KR100416292B1

KR100416292B1 - 위치 불량 감지 장치 및 방법

Info

Publication number: KR100416292B1
Application number: KR10-2001-0009515A
Authority: KR
Inventors: 이만봉
Original assignee: (주)지우텍
Priority date: 2001-02-24
Filing date: 2001-02-24
Publication date: 2004-01-31
Also published as: KR20010035519A; WO2002069393A1

Abstract

본 발명은 반도체 공정 장비를 실시간으로 관리하는 장치에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 포토 트랙 장비 또는 에칭 장비와 같은 반도체 공정 장비에서 발생하는 웨이퍼의 위치 불량을 감지하고, 감지된 위치 불량 상태를 발생 즉시 감지할 수 있는 위치 불량 감지 장치 및 방법에 관한 것이다.

본 발명에 의해 적어도 하나의 챔버를 포함하는 반도체 공정 장비에서 상기 챔버 내에 설치된 오븐에 웨이퍼가 비정상적으로 올려진 상태를 감지하는 장치에 있어서, 상기 반도체 공정 장비로부터 오븐 온도를 수신하는 수단과, 상기 반도체 공정 장비에 특성에 의해 미리 정해진 시간 동안 수신한 상기 오븐 온도 중 최저 오븐 온도를 추출하는 수단과, 상기 최저 오븐 온도와 미리 설정된 문턱값을 비교하여 위치 불량 발생 여부를 판단하는 수단 및 상기 판단 결과에 상응하여 미리 설정된 처리 명령에 따라 웨이퍼 위치 불량을 처리하는 수단을 포함하는 웨이퍼 위치 불량 감지 장치가 제공된다.

Description

위치 불량 감지 장치 및 방법{DEVICE FOR DETECTING WAFER POSITIONING FAILURE ON SEMICONDUCTOR PROCESSING DEVICE AND METHOD THEREOF}

본 발명은 반도체 공정 장비를 실시간으로 관리하는 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 가열장치 및 이송장치를 내장한 반도체 공정 장비에서 발생하는 공정 대상 물품(예를 들면, 웨이퍼)의 위치 불량을 감지하고, 감지된 위치 불량 상태를 발생 즉시 감지할 수 있는 위치 불량 감지 장치 및 방법에 관한 것이다.

오늘날 반도체 칩의 크기가 점점 축소되는데 반해, 웨이퍼 크기는 대구경화 되면서 반도체 소자의 집적도 증가되고 있다. 따라서 제조 현장의 고도의 청정도 유지 및 제품의 신뢰도 향상을 위한 제조 공정의 자동화는 날로 그 필요성을 더해가고 있다.

그러나 반도체 제조 공정이 자동화됨으로써, 반도체 제조 공정 중 이상이 발생하더라도 그 이상을 발견하지 못하고 제조 공정을 계속 진행하게되는 문제가 발생한다. 따라서 반도체 생산 업체와 공정 장비 제조 업체들은 반도체 제조 레시피(recipe)가 공정 장치에서 정상적으로 실행되고 있는지 확인할 수 있는 툴(tool)을 필요로 하고 있다.

도 1a 및 도 1b는 핫 플레이트(HOT PLATE; 열 전도판) 방식의 오븐을 사용하는 반도체 장비를 나타낸 것이고, 도 2a 및 도 2b는 상기 반도체 장비에 웨이퍼가 투입되는 모습을 나타낸 것이고, 도 3a 및 도3b는 웨이퍼가 챔버 또는 유닛(이하 '챔버'라 총칭함) 내의 오븐 위에 정상적으로 올려진 상태를 나타낸 것이고, 도 4a 및 도 4b는 웨이퍼가 챔버 내의 오븐 위에 비정상적으로 올려진 상태를 나타낸 것이다.

도 1a 내지 도 2b를 참조하면, 웨이퍼(20)와 핫 플레이트(13)간에 일정 간격을 유지하기 위해서, 갭 스페이서(11)(GAP SPACER)가 스토퍼(10)(STOPPER)의 하단부에 위치한다.

핫 플레이트(13)를 이용하여 웨이퍼(20)를 가열하는 트랙 장비나 에칭 장비는 웨이퍼(20)와 핫 플레이트(13)간의 일정 간격을 두고 상기 웨이퍼(20)를 가열한다. 웨이퍼(20)와 핫 플레이트(13)간에 일정 간격을 두는 이유는 오븐에 의해 웨이퍼(20)의 뒷면이 오염되는 것을 방지하기 위해서이다.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 웨이퍼(20)가 오븐 위에 정상적으로 올려짐으로써 오븐과 웨이퍼(20) 사이에 갭이 존재하지 않은 상태를 나타낸다. 오븐 위에 올려진 웨이퍼(20)는 스토퍼(10) 아래에 위치한 갭 스페이서(11)에 의해 핫 플레이트(13)와 소정의 간격을 두고 위치하게 된다.

반도체 장비 내의 오븐은 고유 오븐 온도로 세팅되어 있어, 웨이퍼(20)가 오븐 위에 올려지면, 웨이퍼(20)를 가열하게 된다. 오븐의 온도는 장비의 특성 및 장비 제조사마다 다르나, 일반적으로 웨이퍼(20)의 온도는 오븐의 온도보다 저온이다. 따라서, 도 3a에서 제시된 도면과 같이 오븐과 웨이퍼(20) 사이에 갭이 존재하지 않도록 웨이퍼(20)를 올려놓아야 오븐에서 발생되는 열이 웨이퍼(20)로 균일하게 전도되어 웨이퍼(20)를 가열할 수 있다.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 웨이퍼(20)가 오븐 위에 비정상적으로 올려짐으로써 웨이퍼(20)와 오븐 사이에 소정의 갭이 형성되어 위치 불량이 발생한다.

웨이퍼(20)와 오븐 사이의 갭은 웨이퍼(20)가 스토퍼(10)에 경사지게 올려짐으로서 발생한다. 이와 같이, 웨이퍼(20)가 스토퍼(10)에 경사지게 올려지는 이유는, 1)도 4a에 도시된 바와 같이, 이송 장치가 웨이퍼(20)를 정확하게 이송하는 못한 경우, 및 2)웨이퍼(20) 자체가 휘어진 경우에 발생한다. 2)의 이유로 발생한 위치 불량은 본 발명에서 해결하고자 하는 목적에 부합하지 않으므로, 더 이상 설명하지 않는다. 도 9a 및 도 9b를 참조하면, 위치 불량이 발생한 장비에서는 한 LOT에 해당하는 웨이퍼(20)를 오븐에 올리는 과정에서 모두 위치 불량이 발생한 것을 알 수 있다.

따라서, 도 1d에서 제시한 바와 같이, 오븐과 웨이퍼(20) 사이에 소정의 갭이 생기게 되면, 정상적인 경우보다 오븐에서 발생되는 열이 웨이퍼(20)로 잘 전도되지 못하여 웨이퍼(20)를 정상적으로 가열하지 못하게 된다.

상술한 바와 같이, 자동화된 반도체 제조 공정 중 오븐 위에 웨이퍼를 올려놓는 과정에 있어서, 오븐 위에 웨이퍼가 정상적으로 올려지지 않은 상태에서 공정을 계속 진행하는 경우가 빈번히 발생한다. 이때, 웨이퍼가 비정상적으로 올려진 상태로 공정을 계속 진행하면, 반도체의 수율이 상당히 떨어지는 결과를 초래한다.

위치 불량에 의해 반도체 수율이 크게 떨어진다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 사실이다. 그러나, 웨이퍼의 위치 불량 여부를 발생 즉시 감지하는 방법 또는 장치는 아직 개발되어 있지 않다.

따라서 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 웨이퍼 투입시 변동하는 오븐의 온도를 이용하여 웨이퍼의 위치 불량 여부를 모니터링 할 수 있는 위치 불량 감지 장치 및 방법을 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 웨이퍼를 이송하는 기계적인 동작을 하는 반도체 공정 장비에서 웨이퍼의 위치 불량이 발생한 경우, 위치 불량을 수정 및 예방하기 위한 제어 신호(이하 '수정 제어 신호'라 총칭함)를 발생할 수 있는 위치 불량 감지 장치 및 방법을 제공하는데 있다.

도 1a는 핫 플레이트 방식의 오븐을 사용하는 반도체 장비의 상측면을 나타낸 도면.

도 1b는 도 1a에 도시된 핫 플레이트 방식의 오븐을 사용하는 반도체 장비의 단면을 나타낸 도면.

도 2a는 핫 플레이트 방식의 오븐을 사용하는 반도체 장비에 웨이퍼가 투입되는 모습을 나타낸 도면.

도 2b는 도 2a에 도시된 핫 플레이트 방식의 오븐을 사용하는 반도체 장비의 단면을 나타낸 도면.

도 3a는 핫 플레이트 방식의 오븐 위에 웨이퍼가 정상적으로 올려진 상태를 나타낸 도면.

도 3b는 도 3a에 도시된 핫 플레이트 방식의 오븐을 사용하는 반도체 장비의 단면을 나타낸 도면.

도 4a는 핫 플레이트 방식의 오븐 위에 웨이퍼가 비정상적으로 올려진 상태(이하 '위치 불량'이라 함)를 나타낸 도면.

도 4b는 도 4a에 도시된 핫 플레이트 방식의 오븐을 사용하는 반도체 장비의 단면을 나타낸 도면.

도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 위치 불량 감지 시스템의 전체적이 구성도.

도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 위치 불량 발생 여부를 판단하는 과정을 나타낸 흐름도.

도 7a는 위치 불량이 발생한 경우의 오븐 온도 변화를 나타낸 도면.

도 7b는 위치 불량이 발생하지 않은 경우의 오븐 온도 변화를 나타낸 도면.

도 8a 및 도 8b는 챔버 내의 오븐과 웨이퍼간에 갭이 발생하지 않은 경우의 오븐 온도를 나타낸 도면.

도 9a 및 도 9b는 챔버 내의 오븐과 웨이퍼간에 갭이 발생한 경우의 오븐 온도를 나타낸 도면.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

10 : 스토퍼 11 : 갭 스페이서

12 : 핀 13 : 핫 플레이트

20 : 웨이퍼 100 : 반도체 공정 장비

101 : 온도 센서 102 : 제어부

103 : 송수신부 200 : 통신망

300 : 위치 불량 감지 장치 301 : 송수신부

302 : 제어부 303 : 모니터부

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일측면에 의하면, 적어도 하나의 챔버를 포함하는 반도체 공정 장비로의 웨이퍼 삽입시 상기 챔버 내에 설치된 히터에 웨이퍼가 비정상적으로 올려진 상태를 감지하는 장치에 있어서, 상기 반도체 공정 장비로부터 히터 온도를 수신하는 수단과, 상기 반도체 공정 장비의 특성에 의해 미리 정해진 시간 동안 수신한 상기 히터 온도 중 최저 히터 온도를 추출하는 수단과, 상기 최저 히터 온도와 미리 설정된 문턱값을 비교하여 상기 최저 히터 온도가 상기 문턱값보다 높을 경우 위치 불량 발생으로 판단하는 수단 및 상기 판단 결과에 상응하여 미리 설정된 처리 명령에 따라 웨이퍼 위치 불량을 처리하는 수단을 포함하는 위치 불량 감지 장치가 제공된다.

또한, 상기 위치 불량 감지 장치는 위치 불량이 발생하지 않은 경우에 측정된 히터 온도에 기초한 문턱값을 입력하는 수단을 더 포함할 수 있으며, 상기 문턱값은 위치 불량이 발생하지 않은 경우에 측정된 최저 히터 온도의 평균값일 수 있다.

상기 히터 온도는 SECS(SEMI(SEMICONDUCTOR EQUIPMENT AND MATERIALS INTERNATIONAL) EQUIPMENT COMMUNICATION STANDARD) 프로토콜, GEM 프로토콜 및 HSMS 프로토콜 중 어느 하나에 의해 상기 반도체 공정 장비와 상기 웨이퍼 위치 불량 감지 장치간에 직접 연결된 직렬 케이블을 통해 송수신될 수 있다.

상기 반도체 공정 장비로부터 히터 온도를 수신하는 수단은, 파라미터 데이터-상기 파라미터 데이터는 히터 온도를 포함한 반도체 공정 장비의 가동 상태 및 공정 조건에 관한 데이터임-를 수신하는 수단 및 수신한 상기 파라미터 데이터로부터 히터 온도를 추출하는 수단을 포함한다.

상기 파라미터 데이터는 SECS(SEMI(SEMICONDUCTOR EQUIPMENT AND MATERIALS INTERNATIONAL) EQUIPMENT COMMUNICATION STANDARD) 프로토콜, GEM 프로토콜 및 HSMS 프로토콜 중 어느 하나에 의해 상기 파라미터 데이터는 상기 반도체 공정 장비와 상기 위치 불량 감지 장치간에 직접 연결된 직렬 케이블을 통해 송수신될 수 있다. 또한, 상기 파라미터 데이터는 상기 반도체 공정 장비와 상기 웨이퍼 위치 불량 감지 장치가 결합된 유/무선 랜 및 유/무선 인터넷 중 적어도 어느 하나를 통해 송수신될 수 있다.

상기 최저 히터 온도와 미리 설정된 문턱값을 비교하여 상기 최저 히터 온도가 상기 문턱값보다 높을 경우 위치 불량 발생으로 판단하는 수단은, 위치 불량 발생 여부를 기록하기 위해 정(TRUE) 및 부(FALSE) 상태만을 갖는 플래그와, 상기 최저 히터 온도와 설정된 상기 문턱값을 비교하여 최저 히터 온도가 상기 문턱값보다 낮으면 초기화된 상기 플래그의 설정값을 정으로 변경하는 수단 및 상기 플래그를 검사하여 설정값이 부이면 위치 불량으로 판단하는 수단을 포함한다.

또한, 상기 위치 불량 감지 장치는 상기 반도체 공정 장비에 특성에 의해 미리 정해진 시간 동안 전송된 복수의 히터 온도를 상호 비교하여 웨이퍼 투입 여부를 판단하는 수단을 더 포함할 수 있다.

상기 미리 설정된 처리 명령은, 위치 불량 발생 신호의 출력 명령, 웨이퍼 위치 불량이 발생한 반도체 공정 장비의 동작 중지 명령, 웨이퍼 위치 불량 수정 명령 및 웨이퍼 위치 불량이 발생한 반도체 공정 장비의 이송 장치 수정 제어 명령 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.

상기 판단 결과에 상응하여 미리 설정된 처리 명령에 따라 웨이퍼 위치 불량을 처리하는 수단은, 웨이퍼의 위치 수정 또는 웨이퍼 위치 불량이 발생한 반도체 공정 장비의 이송 장치를 제어하는 수정 제어 신호를 발생하는 수단 및 위치 불량 발생 신호를 출력하는 수단을 포함한다.

상기 위치 불량 발생 신호를 출력하는 수단은, 화상 디스플레이 수단, 음향 발생 수단 및 SMS 단문 메시지 또는 음성 메시지를 전송할 수 있는 이동 통신 단말 수단을 포함하되, 상기 화상 디스플레이 수단은 CRT 또는 TFT를, 상기 음향 발생수단은 버저(BUZZER)를 포함할 수 있다.

본 발명의 다른 측면에 의하면, 적어도 하나의 챔버를 포함하는 반도체 공정 장비로의 웨이퍼 삽입시 상기 챔버 내에 설치된 히터에 웨이퍼가 비정상적으로 올려진 상태를 감지하는 방법에 있어서, 상기 반도체 공정 장비로부터 히터 온도를 수신하는 단계와, 상기 반도체 공정 장비의 특성에 의해 미리 정해진 시간 동안 수신한 상기 히터 온도 중 최저 히터 온도를 추출하는 단계와, 상기 최저 히터 온도와 미리 설정된 문턱값을 비교하여 상기 최저 히터 온도가 상기 문턱값보다 높을 경우 위치 불량 발생으로 판단하는 단계 및 상기 판단 결과에 상응하여 미리 설정된 처리 명령에 따라 웨이퍼 위치 불량을 처리하는 단계를 포함하는 위치 불량 감지 방법이 제공된다.

또한, 상기 위치 불량 감지 방법은 위치 불량이 발생하지 않은 경우에 측정된 히터 온도에 기초한 문턱값을 입력하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 문턱값은 위치 불량이 발생하지 않은 경우에 측정된 최저 히터 온도의 평균값일 수 있다.

상기 히터 온도는 SECS(SEMI(SEMICONDUCTOR EQUIPMENT AND MATERIALS INTERNATIONAL) EQUIPMENT COMMUNICATION STANDARD) 프로토콜, GEM 프로토콜 및 HSMS 프로토콜 중 어느 하나에 의해 송수신될 수 있다.

상기 반도체 공정 장비로부터 히터 온도를 수신하는 단계는, 파라미터 데이터-상기 파라미터 데이터는 히터 온도를 포함한 반도체 공정 장비의 가동 상태 및 공정 조건에 관한 데이터임-를 수신하는 단계 및 수신한 상기 파라미터 데이터로부터 히터 온도를 추출하는 단계를 포함한다.

상기 파라미터 데이터는 SECS(SEMI(SEMICONDUCTOR EQUIPMENT AND MATERIALS INTERNATIONAL) EQUIPMENT COMMUNICATION STANDARD) 프로토콜, GEM 프로토콜 및 HSMS 프로토콜 중 어느 하나에 의해 송수신될 수 있다.

상기 최저 히터 온도와 미리 설정된 문턱값을 비교하여 상기 최저 히터 온도가 상기 문턱값보다 높을 경우 위치 불량 발생으로 판단하는 단계는, 위치 불량 발생 여부를 플래그에 초기값으로 부(FALSE)를 저장하는 단계와, 상기 최저 히터 온도와 설정된 상기 문턱값을 비교하여 최저 히터 온도가 상기 문턱값보다 낮으면 초기화된 상기 플래그의 설정값을 정(TRUE)으로 변경하는 단계 및 상기 플래그를 검사하여 설정값이 부이면 위치 불량으로 판단하는 단계 포함한다.

또한, 상기 위치 불량 감지 방법은 상기 반도체 공정 장비에 특성에 의해 미리 정해진 시간 동안 전송된 복수의 히터 온도를 상호 비교하여 웨이퍼 투입 여부를 판단하는 단계를 더 포함한다.

상기 판단 결과에 상응하여 미리 설정된 처리 명령에 따라 웨이퍼 위치 불량을 처리하는 단계는, 웨이퍼의 위치 수정 또는 웨이퍼 위치 불량이 발생한 반도체 공정 장비의 이송 장치를 제어하는 수정 제어 신호를 발생하는 단계 및 위치 불량 발생 신호를 출력하는 단계를 포함한다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.

도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 위치 불량 감지 시스템의 전체적인 구성도이다.

도 5의 설명에 앞서, 반도체 공정 장비와 상기 반도체 공정 장비를 제어하고, 모니터링 하는 호스트간의 통신 규약인 SECS(SEMI(SEMICONDUCTOR EQUIPMENT AND MATERIALS INTERNATIONAL) EQUIPMENT COMMUNICATION STANDARD) 프로토콜, GEM 프로토콜 및 HSMS 프로토콜에 대해 설명한다.

SECS 프로토콜은 반도체 공정 장비가 제조 공정 수행을 위해 호스트로부터 작업 지시를 받거나 상기 반도체 공정 장비의 가동 상태나 공정 조건 등의 파라미터 데이터를 호스트로 전송하데 이용하는 통신규약이다. SECS 프로토콜은 반도체 공정 장비와 호스트 상호간의 통신을 규정하는 표준 규약으로 메시지 전송체계를 규정하는 SECS-1 및 SECS-II 부문으로 구성된다.

GEM 프로토콜은 SECS 프로토콜보다 진보된 반도체 공정 장비와 호스트간의 통신규약으로서, SECS 프로토콜과 같이 직렬 시리얼 통신에 사용된다. 일반적으로, 최근 개발되고 있는 반도체 공정 장비는 SECS와 GEM을 동시에 지원한다.

HSMS 프로토콜은 앞서 설명한 SECS 및 GEM 프로토콜과 마찬가지로 반도체 공정 장비와 호스트간의 통신규약이다. 차이점은 SECS 및 GEM 프로토콜이 직렬 시리얼 통신에 사용되는데 반해, HSMS 프로토콜은 TCP/IP 통신 프로토콜을 사용하는유/무선 LAN 또는 인터넷 통신망에서 사용된다.

도 5를 참조하면, 웨이퍼 위치 불량 감지 시스템은 반도체 공정 장비(100), 통신망(200) 및 위치 불량 감지 장치(300)를 포함할 수 있다.

반도체 공정 장비(100)는 온도 센서(101), 제어부(102) 및 송수신부(103)를 포함한다. 상기 반도체 공정 장비(100)는 오븐 또는 히터의 온도를 감지하고, 감지된 온도를 SECS 프로토콜로 변환한 후 통신망(200)을 통해 위치 불량 감지 장치(300)로 전송한다.

상기 반도체 공정 장비(100)는 오븐 또는 히터를 포함하는 가열장치(이하 '히터'라 총칭함) 및 이송장치를 내장한 반도체 공정 장비이다. 본 명세서에서는 설명의 편리를 위해, 상기 반도체 공정 장비(100)가 포토 트랙 장비 또는 에칭 장비와 같이 웨이퍼를 가공하는 장비인 경우를 예를 들어 설명한다. 그러나, 이것은 본 발명을 웨이퍼를 가공하는 반도체 공정 장비에만 한정하는 것은 아니며, 본 발명에 의한 위치 불량 감지 장치는 가열장치와 이송장치를 구비한 LCD 또는 PDP 공정 장비를 포함하는 모든 공정 장비에 적용 가능함은 물론이다.

온도 센서(101)는 챔버 내의 히터 온도를 감지하여 온도 데이터를 생성한다. 상기 온도 센서(101)에 의해 생성된 온도 데이터는 제어부(102)로 전송된다. 일반적으로, 챔버 내의 히터는 PID 제어기에 의해 고유 히터 온도를 유지하며, 히터 온도의 변화는 상기 온도 센서(101)에 의해 감지된다.

특히, 상기 온도 센서(101)에 의해 감지되는 온도는 히터의 온도이며, 웨이퍼의 온도가 아니다. 따라서, 웨이퍼가 상기 반도체 공정 장비(100)에 투입될 때상대적으로 저온인 웨이퍼에 의해 히터 온도가 미세하게 변하므로, 상기 온도 센서(101)는 감도가 높은 것이 바람직하다.

제어부(102)는 상기 온도 센서(101)를 포함한 복수의 센서들로부터 전송 받은 가동 상태나 공정 조건 등의 파라미터 데이터 및 위치 불량 감지 장치(300)로부터 전송 받은 수정 제어 신호를 이용하여 반도체 공정 장비의 동작을 제어한다. 본 발명에서 상기 제어부(102)는 위치 불량 감지 장치(300)에서 생성된 수정 제어 신호에 의해 제어될 수 있다. 상기 제어부(102)는 상기 온도 센서(101)가 전송한 온도 데이터를 이용하여 히터의 온도를 조절할 수 있다.

송수신부(103)는 온도 데이터를 포함하는 파라미터 데이터를 SECS 프로토콜, GEM 프로토콜 및 HSMS 프로토콜 중 어느 하나를 이용하여 통신 데이터로 변환한 후 통신망(200)을 통해 위치 불량 감지 장치(300)로 전송한다. 또한, 히터 온도만을 범용의 직렬 통신 프로토콜, SECS 프로토콜, GEM 프로토콜 및 HSMS 프로토콜 중 어느 하나를 이용하여 통신 데이터로 변환한 후 통신망(200)을 통해 위치 불량 감지 장치(300)로 전송한다. 그리고, 위치 불량 감지 장치(300)로부터 전송 받은 수정 제어 신호를 상기 제어부(102)로 전송할 수 있다.

상기 송수신부(103)는 적어도 하나 이상의 RS-232C 직렬 시리얼 포트를 포함하며, 통신망(200)을 통해 위치 불량 감지 장치(300)와 비동기식 양방향 통신을 할 수 있다. 또한, 상기 송수신부(103)는 TCP/IP, 이더넷 및 토큰링 프로토콜 중 어느 하나를 이용하여 상기 파라미터 데이터 및 수정 제어 신호를 송수신하기 위한 적어도 하나 이상의 랜 포트를 더 포함할 수도 있다.

온도 센서 및 송수신부 중 적어도 어느 하나를 구비하지 않은 반도체 공정 장비의 경우에는 위치 불량 감지를 위해 부가적으로 온도 센서 및 송수신부 중 어느 하나를 반도체 공정 장비에 설치할 수 있다. 이 경우에는 상기 반도체 공정 장비로부터 히터 온도만을 제공받는다.

통신망(200)은 상기 반도체 공정 장비(100)와 위치 불량 감지 장치(300)간의 데이터 송수신이 가능한 통신망으로서, 직렬 케이블, 유/무선 LAN 및 유/무선 인터넷 중 어느 하나일 수 있다.

상기 통신망(200)이 직렬 케이블인 경우에는, 상기 반도체 공정 장비(100)와 위치 불량 감지 장치(300)가 직접 연결되어 1:1 통신을 할 수 있다. 상기 반도체 공정 장비(100)와 위치 불량 감지 장치(300)가 직렬 케이블에 의해 직접 연결될 경우에는, 범용적인 직렬 통신 프로토콜에 의해 히터 온도만을 송수신할 수도 있다.

위치 불량 감지 장치(300)는 송수신부(301), 제어부(302) 및 모니터부(303)를 포함한다.

송수신부(301)는 상기 반도체 공정 장비(100)가 전송한 상기 통신 데이터를 수신하고, 이를 파라미터 데이터로 변환한 후 제어부(302)로 전송한다. 또한, 상기 반도체 공정 장비(100)를 제어하기 위한 수정 제어 신호를 반도체 공정 장비(100)로 전송할 수 있다. 상기 송수신부(301)는 상기 파라미터 데이터에서 온도 데이터만을 추출한 후 이를 제어부(302)로 전송할 수도 있다.

상기 송수신부(301)는 RS-232C 직렬 시리얼 포트를 포함하며, 통신망(200)을 통해 상기 반도체 공정 장비(100)와 비동기식 양방향 통신을 할 수 있다. 또한, 상기 송수신부(301)는 TCP/IP, 이더넷 및 토큰링 프로토콜 중 어느 하나를 이용하여 상기 파라미터 데이터 및 수정 제어 신호를 송수신하기 위한 랜 포트를 더 포함할 수 있다.

제어부(302)는 상기 반도체 공정 장비(100)로부터 수신한 파라미터 데이터를 이용하여 웨이퍼의 위치 불량이 발생하였는지 여부를 판단하고, 판단 결과 위치 불량이 발생하면 위치 불량 발생 신호를 모니터부(303)로 전송한다.

상기 제어부(302)는 상기 송수신부(301)로부터 온도 데이터를 수신한 후 미리 저장된 문턱값(threshold value)과 비교하여 위치 불량 발생 여부를 판단한다. 상기 문턱값은 각각의 반도체 공정 장비에 대하여 일정 횟수의 테스트를 거쳐 설정된 값으로, 위치 불량이 발생하지 않을 경우의 최저 히터 온도의 평균값이다.

상기 제어부(302)는 위치 불량이 발생하면, 수정 제어 신호를 생성하여 상기 반도체 공정 장비(100)를 제어한다. 앞서 설명한 바와 같이, 위치 불량의 발생 원인은 챔버 내의 히터 위로 웨이퍼를 이송하는 이송 장치가 웨이퍼를 정확하게 이송하지 못하는 경우에 주로 발생한다. 위치 불량이 발생한 경우에는 1)반도체 공정 장비의 작동 중단-관리자의 수동 제어 명령을 기다림, 2)위치 불량이 발생한 웨이퍼의 처리, 3)위치 불량이 발생한 반도체 공정 장비 내에 위치한 이송 장치에 대한 수정 제어 중 관리자가 미리 선택할 수 있도록 한다. 도 9a 및 도 9b를 참조하면, 위치 불량이 발생한 장비에서는 지속적으로 위치 불량이 발생함을 알 수 있다.

상기 수정 제어 신호는 1)관리자에 의해 수동으로 입력될 수 있으며, 2)미리 입력된 제어 명령에 의해 자동으로 생성될 수 있다. 1)에 의한 방법의 경우, 관리자로부터 수정 제어 신호를 입력받을 때까지 위치 불량이 발생한 반도체 공정 장비의 가동을 일지 중지시키는 제어 신호를 수정 제어 신호에 앞서 발생할 수 있다. 2)에 의한 방법은 히터와 웨이퍼 사이 갭의 차이로 인한 히터 온도를 데이터베이스화하여 이용할 수 있다. 예를 들어, 갭이 0일 때 문턱값이 90 ℃이고, 갭이 0.01mm 일 때 90.3 ℃, 갭이 0.02일 때 90.7 ℃ 라고 하면, 측정된 히터 온도에 따라 웨이퍼가 놓일 위치를 제어하는 것이 가능하다.

챔버 내의 히터와 웨이퍼 사이의 갭에 의한 히터 온도의 변화를 설명하기 위해 도 8a 내지 도 9b를 참조하여 설명한다.

도 8a 및 도 8b는 챔버 내의 히터와 웨이퍼간에 갭이 발생하지 않은 경우의 히터 온도를 나타낸 그래프이고, 도 9a 및 도 9b는 챔버 내의 히터와 웨이퍼간에 갭이 발생한 경우의 히터 온도를 나타낸 그래프로서, 도 8a 및 도 9a는 10회에 걸친 히터 온도 변화를 중첩하여 도시하였고, 도 8b 및 도 9b는 이를 분리하여 나타내었다.

도 8a 내지 도 9b를 참조하면, 히터 온도의 변화는 갭이 발생하지 않은 경우가 갭이 발생한 경우보다 크게 발생한다. 왜냐하면, 히터보다 상대적으로 저온인 웨이퍼가 조금이라도 경사지게 핫 플레이트에 접하게 되면, 히터의 열이 웨이퍼에 정확하게 전달되지 않으며, 이로 인해 히터와 웨이퍼간의 상호 작용에 의한 온도 변화가 작아지게 된다. 따라서, 히터와 웨이퍼가 밀착하게 되면, 상호간의 열 교환이 활발히 이루어져 히터의 순간 온도에 큰 변화가 생긴다.

도 8a 내지 도 9b는 갭이 유무에 의한 히터 온도 변화를 설명하기 위해 산출한 데이터이나, 갭의 크기에 따른 온도 변화와 그에 따른 문턱값을 산출하여 수정 제어 신호를 생성하는 것은 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 지극히 용이하므로 자세한 설명은 생략한다.

다시 도 5를 설명한다.

모니터부(303)는 위치 불량 발생여부를 관리자에게 표시한다. 상기 모니터부(303)는 CRT 또는 TFT를 포함하는 화상 디스플레이 장치, 버저(BUZZER)와 같은 음향 발생 장치, SMS 단문 메시지 또는 음성 메시지를 전송할 수 있는 이동 통신 단말 장치 중 적어도 어느 하나를 포함한다.

상기 모니터부(303)가 화상 디스플레이 장치이면, 상기 반도체 공정 장비(100)로부터 전송 받은 온도 데이터 및 상기 제어부(302)의 위치 불량 판단 결과를 표시하고, 관리자로부터 수정 제어 신호를 입력받기 위한 표시화면을 출력할 수 있다.

상기 모니터부(303)가 음향 발생 장치이면, 위치 불량 발생 여부를 관리자에게 경고하기 위해 경고음을 출력할 수 있다.

상기 모니터부(303)가 이동 통신 단말 장치이면, 온도 데이터를 관리자의 이동 통신 단말 장치로 주기적으로 전송할 수 있고, 위치 불량 발생을 알리는 SMS 단문 메시지 또는 음성 메시지만을 관리자의 이동 통신 단말 장치로 전송할 수 있다.

도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 위치 불량 발생 여부를 판단하는과정을 나타낸 흐름도이다. 도 6의 설명을 위해 도 7a 내지 도 9b를 참조하여 설명한다.

도 6을 참조하면, 단계 400에서, 반도체 공정 장비의 문턱값을 설정한다. 상기 반도체 공정 장비는 핫 플레이트 방식의 히터를 이용하여 웨이퍼를 가열하는 챔버를 갖는 모든 반도체 공정 장비를 포함한다. 구체적으로, 포토 공정 장비, 트랙 공정 장비, 에칭 공정 장비 등을 포함한다.

상기 반도체 공정 장비마다 각각의 문턱값이 다르므로, 수회에 걸친 테스트에 의해 올바른 위치에 웨이퍼가 올려졌을 경우의 최저 히터 온도의 평균값을 문턱값으로 설정한다. 바람직하게는, 한 LOT에 해당하는 복수의 웨이퍼에 대한 테스트를 통해 문턱값을 설정한다.

반도체 공정 장비의 문턱값을 설정하는 과정을 설명하기 위해 도 8a 및 도 8b를 참조하여 설명한다.

도 8a 및 도 8b를 참조하면, 10개의 웨이퍼에 대하여 갭이 발생하지 않은 경우에 총 10개의 최저 히터 온도를 검출하고, 검출된 최저 히터 온도의 평균값을 문턱값으로 설정한다.

다시 도 6을 설명한다.

한 대의 위치 불량 감지 장치가 복수의 반도체 공정 장비를 모니터링 하는 경우에는, 각 장비마다의 문턱값을 저장하고, 각각의 장비에서 온도 데이터를 수신할 때마다 해당하는 문턱값으로 위치 불량 감지 장치를 초기화한다.

단계 410에서, 상기 반도체 공정 장비는 임의의 시간 ..., t - 3Δt, t - 2Δt, t - Δt, t, t + Δt, t + 2Δt, t + 3Δt, ... 에서 히터 온도를 측정하여 온도 데이터를 생성하고, 이를 위치 불량 감지 장치로 송신한다. 상기 단계 410에서, 상기 반도체 공정 장비는 히터 온도만을 측정하여 일정 시간 간격 Δt 마다 전송할 수도 있으며, 히터 온도를 포함하는 가동 상태나 공정 조건 등의 파라미터 데이터를 일정 시간 간격 Δt 마다 전송할 수도 있다. 파라미터 데이터를 수신한 경우에는 온도 데이터 추출 과정을 더 수행한다.

상기 반도체 공정 장비는 히터 온도에 변화가 생기는 경우에만 온도 데이터를 전송할 수도 있다. 왜냐하면, 상기 히터의 온도는 각 반도체 공정 장비의 특성에 따라 일정한 고유 히터 온도로 유지되도록 PID 제어기를 통해 제어된다. 따라서, 웨이퍼 투입과 같은 특단의 상황이 발생하지 않는 이상 히터 온도는 항상 고유 히터 온도를 유지된다.

상기 측정된 히터 온도는 범용의 직렬 통신 프로토콜에 의해 위치 불량 감지 장치로 직렬 시리얼 케이블을 통해 전송된다. 또한, SECS, GEM, HSMS 프로토콜에 의해 위치 불량 감지 장치로 유/무선 LAN, 유/무선 인터넷을 통해 전송될 수 있다.

단계 420에서, 위치 불량 감지 장치는 임의의 시간 t에서의 히터 온도를 메모리에 저장한 후, 시간 ..., t - 3Δt, t - 2Δt, t - Δt 에서 수신한 히터 온도와 비교하여 웨이퍼 투입 여부를 판단한다. 즉, 시간 ..., t - 3Δt, t - 2Δt, t - Δt에서의 히터 온도와 시간 t에서의 히터 온도를 비교하여 급격한 온도 변화가 발생한 경우에는 웨이퍼가 투입된 것으로 판단하여 위치 불량 모니터링 과정을 시작한다.

단계 430에서, 메모리에 저장된 시간 t에서의 히터 온도를 읽어 들인 후, 단계 440에서 위치 불량 플래그를 False로 설정한다.

단계 450에서, 위치 불량 모니터링 과정이 시작한 이후 일정한 히터 온도 천이 시구간 동안의 히터 온도 중 최저 히터 온도를 검출하여 단계 400에서 설정된 문턱값을 비교한다. 상기 히터 온도 천이 시구간은 상기 반도체 공정 장비에 웨이퍼가 투입되어 온도에 변화가 발생한 경우, 히터 온도가 고유 히터 온도로 다시 수렴하는데 걸리는 시간을 말한다. 비교 결과, 최저 히터 온도가 문턱값보다 작은 경우에는 위치 불량 플래그를 True로 설정한다.

최저 히터 온도와 문턱값을 비교하여 위치 불량 플래그를 설정하는 과정을 설명하기 위해 도 7a 및 도 7b를 참조하여 설명한다.

도 7a는 위치 불량이 발생한 경우의 히터 온도 변화를 도시한 그래프이고, 도 7b는 위치 불량이 발생하지 않은 경우의 히터 온도 변화를 도시한 그래프이다.

도 7a 및 도 7b를 참조하면, 상기 반도체 공정 장비는 고유 히터 온도가 150 ℃이고 문턱값이 149.2 ℃이다.

도 7a에서 보는 바와 같이, 최저 히터 온도 149.3 ℃로 문턱값인 149.2 ℃ 보다 높으면 위치 불량이 발생하였다는 것을 의미한다. 따라서, 위치 불량 플래그의 설정값을 변화하지 않는다. 반면에, 도 7b에서 보는 바와 같이, 최저 히터 온도가 149.1 ℃로 문턱값보다 낮으면 위치 불량이 발생하지 않은 것을 의미한다. 따라서, 위치 불량 플래그의 설정값을 True로 설정한다.

다시 도 6을 설명한다.

단계 460에서, 시간 ..., t - 3Δt, t - 2Δt, t - Δt에서의 히터 온도와 시간 t에서의 히터 온도를 비교하여 히터 온도가 고유 히터 온도로 수렴하는 것으로 판단되면, 더 이상의 웨이퍼 투입이 없는 것으로 판단하여 위치 불량 모니터링 과정을 종료한다.

단계 470에서, 위치 불량 플래그를 검사하여 상기 플래그가 False로 세팅되어 있으면 모니터부를 통해 위치 불량 발생을 경고한다.

도면에는 도시되지 않았으나, 상기 단계 470에서 위치 불량 발생을 경고한 후, 웨이퍼의 위치 수정 또는 반도체 공정 장비의 이송 장치를 제어하는 수정 제어 신호를 발생하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 수정 제어 신호는 관리자가 미리 입력한 처리 명령에 따라, 위치 불량이 발생한 반도체 공정 장비를 일시 정지하고 관리자의 수동 제어 신호를 기다리거나, 자동적으로 웨이퍼 위치 불량을 해소할 수 있다.

자동적으로 웨이퍼 위치 불량을 해소하는 처리 명령에 의하면, 웨이퍼 위치 불량이 발생한 반도체 공정 장비 내에 위치한 이송 장치를 수정 제어함으로써, 동일한 웨이퍼 위치 불량이 반복하여 발생하는 것을 방지할 수 있다.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 물론이다.

본 발명에 의해 웨이퍼 투입시 변동하는 히터의 온도를 이용하여 웨이퍼의 위치 불량 여부를 감지 할 수 있는 웨이퍼 위치 불량 감지 장치 및 방법이 제공되었다.

또한, 본 발명에 의해 웨이퍼를 이송하는 기계적인 동작을 하는 반도체 공정 장비에서 웨이퍼의 위치 불량이 발생한 경우, 위치 불량을 수정하고 및 반복적인 웨이퍼 위치 불량 발생을 예방하기 위한 수정 제어 신호를 발생할 수 있는 웨이퍼 위치 불량 감지 장치 및 방법이 제공되었다.

Claims

적어도 하나의 챔버를 포함하는 반도체 공정 장비로의 웨이퍼 삽입시 상기 챔버 내에 설치된 히터에 웨이퍼가 비정상적으로 올려진 상태를 감지하는 장치에 있어서,

상기 반도체 공정 장비로부터 히터 온도를 수신하는 수단;

상기 반도체 공정 장비의 특성에 의해 미리 정해진 시간 동안 수신한 상기 히터 온도 중 최저 히터 온도를 추출하는 수단;

상기 최저 히터 온도와 미리 설정된 문턱값을 비교하여 상기 최저 히터 온도가 상기 문턱값보다 높을 경우 위치 불량 발생으로 판단하는 수단; 및

상기 판단 결과에 상응하여 미리 설정된 처리 명령에 따라 웨이퍼 위치 불량을 처리하는 수단을 포함하는 위치 불량 감지 장치.
제1항에 있어서,

위치 불량이 발생하지 않은 경우에 측정된 히터 온도에 기초한 문턱값을 입력하는 수단을 더 포함하는 위치 불량 감지 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 문턱값은 위치 불량이 발생하지 않은 경우에 측정된 최저 히터 온도의평균값인 위치 불량 감지 장치.
제1항에 있어서,

상기 히터 온도는 SECS(SEMI(SEMICONDUCTOR EQUIPMENT AND MATERIALS INTERNATIONAL) EQUIPMENT COMMUNICATION STANDARD) 프로토콜, GEM 프로토콜 및 HSMS 프로토콜 중 어느 하나에 의해 송수신되는 위치 불량 감지 장치.
제1항 또는 제4항에 있어서,

상기 히터 온도는 상기 반도체 공정 장비와 상기 위치 불량 감지 장치간에 직접 연결된 직렬 케이블을 통해 송수신되는 위치 불량 감지 장치.
제1항에 있어서,

상기 반도체 공정 장비로부터 히터 온도를 수신하는 수단은,

파라미터 데이터-상기 파라미터 데이터는 히터 온도를 포함한 반도체 공정 장비의 가동 상태 및 공정 조건에 관한 데이터임-를 수신하는 수단; 및

수신한 상기 파라미터 데이터로부터 히터 온도를 추출하는 수단을 포함하는 위치 불량 감지 장치.
제6항에 있어서,

상기 파라미터 데이터는 SECS(SEMI(SEMICONDUCTOR EQUIPMENT AND MATERIALS INTERNATIONAL) EQUIPMENT COMMUNICATION STANDARD) 프로토콜, GEM 프로토콜 및 HSMS 프로토골 중 어느 하나에 의해 송수신되는 위치 불량 감지 장치.
제6항 또는 제7항에 있어서,

상기 파라미터 데이터는 상기 반도체 공정 장비와 상기 위치 불량 감지 장치간에 직접 연결된 직렬 케이블을 통해 송수신되는 위치 불량 감지 장치.
제6항 또는 제7항에 있어서,

상기 파라미터 데이터는 상기 반도체 공정 장비와 상기 위치 불량 감지 장치가 결합된 유/무선 랜 및 유/무선 인터넷 중 적어도 어느 하나를 통해 송수신되는 위치 불량 감지 장치.
제1항에 있어서,

상기 최저 히터 온도와 미리 설정된 문턱값을 비교하여 상기 최저 히터 온도가 상기 문턱값보다 높을 경우 위치 불량 발생으로 판단하는 수단은,

위치 불량 발생 여부를 기록하기 위해 정(TRUE) 및 부(FALSE) 상태만을 갖는 플래그;

상기 최저 히터 온도와 설정된 상기 문턱값을 비교하여 최저 히터 온도가 상기 문턱값보다 낮으면 초기화된 상기 플래그의 설정값을 정으로 변경하는 수단; 및

상기 플래그를 검사하여 설정값이 부이면 위치 불량으로 판단하는 수단 포함하는 위치 불량 감지 장치.
제1항에 있어서,

상기 반도체 공정 장비에 특성에 의해 미리 정해진 시간 동안 전송된 복수의 히터 온도를 상호 비교하여 웨이퍼 투입 여부를 판단하는 수단을 더 포함하는 위치 불량 감지 장치.
제1항에 있어서,

상기 미리 설정된 처리 명령은,

위치 불량 발생 신호의 출력 명령, 웨이퍼 위치 불량이 발생한 반도체 공정 장비의 동작 중지 명령, 웨이퍼 위치 불량 수정 명령 및 웨이퍼 위치 불량이 발생한 반도체 공정 장비의 이송 장치 수정 제어 명령 중 적어도 어느 하나를 포함하는 위치 불량 감지 장치.
제1항 또는 제12항에 있어서,

상기 판단 결과에 상응하여 미리 설정된 처리 명령에 따라 웨이퍼 위치 불량을 처리하는 수단은,

웨이퍼의 위치 수정 또는 웨이퍼 위치 불량이 발생한 반도체 공정 장비의 이송 장치를 제어하는 수정 제어 신호를 발생하는 수단; 및

위치 불량 발생 신호를 출력하는 수단을 포함하는 위치 불량 감지 장치.
제13항에 있어서,

상기 위치 불량 발생 신호를 출력하는 수단은,

화상 디스플레이 수단, 음향 발생 수단 및 SMS 단문 메시지 또는 음성 메시지를 전송할 수 있는 이동 통신 단말 수단을 포함하되,

상기 화상 디스플레이 수단은 CRT 또는 TFT를 포함하고,

상기 음향 발생 수단은 버저(BUZZER)를 포함하는 위치 불량 감지 장치.
적어도 하나의 챔버를 포함하는 반도체 공정 장비로의 웨이퍼 삽입시 상기 챔버 내에 설치된 히터에 웨이퍼가 비정상적으로 올려진 상태를 감지하는 방법에 있어서,

상기 반도체 공정 장비로부터 히터 온도를 수신하는 단계;

상기 반도체 공정 장비의 특성에 의해 미리 정해진 시간 동안 수신한 상기 히터 온도 중 최저 히터 온도를 추출하는 단계;

상기 최저 히터 온도와 미리 설정된 문턱값을 비교하여 상기 최저 히터 온도가 상기 문턱값보다 높을 경우 위치 불량 발생 발생으로 판단하는 단계; 및

상기 판단 결과에 상응하여 미리 설정된 처리 명령에 따라 웨이퍼 위치 불량을 처리하는 단계를 포함하는 위치 불량 감지 방법.
제15항에 있어서,

위치 불량이 발생하지 않은 경우에 측정된 히터 온도에 기초한 문턱값을 입력하는 단계를 더 포함하는 위치 불량 감지 방법.
제15항 또는 제16항에 있어서,

상기 문턱값은 위치 불량이 발생하지 않은 경우에 측정된 최저 히터 온도의 평균값인 위치 불량 감지 방법.
제15항에 있어서,

상기 히터 온도는 SECS(SEMI(SEMICONDUCTOR EQUIPMENT AND MATERIALS INTERNATIONAL) EQUIPMENT COMMUNICATION STANDARD) 프로토콜, GEM 프로토콜 및 HSMS 프로토콜 중 어느 하나에 의해 송수신되는 위치 불량 감지 방법.
제15항에 있어서,

상기 반도체 공정 장비로부터 히터 온도를 수신하는 단계은,

파라미터 데이터-상기 파라미터 데이터는 히터 온도를 포함한 반도체 공정 장비의 가동 상태 및 공정 조건에 관한 데이터임-를 수신하는 단계; 및

수신한 상기 파라미터 데이터로부터 히터 온도를 추출하는 단계를 포함하는 위치 불량 감지 방법.
제19항에 있어서,

상기 파라미터 데이터는 SECS(SEMI(SEMICONDUCTOR EQUIPMENT AND MATERIALS INTERNATIONAL) EQUIPMENT COMMUNICATION STANDARD) 프로토콜, GEM 프로토콜 및 HSMS 프로토콜 중 어느 하나에 의해 송수신되는 위치 불량 감지 방법.
제15항에 있어서,

상기 최저 히터 온도와 미리 설정된 문턱값을 비교하여 상기 최저 히터 온도가 상기 문턱값보다 높을 경우 위치 불량 발생으로 판단하는 단계은,

위치 불량 발생 여부를 플래그에 초기값으로 부(FALSE)를 저장하는 단계;

상기 최저 히터 온도와 설정된 상기 문턱값을 비교하여 최저 히터 온도가 상기 문턱값보다 낮으면 초기화된 상기 플래그의 설정값을 정(TRUE)으로 변경하는 단계; 및

상기 플래그를 검사하여 설정값이 부이면 위치 불량으로 판단하는 단계 포함하는 위치 불량 감지 방법.
제15항에 있어서,

상기 반도체 공정 장비에 특성에 의해 미리 정해진 시간 동안 전송된 복수의 히터 온도를 상호 비교하여 웨이퍼 투입 여부를 판단하는 단계를 더 포함하는 위치 불량 감지 방법.
제15항에 있어서,

상기 미리 설정된 처리 명령은,

위치 불량 발생 신호의 출력 명령, 웨이퍼 위치 불량이 발생한 반도체 공정 장비의 동작 중지 명령, 웨이퍼 위치 불량 수정 명령 및 웨이퍼 위치 불량이 발생한 반도체 공정 장비의 이송 장치 수정 제어 명령 중 적어도 어느 하나를 포함하는 위치 불량 감지 방법.
제15항 또는 제23항에 있어서,

상기 판단 결과에 상응하여 미리 설정된 처리 명령에 따라 웨이퍼 위치 불량을 처리하는 단계은,

웨이퍼의 위치 수정 또는 웨이퍼 위치 불량이 발생한 반도체 공정 장비의 이송 장치를 제어하는 수정 제어 신호를 발생하는 단계; 및

위치 불량 발생 신호를 출력하는 단계를 포함하는 위치 불량 감지 방법.