CN113504709A - 晶圆加工方法 - Google Patents

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张其学
陈浩
栾会倩
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Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd
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Abstract

本申请公开了一种晶圆加工方法，涉及半导体制造领域。该晶圆加工方法包括将晶圆按批次送入加工机台，并记录加工机台的加工批数；通过加工机台在预定作业条件下对晶圆按批进行加工；当加工批数达到预定批数时，控制加工机台暂停晶圆加工作业；获取已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据，特征量测数据用于指示每批晶圆的加工情况；根据已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据，控制加工机台的工作状态；加工机台的工作状态包括停止作业和继续作业；解决了目前同一道制程的多个联批作业未进行有效管控，容易导致大规模返工的问题；达到了及时监控同一道制程的加工状态，有效避免大规模返工的效果。

Description

晶圆加工方法
技术领域
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种晶圆加工方法。
背景技术
在晶圆加工过程中，利用不同的制程机台对晶圆加工处理，比如氧化、淀积、光刻、刻蚀等。
在加工晶圆时，将若干片晶圆作为一个批次(lot)，对于同一道制程，采用同一台机台对多批晶圆进行作业。目前，对于同一道制程多个联批作业没有进行有效地管控，若机台或制程发生异常，将会导致大规模返工。比如：同一道光刻，如果光刻机台或制程发生漂移，关键尺寸或套刻精度发生异常，导致大规模的光刻返工。
发明内容
为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种晶圆加工方法。该技术方案如下：
一方面，本申请实施例提供了一种晶圆加工方法，该方法包括：
将晶圆按批次送入加工机台，并记录加工机台的加工批数；
通过加工机台在预定作业条件下对晶圆按批进行加工；
当加工批数达到预定批数时，控制加工机台暂停晶圆加工作业；
获取已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据，特征量测数据用于指示每批晶圆的加工情况；
根据已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据，控制加工机台的工作状态；加工机台的工作状态包括停止作业和继续作业。
可选的，根据已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据，控制加工机台的工作状态，包括：
检测已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据是否满足作业检查条件；
若检测到已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据满足作业检查条件，则控制加工机台停止作业；
若检测到已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据不满足作业检查条件，则令加工机台的加工批数清零，并控制加工机台继续作业。
可选的，当控制加工机台停止作业时，该方法还包括：
控制加工机台发出故障警报，故障警报用于指示制程或加工机台发生故障。
可选的，作业检查条件为已加工的N批晶圆中连续的M批晶圆的特征量测数据出现异常；
其中，N表示预定批数，M为正整数，M≤N。
可选的，作业检查条件为已加工的N批晶圆中M批晶圆的特征量测数据出现异常；
其中，N表示预定批数，M为正整数，M≤N。
可选的，加工机台为光刻机台。
可选的，特征量测数据为套刻精度。
可选的，特征量测数据为关键尺寸。
本申请技术方案，至少包括如下优点：
通过加工机台在预定作业条件下对晶圆按批进行加工，当加工批数达到预定批数时，控制加工机台暂停晶圆加工作业，获取已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据，根据已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据，控制加工机台的工作状态；解决了目前同一道制程的多个联批作业未进行有效管控，容易导致大规模返工的问题；达到了及时监控同一道制程的加工状态，有效避免大规模返工的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种晶圆加工方法的流程图；
图2是本申请实施例提供的一种对加工机台/制程进行卡控的示意图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
请参考图1，其示出了本申请实施例提供的一种晶圆加工方法的流程图，该方法至少包括如下步骤：
步骤101，将晶圆按批次送入加工机台，并记录加工机台的加工批数。
加工机台的加工批数与加工机台的统计加工批数不同，加工机台的加工批数用于对在同一作业条件下加工的晶圆批次进行卡控。加工机台的统计加工批数为加工机台自第一次启动，加工的晶圆批数的累计值。
每批晶圆包括若干片晶圆。
每将一批(lot)晶圆送入加工机台，则令加工机台的加工批数加1，即令i＝i+1,i表示加工机台的加工批数，i的初始值为0。
步骤102，通过加工机台在预定作业条件下对晶圆按批加工。
确定待加工的晶圆对应的预定作业条件；在同一预定作业条件下，通过同一台加工机台对待加工的晶圆按批次进行加工。每进一批(lot)晶圆，加工机台进行一次加工作业。
步骤103，当加工批数达到预定批数时，控制加工机台暂停晶圆加工作业。
可选的，每批(lot)晶圆送入加工机台后，记录加工机台的加工批数，并检测加工机台的加工批数是否达到预定批数。
当检测到加工机台的加工批数达到预定批数时，即，加工机台的加工批数等于预定批数，控制加工机台暂停晶圆加工作业。
若检测到加工机台的加工批数未达到预定批数，则继续将晶圆按批次送入加工机台。
步骤104，获取已加工的预定批数批的晶圆的特征量测数据。
特征量测数据用于指示每批晶圆的加工情况。
每批(lot)晶圆通过加工机台加工后，对加工后的晶圆进行量测，得到晶圆的特征量测数据。
比如：如图2所示，预定批数为5，当加工机台对5批(lot)晶圆进行加工后，获取该经过加工的5批晶圆对应的特征量测数据。
每一组预定批数批晶圆对应一个管控周期。当加工机台的加工批数达到预定批数时，获取该管控周期内已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据。
步骤105，根据已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据，控制加工机台的工作状态。
加工机台的工作状态包括停止作业和继续作业。
比如：预定批数为5，则根据已加工的5批晶圆对应的特征量测数据，控制加工机台的工作状态。
根据已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据，判断加工机台或制程是否发生异常；若加工机台或制程未发生异常，则控制加工机台继续作业，即继续将晶圆按批送入加工机台，通过加工机台对每批晶圆进行加工，并开始一个新的管控周期；若加工机台或制程发生异常，则控制加工机台停止作业，并通知相关的技术人员对加工机台或制程进行故障排查。
可选的，在加工机台或制程发生故障时，需要对加工机台或制程进行调整、维修；在对加工机台或制程调整、维修后，利用该加工机台在同一预定作业条件对新一批晶圆进行加工，并获取该批晶圆的特征量测数据，当该批晶圆的特征量测数据指示加工机台或制程无异常时，再次将晶圆按批次送入加工机台，通过加工机台对每批晶圆进行加工，并开始一个新的管控周期。
综上所述，本申请实施例提供的晶圆加工方法，通过将晶圆按批次送入加工机台，并记录加工机台的加工批数，通过加工机台在预定作业条件下对晶圆按批进行加工，当加工批数达到预定批数时，控制加工机台暂停晶圆加工作业，获取已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据，根据已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据，控制加工机台的工作状态；解决了目前同一道制程的多个联批作业未进行有效管控，容易导致大规模返工的问题；达到了及时监控同一道制程的加工状态，有效避免大规模返工的效果。
在基于图1所示实施例的可选实施例中，上述步骤105，即步骤“根据已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据，控制加工机台的工作状态”，可以由如下方式实现：
步骤1051，检测已加工的预定批数晶圆的特征量测数据是否满足作业检查条件。
步骤1052，当检测到已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据满足作业检查条件时，控制加工机台停止作业。
当检测到已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据满足作业检查条件时，说明加工机台或制程发生异常。
步骤1053，当检测到已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据不满足作业检查条件时，令加工机台的加工批数清零，并控制加工机台继续作业。
当检测到已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据不满足作业检查条件时，说明加工机台或制程未发生异常。
加工机台的加工批数清零后，重新开始一个管控周期。
可选的，作业检查条件为已加工的N批晶圆中连续的M批晶圆的特征量测数据均出现异常，N表示预定批数，M为正整数，M≤N。
当同一作业条件下，已加工的N批晶圆中，连续的M批晶圆的特征量测数据均出现异常时，说明加工机台或制程出现异常，需要停机检查。
特征量测数据出现异常指的是特征量测数据超出预定范围；预定范围是预先设置的。
当同一作业条件下，N批晶圆中不存在连续的M批晶圆的特征量测数据均出现异常时，说明加工机台或制程无异常，加工机台继续作业。
可选的，作业检查条件为已加工的N批晶圆中M批晶圆的特征量测数据均出现异常，N表示预定批数，M为正整数，M≤N。
当同一作业条件下，已加工的N批晶圆中存在M批晶圆的特征量测数据均出现异常时，说明加工机台或制程出现异常。
当同一作业条件下，已加工的N批晶圆中不存在M批晶圆的特征量测数据指出现异常时，说明加工机台或制程无异常，加工机台继续作业。
在基于图1所示实施例的可选实施例中，该方法还包括：当控制加工机台停止作业时，控制加工机台发出故障警报；故障警报用于指示制程或加工机台发生故障。
技术人员根据加工机台发出的故障警报，对加工机台或制程进行检查。
在一个例子中，加工机台为光刻机台。
可选的，当加工机台为光刻机台时，特征量测数据为套刻精度。
可选的，当加工机台为光刻机台时，特征量测数据为关键尺寸。
当利用光刻机台对晶圆进行联批光刻加工时，当加工机台的加工批数达到预定批数时，获取已加工的预定批数批晶圆的套刻精度或关键尺寸，根据已加工的预定批数批晶圆的套刻精度或关键尺寸判断加工机台或制程是否出现异常，并控制加工机台继续作业或停止作业；有效地降低了光刻的大规模返工。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。

Claims (8)

1.一种晶圆加工方法，其特征在于，所述方法包括：
将晶圆按批次送入加工机台，并记录所述加工机台的加工批数；
通过所述加工机台在预定作业条件下对所述晶圆按批进行加工；
当所述加工批数达到预定批数时，控制所述加工机台暂停晶圆加工作业；
获取已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据，所述特征量测数据用于指示每批晶圆的加工情况；
根据所述已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据，控制所述加工机台的工作状态；所述加工机台的工作状态包括停止作业和继续作业。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据，控制所述加工机台的工作状态，包括：
检测所述已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据是否满足作业检查条件；
若检测到所述已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据满足所述作业检查条件，则控制所述加工机台停止作业；
若检测到所述已加工的预定批数批晶圆的特征量测数据不满足所述作业检查条件，则令所述加工机台的加工批数清零，并控制所述加工机台继续作业。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，当控制所述加工机台停止作业时，所述方法还包括：
控制所述加工机台发出故障警报，所述故障警报用于指示制程或加工机台发生故障。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述作业检查条件为所述已加工的N批晶圆中连续的M批晶圆的特征量测数据出现异常；
其中，N表示预定批数，M为正整数，M≤N。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述作业检查条件为所述已加工的N批晶圆中M批晶圆的特征量测数据出现异常；
其中，N表示预定批数，M为正整数，M≤N。
6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述加工机台为光刻机台。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述特征量测数据为套刻精度。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述特征量测数据为关键尺寸。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0917720A (ja) * 1995-07-03 1997-01-17 Toshiba Corp フォーカス検査方法及び装置
CN103186053A (zh) * 2011-12-30 2013-07-03 无锡华润上华科技有限公司 一种光刻条件控制方法
CN105549553A (zh) * 2015-12-08 2016-05-04 成都海威华芯科技有限公司 生产机台的生产控制方法
CN109829597A (zh) * 2017-11-23 2019-05-31 台湾积体电路制造股份有限公司 调度以及分派半导体批次至制造工具的系统和方法
CN112435937A (zh) * 2020-11-27 2021-03-02 华虹半导体(无锡)有限公司 晶圆测试的自动化控制系统和方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0917720A (ja) * 1995-07-03 1997-01-17 Toshiba Corp フォーカス検査方法及び装置
CN103186053A (zh) * 2011-12-30 2013-07-03 无锡华润上华科技有限公司 一种光刻条件控制方法
CN105549553A (zh) * 2015-12-08 2016-05-04 成都海威华芯科技有限公司 生产机台的生产控制方法
CN109829597A (zh) * 2017-11-23 2019-05-31 台湾积体电路制造股份有限公司 调度以及分派半导体批次至制造工具的系统和方法
CN112435937A (zh) * 2020-11-27 2021-03-02 华虹半导体(无锡)有限公司 晶圆测试的自动化控制系统和方法

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