KR20020018555A

KR20020018555A - 화학기상 성장방법, 화학기상 성장방법에 사용하는보조원료 및 화학기상 성장방법에 의하여 형성되는 막 및소자

Info

Publication number: KR20020018555A
Application number: KR1020010042216A
Authority: KR
Inventors: 후나쿠보히로시; 무라카미야스시; 마치다히데아키
Original assignee: 가부시키가이샤 트리케미컬 겐큐쇼
Priority date: 2000-09-01
Filing date: 2001-07-13
Publication date: 2002-03-08
Also published as: US6773750B2; US20030205168A1; JP3478389B2; US20030203112A1; US20020055001A1; JP2002069639A; KR100427090B1

Abstract

금속의 β-디케톤 착물을 사용하여 CVD 방법으로 막을 형성하려고 하는 경우에 있어서, 막이 평탄하게 형성될 수 있는 성막기술을 제공하고자 하는 것이다.

화학기상 성장방법으로서, 금속의 β-디케톤 착물과 α, β-불포화 알콜을 사용한다.

Description

화학기상 성장방법, 화학기상 성장방법에 사용하는 보조원료 및 화학기상 성장방법에 의하여 형성되는 막 및 소자{CVD METHOD, SUPPLEMENTARY MATERIALS USED IN THE SAME, THE FILM AND THE ELEMENTS MADE BY THE SAME}

본 발명은, 화학기상 성장방법, 화학기상 성장방법에 사용되는 보조원료 및 화학기상 성장방법에 의하여 제작된 막(膜) 및 소자(素子)에 관한 것이다.

화학기상 성장방법(CVD)은, 금속계의 막을 양산할 수 있는 방법으로서 널리 사용되고 있다. 이러한 CVD에서 사용되고 있는 원료로서는, 예를 들면 실란, 아르신, 디보란, 암모니아 같은 실온에 있어서 가스상태의 것이거나 또는 액체이더라도 테트라에톡시실란(TEOS)이나 트리메틸갈륨(TMG) 같은 기상화(氣相化)가 용이한 것에 한정되고 있었다.

그리고 최근에 CVD의 고성능이라고 하는 점이 높게 평가되어, 각 방면에서 널리 이용되고 있다. 특히, 반도체 분야에서는 연구가 활발히 진행되어 종래에는 생각할 수 없었던 천이금속(遷移金屬) 화합물이나 알칼리 토류(土類) 금속 화합물 등을 CVD 원료로 사용하는 것이 제안되기도 하고 있다.

그러나, 상기 천이금속 화합물이나 알카리 토류 금속화합물에는 적당한 증기압(蒸氣壓)을 갖는 유기금속(예를 들면, 트리메틸알루미늄과 같은 알킬 금속)이 없기 때문에, CVD 원료로서는 그 금속착물(金屬錯物), 특히 β-디케톤 착물을 사용하는 것이 제안되어 있다.

예를 들면, DPM2Ca, DPM2Sr, DPM2Ba, DPM2Ca:triene, DPM2Sr:teraene, DPM2Ba:teraene, DPM2Pb:triene, DPM3Ru:triene, DPM3Ru:tetraene, DPM2Pb, DPM2(i-OPr)2Ti, DPM3Ru, Hfac2Pt, HfacCu:TMVS, HfacCu:ATMS, HfacCu:BTMSA, DPM4Zr, DPM4Hf, DPM3La, DPM3Bi 등이 제안되어 있다.

그러나 이들의 CVD 원료에도 문제가 있다.

예를 들면, 성막(成膜)되는 기판의 근방에서 원료를 열분해시켜, 목적으로 하는 금속계 막을 형성시키는 위한 분해온도(分解溫度)의 폭이 좁다.

그리고 반도체 등의 소자 제조공정에 있어서는, 저온에서의 성막이 요구되는 경우가 종종 있다. 이것은, 분해온도가 높은 경우에는 성막시키는 기판으로부터 떨어진 위치에 있어서 CVD 원료가 분해하여 버리고 말고, 그 결과 기판 표면에서의 반응이 없게 되어, 단차피막성(段差被膜性)이 저하하기 때문에 기인하는 것이다. 예를 들면, 표면이 평탄하지 않고 요철이 있는 기판에 막을 형성하려고 하는 경우에, 분해온도가 높은 경우에는 오목부의 밑바닥에는 막이 형성되지 않는 경우가 있다. 막이 형성되더라도, 그 막은 균일하지 않고 얼룩모양의 것이 된다. 특히, 폭이 0.5μm 이하라고 하는 디자인룰(design rule)이 보통으로 되고 있는 최근의 LSI 제조 프로세스에 있어서는, 평탄한 막을 형성할 수 없는 경우가 많다.

그러나, 저온에서는 CVD 원료가 효율적으로 분해되지 않아, 기대한 막이 얻어지지 않는 경우가 많다.

따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 제1의 과제는, 평탄한 막이 형성될 수 있는 성막기술을 제공하는 것이다.

본 발명이 해결하고자 하는 제2의 과제는, 단차피막성에 뛰어난 성막기술을 제공하는 것이다.

본 발명이 해결하고자 하는 제3의 과제는, 열분해의 온도범위가 넓은 성막기술을 제공하는 것이다.

본 발명이 해결하고자 하는 제4의 과제는, 저온에서 막이 평탄하게 형성될 수 있는 성막기술을 제공하는 것이다.

본 발명이 해결하고자 하는 제5의 과제는, 금속의 β-디케톤 착물을 사용하여 CVD 방법으로 막을 형성하려고 하는 경우에 있어서, 막이 평탄하게 형성될 수 있는 성막기술을 제공하는 것이다.

도1은, CVD 장치의 개략도를 나타내는 도면,

도2는, 원소 분석장치의 출력강도와 기판 온도의 관계를 나타내는 그래프이다.

상기의 과제는, 화학기상 성장방법으로서, 금속의 β-디케톤 착물과 α, β-불포화 알콜을 사용하는 것을 특징으로 하는 화학기상 성장방법에 의하여 해결된다.

또, 화학기상 성장방법으로서, 금속의 β-디케톤 착물과 α, β-불포화 알콜을, 동시에 또는 차례로, 또는 교대로 기판에 접촉시켜, 그 기판에 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 화학기상 성장방법에 의하여 해결된다.

또, 금속의 β-디케톤 착물을 사용하는 화학기상 성장방법에 의하여 막을 형성할 때에 사용되는 보조원료로서, α, β-불포화 알콜로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학기상 성장방법에 사용하는 보조원료에 의하여 해결된다.

또한 금속의 β-디케톤 착물과 동시에 또는 차례로 또는 교대로 기판에 접촉시킴으로써 막을 형성하는 화학기상 성장방법에 있어서 사용되는보조원료로서, α, β-불포화 알콜로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학기상 성장방법에 사용하는 보조원료에 의하여 해결된다.

즉, 금속의 β-디케톤 착물을 사용하여 CVD 방법으로 성막하는 경우에 있어서, α, β-불포화 알콜을 사용하면, 그 기판(분해)온도가 낮더라도 막이 평탄하게 형성될 수 있다. 이 때문에 단차피막성에 뛰어난 막이 얻어진다.

본 발명에서는, α, β-불포화 알콜이 필수적인 요건이 된다. 단지 알콜(OH기를 구비하는 화합물)이라면 다 좋은 것은 아니다. α, β-불포화 알콜일 것이 필수적이다. 그 중에서도 다음의 일반식(I)으로 표되는 화합물이 바람직하다.

일반식(I)

(단, R1, R2, R3, R4, R5는, X(할로겐), H, 알킬기 및 실리콘계 화합물의 기(基)의 군(群)에서 선택되는 어느 하나이고, 각각은 서로 같아도 좋고 다르더라도 좋다.)

특히, 아릴알콜, 크로틸알콜, 시스-2-헥센-1-올, 트랜스-2-헥센-1-올, 3-메틸-2-부틸렌-1-올, 1-부틸렌-3-올, 1-펜텐-3-올, 1-헥센-3-올, 3-헥센-2,5-디올, 2-메틸-3-부틸렌-2-올, 2, 4-헥사디엔-1-올의 군에서 선택되는 일종 또는 2종 이상의 α, β-불포화 알콜이 바람직하다.

본 발명이 대상으로 하는 착물은 금속의 β-디케톤 착물이다. 그 중에서도 다음의 일반식(II)으로 표시되는 화합물이다.

일반식(II)

(단, R6, R7, R8, R9, R은, X(할로겐), H, 알킬기 및 실리콘계 화합물의 기의 군에서 선택되는 어느 하나이고, 각각은 서로 같아도 좋고 다르더라도 좋다. n은 1∼4의 정수, m은 0∼5의 정수이다. M은 금속이다.)

특히, 금속의 β-디케톤 착물에 있어서의 β-디케톤이 아세틸아세톤, 디피발로일메탄, 헥사플루오르아세틸아세톤, 트리플루오르아세틸아세톤의 군에서 선택되는 것이다.

본 발명으로 얻어지는 막은, 예를 들면 금속막, 금속 산화물막, 금속 질화막 혹은 금속 탄화막이다. 예를 들면, Ru와 Sr를 포함하는 복합 산화막이다. Ti와 Ba과 Sr를 포함하는 복합 산화막이다. Ti와 Bi를 포함하는 복합 산화막이다. Sr와 Ta와 Bi를 포함하는 복합 산화막이다. Sr와 Ta와Nb와 Bi를 포함하는 복합 산화막이다. Pb와 Zr와 Ti를 포함하는 복합 산화막이다. Zr, Hf 또는 La를 주성분으로서 포함하는 막이다. Ru, Pt 또는 Ir를 주성분으로서 포함하는 도전성의 막이다. Cu를 주성분으로서 포함하는 도전성의 막이다.

그리고 본 발명의 화학기상 성장방법에 의하여 제작된 막에 소정의 가공이 실시되어 LSI 등의 소자가 얻어진다.

본 발명의 화학기상 성장방법은, 금속의 β-디케톤 착물과 α, β-불포화 알콜을 사용하는 화학기상 성장방법이다. 특히, 금속의 β-디케톤 착물의 증기와 α, β-불포화 알콜의 증기를, 동시에 또는 차례로 또는 교대로 기판에 접촉시켜 그 기판에 막을 형성하는 화학기상 성장방법이다.

본 발명의 화학기상 성장방법에 사용하는 보조원료는, 금속의 β-디케톤 착물을 사용한 화학기상 성장방법에 의하여 막을 형성할 때에 사용되는 보조원료로서, α, β-불포화 알콜로 이루어진다. 특히, 금속의 β-디케톤 착물의 증기와 동시에 또는 차례로 또는 교대로 기판에 접촉시킴으로써 막을 형성하는 화학기상 성장방법에 있어서 사용되는 보조원료로서, α, β-불포화 알콜로 이루어진다.

본 발명에서 사용하는 α, β-불포화 알콜은, α, β-불포화 알콜이라면 다 좋으나, 바람직하게는 상기한 일반식(I)으로 표시되는 화합물이다. 특히, 아릴알콜(CH2=CH-CH2OH), 크로틸알콜(CH3CH=CH-CH2OH), 시스-2-헥센-1-올(CH3CH2CH2CH=CH-CH2OH), 트랜스-2-헥센-1-올(CH3CH2CH2CH=CH-CH2OH), 3-메틸-2-부틸렌-1-올(CH3-C(CH3)=CH-CH2OH), 1-부틸렌-3-올(CH2=CH-CH(OH)-CH3), 1-펜텐-3-올(CH2=CH-CH(OH)-CH2CH3), 1-헥센-3-올(CH2=CH-CH(OH)-CH2CH2CH3), 3-헥센-2,5-디올(CH3-CH(OH)-CH=CH-CH(OH)-CH3), 2-메틸-3-부틸렌-2-올(CH2=CH-C(CH3)(OH)-CH3), 2,4-헥사디엔-1-올(CH3-CH=CH-CH=CH-CH2OH)의 군에서 선택되는 일종 또는 2종 이상의 α, β-불포화 알콜이다.

본 발명이 대상으로 하는 착물은 금속의 β-디케톤 착물이다. 그 중에서도 상기한 일반식(II)으로 표시되는 화합물이다. 특히, 금속의 β-디케톤 착물에 있어서의 β-디케톤이 아세틸아세톤, 디피발로일메탄, 헥사플루오르아세틸아세톤, 트리플루오르아세틸아세톤의 군에서 선택되는 것이다.

본 발명에 의하여 얻어지는 막은, 예를 들면 금속막, 금속 산화물막, 금속 질화막 또는 금속 탄화막이다. 예를 들면, Ru와 Sr를 포함하는 복합 산화막이다. Ti와 Ba와 Sr를 포함하는 복합 산화막이다. Ti와 Bi를 포함하는 복합 산화막이다. Sr와 Ta와 Bi를 포함하는 복합 산화막이다. Sr와 Ta와 Nb와 Bi를 포함하는 복합 산화막이다. Pb와 Zr와 Ti를 포함하는 복합 산화막이다. Zr, Hf 또는 La를 주성분으로서 포함하는 막이다. Ru, Pt 또는 Ir를 주성분으로서 포함하는 도전성의 막이다. Cu를 주성분으로서 포함하는 도전성(導電性) 막이다.

(실시예)

이하, 구체적인 실시예를 들어 설명한다.

(실시예1)

도1은, 본 발명의 화학기상 성장방법이 실시되는 장치의 개략도이다.

또한 도1에서 1, 2, 3, 4는 기화기(氣化器)를 겸한 용기, 5는 진공펌프, 6은 가스 유량제어기, 7은 기판, 8은 히터, 9는 반응로이다.

그리고 도1의 장치를 사용하여 소정의 온도로 가열된 기판7 상에 Sr막을 형성하였다.

즉, 용기2 내에 DPM2Sr:teraene를 넣어 130℃로 가열하는 동시에, 질소가스를 100 ml/분의 비율로 공급하여 DPM2Sr:teraene를 기화시켰다.

또한 용기3 내에 1-헥센-3-올을 넣어 35℃로 가열하는 동시에, 질소가스를 20ml/분의 비율로 공급하였다.

그 결과, 기판7 상에 Sr막이 형성되었다.

이 Sr막을 X선 분석에 의하여 측정하고, 그 결과를 도2에 ◇의 표시로 나타낸다.

여기에서 도2에서 세로축은 강도(强度)를, 가로축은 기판온도를 나타낸다.

이 결과, 기판온도가 300∼350℃인 저온에서도 CVD 방법에 의하여 성막이 양호하게 이루어지는 것을 알 수 있다.

(비교예1)

실시예1에 있어서, 1-헥센-3-올을 사용하지 않은 것 이외에는 동일한 조건으로 기판7 상에 Sr막을 형성하였다.

이 Sr막을 X선 분석에 의하여 측정하고, 그 결과를 도2에 ○의 표시로 나타낸다.

이 결과, 실시예1과 비교하여 Sr막의 강도는 낮게 되는 것을 알 수 있다.

즉, 저온영역에서는 1-헥센-3-올에 의한 DPM2Sr:teraene의 분해작용이 일어나는 것을 알 수 있다.

(비교예2)

실시예1에 있어서 1-헥센-3-올의 대신에 n-프로판올을 사용하는 것 이외에는 동일한 조건으로 기판7 상에 Sr막을 형성하였다.

이 Sr막을 X선 분석에 의하여 측정하고, 그 결과를 도2에 □ 표시로 나타낸다.

즉, 저온영역에서의 1-헥센-3-올에 의한 DPM2Sr:teraene의 분해작용은, 알콜의 OH기에만 의존하는 것이 아니라는 것을 알 수 있다.

(비교예3)

실시예1에 있어서, 1-헥센-3-올의 대신에 3-헥산올을 사용하는 것 이외에는 동일한 조건으로 기판7 상에 Sr막을 형성하였다.

이 Sr막을 X선 분석에 의하여 측정하고, 그 결과를 도2에 X 표시로 나타낸다.

이 결과, 실시예1과 비교하여 Sr막의 강도는 낮게 되는 알 수 있다.

즉, 1-헥센-3-올과 3-헥산올은 2중 결합이 있고 없다는 차이에 불과하지만, 저온영역에서의 1-헥센-3-올에 의한 DPM2Sr:teraene의 분해작용은 크게 다르다는 것을 알 수 있다.

(실시예2∼12)

실시예1에 있어서, 용기3 내에 1-헥센-3-올을 넣은 대신에 다음의 α, β-불포화 알콜을 넣어 35∼130℃로 가열하는 동시에, 질소가스를 20 ml/분의 비율로 공급하는 것 이외에는 동일한 조건으로 기판7 상에 Sr막을 형성하였다.

아릴알콜 CH2=CH-CH2OH

크로틸알콜 CH3CH=CH-CH2OH

시스-2-헥센-1-올 CH3CH2CH2CH=CH-CH2OH

트랜스-2-헥센-1-올 CH3CH2CH2CH=CH-CH2OH

3-메틸-2-부틸렌-1-올 CH3-C(CH3)=CH-CH2OH

1-부틸렌-3-올 CH2=CH-CH(OH)-CH3

1-펜텐-3-올 CH2=CH-CH(OH)-CH2CH3

1-헥센-3-올 CH2=CH-CH(OH)-CH2CH2CH3

3-헥센-2, 5-디올 CH3-CH(OH)-CH=CH-CH(OH)-CH3

2-메틸-3-부틸렌-2-올 CH2=CH-C(CH3)(OH)-CH3

2, 4-헥사디엔-1-올 CH3-CH=CH-CH=CH-CH2OH

이 결과, 기판온도가 450℃ 이하인 저온영역에서, α, β-불포화 알콜에 의한 금속의 β-디케톤 착물의 분해촉진 작용을 확인할 수 있었다.

(실시예13∼31)

실시예1에 있어서, DPM2Sr:teraene의 대신에 다음의 금속의 β-디케톤 착물을 사용하는 것 이외에는 동일한 조건으로 기판7 상에 금속막을 형성하였다.

DPM2Ca

DPM2Sr

DPM2Ba

DPM2Ca:triene

DPM2Ba:teraene

DPM2Pb:triene

DPM3Ru:triene

DPM3Ru:tetraene

DPM2Pb

DPM2(i-OPr)2Ti

DPM3Ru

Hfac2Pt

HfacCu:TMVS

HfacCu:ATMS

HfacCu:BTMSA

DPM4Zr

DPM4Hf

DPM3La

DPM3Bi

(실시예32)

도1의 장치를 사용하여 기판7 상에 Ru와 Sr를 포함하는 복합 산화막을 형성하였다.

즉, 용기1 내에 DPM3Ru를 넣어 100℃로 가열하는 동시에, 질소가스를 100 ml/분의 비율로 공급하여, DPM3Ru를 기화시켰다.

또 용기2 내에 DPM2Sr:teraene를 넣어 130℃로 가열하는 동시에, 질소가스를 100 ml/분의 비율로 공급하여, DPM2Sr:teraene를 기화시켰다.

또 용기3 내에 1-헥센-3-올을 넣어 35℃로 가열하는 동시에, 질소가스를 20 ml/분의 비율로 공급하였다.

그리고 기판의 전방에서 산소가스를 유입시켰다.

그 결과, 기판7 상에 Ru와 Sr를 포함하는 복합 산화막(SrRuO3)이 형성되었다.

여기에서 1-헥센-3-올을 사용하지 않은 경우와 비교하여, 본 실시예에 있어서는, 기판온도가 50∼100℃인 낮은 온도로 설정되어 있었지만, 이러한 저온에서도 복합 산화막이 평탄하게 형성되었다.

(실시예33∼43)

실시예32와 같이 하여 기판7 상에 산화막을 형성하였다. 또한, 용기1, 2, 3, 4의 각각에 넣은 원료는 다음의 표11에 나타내는 바와 같다.

표11

산화막 용기1 용기2 용기4 용기3

Ba,Sr,Ti,O DPM2Ba:tetraene DPM2Sr:tetraene DPM2Ti(i-o-Pr)2 1-pentene-3-ol

Bi,Ti,O DPM3Bi - DPM2Ti(i-o-Pr)2 Crotylalcohol

Bi,Ti,O Me3Bi/Heptane - DPM2Ti(i-o-Pr)2 1-Hexen-3-ol

Sr,Ta,Bi,O Me3Bi/Heptane DPM2Sr:tetraene Ta(OEt)5 1-Hexen-3-ol

Pb,Zr,Ti,O Et4Pb DPM4Zr Ti(i-o-Pr)4 1-Hexen-3-ol

Zr,O - DPM4Zr - 1-Hexen-3-ol

Hf,O - DPM4Hf - 1-Hexen-3-ol

La,O - DFM3La - 1-Hexen-3-ol

Si,Zr,O Si(OEt)4 DPM4Zr - 1-Hexen-3-ol

Si,Hf,O HSi(NEt2)3 DPM4Hf - 1-Hexen-3-ol

Si,La,O HSi(NEt2)3 DPM3La - 1-Hexen-3-ol

여기에서 α, β-불포화 알콜을 사용하지 않은 경우와 비교하여, 본 실시예에 있어서는, 기판온도가 50∼100℃인 낮은 온도로 설정되어 있으나, 이러한 저온에서도 산화막이 평탄하게 형성될 수 있다.

(실시예44∼48)

실시예1에 있어서, DPM2Sr:teraene의 대신에 다음의 금속의 β-디케톤 착물을 사용하는 것 이외에는 동일한 조건에서 기판7 상에 도전성의 막을 형성한다.

도전성 막 금속의β-디케톤 착물

RuOx DPM3Ru

Pt Hfac2Pt

IrOx Acac3Ir

CU Hfac2Cu

Cu HfacCu:TMVS

여기에서 1-헥센-3-올을 사용하지 않은 경우와 비교하여, 본 실시예에 있어서는 기판온도가 50∼100℃인 낮은 온도로 설정되어 있지만, 이러한 저온에서도 산화막이 평탄하게 형성되었다.

금속의 β-디케톤 착물을 사용하여 CVD 방법으로 막을 형성하려고 하는 경우에 있어서, 저온에서도 막이 평탄하게 형성되었다. 그리고 단차피막성이 뛰어난 특징을 발휘한다.

Claims

화학기상 성장방법으로서,

금속의 β-디케톤 착물과 α, β-불포화 알콜을 사용하는

것을 특징으로 하는 화학기상 성장방법
화학기상 성장방법으로서,

금속의 β-디케톤 착물과 α, β-불포화 알콜을, 동시에 또는 차례로또는 교대로 기판에 접촉시켜, 그 기판에 막을 형성하는

것을 특징으로 하는 화학기상 성장방법.
제1항 또는 제2항에 있어서,

α, β-불포화 알콜은, 다음의 일반식(I)으로 표시되는 화합물인

것을 특징으로 하는 화학기상 성장방법.

일반식(I)

(단, R1, R2, R3, R4, R5는, X(할로겐), H, 알킬기 및 실리콘계 화합물의 기(基)의 군(群)에서 선택되는 어느 하나이고, 각각은 서로 같아도 좋고 다르더라도 좋다.)
제1항내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서,

α, β-불포화 알콜은, 아릴알콜(CH2=CH-CH2OH), 크로틸알콜(CH3CH=CH-CH2OH), 시스-2-헥센-1-올(CH3CH2CH2CH=CH-CH2OH),트랜스-2-헥센-1-올(CH3CH2CH2CH=CH-CH2OH), 3-메틸-2-부틸렌-1-올(CH3-C(CH3)=CH-CH2OH), 1-부틸렌-3-올(CH2=CH-CH(OH)-CH3), 1-펜텐-3-올(CH2=CH-CH(OH)-CH2CH3), 1-헥센-3-올(CH2=CH-CH(OH)-CH2CH2CH3), 3-헥센-2,5-디올(CH3-CH(OH)-CH=CH-CH(OH)-CH3), 2-메틸-3-부틸렌-2-올(CH2=CH-C(CH3)(OH)-CH3), 2,4-헥사디엔-1-올(CH3-CH=CH-CH=CH-CH2OH)의 군에서 선택되는 일종(一種) 또는 2종 이상인

것을 특징으로 하는 화학기상 성장방법.
제1항 또는 제2항에 있어서,

금속의 β-디케톤 착물이 다음의 일반식(II)으로 표시되는 화합물인

것을 특징으로 하는 화학기상 성장방법.

일반식(II)

(단, R6, R7, R8, R9, R은, X(할로겐), H, 알킬기 및 실리콘계 화합물의 기의 군에서 선택되는 어느 하나이고, 각각은 서로 같아도 좋고 다르더라도 좋다. n은 1∼4의 정수, m은 0∼5의 정수이다. M은 금속이다.)
제1항 또는 제2항 또는 제5항에 있어서,

금속의 β-디케톤 착물에 있어서의 β-디케톤이, 아세틸아세톤, 디피발로일메탄, 헥사플루오르아세틸아세톤, 트리플루오르아세틸아세톤의 군에서 선택되는

것을 특징으로 하는 화학기상 성장방법.
제1항내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서,

형성되는 막은, 금속막, 금속 산화물막, 금속 질화막 혹은 금속 탄화막 중의 하나인

것을 특징으로 하는 화학기상 성장방법.
금속의 β-디케톤 착물을 사용하는 화학기상 성장방법에 의하여 막을 형성할 때에 사용되는 보조원료로서,

α, β-불포화 알콜로 이루어지는

것을 특징으로 하는 화학기상 성장방법에 사용하는 보조원료.
금속의 β-디케톤 착물과 동시에 또는 차례로 또는 교대로 기판에 접촉시킴으로써 막을 형성하는 화학기상 성장방법에 있어서 사용되는 보조원료로서,

α, β-불포화 알콜로 이루어지는

것을 특징으로 하는 화학기상 성장방법에 사용하는 보조원료.
제8항 또는 제9항에 있어서,

α, β-불포화 알콜이 다음의 일반식(I)으로 표시되는 화합물인

것을 특징으로 하는 화학기상 성장방법에 사용하는 보조원료.

일반식(I)

(단, R1, R2, R3, R4, R5는, X(할로겐), H, 알킬기 및 실리콘계 화합물의 기(基)의 군(群)중에서 선택되는 어느 하나이고, 각각은 서로 같아도 좋고 다르더라도 좋다.)
제8항내지 제10항의 어느 한 항에 있어서,

α, β-불포화 알콜은, 아릴알콜(CH2=CH-CH2OH), 크로틸알콜(CH3CH=CH-CH2OH), 시스-2-헥센-1-올(CH3CH2CH2CH=CH-CH2OH), 트랜스-2-헥센-1-올(CH3CH2CH2CH=CH-CH2OH), 3-메틸-2-부틸렌-1-올(CH3-C(CH3)=CH-CH2OH), 1-부틸렌-3-올(CH2=CH-CH(OH)-CH3), 1-펜텐-3-올(CH2=CH-CH(OH)-CH2CH3), 1-헥센-3-올(CH2=CH-CH(OH)-CH2CH2CH3), 3-헥센-2,5-디올(CH3-CH(OH)-CH=CH-CH(OH)-CH3), 2-메틸-3-부틸렌-2-올(CH2=CH-C(CH3)(OH)-CH3), 2,4-헥사디엔-1-올(CH3-CH=CH-CH=CH-CH2OH)의 군에서 선택되는 일종(一種) 또는 2종 이상인

것을 특징으로 하는 화학기상 성장방법에 사용하는 보조원료.
제1항내지 제6항 중의 어느 한 항의 화학기상 성장방법으로 형성되는 막은, Ru와 Sr를 포함하는 복합 산화막인

것을 특징으로 하는 막.
제1항내지 제6항 중의 어느 한 항의 화학기상 성장방법으로 형성되는막은, Ti와 Ba과 Sr를 포함하는 복합 산화막인

것을 특징으로 하는 막.
제1항내지 제6항 중의 어느 한 항의 화학기상 성장방법으로 형성되는 막은, Ti와 Bi를 포함하는 복합 산화막인

것을 특징으로 하는 막.
제1항내지 제6항 중의 어느 한 항의 화학기상 성장방법으로 형성되는 막은, Sr와 Ta와 Bi를 포함하는 복합 산화막인

것을 특징으로 하는 막.
제1항내지 제6항 중의 어느 한 항의 화학기상 성장방법으로 형성되는 막은, Sr와 Ta와 Nb와 Bi를 포함하는 복합 산화막인

것을 특징으로 하는 막.
제1항내지 제6항 중의 어느 한 항의 화학기상 성장방법으로 형성되는막은, Pb와 Zr와 Ti를 포함하는 복합 산화막인

것을 특징으로 하는 막.
제1항내지 제6항 중의 어느 한 항의 화학기상 성장방법으로 형성되는 막은, Zr, Hf 또는 La를 주성분으로서 포함하는 막인

것을 특징으로 하는 막.
제1항내지 제6항 중의 어느 한 항의 화학기상 성장방법으로 형성되는 막은, Ru, Pt 또는 Ir를 주성분으로서 포함하는 도전성의 막인

것을 특징으로 하는 막.
제1항내지 제6항 중의 어느 한 항의 화학기상 성장방법으로 형성되는 막은, Cu를 주성분으로서 포함하는 도전성의 막인

것을 특징으로 하는 막.
제1항내지 제6항 중의 어느 한 항의 화학기상 성장방법으로 형성되는막이 가공(加工)되어 이루어지는

것을 특징으로 하는 소자(素子).