRu 및 Be의 50겹층쌍으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중층
  4. 제3항에 있어서, 각 겹층쌍의 두께는 약5.85nm인 것을 특징으로 하는 다중층
  5. 제4항에 있어서, 상기 겹층쌍은 약 2.45nm 두께의 MoRu 및 약 3.40nm 두께의 Be로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중층
  6. 제1항에 있어서, 상기 MoRu/Be 다중층의 피크너비는 0.35∼0.45nm범위내인 것을 특징으로 하는 다중층
  7. 제1항에 있어서, 상기 MoRu/Be 다중층의 반사율은 약69%이상인 것을 특징으로 하는 다중층
  8. 제1항에 있어서, 상기 MoRu/Be 다중층은 부가적으로 Be-온(on)-MoRu 계면상에 확산 장벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중층
  9. 제8항에 있어서, 상기 확산 장벽은 카본 및 카바이드로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어지며, 그 두께는 약0.2∼0.3nm인 것을 특징으로 하는 다중층
  10. 제1항에 있어서, 상기 MoRu/Be 다중층은 Be,MoRu,Si,Zr 및 Zn으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 캐핑층을 포함하며, 그 두께는 약0.5∼4.0nm인 것을 특징으로 하는 다중층
  11. 제10항에 있어서, 상기 캐핑층은 두께가 0.5∼0.6nm인 ZnO로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중층
  12. 제1항에 있어서, 상기 다중층은 기판, MoRu/Be 다중층, 상기 기판과 MoRu/Be 다중층사이에 위치한 비정질 실리콘 층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중층
  13. 비정질 MoRu 합금층과 결정질 Be층으로 이루어지는 MoRu/Be 다중층
  14. 제13항에 있어서, 부가하여, 기판 및 상기 기판과 MoRu/Be 다중층중 제1층사이에 비정질 실리콘층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중층
  15. 제13항에 있어서, 상기 외부층으로서 Be 혹은 MoRu를 사용하는 것을 특징으로 하는 다중층
  16. 제13항에 있어서, 부가하여 MoRu 및 Be의 겹층쌍사이에 확산 장벽층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중층
  17. 제16항에 있어서, 상기 확산장벽층은 카본 및 카바이드로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 다중층
  18. 제13항에 있어서, 부가하여 Si, Zr 및 Zn의 산화물로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 캐핑층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중층
  19. 제13항에 있어서, MoRu 및 Be의 약50겹층쌍으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중층
KR1020017014188A 1999-05-26 2000-05-17 몰리브덴루테늄/베릴륨 다중층 KR20020021095A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/320,061 US6228512B1 (en) 1999-05-26 1999-05-26 MoRu/Be multilayers for extreme ultraviolet applications
US09/320,061 1999-05-26
PCT/US2000/013549 WO2000073823A1 (en) 1999-05-26 2000-05-17 MoRu/Be MULTILAYERS

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20020021095A true KR20020021095A (ko) 2002-03-18

Family

ID=23244710

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020017014188A KR20020021095A (ko) 1999-05-26 2000-05-17 몰리브덴루테늄/베릴륨 다중층

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6228512B1 (ko)
EP (1) EP1198725A1 (ko)
JP (1) JP2003501681A (ko)
KR (1) KR20020021095A (ko)
AU (1) AU5024000A (ko)
WO (1) WO2000073823A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100861388B1 (ko) * 2006-02-28 2008-10-02 캐논 가부시끼가이샤 노광 장치 및 그 제어 방법, 및 디바이스 제조 방법

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2802311B1 (fr) * 1999-12-08 2002-01-18 Commissariat Energie Atomique Dispositif de lithographie utilisant une source de rayonnement dans le domaine extreme ultraviolet et des miroirs multicouches a large bande spectrale dans ce domaine
US6664554B2 (en) * 2001-01-03 2003-12-16 Euv Llc Self-cleaning optic for extreme ultraviolet lithography
WO2002059905A2 (de) * 2001-01-26 2002-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Schmalbandiger spektralfilter und seine verwendung
US6396900B1 (en) * 2001-05-01 2002-05-28 The Regents Of The University Of California Multilayer films with sharp, stable interfaces for use in EUV and soft X-ray application
US7372056B2 (en) * 2005-06-29 2008-05-13 Cymer, Inc. LPP EUV plasma source material target delivery system
US7378673B2 (en) * 2005-02-25 2008-05-27 Cymer, Inc. Source material dispenser for EUV light source
US7439530B2 (en) * 2005-06-29 2008-10-21 Cymer, Inc. LPP EUV light source drive laser system
US7843632B2 (en) * 2006-08-16 2010-11-30 Cymer, Inc. EUV optics
US7405416B2 (en) * 2005-02-25 2008-07-29 Cymer, Inc. Method and apparatus for EUV plasma source target delivery
EP1402542B1 (en) * 2001-07-03 2007-09-26 EUV Limited Liability Corporation Passivating overcoat bilayer
US20030008148A1 (en) * 2001-07-03 2003-01-09 Sasa Bajt Optimized capping layers for EUV multilayers
JP4461652B2 (ja) 2001-07-31 2010-05-12 株式会社ニコン 多層膜反射鏡及び多層膜反射鏡の製造方法
US6634760B2 (en) * 2001-08-27 2003-10-21 The Regents Of The University Of California Low-cost method for producing extreme ultraviolet lithography optics
US6835503B2 (en) 2002-04-12 2004-12-28 Micron Technology, Inc. Use of a planarizing layer to improve multilayer performance in extreme ultra-violet masks
DE10233828A1 (de) * 2002-07-24 2004-02-12 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Optische Komponente umfassend ein Material mit einem Nulldurchgang der thermischer Längsausdehnung
US7428037B2 (en) * 2002-07-24 2008-09-23 Carl Zeiss Smt Ag Optical component that includes a material having a thermal longitudinal expansion with a zero crossing
DE10258709A1 (de) * 2002-12-12 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Schutzsystem für reflektive optische Elemente, reflektives optisches Element und Verfahren zu deren Herstellung
DE10309084A1 (de) * 2003-03-03 2004-09-16 Carl Zeiss Smt Ag Reflektives optisches Element und EUV-Lithographiegerät
DE10319005A1 (de) 2003-04-25 2004-11-25 Carl Zeiss Smt Ag Reflektives optisches Element, optisches System und EUV-Lithographievorrichtung
CN100449690C (zh) * 2003-10-15 2009-01-07 株式会社尼康 多层膜反射镜、多层膜反射镜的制造方法及曝光系统
EP1675164B2 (en) * 2003-10-15 2019-07-03 Nikon Corporation Multilayer film reflection mirror, production method for multilayer film reflection mirror, and exposure system
KR100542464B1 (ko) * 2003-11-20 2006-01-11 학교법인 한양학원 원자력간 현미경 리소그래피 기술을 이용한 극자외선 노광공정용 반사형 다층 박막 미러의 제조방법
US7193228B2 (en) * 2004-03-10 2007-03-20 Cymer, Inc. EUV light source optical elements
JP4693395B2 (ja) * 2004-02-19 2011-06-01 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
JP2005302963A (ja) * 2004-04-09 2005-10-27 Canon Inc 露光装置
US20060024589A1 (en) * 2004-07-28 2006-02-02 Siegfried Schwarzl Passivation of multi-layer mirror for extreme ultraviolet lithography
JP4692984B2 (ja) * 2004-09-24 2011-06-01 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及び多層膜反射鏡並びにこれらの製造方法
US7547505B2 (en) * 2005-01-20 2009-06-16 Infineon Technologies Ag Methods of forming capping layers on reflective materials
US7449703B2 (en) * 2005-02-25 2008-11-11 Cymer, Inc. Method and apparatus for EUV plasma source target delivery target material handling
US7482609B2 (en) * 2005-02-28 2009-01-27 Cymer, Inc. LPP EUV light source drive laser system
US7336416B2 (en) * 2005-04-27 2008-02-26 Asml Netherlands B.V. Spectral purity filter for multi-layer mirror, lithographic apparatus including such multi-layer mirror, method for enlarging the ratio of desired radiation and undesired radiation, and device manufacturing method
US7948675B2 (en) 2005-10-11 2011-05-24 Nikon Corporation Surface-corrected multilayer-film mirrors with protected reflective surfaces, exposure systems comprising same, and associated methods
US7453077B2 (en) * 2005-11-05 2008-11-18 Cymer, Inc. EUV light source
JP2008026093A (ja) * 2006-07-20 2008-02-07 Canon Inc 多層膜反射鏡およびその製造方法
US7771895B2 (en) * 2006-09-15 2010-08-10 Applied Materials, Inc. Method of etching extreme ultraviolet light (EUV) photomasks
US7629594B2 (en) 2006-10-10 2009-12-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, and device manufacturing method
EP2109134B1 (en) * 2007-01-25 2017-03-01 Nikon Corporation Optical element, exposure apparatus employing the optical element, and device manufacturing method
US20080280539A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-13 Asml Holding N.V. Optical component fabrication using amorphous oxide coated substrates
US20080318066A1 (en) * 2007-05-11 2008-12-25 Asml Holding N.V. Optical Component Fabrication Using Coated Substrates
JP4956825B2 (ja) * 2007-09-28 2012-06-20 国立大学法人名古屋大学 反射鏡、その製造方法、そのクリーニング方法及び光源装置
JP5414053B2 (ja) * 2007-12-07 2014-02-12 独立行政法人物質・材料研究機構 金属電極及びこれを用いた半導体素子
DE102009049640B4 (de) * 2009-10-15 2012-05-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv für eine mikrolithographische EUV-Projektionsbelichtungsanlage
WO2011073157A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflective optical element for euv lithography
CN102681055B (zh) * 2012-05-30 2014-09-17 同济大学 一种硅铝合金/锆极紫外多层膜反射镜及其制备方法
CN103048712B (zh) * 2013-01-10 2014-11-19 同济大学 一种极紫外多层膜反射镜及其制作方法
US20140272684A1 (en) 2013-03-12 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor
US9354508B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor
US9417515B2 (en) * 2013-03-14 2016-08-16 Applied Materials, Inc. Ultra-smooth layer ultraviolet lithography mirrors and blanks, and manufacturing and lithography systems therefor
WO2015161934A1 (en) * 2014-04-23 2015-10-29 Asml Netherlands B.V. A lithographic apparatus, radiation source, and lithographic system
US9690016B2 (en) 2014-07-11 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet reflective element with amorphous layers and method of manufacturing thereof
US9581890B2 (en) * 2014-07-11 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet reflective element with multilayer stack and method of manufacturing thereof
US9739913B2 (en) 2014-07-11 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet capping layer and method of manufacturing and lithography thereof
JP7014353B2 (ja) * 2017-03-31 2022-02-01 株式会社Flosfia 結晶性積層構造体
US11442356B2 (en) * 2020-05-11 2022-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography mask with an amorphous capping layer
CN111939908A (zh) * 2020-07-03 2020-11-17 南方科技大学 钼钌合金催化剂及其制备方法和应用

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2648599B2 (ja) 1987-10-06 1997-09-03 キヤノン株式会社 Ｘ線又は真空紫外線用多層膜反射鏡の作成方法
JP2979667B2 (ja) 1991-01-23 1999-11-15 株式会社ニコン 反射型のｘ線露光用マスク
JP2634714B2 (ja) 1991-08-05 1997-07-30 信越化学工業株式会社 Ｘ線マスク構造体の製造方法
JPH05134385A (ja) 1991-11-11 1993-05-28 Nikon Corp 反射マスク
US5958629A (en) 1997-12-22 1999-09-28 Intel Corporation Using thin films as etch stop in EUV mask fabrication process
US6013399A (en) 1998-12-04 2000-01-11 Advanced Micro Devices, Inc. Reworkable EUV mask materials

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100861388B1 (ko) * 2006-02-28 2008-10-02 캐논 가부시끼가이샤 노광 장치 및 그 제어 방법, 및 디바이스 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
AU5024000A (en) 2000-12-18
EP1198725A1 (en) 2002-04-24
WO2000073823A1 (en) 2000-12-07
JP2003501681A (ja) 2003-01-14
US6228512B1 (en) 2001-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20020021095A (ko) 몰리브덴루테늄/베릴륨 다중층
US8927181B2 (en) Reflective mask blank for EUV lithography
TWI444757B (zh) 用於極紫外光（ｅｕｖ）微影術之反射性空白光罩
EP2139026B1 (en) Reflective mask blank for euv lithography
US7833682B2 (en) Reflective mask blank for EUV lithography and substrate with functional film for the same
US9423684B2 (en) Reflective mask blank for EUV lithography and process for its production
US9983333B2 (en) Hafnium or zirconium oxide coating
US8288062B2 (en) Reflective mask blank for EUV lithography
US9097976B2 (en) Reflective mask blank for EUV lithography
US8137872B2 (en) Reflective mask blank for EUV lithography
TWI418926B (zh) Reflective mask substrate for EUV photolithography
US7261957B2 (en) Multilayer system with protecting layer system and production method
US8986910B2 (en) Optical member for EUV lithography
JP2019527382A (ja) 合金吸収体を有する極紫外線マスクブランク、及びその製造方法
KR101669690B1 (ko) Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크
EP2600388A1 (en) Substrate provided with reflecting layer for euv lithography, and reflective mask blank for euv lithography
US20130196255A1 (en) Reflective mask blank for euv lithography and reflective mask for euv lithography
KR20140141486A (ko) Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크
US6229652B1 (en) High reflectance and low stress Mo2C/Be multilayers
EP2068325B1 (en) Optical element for X-ray
JP2009252788A (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
WO2012114980A1 (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid