KR20020018651A - 기판 처리 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 목적은 요구되는 공간을 유지하면서 종래의 기판 처리 수단의 처리 용량을 증가시키는 것이다. 결국, 두 탱크 중 하나에서 기판을 처리하는 수단 및 방법이 제공된다. 상기 탱크는 적어도 2가지의 유체로 채워 질 수 있다. 본 발명의 방법은 a)두 탱크에 의해 공유되는 프로세싱 유니트에 제 1 처리유체를 유입시키는 단계, b) 기판으로 탱크를 차징하는 단계, c) 탱크로 최소한 제 2 처리유체를 유입시키는 단계, e) 탱크에서 기판을 제거하는 단계를 포함하는 데, 탱크와 관련된 프로세싱 단계는 시간 주기가 탱크 중 하나에서의 단계 c)의 마지막과 다른 탱크에서의 단계 c)의 처음 사이에 제공되도록 시간이 서로 교차하도록 조절되며, 이에 따라, 상기 시간 주기는 제 1 처리유체를 프로세싱하기에 충분히 길게 된다.
Description
처리탱크 내에서 수많은 기판 처리가 서로 다른 처리유체를 유입함으로써 이루어질 수 있기 때문에, 이러한 장치는 싱글 탱크 툴(STT)로서 설계된다. 이런 장치는 예를 들어 아직 공개되지 않았으나 본원과 출원인이 동일한 독일특허출원 제 197 38 147호 뿐만아니라 본원과 출원인이 동일한 DE-A-196 16 402호에 기술되어 있다. 이러한 장치에서, 하나의 처리탱크를 가지는 서로 다른 장치와 관련된다. 이러한 장치는 웨이퍼 유입/전달조, 푸셔(pusher)로 디자인된 웨이퍼를 모으는 수단, 수송 매카니즘, 전기 스위칭 및 조절 수단 뿐만아니라 적어도 2개의 처리유체 공급 유니트를 포함한다. 상기에서 기술한 장치는 싱글 탱크용으로 디자인된 용량을 각각 가진다.
처리유체 공급 유니트의 적어도 하나는 처리유체 프로세싱 유니트를 포함하는 데, 처리유체는 예를 들어, 암모니아, 수소과산화물 및 물을 포함하는 SC1이 혼합되어 가열된다. 처리유체 프로세싱 유니트 뿐만아니라 처리 및 프로세싱은 기판의 처리 동안에 상당한 비용을 발생시킨다.
JP-A-61-133633호는 일반적인 공급 유니트를 통해서 공급되는 3개의 동일한 처리탱크를 사용하는 반도체 웨이퍼의 처리를 위한 장치가 기술되어 있다. 어떤 위치에서 일정한 시간에 단지 하나의 탱크가 웨이퍼의 처리를 위해서 사용되도록, 처리탱크가 연속적으로 웨이퍼의 처리를 위해서 사용된다. 처리탱크로서 탱크를 사용하여 특정한 수의 처리 사이클이 종료된 후에, 잔류 탱크가 정렬되어 준비된다. 주어진 지점에서 일정한 시간에 단지 하나의 탱크가 웨이퍼의 처리를 위해서 사용되나, 이 장치는 3개의 처리탱크를 위해서 공간을 요구한다. 공간에 대한 높은 요구는 장치의 가격을 증가시키고, 일반적으로 값비싼 세척 스트림에서 작동하게 된다.
JP-A-6-314683은 일반적인 공급 유니트를 통해 처리유체를 공급받는 다수의 처리탱크를 가지는 반도체 처리용 장치를 기술한다. 이 장치에 있어서, 다수의 처리탱크가 동시에 사용되어, 일정한 시간에 사용되지 않는 처리탱크는 연속적인 처리를 위해서 정렬되어 준비된다. 이 점에서, 이러한 탱크 모두가 주어진 지점에서 일정한 시간에 사용되는 것은 아니지만, 공급 유니트는 동시에 모든 탱크에 공급되도록 설계된다. 연속해서 탱크를 준비시킴으로써, 모든 처리탱크를 위해 디자인된 공급 유니트를 가질 뿐만아니라 높은 공간의 요구가 필요하다.
JP-A-6-204201호는 일반적인 공급 유니트에 의해서 처리유체가 공급되는 다수의 처리탱크를 사용하여 반도체 웨이퍼를 처리하는 장치를 기술한다. 이러한 탱크는 동시에 사용되고, 공급 유니트는 모든 탱크에 동시에 공급되도록 설계된다.
본 발명은 적어도 2가지의 유체로 채워질 수 있는 탱크 내에서 기판을 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명은 도면과 관련하여 바람직한 특정의 실시예와 관련하여 이하에서 보다 상세히 기술된다.
도 1은 본 발명의 처리 장치의 개략도이다.
도 2는 처리유체 흐름도의 개략도이다.
도 3은 또다른 처리유체 흐름도의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 장치에서 기판 처리 프로세서의 흐름도이다.
상기에서 언급된 장치의 프로세싱에서, 기판을 경제적으로 처리하도록 하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이 본 발명의 목적이다. 더구나, 장치의 공간을 넓히지 않고도 장치의 처리량을 높일 수 있는 데, 이는 이러한 장치가 처리 및 동작과 관련하여 높은 비용이 소모되는 세척 스트림에서 일반적으로 동작되기 때문이다.
본 발명의 목적은 적어도 2가지의 유체로 채워질 수 있는 적어도 2개의 탱크 중 하나에서 기판을 처리하는 방법으로서, 상기 방법은 a) 하나의 처리탱크용으로 설계되는 프로세싱 유니트 용량을 가지는 두 탱크에 의해 공유되거나 공통되는 처리유체 프로세싱 유니트 내에 제 1 처리유체를 준비하는 단계 b) 기판을 탱크에 차징하는 단계 c) 설정된 시간 주기동안에 탱크에 제 1 처리유체를 유입시키는 단계 d) 탱크 내에 최소한의 제 2 처리유체를 유입시키는 단계 e) 탱크에서 기판을 제거하는 단계를 포함하며, 각 단계 또는 순서는 병렬적으로 시간이 서로 교차되도록 조절되며, 각 탱크에서 제 1 처리유체의 처리를 위한 충분한 시간이 탱크 중 하나의 단계 c)의 마지막 및 다른 탱크에서의 단계 c)의 처음 사이에 제공되는 방법으로 이루어진다. 두 처리탱크를 사용함으로써, 탱크내의 처리단계 시간이 서로 교차되도록 조절되기 때문에, 종래의 하나의 탱크 프로세서 즉 싱글 탱크 툴(Single Tank Tool)의 처리용량을 두 배로 하는 것이 가능하다. 각 탱크에서 처리 단계의 시간이 서로 교차되도록 조절되기 때문에, 탱크의 용량이 다수의 탱크를 위해 설계되어야 할 필요없이, 탱크와 연결된 장치 및 엘리먼트를 결합하여 사용하는 것이 가능하다. 결과적으로, 공간이 종래의 두 개의 싱크 탱크 툴을 사용하는 것과 비교하여 상당히 줄어들 수 있기 때문에, 두 개의 완전한 싱클 탱크 툴이 요구되지 않는다. 이것은 특히 장치가 일반적으로 세척 흐름 내에 위치되고, 생산 및 유지에 비용이 많이 든다는 사실과 관련하여 보다 바람직하다.
제 1 처리유체는 바람직하게는 제 2 처리유체의 유입 전에 회수되거나 제 2 처리유체의 유입에 의해서 탱크 밖으로 배출된다.
다른 화학물질로부터의 제조동안에, 제 1 처리유체는 바람직하게는 각각 요구되는 혼합물 비율을 가지는 처리유체, 처리를 위해서 제공되도록 혼합 및/또는 가열된다. 하나의 특정의 바람직한 실시예에 따르면, 처리 단계 c)가 끝난 후에, 이러한 화학물질이 최소한 부분적으로 재사용되기 때문에, 사용된 화학물질의 비용을 상당히 줄이기 위해서 처리유체를 다시 공정을 거치도록 제 1 처리유체는 처리유체 프로세싱 유니트로 각각 적어도 일부분이 되돌려진다.
처리 동안에, 제 3 처리유체는 바람직하게는 탱크 내에 다시 유입되어, 제 2 또는 제 3유체는 기판의 세척을 위한 세정유체가 된다.
또한 공간의 절약을 위해서, 제 2 및/또는 제 3 처리유체는 두 탱크에 각각 동일한 처리유체 공급 유니트에 의해서 유용하게 사용되며, 탱크는 동일한 조종 매카니즘에 의해서 차징되고 언로딩된다. 본 발명의 특정한 실시예와 관련하여, 탱크 중의 하나를 차징하고 언로딩하기 위해서, 기판은 다른 탱크로 옮겨지며, 따라서, 다른 탱크내의 화학 처리 때문에 기판에 반대로 영향을 미치는 것을 막도록, 이러한 움직임은 단지 다른 탱크의 세정 공정 동안에 이루어진다. 본 발명의 다른 특정의 실시예와 관련하여, 조종 매카니즘의 움직임 동안에, 폐쇄 수단이 처리탱크를 봉쇄하도록 제공된다. 조정 매카니즘은 바람직하게는 평평한 두껑이다. 조정 매카니즘은 바람직하게는 동일한 유입/전달부를 이용한다.
기판을 양호하게 또한 빨리 건조시키기 위해서, 기판은 마랑고니 원리와 관련하여 각 탱크에서 제거되는 동안에 건조되므로, 다른 건조 공정이 또한 사용될 수 있다.
본 발명의 목적은 처리 기판을 위한 장치에 의해서 현실화될 수 있는데, 장치는 최소한 두 처리유체로 채워질 수 있는 두 개의 탱크, 하나의 탱크용으로 설계되는 용량을 가지며 적어도 하나의 처리유체 프로세싱 유니트를 가지며 탱크들에 공유되거나 공통되는 최소한 하나의 제 1 처리유체 공급 유니트, 적어도 하나의 제 2 처리유체 공급 유니트 및 각 탱크의 병렬적인 프로세서 단계에서 시간이 교차되도록 조절하기 위한 조절 유니트를 포함한다. 이러한 장치를 가지면 상기에서 이미 언급된 장점이 나타난다.
각 탱크는 바람직하게 급속 배출 밸브 및/도는 오버플로관을 가진다. 처리유체 공급 유니트에서의 처리유체의 분리 및 정적 변화를 막기 위해서, 유니트는 처리유체가 계속적으로 움직이는 유체 회선(fluid circuit)을 가진다. 처리동안에 사용되는 화학물질의 재프로세싱에서, 본 발명의 특정의 실시예와 관련하여, 장치는 탱크에서 제 1 처리유체 공급 유니트로 처리유체가 되돌아오게 하는 수단을 가지며, 재프로세싱 유니트가 제공된다.
장치가 가능하한 적은 공간을 차지하도록, 접합 기판 조종 매카니즘은 바람직하게는 두 탱크를 차징하거나 언로딩하도록 제공되며, 또한 두 탱크 내에서의 처리를 위해 기판을 결합시키는 결합 유니트 및/또는 기판의 처리를 위한 동일한 유입/전달부가 제공된다. 기판 조종 매카니즘은 가능하한 단순한 운동 매카니즘을 가질 수 있기 때문에, 유입부, 기판을 집중시키는 수단 및/또는 탱크는 일렬로 위치된다.
하나의 탱크를 차징하거나 언로딩하기 위해 기판 조종 매카니즘이 다른 탱크와 교차되는 것을 막기 위해서, 두 탱크는 바람직하게는 기판을 집중시키기 위해 유니트의 다른 쪽에 위치한다.
도 1은 본 발명의 웨이퍼 처리 장치(1)의 개략도이다. 장치(1)는 처리조(2), 전기 스위칭 및 조절 캐비넷(3), 비이온화 물(DIW)의 가열수단(4), 희석된 수소플루오르 산(DHF)의 제 1 화학물질 공급 유니트(5) 뿐만아니라 비이온화 물의 공급 유니트(6)를 가진다. 전기 스위칭 및 조절 캐비넷(3), 가열수단(4), 화학물질 공급 유니트(5) 및 공급 유니트(6)는 모두 처리조(2)의 외부에 위치한다.그러나, 이와 달리 이러한 구성요소는 처리조(2)에 또한 수용될 수 있다.
도시되지 않은 충전 및 제거 매카니즘에 의해서, 유입/전달 저장 유니트로 유입되거나 배출되는 다수의 웨이퍼 카세트(10)를 수용하도록 제공되는 유입/전달 저장 유니트(8)가 처리조(2)내에 제공된다. 웨이퍼를 모으는 제 1 수단, 소위 푸셔(12)가 유입/전달 저장 유니트(8) 옆에 부착되어, 푸셔 내의 웨이퍼는 연속적인 처리를 위해 컴팩터한 웨이퍼 세트를 형성하기 위해서 두 웨이퍼 카세트로 차례로 서로 모집된다. 예를 들어, 26개의 웨이퍼가 하나의 웨이퍼 카세트(10) 내에 모여진다면, 푸셔 내에 모집된 세트는 52개의 웨이퍼를 포함한다.
제 1 푸셔(12)는 처리 후에 두 개의 분리된 웨이퍼 카세트(10)로 기판을 다시 분리하는 방법과 동일한 방법으로 제공된다.
임의적으로, 제 2 푸셔(14)는 도 1에 도시된 바와 같이 제 1 푸셔의 옆에 제공된다. 두 개의 분리된 푸셔가 사용된다면, 푸셔 중의 하나, 예를 들면 푸셔(12)는 기판을 혼합하여 한 세트로 만들 수 있다. 이에 반해, 제 2 푸셔 즉 푸셔(14)는 상기 세트를 분리한다.
처리탱크(16) 즉 STT 1 뿐만아니라 처리탱크(18) 즉 STT 2가 또한 처리조(2)내에 위치된다. 웨이퍼 세트를 푸셔(12, 14) 및 처리탱크(16, 18)내로 수송하기 위해서, 유동 후드(20)의 형태로 수송 매카니즘이 제공된다. 처리탱크(16, 18)는 푸셔(12, 14)와 같은 라인 상에 위치한다. 푸셔(12, 14) 및 처리탱크(16, 18)가 동일 라인 상에 위치하기 때문에, 후드가 단지 두 방향의 운동 즉, 수직 및 수평으로 움직이는 것이 가능하다.
또한, 예를 들어, SC1, 즉 암모니아, 수소과산화물 및 물의 혼합물의 화학물질 공급 유니트(22)가 처리 저장조(2) 내에 또한 제공된다. 화학물질 공급 유니트(22)는 도 2와 관련하여 계속해서 보다 상세하게 기술될 것이다.
도 1에서와 같이, 처리탱크(18)의 차징 전, 처리탱크(18)를 언로딩 후에, 후드(20)는 각 경우에 있어서 처리탱크(16)로 옮겨간다. 이렇게 할 때, 후드(20)내에 위치한 웨이퍼는 처리탱크(16)내에서 일어나는 처리 공정에 의해서 영향을 받을 수 있다. 따라서, 처리탱크(16, 18)는 푸셔(12, 14)의 반대편에 서로 위치하므로, 처리탱크(18)의 차징 및 언로딩을 위해 처리탱크(18)의 전달은 불필요하다. 더구나, 처리탱크의 한쪽 방향에 후드(20)가 다른 처리탱크를 건낼 필요가 없도록 서로의 옆에 처리탱크(16, 18)를 배치하는 것이 또한 가능하다. 이 경우에, 그러나, 보다 복잡한 운동 매카니즘에서는 후드(20)가 추가적으로 선형 및 수직 운동을 수행하여야 하기 때문에, 후드는 3가지 방향으로 운동을 수행하는 것이 필요하다.
화학물질 공급 유니트(22)의 구조 및 기능은 도 2에서 보다 상세하게 기술될 것이다. 화학물질 공급 유니트(22)는 가열수단(24), 혼합 수단(26), 펌프(28), 필터(29, 30), 농축 수단(concentration device, 32) 및 단련 수단(tempering device, 34)을 포함한다. 각 엘리먼트는 폐회선을 형성하도록 도 2에 도시된 바와 같이 차례로 일렬로 결합된다.
가열수단(24) 및/또는 혼합 수단(26)은 라인을 통해서 화학물질 저장조에서 연결되고, 이 저장조를 통해서 필요한 화학물질이 회선 내로 유입된다. 물론, 화학물질을 어떤 다른 위치에서 회선 내로 유입하는 것도 가능하다.
라인(36, 38)은 폐회선에서 제 1 및 제 2 처리탱크(16, 18)의 유입구(37, 39)로 확장된다. 회수 라인(40, 42)은 처리탱크(16, 18)에서 화학물질 공급 유니트(22)내의 회선으로 다시 확장된다.
도 2에서 알 수 있는 바와 같이, 제 1 처리탱크(16)는 배출구(44)를 가진다. 배출구(44)는 처리탱크(16)내에서 처리유체를 빨리 배출시키기 위해서 상대적으로 큰 개구를 가진다.
더구나, 처리탱크(16)는 탱크위로 넘치는 처리유체를 회수하도록 유출구와 연결되는 오버플로우관(overflow, 46)을 가진다.
동일한 방법으로, 처리탱크(18)는 배출구(48) 및 오버플로우관(50)을 가진다. 회수 라인(44, 48)은 오버플로우관(46, 50) 및 배수구(44, 48)와 연결될 수 있다.
화학물질 공급 유니트 내에서, 특히 가열수단(24) 및 혼합 수단(26)은 화학물질이 처리탱크(16. 18)내에 웨이퍼를 처리하도록 실행되는 화학 프로세싱 유니트를 형성한다. 화학물질 공급 유니트의 용량, 특히 화학물질 프로세싱 유니트의 용량은 하나의 처리탱크(16, 18)를 위해서 설계된다. 화학물질이 처리된 후에, 정해진 주기의 시간동안에 웨이퍼의 처리를 수행하도록 펌프(28) 및 필터(29, 30)를 통해서 처리탱크(16, 18)로 전달된다. 처리탱크(16, 18)에서 나온 화학물질은 계속해서 화학물질 공급 유니트(22)로 다시 전달된다. 여기서, 화학물질은 농축 수단(32)내에서 농축되고, 단련 수단(34)으로 전달되어 단련된다. 화학물질은 공급 수단(24)으로 전달되어 적절한 방법으로 처리 온도까지 가열된다.
화학물질은 가열수단(24)에서 혼합 수단(26)으로 전달되어, 펌프(28) 및 필터(29, 30)를 통해 다른 탱크(16, 18)로 전달되기 전에 가능하다면 새로운 화학물질이 부가되어 서로 혼합된다. 화학물질 공급 유니트 내의 화학물질의 처리 및 실행은 일정한 시간이 요구되어, 탱크(16, 18) 내의 프로세서 절차 및 단계는 특정한 방법으로 조절되는 데, 이는 도 4에서 계속해서 보다 상세하게 기술될 것이다.
전체 처리유체가 탱크(16, 18)내에서 처리된 후에 화학물질 공급 유니트로 회수되는 것이 도 2와 관련되어 이미 설명되었으나, 오버플로우관(46, 50) 또는 배출구(44, 48)를 통해서 전체가 아닌 단지 일부의 처리유체가 회수되는 것이 가능하다.
희석된 수소플루오르산(DHF)을 위한 화학물질 공급 유니트(5)는 도 3에 도시될 것이다. 유니트(5)는 혼합 수단(52), 펌프(54), 필터(55, 56, 57), 단련 수단(58) 및 농축 수단(60)을 포함하는데, 이것들은 각 라인을 통해서 서로 일렬로 연결되어 있어 폐회선을 형성한다. 회선은 처리탱크(16, 18)의 유입구(37, 39)와 적절한 라인(61, 62)을 통해서 연결된다. 화학물질 공급 유니트(5)의 용량은 하나의 처리탱크(16, 18)를 위해 설계되며, 또한 DHF을 가진 단지 하나의 탱크를 항상 공급할 수 있다. 혼합 수단(52)은 화학물질을 위해 저장조와 연결되어, 저장조를 통해서 화학물질은 회선 내에 유입될 수 있다. 회선 내의 화학물질은 폐회선내를 흘러 라인(61, 62)을 통해서 탱크(16, 18)로 전달되지 않을 정도까지 일정한 움직임을 가진다.
화학물질 공급 유니트(5)는 상대적으로 높은 유속 예를 들어 분당 50리터을가지도록 설계되며, 화학물질은 상당한 준비시간 필요없이 즉시 유용하게 사용될 수 있다.
처리탱크(16, 18)내의 프로세서 단계에서 시간과 관련되어 서로 교차하면서 조절하는 것은 도 4와 관련하여 설명될 것이며, 따라서, 조절은 도시되지 않은 조절 유니트를 통해서 일어난다. 도 4는 각 처리탱크 내의 프로세서의 시간순서를 나타내는 데, 시간축이 상부에서 하부를 떨어지는 것을 나타낸다.
도면에서 사용되는 용어의 의미:
SC1 = 화학물질 공급 유니트(22)내에서 SC1로 처리되는 웨이퍼 처리,
OR = 오버플로 세정 즉, 각 탱크 내의 처리유체가 다른 처리유체의 유입에 의해서 탱크에서 배출되고, 오버플로를 야기함,
QDR = 빠른 덤프 세정(Quick Dump Rinse) 즉, 탱크 내의 처리유체가 각 배출구(44 또는 48)를 통해서 빨리 제거됨,
DHF = 묽은 수소플루오르 산으로 웨이퍼 처리,
FR = 최종 세정, 즉 웨이퍼를 비이온화된 물로 세정함,
MG/DRY = 기판은 처리유체에서 제거되고, 마랑고니 프로세서에 따라서 건조된다.
처리탱크(18, STT2)는 처음에 웨이퍼로 채워지고, 동시에 화학물질 공급 유니트(22)내의 SC1은 처리된다. 채워진 후에, 특정 주기의 시간동안 SC1로 웨이퍼를 처리하는 것이 처리탱크(18)내에서 행해진다. 처리 후에, 처리탱크(18)로의 SC1 공급은 정지되고, 동시에 새로운 SC1이 다른 처리를 위한 화학물질 공급유니트(22)내에서 처리된다. 처리탱크(18)내에 여전히 존재하는 SC1은 웨이퍼의 세척을 위해 Di 물을 유입시킴으로써 탱크에서 배출되거나 또는 SC1은 급속 배출구(48)를 통해서 배출되고, Di 물은 계속해서 처리탱크(18)내로 유입된다. 어떤 주기의 시간동안, DHF는 계속해서 처리탱크(18)내로 유입되어 그곳에서 머무르고 또는 계속해서 전달된다. 웨이퍼를 DHF로 처리한 후에, 비이온화 물을 유입함으로써 DHF는 탱크에서 제거되어 오버플로를 야기시키고, 웨이퍼는 비이온화 물로 세정된다. 계속해서, 웨이퍼에서 비이온화 물을 제거하여, 마랑고니 공정에 의해서 건조시킨다. 그리고, 처리탱크(18)를 언로딩하고, 짧은 시간간격 후에, 깨끗한 웨이퍼를 멀리 수송하고, 세척된 새로운 기판을 얻기 위해서 탱크는 다시 채워지다.
프로세싱과 관련되어 서로 교차하는 주기의 시간 후에, 상기에서 기술된 공정은 또한 처리탱크(16)에서 수행됨에 따라, 탱크(18)내에서의 DHF 처리 동안에, 처리탱크(16)는 웨이퍼로 채워진다. 탱크 내에서의 SC1 처리는 오버플로 세정 / 최종 세정 및 탱크(18)내의 마랑고니 건조동안에 행해진다.
SC1 화학물질의 제거 및 DHF 화학물질의 처리탱크(16)로의 유입은 탱크(18)가 비워지는 동안에 일어나고, 탱크(16)의 DHF 처리는 탱크(18)의 차징 및 언로딩 사이의 시간간격 동안에 행해진다. 탱크내의 오버플로우 세정 / 최종 세정은 탱크(18)가 채워지는 동안에 일어난다. 마랑고니 건조 및 탱크(16)를 언로딩하는 것은 탱크(18)의 SC1 처리동안에 일어난다.
상기 언급한 서로 교차하면서 조절하는 것은 SC1 화학물질의 준비 또는 프로세싱을 위해 탱크(18)내의 SC1 처리의 마지막과 탱크(16)내의 SC1 처리의 시작 사이에서 충분한 주기의 시간이 남아 있다는 것을 확신하게 한다. 더구나, 각 탱크내의 DHF 처리 및 오버플로 세정 / 최종세정 처리는 시간과 관련하여 서로 겹쳐지지 않도록 일어난다. 처리탱크(16, 18)의 프로세서 공정 사이의 이러한 시간 차이 때문에, SC1의 반드시 필요한 실행 시간에도 불구하고, 단지 하나의 처리탱크를 위해 설계되는 용량을 가지는 하나의 SC1 공급 유니트를 사용하는 것이 가능하다. 동일한 것이 DHF 공급 유니트에 적용되나, 연속적인 처리 단계사이에 화학물질의 상당한 실행시간이 걸리는 문제가 존재하지 않는다.
더구나, 처리탱크(18)의 차징 및 언로딩은 처리탱크(16)내의 SC1 처리 단계 동안에 각각 일어난다. 결과적으로, 탱크(18)로 전달된 웨이퍼는 탱크(16)내의 SC1 처리에 의해서는 거꾸로 영향을 받지 않기 때문에, 처리탱크(18)로의 웨이퍼 전달 및 처리탱크(18)에서의 전달 각각은 처리탱크(16)에서의 SC1 처리 단계 중간에 일어난다.
본 발명은 바람직한 특정의 실시예와 관련하여 기술되나, 실질적으로 기술된 실시예에 한정되지 않는다. 예를 들어, 조종 수단이 탱크 상으로 이동될 때, 반드시 필요한 평탄한 뚜껑의 커버는 탱크의 적어도 하나를 커버하도록 제공될 수 있다. 두껑은 조종 수단의 오염을 막도록 탱크를 단단히 감싸고 단지 덮거나, 그 내의 웨이퍼의 오염을 막을 수 있다. 특히, 처리탱크내의 사용된 화학물질 뿐만아니라 프로세서 단계는 실제로 도시된 것에서 벗어날 수 있다.
Claims (30)
- 최소한 2가지의 유체로 채워질 수 있는 두 탱크 중 최소한 하나에서 기판을 처리하는 방법으로서, 그 방법은a) 하나의 처리탱크용으로 설계되는 프로세싱 유니트 용량을 가지는 두 탱크 모두에 공통적인 처리유체 프로세싱 유니트 내에 제 1 처리유체를 준비하는 단계,b) 기판을 탱크에 차징하는 단계,c) 설정된 시간 주기동안에 탱크에 제 1 처리유체를 유입시키는 단계,d) 탱크 내에 제 2처리유체를 유입시키는 단계, 및e) 탱크에서 기판을 제거하는 단계를 포함하며,방법의 단계는 병렬적으로 시간이 서로 교차되도록 조절되며, 제 1 처리유체를 준비하기 위한 충분한 시간이 탱크 중 하나에서의 단계 c)의 마지막과 다른 탱크에서의 단계 c)의 처음 사이에 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 처리유체는 제 2 처리유체가 유입되기 전에 배출되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 처리유체는 제 2 처리유체의 유입에 의해서 배출되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 상기 항 중 어느 한 항에 있어서,제 1 처리유체는 다른 화학물질의 처리동안에 혼합 및/또는 가열되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 상기 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 단계 c)가 끝난 후에 제 1 처리유체는 각각 처리유체 프로세싱 유니트로 되돌려 지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 상기 항 중 어느 한 항에 있어서,제 1 처리유체의 프로세싱 및 탱크의 차징이 시간상으로 최소한 부분적으로 서로 겹쳐지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 상기 항 중 어느 한 항에 있어서,제 3 처리유체가 유입되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 상기 항 중 어느 한 항에 있어서,제 2 및/또는 제 3 유체는 세정 유체인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 상기 항 중 어느 한 항에 있어서,제 2 및/또는 제 3 유체는 두 탱크에 각각 동일한 처리유체 공급 유니트에 의해 유용하게 되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 상기 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 탱크는 동일한 조종 매카니즘으로 차징되고 언로딩되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 상기 항 중 어느 한 항에 있어서,한 탱크를 차징하고 언로딩하는 동안, 기판이 다른 탱크 위로 옮겨지는 이 운동이 다른 탱크의 세정 공정 동안에 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 상기 항 중 어느 한 항에 있어서,조종 매카니즘의 운동 동안에 탱크 중의 하나는 덮여지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 12항에 있어서,탱크는 반드시 필요한 평탄한 두껑에 의해서 덮여 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 상기 항 중 어느 한 항에 있어서,조종 매카니즘은 동일한 유입/전달부에 접근하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 상기 항 중 어느 한 항에 있어서,기판이 각 탱크에서 제거하는 동안에, 기판은 마랑고니 원리와 관련되어 건조되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 15항에 있어서,상기 건조는 마랑고니 원리와 관련되어 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 기판을 처리하는 장치는적어도 두 처리유체로 채워질 수 있는 두 개의 탱크,하나의 탱크용으로 설계되는 용량을 가지며, 적어도 하나의 처리유체 프로세싱 유니트를 가지며, 탱크들에 공유되거나 공통되는 최소한 하나의 제 1 처리유체 공급 유니트,최소한 하나의 제 2 처리 공급 유니트,각 탱크에서의 병렬적인 프로세서 단계에서 시간이 교차되도록 조절하기 위한 조절 유니트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 17항에 있어서,각 탱크의 바닥에 급속 배출 밸브를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 17항 또는 제 18항에 있어서,각 탱크에 오버플로우관을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 17항 내지 제 19항 중 어느 한 항에 있어서,상기 처리유체 프로세싱 유니트는 화학물질 혼합 수단 및/또는 가열수단을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 17항 내지 제 20항 중 어느 한 항에 있어서,제 1 처리유체 공급 유니트는 유체 회선을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 17항 내지 제 21항 중 어느 한 항에 있어서,탱크에서 제 1 처리 공급 유니트로 처리유체를 되돌리는 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 17항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 있어서,제 1 처리유체 공급 유니트 내에 재플로세싱 유니트를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 17항 내지 제 23항 중 어느 한 항에 있어서,양 탱크를 차징하고 언로딩하기 위해 동일한 조종 매카니즘을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 17항 내지 제 24항 중 어느 한 항에 있어서,탱크 중의 적어도 하나를 위해 유동성 커버를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 25항에 있어서,덮개는 반드시 평평한 두껑인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 17항 내지 제 26항 중 어느 한 항에 있어서,두 탱크를 위해 기판을 유용하게 하는 유입/전달부를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 17항 내지 제 27항 중 어느 한 항에 있어서,두 탱크 내에 처리를 위해 기판을 모으는 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 17항 내지 제 28항 중 어느 한 항에 있어서,유입부, 기판을 모으는 수단, 및/또는 두 탱크는 일렬로 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 17항 내지 제 29항 중 어느 한 항에 있어서,두 탱크가 기판을 모으기 위한 수단의 다른 편에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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