JP4956825B2 - 反射鏡、その製造方法、そのクリーニング方法及び光源装置 - Google Patents
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Description
極端紫外光は、13〜14nmの波長域であるが、本件発明の対象する光の領域は、この極端紫外光を含むX線領域光である。反射鏡には、金属による全反射を利用する斜入射の反射鏡の他、たとえば、シリコンとモリブデンの多層膜上に、金属をコーティングした直入射の反射鏡が含まれる。また、反射鏡の表面に被覆される金属は、X線領域光、特に、極端紫外光領域の光反射率の高い金属が望ましい。たとえば、ルテニウム(Ru)、モリブデン(Mo)、又は、ロジウム(Rh)のうち、少なくとも1種を用いることが望ましい。
この発明においても、イオンは、アルゴンイオン、クリプトンイオン、又はルテニウムイオンのうち少なくとも1種であることが望ましい。
この方法により、反射鏡の被覆膜である金属を剥離させることなく、光源の放射種原子を除去することができる。
本発明は、本発明により表面が処理された集光反射鏡を用いた光源装置である。
特に、イオンにアルゴンイオンを用いれば、反射鏡表面の金属膜の剥離が防止でき、放射種原子の堆積物を容易に除去する金属膜を形成することができる。また、注入するイオンにルテニウムイオンを用いると、ルテニウムは、ルテニウム膜と同一成分の金属原子であることから、イオン注入による反射率の低減が防止される。
本発明の効果を確認するために、以下の実験を行った。図1に示すように、反射鏡101は、ニッケル(Ni)で、12mm角の反射鏡を形造る平面基台(鏡基台)103を形成し、その表面に、ルテニウムをスパッタリングにより形成して、反射鏡の光反射面を被覆するルテニウムから成る金属膜104を形成した。この金属膜104の厚さは、一様に350nmとし、スパッタリングは、鏡基台の温度を室温として行った。次に、IMX−3500RS(アルバック製)のイオン注入装置を用いて、エネルギー180keV、ドーズ量2×1015/cm2 で、深さ50nmの範囲に、アルゴン(Ar)イオンを注入した。これにより、ルテニウムの金属膜の少なくとも表面をアモルファスとした。
(1)装置の構成について
図4は、本発明の第1の実施例に係る極端紫外光光源装置の構成の概略を示す断面図である。極端紫外光光源装置は、第1の主放電電極2a、第2の主放電電極2b及び絶縁材2cよりなるプラズマ生成部2が収容される第1のチャンバ1aと、集光反射鏡(本発明の反射鏡)4が収容される第2のチャンバ1bとを備えている。第1のチャンバ1aには、原料導入管6aを介して放電ガス供給ユニット6が接続されている。
制御部12は、露光機の制御部13からの発光指令信号等に基づき、高電圧パルス発生部11、放電ガス供給ユニット6、ガス供給ユニット7、ガス排気ユニット8を制御する。例えば、極端紫外光光源装置の制御部12は、露光機の制御部13からの発光指令信号を受信すると、放電ガス供給ユニット7を制御して、チャンバ1b内のプラズマ発生部の内部に放電ガスを供給する。
第1のチャンバ1a内に、放電ガス供給ユニット6より第2の主放電電極2b側に接続された原料導入管6aを介して放電ガスが導入される。放電ガスは、プラズマ生成部2において波長13.5nmの極端紫外光を放出する放射源を高効率に形成するためのものであり、例えば、スタナン(SnH4 )である。プラズマ生成部2の内部に導入されたSnH4 は、リング状の第1の主放電電極2a、第2の主放電電極2b及び絶縁材2cにより形成されている連通穴を通過して第2のチャンバ1b側に流れ、ガス排出口8aに到達する。ガス排出口8aに到達した放電用ガスは、ガス排気ユニット8により排気される。
第1および第2の主放電電極2a,2b間に放電を生じさせている工程(プラズマ生成工程)が経過するに伴って、放電ガス中に含まれる極端紫外光放射源、或いは高温プラズマと接する主放電電極を構成する物質の一部が、ガスカーテンやホイルトラップ3によって捕捉されることなく集光反射鏡4の光反射面上に堆積し、これらの汚染物質よりなる汚染物質層が形成される。
(1)まず、露光機から受信した放電停止信号に基づき、制御部12から高電圧パルス発生部11に対し放電停止信号が送信される。高電圧パルス発生部11は、制御部12から放電停止信号を受信することにより、第1および第2の主放電電極2a,2bに対する高圧パルス電圧の印加を停止し、プラズマ生成部2における放電を停止する。
さらに、制御部12は、放電ガス供給ユニット6に対し放電ガス停止信号を送信する。放電ガス停止信号を受信した放電ガス供給ユニット6は、プラズマ生成部2に対する放電ガスの供給を停止する。
クリーニングガスとして水素ラジカルを使用する場合は、クリーニングガス供給ユニット24に代えて、水素のプラズマを生成して水素ラジカル発生する水素ラジカル発生装置24’を切り換えて使用することになる。クリーニングガスとして水素ラジカルを使用する場合は、主放電電極の劣化や精密機器の侵食といった問題はないので、ゲートバルブ21a,22aはなくても良く、したがって、極端紫外光の発光中にクリーニングを行なうことも可能である。しかし、極端紫外光の発光停止中にクリーニングを行なう場合は、クリーニングを行なう空間を小さくしてクリーニングの効率を上げるために、ゲートバルブ21a,22aを用いても良い。また、クリーニングガスとして水素ラジカルを使用する場合、水素ラジカルを生成する水素ラジカル供給装置24’として、例えば特開2006-228813 に記載のラジカル生成装置を使用することができる。
ここで、本実施例の極端紫外光光源装置においても、集光反射鏡4は、例えば、ニッケル(Ni)等からなる平滑面を有する基体材料の反射面側に、ルテニウム(Ru)を緻密にコーティングして金属膜を形成し、このルテニウムから成る金属膜の表面からアルゴンイオンが注入されて表面処理が成されている。このアルゴンのイオン注入により金属膜の表面がアモルファスとなった集光反射鏡である。すなわち、上記の実施例で示した表面処理された反射鏡が用いられる。本実施例装置においては、前記第1の実施例と同様、第1および第2の主放電電極20a,20b間に放電を生じさせている工程(プラズマ生成工程)が経過するに伴って、集光反射鏡4の光反射面上に、汚染物質よりなる汚染物質層が形成される。
また、第1の実施例と同様、集光反射鏡4の光反射面をクリーニングする前後において、放電空間31と集光空間32の間、極端紫外光取出口5の2箇所に設けられた、第1,第2のゲート21,22は、第1,第2のゲートバルブ21a,22aにより開閉される。水素ラジカルを用いて表面をクリーニングする場合には、クリーニングガス供給ユニット24を、水素プラズマを発生して水素ラジカルを生成する水素ラジカル発生装置24’に切り換えて、水素ラジカルを供給する。
4…集光反射鏡
24…クリーニングガス供給ユニット
24’…水素ラジカル発生装置
101…反射鏡(試料)
25…クリーニングガス又は水素ラジカル供給ノズル
Claims (8)
- X線領域光を反射する光反射面を有する反射鏡において、
前記光反射面は、少なくとも表面をアモルファスの金属で形成し、
前記金属は、ルテニウム(Ru)、モリブデン(Mo)、又は、ロジウム(Rh)のうちの1種のみから成る単層であり、
前記アモルファスは、前記金属へのイオン注入により形成されたものである
ことを特徴とする反射鏡。 - 注入される前記イオンは、アルゴンイオン、クリプトンイオン、ルテニウムイオン、モリブデンイオン、又は、ロジウムイオンのうち少なくとも1種であることを特徴とする請求項1に記載の反射鏡。
- 前記X線領域光は、錫、又は錫化合物を光放射種とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の反射鏡。
- X線領域光を反射する光反射面を有する反射鏡の製造方法において、
前記光反射面をルテニウムとし、その表面からイオンを注入して、少なくとも表面をアモルファスとすることを特徴とする反射鏡の製造方法。 - 前記イオンは、アルゴンイオン、クリプトンイオン、又はルテニウムイオンのうち少なくとも1種であることを特徴とする請求項4に記載の反射鏡の製造方法。
- X線領域光を反射する光反射面を有する反射鏡のクリーニング方法において、
請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の反射鏡を、水素ラジカル、ハロゲンラジカル、又は、ハロゲンガスで、前記反射鏡の表面をクリーニングすることを特徴とする反射鏡のクリーニング方法。 - 光取出口を有するチャンバと、
金属または金属化合物のX線領域光放射種を含む原料をチャンバに供給する原料供給手段と、
チャンバ内に供給されたX線領域光放射種を加熱して励起させて高温プラズマを発生させるためのプラズマ生成部と、
前記高温プラズマから放射されるX線領域光を所定の位置に集光させる集光反射鏡と、
前記集光反射鏡の表面に堆積された汚染物質層を除去するクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、を備えるX線領域光光源装置において、
前記集光反射鏡を請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の反射鏡としたことを特徴とするX線領域光光源装置。 - 前記チャンバには、前記プラズマ生成部と前記集光反射鏡が収容されたチャンバとを区画するシャッタが設けられていることを特徴とする請求項7に記載のX線領域光光源装置。
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