KR20180051731A - 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출 시스템 및 그 검출 방법 - Google Patents

웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출 시스템 및 그 검출 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20180051731A
KR20180051731A KR1020160148073A KR20160148073A KR20180051731A KR 20180051731 A KR20180051731 A KR 20180051731A KR 1020160148073 A KR1020160148073 A KR 1020160148073A KR 20160148073 A KR20160148073 A KR 20160148073A KR 20180051731 A KR20180051731 A KR 20180051731A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
value
interval
arm blade
section
measured value
Prior art date
Application number
KR1020160148073A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101952840B1 (ko
Inventor
손영만
Original Assignee
주식회사 에스알티
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에스알티 filed Critical 주식회사 에스알티
Priority to KR1020160148073A priority Critical patent/KR101952840B1/ko
Publication of KR20180051731A publication Critical patent/KR20180051731A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101952840B1 publication Critical patent/KR101952840B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/026—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness by measuring distance between sensor and object
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/16—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. optical strain gauge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67271—Sorting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements

Abstract

본 발명은, 웨이퍼를 이송하는 암블레이드와의 이격거리를 측정하는 레이저변위센서와, 암블레이드의 로드 및 언로드 동작패턴의 시작구간 및 종료구간을 미리 설정하고, 레이저변위센서로부터 수신된 소정 개수의 유효한 실측값을 연산하여 각 동작패턴을 식별하고, 각 구간에서의 평균값을 산출하는 제어부와, 제어부로부터 전송된 상기 평균값을 분석하여 암블레이드의 각 구간에서의 열화추세를 모니터링하도록 제공하는 서버로 이루어져서, 웨이퍼 이송장비의 암블레이드의 각 해당구간에서의 처짐 또는 들뜸 열화추세를 실시간으로 판단하도록 하여서, 이송되는 웨이퍼의 파손을 사전에 예방하여 웨이퍼의 불량률을 줄일 수 있는, 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출 시스템 및 그 방법을 개시한다.

Description

웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출 시스템 및 그 검출 방법{System and Method for Detecting Degradation Trend of Arm Blade for Wafer Transfer Robot}
본 발명은 웨이퍼 이송장비의 암블레이드의 열화추세를 검출하는 시스템 및 그 검출 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 암블레이드의 일측에 이격되어 설치된 레이저변위센서에 의해 암블레이드와의 이격거리인 실측값을 주기적으로 수신하여 암블레이드의 각 동작패턴별 시작구간 및 종료구간에서의 산출된 평균값의 변화추세로 암블레이드의 각 구간에서의 처짐 또는 들뜸 추세를 검출하고 모니터링하여 파악할 수 있도록 하는, 웨이퍼 이송장비의 암블레이드의 열화추세 검출 시스템 및 그 검출 방법에 관한 것이다.
주지하는 바와 같이, 반도체, 예컨대 웨이퍼(wafer)를 이송하는 이송장비 내의 암블레이드(Arm blade)는 사용함에 따라 열화되어서(degradation) 미세하게 처지거나 들뜨게 된다.
이러한 열화 추세는 육안으로는 식별이 거의 불가능하고, 웨이퍼에 스크래치가 발생하거나 깨져서 불량이 발생하여야만 해당 암블레이드의 허용범위 이상의 열화를 인지할 수 있었다.
따라서, 암블레이드의 열화추세를 실시간으로 검출하고 그 검출 정보를 제공하여서 이에 적절히 대응할 수 있도록 하는, 암블레이드의 열화추세 검출 기술이 요구된다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하고자 하는 것으로서, 암블레이드의 열화에 따른 처짐 또는 들뜸 진행 상황을 실시간으로 검출하고 그 검출 정보를 제공하여 이에 적절히 대응할 수 있도록 하는, 웨이퍼 이송장비의 암블레이드의 열화추세 검출 시스템 및 그 검출 방법을 제공하는 것을 그 과제로 한다.
전술한 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예는, 웨이퍼를 이송하는 암블레이드의 상측 또는 하측에 설치되며, 상기 암블레이드와의 이격거리를 측정하고, 외부로부터의 물리적 간섭을 차단하는 센서커버에 의해 커버되는, 레이저변위센서와, 상기 암블레이드의 로드 및 언로드 동작패턴의 시작구간 및 종료구간을 미리 설정하고, 상기 레이저변위센서로부터 수신된 소정 개수의 유효한 실측값을 연산하여 상기 각 동작패턴을 식별하고, 상기 각 구간에서의 평균값을 산출하는 제어부와, 상기 제어부로부터 전송된 상기 평균값을 분석하여 상기 암블레이드의 상기 각 구간에서의 열화추세를 모니터링하도록 제공하는 서버로 이루어지는, 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출 시스템을 제공한다.
본 발명의 다른 실시예는, 웨이퍼 이송장비의 암블레이드의 웨이퍼의 로드와 언로드 동작패턴을 구별하기 위한 상기 동작패턴의 각 구간의 배열의 개수 및 각 구간의 사용자 설정을 적용하는 제1단계와, 상기 암블레이드와 이격되어 상기 웨이퍼 이송장비의 일측에 설치된 레이저변위센서로부터 상기 암블레이드와의 이격거리인 실측값을 주기적으로 수신하는 제2단계와, 상기 수신된 실측값이 가공여부에 따라 상기 각 동작패턴의 시작구간 및 종료구간인지를 판별하는 제3단계와, 상기 각 구간별로, 소정 개수의 실측값의 배열의 평균값을 산출하고, 상기 해당하는 동작패턴을 식별하는 제4단계와, 상기 평균값의 변화추세로 상기 각 구간에서의 상기 암블레이드의 상향 또는 하향 열화추세 정보를 제공하는 제5단계로 이루어지는, 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출방법을 제공한다.
바람직하게는, 상기 제1단계는, 상기 동작패턴을 구별하기 위한 실측값 가공, 각 구간, 기준편차, 및 배열의 개수(n)를 설정하고, 상기 제3단계는, 상기 실측값이 상기 구간의 값인지 판단하고, 상기 구간의 값이 아니라고 판단되면 상기 실측값에 음수값을 곱하거나 옵셋값을 적용하여 가공하는 제3-1단계와, 상기 실측값이 상기 암블레이드의 로드 또는 언로드의 시작구간인지 그 이외의 범위인지 판별하는 제3-2단계와, 그 이외의 구간이라면 상기 암블레이드의 로드 또는 언로드의 종료구간인지 그 이외의 범위인지 판별하는 제3-3단계로 이루어지고, 상기 제4단계는, 상기 구간 판별 후, 각 시작구간 및 상기 시작구간과 중첩되는 범위의 상응하는 종료구간별로, 상기 실측값이 상기 시작구간의 해당 배열의 개수(n) 미만이고, 최초의 실측값인 기준값과 상기 실측값과의 차이인 실측편차가 상기 기준편차 이하이면 상기 시작구간 배열에 추가하는 제4-1단계와, 상기 기준편차를 초과하면 상기 실측값을 새로운 기준값으로 재설정하며 상기 시작구간 배열을 초기화하고 상기 시작구간 배열에 상기 실측값을 추가하는 제4-2단계와, 상기 시작구간 배열의 개수가 n개 이상이면 상기 시작구간 배열 내의 최소값, 최대값 및 평균값을 산출하는 제4-3단계와, 상기 제4-2단계, 또는 상기 제4-3단계에서 상기 시작구간 배열의 개수가 n개 미만이거나 상기 제4-3단계 이후에는, 상기 실측값이 상기 상응하는 종료구간인지 판단하는 제4-4단계와, 상기 실측값이 상기 종료구간의 해당 배열의 개수(n) 미만이고 최초의 실측값인 기준값과 상기 실측값과의 차이인 실측편차가 상기 기준편차 이하이면 상기 종료구간 배열에 추가하는 제4-5단계와, 상기 기준편차를 초과하면 상기 종료구간 배열을 초기화하고 상기 종료구간 배열에 상기 실측값을 추가하는 제4-6단계와, 상기 제4-5단계 이후, 상기 종료구간 배열의 개수가 n개 이상이면 상기 종료구간 배열 내의 최소값, 최대값 및 평균값을 산출하는 제4-7단계로 이루어지고, 상기 제5단계는, 상기 시작구간 및 상기 종료구간의 판별로 식별된 동작패턴 및 상기 해당구간에서의 평균값을 기록하고, 상기 해당구간에서의 평균값의 변화추세로 상기 암블레이드의 상향 또는 하향 열화추세 정보를 기록하여 보관하고 제공할 수 있다.
바람직하게는, 상기 시작구간과 중첩되는 범위를 갖는 상기 동작패턴의 상기 종료구간별로, 상기 시작구간과 중첩되지 않는 상기 종료구간의 실측값에 대해서, 상기 각 종료구간 판별 후, 상기 실측값이 상기 종료구간의 해당 배열의 개수(n) 미만이고, 최초의 실측값인 기준값과 상기 실측값과의 차이인 실측편차가 상기 기준편차 이하이면 상기 종료구간 배열에 추가하는 제4a-1단계와, 상기 기준편차를 초과하면 상기 실측값을 새로운 기준값으로 재설정하며 상기 종료구간 배열을 초기화하고 상기 종료구간 배열에 상기 실측값을 추가하는 제4a-2단계와, 상기 제4a-1단계 이후, 상기 종료구간 배열의 개수가 n개 이상이면 상기 종료구간 배열 내의 최소값, 최대값 및 평균값을 산출하는 제4a-3단계와, 상기 제4a-1단계 이후, 상기 종료구간 배열의 개수가 n개 미만이면, 상기 제2단계부터 반복 수행할 수 있다.
바람직하게는, 상기 로드의 시작구간과 상기 언로드의 종료구간은 동일하거나 중첩되고, 상기 언로드의 시작구간과 상기 로드의 종료구간은 동일하거나 중첩될 수 있다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼 이송장비의 암블레이드의 각 해당구간에서의 처짐 또는 들뜸 열화추세를 실시간으로 검출하고, 이에 적절히 대응할 수 있도록 그 검출 정보를 모니터링할 수 있도록 제공하여서, 이송되는 웨이퍼의 파손을 사전에 예방하여 암블레이드에 의한 웨이퍼의 불량률을 줄일 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출 시스템의 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 의한 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출방법의 전체적인 흐름을 개략적으로 예시한 것이다.
도 3a 내지 도 3e는 도 2의 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출방법의 흐름도를 각각 순차적으로 도시한 것이다.
도 4는 암블레이드의 각 동작패턴의 시작구간 및 종료구간을 예시한 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 전술한 특징을 갖는 본 발명의 실시예들을 더욱 상세히 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출 시스템의 개략적인 구성도이고, 도 4는 암블레이드의 각 동작패턴의 시작구간 및 종료구간을 예시한 것이다.
도 1 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출 시스템은, 웨이퍼를 이송하는 암블레이드(110)와의 이격거리인 실측값을 측정하는 레이저변위센서(120)와, 각 실측값을 수신하여 해당구간에서의 평균값을 산출하는 제어부(130)와, 산출된 평균값을 분석하여 각 구간에서의 암블레이드의 열화추세정보를 제공하는 서버(140)로 구성될 수 있다.
우선, 암블레이드(Arm Blade)(110)는 웨이퍼를 이송하는데, 암블레이드(110)는 관련 설비로의 진입 위치가 상반되도록 구성될 수 있다. 통상적으로, 암블레이드(110)는 관련 설비의 전면 방향으로 진입하는 EFEM(Equipment Front End Module 블레이드일 수 있고, 관련 설비의 후면 방향으로 진입하는 TC(Transfer chamber) 블레이드일 수 있다.
다음, 레이저변위센서(120)는 암블레이드(110)와 소정거리 이격된 위치에 설치되어서, 암블레이드(110)와의 이격거리인 실측값을 측정한다.
한편, 레이저변위센서(120)는, 허용되는 공간제약에 따라서, 암블레이드(110)의 상측 또는 하측에 선택적으로 설치될 수 있으며, 외부로부터의 물리적 간섭을 차단하는 센서커버(미도시)에 의해 커버될 수 있고, 관련 설비의 기존 볼트를 이용하여 브라켓(미도시)에 의해 견고하게 체결되어 설치될 수 있다.
다음, 제어부(130)는, 암블레이드(110)의 로드(load) 및 언로드(unload) 동작패턴의 시작구간 및 종료구간, 즉 도 4에 예시되어 있는 바와 같이, 로드 및 언로드 동작패턴의 시작구간(LA,UA)과 종료구간(LB,UB)을 미리 설정하고, 레이저변위센서(120)로부터 수신된 소정 개수의 유효한 실측값을 연산하여 전술한 각 동작패턴을 식별하고, 각 구간에서의 특정 배열 내의 최소값, 최대값 및 평균값을 산출하고 저장한다.
한편, 레이저변위센서(120)는 이격거리를 시리얼 출력신호로 제어부(130)로 전송할 수 있다.
다음, 서버(140)는, 제어부(130)로부터 전송된 평균값을 분석하여 암블레이드(110)의 각 구간에서의 열화추세(암블레이드의 해당구간에서의 처짐 또는 들뜸)를 모니터링하도록 제공한다. 예컨대, 서버(140)는 제어부(130)와 이더넷으로 연결된 CIM(Computer Integrated Manufacturing)(컴퓨터 통합 생산) PC 또는 FDC일 수 있다.
전술한 바와 같은 구성에 의해서, 각 구간에서의 평균값의 추세 변화로 각 암블레이드의 처짐 또는 들뜸 추세를 실시간으로 파악하여 적절히 대응할 수 있도록 한다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 의한 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출방법의 전체적인 흐름을 개략적으로 예시한 것이며, 도 3a 내지 도 3e는 도 2의 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출방법의 흐름도를 각각 순차적으로 도시한 것이고, 도 4는 암블레이드의 각 동작패턴의 시작구간 및 종료구간을 예시한 것이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출방법은, 전체적으로, 사용자 설정 적용 제1단계(S110)와, 실측값 수신 제2단계(S120)와, 구간 판별 제3단계(S130)와, 평균값 산출 및 동작패턴 식별 제4단계(S140)와, 열화추세정보 제공 제5단계(S150)로 이루어질 수 있다.
여기서, 도 2를 참조하여 전술한 제1 내지 제5단계의 전체적인 흐름을 개관한 후, 도 3a 내지 도 3e를 참조하여 전술한 제1 내지 제5단계의 구체적인 흐름을 상술하고자 한다.
우선, 사용자 설정 적용 제1단계(S110)에서는, 웨이퍼 이송장비의 암블레이드에 의한 웨이퍼의 로드 및 언로드 동작패턴을 구별하기 위한 동작패턴의 각 구간의 배열의 개수(N) 및 각 구간의 사용자 설정을 적용한다.
다음, 실측값 수신 제2단계(S120)에서는, 암블레이드와 이격되어 웨이퍼 이송장비의 일측에 설치된 레이저변위센서로부터 암블레이드와의 이격거리인 실측값을 주기적으로 수신한다.
다음, 구간 판별 제3단계(S130)에서는, 수신된 실측값의 가공 여부에 따라 전술한 각 동작패턴의 시작구간 및 종료구간인지를 판별한다.
다음, 평균값 산출 및 동작패턴 식별 제4단계(S140)에서는, 각 구간별로, 소정 개수(N)의 실측값의 배열의 평균값을 산출하고, 유효한 실측값의 구간 이동 변위를 통해서 해당하는 동작패턴을 식별한다.
다음, 열화추세정보 제공 제5단계(S150)에서는, 평균값의 변화추세로 상기 각 구간에서의 암블레이드의 상향(들뜸) 또는 하향(처짐) 열화추세 정보를 제공한다.
도 3a 내지 도 3e, 및 도 4를 참조하여, 각 단계별로 구체적으로 상술하면 다음과 같다. 여기서, 도 3b는 실측값이 LA구간과 UB구간인 경우의 처리 흐름을 도시한 것이고, 도 3c는 실측값이 UA구간과 LB구간인 경우의 처리 흐름을 도시한 것이고, 도 3d는 실측값이 각 동작패턴의 종료구간(LB,UB)인 경우의 처리 흐름을 도시한 것이다.
도 3a는, 사용자 설정 적용 제1단계(S110)와, 실측값 수신 제2단계(S120)와, 구간 판별 제3단계(S130)의 순서도를 구체적으로 예시한 것이다.
참고로, 후술하는 바와 같이, LA와 UB(도 3b 참조) 및 UA와 LB(도 3c 참조) 구간에서의 각 평균값 산출 수행 과정은 구간 범위만 상이하고, 구체적인 배열개수판단과 기준편차 초과 여부와 평균값산출과정은 동일하므로, 각 구간별로 별도로 상술하지 않고 포괄하여 상술하고자 한다.
우선, 사용자 설정 적용 제1단계(S110)는, 전술한 암블레이드의 각 동작패턴을 구별하기 위한 실측값 가공, 각 동작패턴의 시작구간과 종료구간, 기준편차(m), 및 각 구간의 배열의 개수(유효한 실측값의 개수)(n)를 설정한다.
즉, 제1단계(S110)에서는, 레이저변위센서와 제어부 사이의 통신 설정, 수신된 실측값을 시각적으로 제공하기 위한 그래프 설정, 실측값에 음수를 곱하거나(예를 들어, 실측값 * (-1)) 옵셋값(off set)을 적용하는(예를 들어, 실측값 + 60) 가공 설정, 각 동작패턴의 시작구간과 종료구간 설정, 기준편차(기준값 - 실측값)(m), 및 각 해당구간에서의 유효한 실측값의 개수인 배열의 개수(n)를 설정한다. 여기서, 기준편차는 실측값의 해당구간에서의 이탈 여부(시작구간 -> 종료구간, 또는 종료구간 -> 시작구간)를 판단하기 위한 설정값이고, 배열의 개수는 해당구간에서의 유효한 실측값들의 평균값을 산출하기 위한 실측값의 개수이다.
부가하여, 도 4를 참조하여, 각 동작패턴의 시작구간 및 종료구간 설정을 예시하면 다음과 같다. 암블레이드의 로드 동작패턴의 시작구간(LA)은 25 ~ 30, 종료구간(LB)은 20 ~ 25로, 언로드 동작패턴의 시작구간(UA)은 20 ~ 25, 종료구간(UB)은 25 ~ 30으로 설정할 수 있다. 한편, LA와 UB가 동일한 구간으로 설정될 수도 있으나, LA는 25 ~ 30으로, UB는 26 ~ 31로 다르게 설정할 수도 있으며, UA와 LB도 동일하게 또는 다르게 설정할 수 있다.
다음, 실측값 수신 제2단계(S120)에서는, 암블레이드와 이격되어 웨이퍼 이송장비의 일측에 설치된 레이저변위센서로부터 암블레이드와의 이격거리인 실측값을 주기적으로 수신하여 후술하는 단계를 수행한다.
다음, 구간 판별 제3단계(S130)에서는, 수신된 실측값의 가공 여부에 따라 전술한 각 동작패턴의 시작구간 및 종료구간인지를 판별한다.
구체적으로, 제3단계(S130)는, 수신한 실측값이 전술한 구간들(LA,UA,LB,UB)의 값인지 판단하고(S131a), 실측값이 구간들의 값이 아니라고(EX) 판단되면 전술한 제1단계(S110)에서의 설정에 따라 실측값에 음수값을 곱하거나 옵셋값을 적용하여 가공하여 유효한 실측값으로 보정하는 제3-1단계(S131b)와, 이후, 실측값이 암블레이드의 1차구간, 즉 로드 또는 언로드의 시작구간인지(LA,UA) 그 이외의 범위인지(EX) 판별하는 제3-2단계(S132)와, 전 단계 판별 후, 그 이외의 구간(EX), 즉 1차구간 이외의 구간이라면 암블레이드의 로드 또는 언로드의 종료구간인지(LB,UB) 그 이외의 범위인지(EX') 판별하는 제3-3단계(S133)로 이루어진다.
도 3b 내지 도 3d는, 실측값의 구간 판별 후 각 해당구간별로 평균값을 산출하고 암블레이드의 동작 패턴을 식별하는 평균값 산출 및 동작패턴 식별 제4단계(S140)의 순서도를 구체적으로 예시한 것이다.
전술한 바와 같이, 평균값 산출 및 동작패턴 식별 제4단계(S140)에서는, 각 구간별로, 소정 개수(N)의 실측값의 배열의 평균값을 산출하고, 유효한 실측값의 구간 이동 변위를 통해서 해당하는 동작패턴을 식별하게 된다.
즉, 제4단계(S140)는, 전체적으로, 구간 판별 후(S132,S133), 각 시작구간 및 해당 시작구간과 중첩되는 범위의 상응하는 종료구간별로(로드의 시작구간(LA) 및 언로드의 종료구간(UB)(도 3b 참조), 및 로드의 시작구간(UA) 및 언로드의 종료구간(LB)(도 3c 참조)), 실측값이 시작구간의 해당 배열의 개수(n) 미만이고, 최초의 실측값인 기준값과 이후 수신된 실측값과의 차이인 실측편차(기준값 - 실측값)가 미리 설정한 기준편차 이하이면 시작구간 배열에 추가하는 제4-1단계(S141)와, 실측편차가 기준편차를 초과하면 실측값을 새로운 기준값으로 재설정하며 시작구간 배열을 초기화하고 시작구간 배열에 실측값을 추가하는 제4-2단계(S142)와, 제4-1단계(S141) 이후 시작구간 배열의 개수가 n개 이상이면 해당 시작구간 배열 내의 최소값, 최대값 및 평균값을 산출하는 제4-3단계(S143)와, 제4-2단계(S142) 또는 제4-3단계(S143)에서 시작구간 배열의 개수가 n개 미만이거나 제4-3단계(S143) 이후에는, 실측값이 상응하는 종료구간인지 판단하는 제4-4단계(S144)와, 실측값이 종료구간의 해당 배열의 개수(n) 미만이고 최초의 실측값인 기준값과 실측값과의 차이인 실측편차(기준값 - 실측값)가 미리 설정한 기준편차 이하이면 종료구간 배열에 추가하는 제4-5단계(S145)와, 기준편차를 초과하면 종료구간 배열을 초기화하고 종료구간 배열에 실측값을 추가하는 제4-6단계(S146)와, 제4-5단계(S145) 이후, 종료구간 배열의 개수가 n개 이상이면 종료구간 배열 내의 최소값, 최대값 및 평균값을 산출하는 제4-7단계(S147)로 이루어진다.
한편, 도 3d는, 하나의 동작패턴의 시작구간과 다른 동작패턴의 종료구간이 동일하지 않고 중첩되어 설정된 경우, 중첩되지 않는 각 동작패턴의 종료구간(LB,UB)의 평균값 산출 과정을 예시한 추가적인 순서도이다.
예컨대, LA는 25 ~ 30으로, UB는 26 ~ 31로 다르게 설정한 경우라면, 실측값이 30 ~ 31인 경우 그 해당 UB 구간에서의 평균값을 산출하는 과정을 수행하게 되고, UA와 LB도 동일하게 적용될 수 있다.
부언하자면, 사용자 설정 적용 제1단계(S110)에서, 필요에 따라서, 로드의 시작구간(LA)과 언로드의 종료구간(UB)은 동일하거나 중첩되며, 언로드의 시작구간(UA)과 로드의 종료구간(LB)은 동일하거나 중첩되도록 설정할 수 있다.
도 3d를 참조하면, 전술한 바와 같은 시작구간과 중첩되는 범위를 갖는 동작패턴의 종료구간별로, 시작구간과 중첩되지 않는 종료구간의 실측값에 대해서, 각 종료구간(LB 또는 UB) 판별 후, 실측값이 종료구간의 해당 배열의 개수(n) 미만이고, 최초의 실측값인 기준값과 실측값과의 차이인 실측편차(기준값 - 실츠값)가 미리 설정된 기준편차 이하이면 종료구간 배열에 추가하는 제4a-1단계(S421)와, 기준편차를 초과하면 실측값을 새로운 기준값으로 재설정하며 종료구간 배열을 초기화하고 종료구간 배열에 실측값을 추가하는 제4a-2단계(S422)와, 제4a-1단계(S421) 이후, 종료구간 배열의 개수가 n개 이상이면 종료구간 배열 내의 최소값, 최대값 및 평균값을 산출하는 제4a-3단계(S423)로 이루어지고, 제4a-1단계(S421) 이후, 종료구간 배열의 개수가 n개 미만이면, 전술한 제2단계(S120)부터 반복 수행한다.
도 3e는 열화추세정보 제공 제5단계(S150)의 순서도를 구체적으로 예시한 것이다.
제5단계(S150)는, 시작구간 및 종료구간의 판별에 따른 각 암블레이드의 동작패턴을 충족하면, 전술한 각 구간의 배열을 초기화하고(S151), 해당 식별된 동작패턴 및 해당구간에서의 산출된 평균값, 최소값 및 최대값을 기록하여 보관하고(S152), 각 해당구간에서의 평균값의 변화추세로 각 암블레이드의 해당구간에서의 상향(들뜸) 또는 하향(처짐) 열화추세 정보를 기록하여 보관하고 상위 서버로 업로드하여 제공한다(S153). 여기서, 시작구간 및 종료구간의 판별에 따른 각 암블레이드의 동작패턴을 충족하지 못하면, 전술한 제2단계(S120)부터 반복 수행한다.
한편, 각 해당구간에서의 최소값 및 최대값은, 각 암블레이드의 해당구간에서의 떨림(variation)에 의한 진폭 정보를 제공하고, 그 진폭 정보는 추후 기준편차(m) 설정에 활용될 수 있다.
따라서, 전술한 바와 구성에 의해, 웨이퍼 이송장비의 암블레이드의 각 해당구간에서의 열화추세를 실시간으로 판단할 수 있어 사전에 적절히 대응할 수 있도록 하여서 웨이퍼의 불량률을 줄일 수 있다.
본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원 시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
110 : 암블레이드
120 : 레이저변위센서
130 : 제어부
140 : 서버

Claims (5)

  1. 웨이퍼를 이송하는 암블레이드의 상측 또는 하측에 설치되며, 상기 암블레이드와의 이격거리를 측정하고, 외부로부터의 물리적 간섭을 차단하는 센서커버에 의해 커버되는, 레이저변위센서와,
    상기 암블레이드의 로드 및 언로드 동작패턴의 시작구간 및 종료구간을 미리 설정하고, 상기 레이저변위센서로부터 수신된 소정 개수의 유효한 실측값을 연산하여 상기 각 동작패턴을 식별하고, 상기 각 구간에서의 평균값을 산출하는 제어부와,
    상기 제어부로부터 전송된 상기 평균값을 분석하여 상기 암블레이드의 상기 각 구간에서의 열화추세를 모니터링하도록 제공하는 서버로 이루어지는, 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출 시스템.
  2. 웨이퍼 이송장비의 암블레이드의 웨이퍼의 로드와 언로드 동작패턴을 구별하기 위한 상기 동작패턴의 각 구간의 배열의 개수 및 각 구간의 사용자 설정을 적용하는 제1단계와,
    상기 암블레이드와 이격되어 상기 웨이퍼 이송장비의 일측에 설치된 레이저변위센서로부터 상기 암블레이드와의 이격거리인 실측값을 주기적으로 수신하는 제2단계와,
    상기 수신된 실측값이 가공 여부에 따라 상기 각 동작패턴의 시작구간 및 종료구간인지를 판별하는 제3단계와,
    상기 각 구간별로, 소정 개수의 실측값의 배열의 평균값을 산출하고, 상기 해당하는 동작패턴을 식별하는 제4단계와,
    상기 평균값의 변화추세로 상기 각 구간에서의 상기 암블레이드의 상향 또는 하향 열화추세 정보를 제공하는 제5단계로 이루어지는, 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1단계는, 상기 동작패턴을 구별하기 위한 실측값 가공, 각 구간, 기준편차, 및 배열의 개수(n)를 설정하고,
    상기 제3단계는,
    상기 실측값이 상기 구간의 값인지 판단하고, 상기 구간의 값이 아니라고 판단되면 상기 실측값에 음수값을 곱하거나 옵셋값을 적용하여 가공하는 제3-1단계와,
    상기 실측값이 상기 암블레이드의 로드 또는 언로드의 시작구간인지 그 이외의 범위인지 판별하는 제3-2단계와,
    그 이외의 구간이라면 상기 암블레이드의 로드 또는 언로드의 종료구간인지 그 이외의 범위인지 판별하는 제3-3단계로 이루어지고,
    상기 제4단계는,
    상기 구간 판별 후, 각 시작구간 및 상기 시작구간과 중첩되는 범위의 상응하는 종료구간별로, 상기 실측값이 상기 시작구간의 해당 배열의 개수(n) 미만이고, 최초의 실측값인 기준값과 상기 실측값과의 차이인 실측편차가 상기 기준편차 이하이면 상기 시작구간 배열에 추가하는 제4-1단계와,
    상기 기준편차를 초과하면 상기 실측값을 새로운 기준값으로 재설정하며 상기 시작구간 배열을 초기화하고 상기 시작구간 배열에 상기 실측값을 추가하는 제4-2단계와,
    상기 시작구간 배열의 개수가 n개 이상이면 상기 시작구간 배열 내의 최소값, 최대값 및 평균값을 산출하는 제4-3단계와,
    상기 제4-2단계, 또는 상기 제4-3단계에서 상기 시작구간 배열의 개수가 n개 미만이거나 상기 제4-3단계 이후에는, 상기 실측값이 상기 상응하는 종료구간인지 판단하는 제4-4단계와,
    상기 실측값이 상기 종료구간의 해당 배열의 개수(n) 미만이고 최초의 실측값인 기준값과 상기 실측값과의 차이인 실측편차가 상기 기준편차 이하이면 상기 종료구간 배열에 추가하는 제4-5단계와,
    상기 기준편차를 초과하면 상기 종료구간 배열을 초기화하고 상기 종료구간 배열에 상기 실측값을 추가하는 제4-6단계와,
    상기 제4-5단계 이후, 상기 종료구간 배열의 개수가 n개 이상이면 상기 종료구간 배열 내의 최소값, 최대값 및 평균값을 산출하는 제4-7단계로 이루어지고,
    상기 제5단계는, 상기 시작구간 및 상기 종료구간의 판별로 식별된 동작패턴 및 상기 해당구간에서의 평균값을 기록하고, 상기 해당구간에서의 평균값의 변화추세로 상기 암블레이드의 상향 또는 하향 열화추세 정보를 기록하여 보관하고 제공하는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 시작구간과 중첩되는 범위를 갖는 상기 동작패턴의 상기 종료구간별로, 상기 시작구간과 중첩되지 않는 상기 종료구간의 실측값에 대해서,
    상기 각 종료구간 판별 후, 상기 실측값이 상기 종료구간의 해당 배열의 개수(n) 미만이고, 최초의 실측값인 기준값과 상기 실측값과의 차이인 실측편차가 상기 기준편차 이하이면 상기 종료구간 배열에 추가하는 제4a-1단계와,
    상기 기준편차를 초과하면 상기 실측값을 새로운 기준값으로 재설정하며 상기 종료구간 배열을 초기화하고 상기 종료구간 배열에 상기 실측값을 추가하는 제4a-2단계와,
    상기 제4a-1단계 이후, 상기 종료구간 배열의 개수가 n개 이상이면 상기 종료구간 배열 내의 최소값, 최대값 및 평균값을 산출하는 제4a-3단계와,
    상기 제4a-1단계 이후, 상기 종료구간 배열의 개수가 n개 미만이면, 상기 제2단계부터 반복 수행하는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 로드의 시작구간과 상기 언로드의 종료구간은 동일하거나 중첩되고, 상기 언로드의 시작구간과 상기 로드의 종료구간은 동일하거나 중첩되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출방법.
KR1020160148073A 2016-11-08 2016-11-08 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출 시스템 및 그 검출 방법 KR101952840B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160148073A KR101952840B1 (ko) 2016-11-08 2016-11-08 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출 시스템 및 그 검출 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160148073A KR101952840B1 (ko) 2016-11-08 2016-11-08 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출 시스템 및 그 검출 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180051731A true KR20180051731A (ko) 2018-05-17
KR101952840B1 KR101952840B1 (ko) 2019-03-04

Family

ID=62486186

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160148073A KR101952840B1 (ko) 2016-11-08 2016-11-08 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출 시스템 및 그 검출 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101952840B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200010744A (ko) * 2018-07-23 2020-01-31 세메스 주식회사 기판 처리 장치의 이상 예측 장치 및 이상 예측 방법
CN116613094A (zh) * 2023-07-20 2023-08-18 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种晶圆搬运的控制系统及其控制方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200010744A (ko) * 2018-07-23 2020-01-31 세메스 주식회사 기판 처리 장치의 이상 예측 장치 및 이상 예측 방법
CN116613094A (zh) * 2023-07-20 2023-08-18 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种晶圆搬运的控制系统及其控制方法
CN116613094B (zh) * 2023-07-20 2023-10-13 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种晶圆搬运的控制系统及其控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101952840B1 (ko) 2019-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5864773A (en) Virtual sensor based monitoring and fault detection/classification system and method for semiconductor processing equipment
RU2576588C2 (ru) Обнаружение ухудшения характеристик датчика, реализованное в передатчике
US11387122B2 (en) Method and apparatus for measuring process kit centering
JP4377224B2 (ja) ウェハを処理加工する方法、システム及びそのためのコンピュータプログラム
US8849615B2 (en) Method and system for semiconductor process control and monitoring by using a data quality metric
CN113330463A (zh) 在半导体设备工具中利用神经网络进行腔室匹配
US8892237B2 (en) Systems and methods for fabricating semiconductor device structures using different metrology tools
KR101952840B1 (ko) 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출 시스템 및 그 검출 방법
US10281520B2 (en) Diagnosing an abnormal state of a substrate-processing apparatus
CN114492629A (zh) 异常检测方法、装置、电子设备及存储介质
WO2016121689A1 (ja) 不具合診断方法及び不具合診断システム
US8515567B2 (en) Enhanced state estimation based upon information credibility
EP2998814A1 (en) System for predicting abnormality occurrence using plc log data
JP6949675B2 (ja) 処理装置、検査装置および処理方法
KR20230048806A (ko) 스마트 팩토리 관리 시스템 및 방법
KR100416292B1 (ko) 위치 불량 감지 장치 및 방법
JP6949679B2 (ja) 処理装置、検査装置および処理方法
US10513035B2 (en) Robot-defective-part diagnosing device and method
CN111968927A (zh) 用于处理晶片的装置以及操作其的方法
KR102007240B1 (ko) 진동센서의 자가보정 방법 및 시스템
KR101045479B1 (ko) 다인자 계측시스템
KR102469634B1 (ko) 반도체 공정의 기판 불량 검출 시스템
KR20020093203A (ko) 반도체 제조설비의 케미컬온도 측정장치
KR20040063301A (ko) 웨이퍼 이송장치용 웨이퍼 감지장치 및 웨이퍼 감지방법
US20120245882A1 (en) Wafer tilt detection system

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right