KR200155050Y1 - 반도체 제조장치의 제어회로 - Google Patents

Abstract

본 고안은 반도체 제조장치에 관한 것으로 특히 문제발생을 사전에 감지하여 예방하는데 적당하도록 한 반도체 제조장치의 제어회로에 관한 것이다.

이를 위한 본 고안의 반도체 제조장치의 제어회로는 웨이퍼가 연속으로 순차 이동되고, 이동이 정지된 상태에서는 소자의 제조공정이 진행되는 반도체 소자의 제조장치에 있어서, 이동되기전의 위치에서 웨이퍼를 감지해내는 제1감지부와, 이동된후의 웨이퍼를 감지해내는 제2감지부로 이루어져 상기 제1감지부의 감지신호와 제2감지부의 감지신호를 배타적 논리합하여 그 신호에 의해 다음의 동작진행 여부를 결정하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 제조장치의 제어회로

본 고안은 반도체 제조장치에 관한 것으로 특히 문제발생을 사전에 감지하여 예방하는데 적당하도록 한 반도체 제조장치의 제어회로에 관한 것이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래의 반도체 제조장치의 제어회로를 설명하면 다음과 같다.

도1은 종래의 웨이퍼 이동에 따른 감지부의 동작여부를 보여주는 설명도이다.

도1에 도시된 바와 같이 제1감지부 위치(A)에서 제2감지부 위치(B)의 웨이퍼의 이동 및 장비의 구동에 있어서 제1감지부 위치(A) 또는 제2감지부 위치(B)의 어느 한곳에만 웨이퍼가 감지되도록 감지장치를 구성한다.

여기서 제1감지부 위치(A)에서 제2감지부 위치(B)로의 웨이퍼 이동 및 장비의 구동시 제1감지부 위치(A)에서 웨이퍼를 감지할 경우, 상기 제1감지부 위치(A)에서 웨이퍼가 감지되지 않으면 제2감지부 위치(B)로 웨이퍼가 제대로 이동된 것으로 보고 상기 결과에 따라 다음 동작을 진행한다. 그러나 제1감지부 위치(A)에서 웨이퍼가 감지되면 제2감지부 위치(B)로 이동되지 않았다고 보고 에러(error)처리된다.

한편 제1감지부 위치(A)에서 제2감지부 위치(B)로의 웨이퍼의 이동 및 장비의 구동시 제2감지부 위치(B)에서 웨이퍼를 감지할 경우, 제2감지부 위치(B)에서 웨이퍼가 감지되면 제1감지부 위치(A)에서 제2감지부 위치(B)로 제대로 이동된 것으로 보고 상기 결과에 따라 다음 동작을 실시한다.

그러나 제2감지부 위치(B)에서 웨이퍼가 감지되지 않으면 제1감지부 위치(A)에서 상기 제2감지부 위치(B)로 이동되지 않았다고 보고 에러처리 된다.

이상에서 설명한 바와 같이 종래의 반도체 제어장치의 제어회로는 다음과 같은 문제점이 있었다.

제1감지부 위치 또는 제2감지부 위치의 어느 한곳에만 감지장치를 설치하여 웨이퍼를 감지할 경우, 감지장치의 고장에 대한 그 이후의 제어장치가 없었다.

본 고안은 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로 구동부위의 감지장치의 고장에 의한 문제발생을 사전에 감지하여 예방하여 반도체 제조장치의 제어회로를 제공하는데 그 목적이 있다.

도1은 종래의 웨이퍼의 이동에 따른 감지부의 동작여부를 보여주는 설명도

도2는 본 고안의 웨이퍼의 이동에 따른 감지부의 동작여부를 보여주는 설명도

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 고안의 반도체 제조장치의 제어회로는 웨이퍼가 연속으로 순차 이동되고, 이동이 정지된 상태에서는 소자의 제조공정이 진행되는 반도체 소자의 제조장치에 있어서, 이동되기전의 위치에서 웨이퍼를 감지해내는 제1감지부와, 이동된후의 웨이퍼를 감지해내는 제2감지부로 이루어져 상기 제1감지부의 감지신호와 제2감지부의 감지신호를 배타적 논리합하여 그 신호에 의해 다음의 동작진행 여부를 결정하는 것에 그 특징이 있다.

상기와 같은 본 고안의 반도체 제조장치의 제어회로를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.

도2는 본 고안의 웨이퍼의 이동에 따른 감지부의 동작여부를 보여주는 설명도이다.

도2에 도시한 바와 같이 웨이퍼의 이동 및 장비의 구동에 있어서 제1감지부 위치(C)와 제2감지부 위치(D) 모두에 감지장치를 설치하여 웨이퍼를 감지하도록 한다. 그리고 각각의 감지된 출력신호를 배타적 논리합하여 출력(E)한다. 이때 제1감지부 위치(C)와 제2감지부 위치(D)에서 감지된 출력신호는 배타적 논리합의 입력신호이다.

여기서 제1감지부 위치(C)에서 제2감지부 위치(D)로의 웨이퍼의 이동 및 장비의 구동시 제1감지부 위치(C)와 제2감지부 위치(D)의 감지신호가 다를 경우에만 제1감지부 위치(C)에서 제2감지부 위치(D)로의 제대로 이동된 것으로 보고 상기 결과에 따라 다음 동작을 실시한다. 그러나 제1감지부 위치(C)와 제2감지부 위치(D)의 감지된 출력신호가 같을 경우에, 배타적 논리합의 출력값(E)에 의해 상기 결과는 에러처리 및 다음 동작을 진행치 않고 대기상태에 있다. 이때 제1감지부 위치(C)와 제2감지부 위치(D)의 각각 감지된 감지장치의 출력신호가 모두 '1'이면 상기 제1감지부 위치(C)와 제2감지부 위치(D)에 설치된 감지장치에 이상이 있음을 나타낸다. 예를들어 설명하면 아넬바(Anelva) 장비의 경우 외부 구동부위와 셔터(Shutter)가 마그네틱(Magnetic)에 의해 이중으로 구동하게 되어 있으나 마그네틱의 불량으로 외부 구동부위는 제대로 동작하여 감지장치가 정상으로 인식하므로 스퍼터(Sputter)가 진행되었으나, 실제로 셔터는 동작하지 않아 웨어퍼상에서 이상의 증착물이 발생한다.

그러므로 셔터부위에 감지장치를 설치하여 외부 구동부위와의 조합에 의해 한쪽만 동작된 것을 인식하여 에러처리 하므로 웨이퍼상에 이상의 증착물은 없었을 것이다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 고안의 반도체 제조장치의 제어회로는 다음과 같은 효과가 있다.

첫째, 제1감지부의 고장에 의한 피해를 제1감지부와 제2감지부의 배타적 논리합 조합으로 줄일수 있다.

둘째, 감지부에 이상이 있을 경우 제어장치 역할을 못하지만 제1감지부와 제2감지부의 배타적 논리합 조합으로 감지부 이상여부를 판단할 수 있다.

Claims (3)

1. (정정) 웨이퍼가 연속으로 순차 이동되고, 이동이 정지된 상태에서는 소자의 제조공정이 진행되는 반도체 소자의 제조장치에 있어서, (1) 이동되기전의 위치에서 웨이퍼를 감지해내는 제1감지부와, (2) 이동된후의 웨이퍼를 감지해내는 제2감지부와, (3) 상기 제1, 제2감지부의 신호를 배타적 논리합하여 다음의 동작진행여부를 결정하는 배타적 논리합 연산기로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 제어회로.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1감지부의 감지신호와 상기 제2감지부의 감지신호가 동일하면 외부로 에러발생 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 제어회로.
3. (정정) 제2항에 있어서, 상기 에러발생 신호의 출력시에는 웨이퍼 이동을 정지시키고 반도체 제조장치를 대기상태가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 제어회로.