KR20010112490A - 에칭 종점 검출 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 피처리체를 에칭했을 때의 발광 스펙트럼을 폴리크로메이터에 의해 검출하고 그 에칭 종점을 검출하는 방법에 있어서, 제품이 되는 반도체 웨이퍼의 에칭에 앞서 제품에 준한 샘플의 에칭을 실행하고, 플라즈마의 풀 스펙트럼을 순차적으로 측정하고, 모든 풀 스펙트럼 각각의 전 파장의 발광 강도를 이용하여 발광 스펙트럼의 주성분 분석을 실행하고, 그 결과를 데이터로서 유지하고, 그 후, 제조되는 반도체 웨이퍼의 에칭시에 순차적으로 측정된 매 풀 스펙트럼 각각의 전 파장의 발광 강도에 근거하여 주성분 득점을 구한 후, 순차적으로 측정된 매 풀 스펙트럼의 주성분 득점의 실질적인 변화에 근거하여 에칭 종점을 검출하는 종점 검출 방법이다.

Description

에칭 종점 검출 방법{ETCHING END-POINT DETECTING METHOD}
종래로부터 플라즈마를 이용한 에칭 방법은 반도체 제조 공정 혹은 LCD 기판 제조 공정에 널리 적용되고 있다.
이 에칭 장치는 처리 쳄버 내에, 예컨대, 서로 평행하게 배치된 상부 전극과 하부 전극을 구비하고 에칭용 가스를 도입하면서, 하부 전극에 피처리체(예컨대, 반도체 웨이퍼)를 장착한 상태로 상부 전극과 하부 전극 사이에 고주파 전압을 인가하여, 에칭용 가스 분위기내에서 플라즈마를 발생시켜, 반도체 웨이퍼 표면을 에칭하고 있다.
그리고, 에칭의 종료를 판단하기 위한 에칭 종점 검출(end point detection of etching) 방법으로서는 질량 분석, 발광 분광 분석 등의 기기 분석 방법이 있고, 그들 중에서도 비교적 간단하고 고감도인 플라즈마의 발광 분광 분석이 널리 이용되고 있다.
이 발광 분광 분석에 의한 플라즈마의 발광 측정 방법은, 에칭용 가스와 그 분해 생성물이나 반응 생성물 등의 라디컬(radical)이나 이온 등의 활성종으로부터 가장 관찰하기 쉬운 특정 활성종에 착안하여 선택된 활성종의 발광 강도만을 측정하는 방법이다. 예컨대, CF₄등의 CF계의 에칭용 가스를 이용하여 실리콘 산화막을 에칭하는 경우에는, 그 반응 생성물인 CO*의 특정 파장(483.5㎚ 등)을 검출한다. 또는, CF₄등의 CF계의 에칭용 가스를 이용하여 실리콘 질화막을 에칭하는 경우에는, 그 반응 생성물인 N*의 특정 파장(674㎚ 등)을 검출하여 각각의 검출 강도의 변화점에 근거하여 종점을 검출하고 있다. 이와 같은 종래의 에칭 종점 검출 방법은 에칭 프로세스에 따라서 종점 검출에 이용하는 파장을 바꾸고 있다.
그러나, 종래의 에칭 종점 검출 방법의 경우에는, 플라즈마로부터 방사되는 발광 스펙트럼 중, 특정 파장만을 모니터하면서 종점의 검출을 시행하고 있기 때문에, 프로세스마다 특정 파장을 찾아내야만 했다.
또한, 저개구(低開口)의 에칭, 즉, 반도체 웨이퍼가 차지하는 마스크패턴의 면적이 크고, 에칭되는 면적이 작은 에칭 프로세스에 있어서는, 종점 검출에 이용하는 활성종의 발생이 적어지고, 특정 파장의 발광 강도의 변화가 작기 때문에, S/N비가 나빠져 정확한 에칭 종점 검출이 어려워지는 문제가 있었다.
또한, 미국 특허 제 5288367 호 명세서에는 주성분 분석의 방법을 이용하여 발광 스펙트럼의 특정 파장을 자동적으로 결정하고, 그 특정 파장에 근거하여 종점을 검출하는 방법이 제안되어 있다.
이 방법에 의하면, 특정 파장을 자동적으로 결정할 수 있지만, 특정 파장만을 이용하여 종점을 검출하는 점에서는, 종래의 에칭 종점 검출 방법과 다르지 않다.
발명의 요약
본 발명은 저개구의 에칭 처리이면서도 노이즈의 영향을 거의 받지 않고 확실히 에칭의 종점을 검출할 수 있는 에칭 종점 검출 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명은, 피처리체를 플라즈마를 이용하여 에칭할 때, 광 검출 수단에 의해 플라즈마의 발광 스펙트럼을 순차적으로 검출하고 발광 스펙트럼의 변화에 근거하여 에칭의 종점을 검출하는 방법에 있어서, 상기 피처리체의 에칭에 앞서 미리 상기 피처리체의 샘플을 에칭하고, 그 에칭 종료까지의 플라즈마의 풀(full) 스펙트럼을 순차적으로 측정하고, 측정된 각 풀 스펙트럼의 전 파장을 각각의 발광 강도에 의거하여 중량 측정을 시행한 중량 계수를 각 파장마다 구하는 공정을 포함하며, 또한, 상기 피처리체의 실제 에칭시에는 순차적으로 측정된 매 풀 스펙트럼 전 파장의 발광 강도를 각각의 상기 중량 계수를 가미하여 가산하는 공정과, 순차적으로 측정된 매 풀 스펙트럼의 발광 강도의 가산치의 실질적인 변화에 근거하여 종점을 검출하는 공정을 갖는 에칭 종점 검출 방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 에칭 종점 검출 방법에 있어서, 상기 가산치의 미분치를 이용하여 종점을 검출한다.
또한 본 발명은, 피처리체를 플라즈마를 이용하여 에칭할 때, 광 검출 수단에 의해 플라즈마의 발광 스펙트럼을 순차적으로 검출하고 발광 스펙트럼의 변화에 근거하여 에칭의 종점을 검출하는 방법에 있어서, 상기 피처리체의 에칭에 앞서 미리 상기 피처리체와 동종의 피처리체를 에칭하고 그 때의 플라즈마의 풀 스펙트럼을 순차적으로 측정하는 공정과, 에칭 종료까지 축적된 각 풀 스펙트럼의 전 파장을 각각의 발광 강도를 이용하여 주성분 분석을 실행하는 공정을 포함하며, 또한, 실제 에칭시에는 순차적으로 측정된 매 풀 스펙트럼 각각의 전 파장의 발광 강도와 상기 주성분 분석으로 얻어진 주성분에 근거하여 주성분 득점을 구하는 공정과, 순차적으로 측정된 매 풀 스펙트럼의 주성분 득점이 실질적인 변화에 근거하여 종점을 검출하는 공정을 갖는 에칭 종점 검출 방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 에칭 종점 검출 방법에 있어서, 상기 주성분 득점은 제 1 주성분 득점을 이용한다. 또는, 상기 주성분 득점의 미분치를 이용하여 에칭 종점을 검출한다.
본 발명은 피처리체를 플라즈마를 이용하여 에칭하는 제조 공정에 있어서의 에칭 종점 검출 방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 의한 실시예에 따른 에칭 종점 검출 방법이 적용된 에칭 장치의 개념적인 구성을 도시하는 도면,
도 2는 도 1에 도시한 폴리크로메이터에 의해 측정된 발광 스펙트럼의 일례를 도시하는 도면,
도 3은 도 2에 도시한 발광 스펙트럼의 각 파장에 대응하는 제 1 주성분의계수(고유 벡터)를 도시하는 도면,
도 4는 도 2에 도시한 발광 스펙트럼의 제 1 주성분 득점의 시간 변동을 도시하는 그래프,
도 5는 도 4에 도시한 제 1 주성분 득점의 일차 미분치의 시간 변동을 도시한 그래프.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해서 상세히 설명한다.
도 l은 본 발명에 의한 실시예에 따른 에칭 종점 검출 방법이 적용된 에칭 장치의 개념적인 구성을 도시한다.
이 에칭 장치(10)는, 예컨대 알루미늄 등의 도전성 재료로 이루어진 처리 쳄버(11)와, 이 처리 쳄버(11)내의 하측에 배치되고 또한 피처리체[예컨대, 반도체 웨이퍼(W)]를 장착할 수 있는 하부 전극(12)과, 이 하부 전극(12)의 상측에 평행하게 대향하도록 배치된 상부 전극(13)을 구비하고 있다.
이 상부 전극(13)은 에칭용 가스를 균일하게 공급하기 위해 내부가 중공의 형상으로 되어 있고, 하부 전극(12)과 대향하는 면에 다수의 구멍이 형성되며, 전기적으로는 접지되어 있다.
그리고, 처리 쳄버(11)의 상면에는 상부 전극(13)까지 연결되는 가스 공급관(14)이 접속되며, 가스 공급관(14) 및 상부 전극(13)을 통해 가스 공급원(도시하지 않음)으로부터 처리 쳄버(11)내에 에칭용 가스가 공급된다.
처리 쳄버(11)의 측벽면에는 도시하지 않은 배기 장치에 연결된 배기관(15)이 접속된다. 배기 장치는 배기관(15)을 통해 처리 쳄버(11)내를 배기하고 감압시켜 소망의 진공도를 유지한다. 물론, 배기관(15)은 처리 쳄버 측벽면에 한정되는 것은 아니고, 저면에 설치해도 무방하다.
하부 전극(12)에는 고주파 전원(16)이 접속되고, 고주파 전원(16)으로부터 하부 전극(12)에 고주파 전압을 인가하여, 에칭용 가스 분위기 하에서 상부 전극(13)와 하부 전극(12) 사이에 플라즈마를 발생시켜, 하부 전극(12)상에 탑재된 반도체 웨이퍼(W) 표면을 에칭한다.
또한 처리 쳄버(11)의 측벽면의 일부에는 석영 유리 등의 투명체로 이루어진 모니터용의 창(17)이 장착되고, 처리 쳄버(11)내의 플라즈마로부터 방사되는 발광 스펙트럼을 창(17)으로부터 채광(採光)하며, 이 발광 스펙트럼의 변화에 근거하여 에칭 종점 검출(end point detection of etching)을 시행한다.
그 구성으로서, 이 창(17)에는 광섬유(18)를 통해 폴리크로메이터(polychromator, 분광기)(19)가 접속되고, 광섬유(18)를 통해 채광된 발광 스펙트럼을 폴리크로메이터(19)로 순차적으로 측정하여 발광 스펙트럼을 파장마다 순간적으로 분광하여 전 파장에 대하여 풀 스펙트럼으로서 구하고 있다. 폴리크로메이터(19)는 예컨대 그레이팅(grating)과 다이오드 어레이, 또는 CCD를 조합시켜 구성된다.
또한, 이 폴리크로메이터(19)에는 에칭 종점 검출 장치(20)가 접속된다. 후술하는 바와 같이, 에칭 종점 검출 장치(20)는 폴리크로메이터(19)로부터 얻은 스펙트럼 데이터를 처리하여 에칭이 종료된 것을 나타내는 종점 검출 결과를 산출하여 제어 장치(21)에 출력한다. 제어 장치(21)는 종점 검출 결과에 근거하여 고주파 전원(l6)의 출력을 ON/OFF 제어한다.
이 때, 측정 결과나 종점 검출 결과는 필요에 따라 예컨대 도 2에 도시한 바와 같은 발광 스펙트럼으로서 표시 장치에 표시하거나 기록지에 출력한다.
도 2에 도시한 발광 스펙트럼은 실리콘 산화막(SiO2)을 에칭한 예에 있어서 수득한 것이고, 파선이 에칭 개시 직후의 풀 스펙트럼을 나타내고, 실선이 오버 에칭시의 풀 스펙트럼을 나타내고 있다.
이 도 2는 파장 200㎚에서 950㎚의 범위의 발광 스펙트럼을 1024포인트에 대해 폴리크로메이터(19)로 구한 것이다. 이 도에서는 최초의 정점(peak) 근방에서 실선과 파선의 차이가 현저히 나타나고 있다.
상기 에칭 종점 검출 장치(20)는 예컨대 주성분 분석 등의 다변량 해석을 이용하여 발광 스펙트럼을 분석하여 에칭 종점을 검출하도록 하고 있고, 본 실시예에서는 주성분 분석용 소프트웨어를 이용하여 에칭 종점을 검출하도록 하고 있다.
상기 주성분 분석 방법을 이용하여 에칭의 종점 검출을 하는 경우에는 미리 샘플 웨이퍼(예컨대, 제품으로서 실제 제조 공정에 이용되는 반도체 웨이퍼와 동등한 것)를 에칭하고, 에칭 개시때부터 오버 에칭까지의 풀 스펙트럼을 순차적으로 측정하여 순차적으로 측정된 풀 스펙트럼의 각 파장 각각의 발광 강도를 발광 스펙트럼마다 스펙트럼 데이터로서 축적한다.
다음으로, 주성분 분석을 실행한다. 여기에서는, 먼저 측정된 스펙트럼 데이터(매 발광 스펙트럼의 발광 강도)가 주성분 분석의 변수로서 이용되고, 순차 측정된 각 풀 스펙트럼의 측정수가 주성분 분석의 샘플수로서 이용된다. 이 주성분 분석에 의해 풀 스펙트럼의 각 파장의 종점 검출에 있어서의 중량을 고유 벡터로서 구한다.
예컨대, t초 후에 측정된 발광 스펙트럼의 i번째의 파장강도를 Xi(t)로 정의하고, 그 중량 계수, 즉 고유 벡터의 각 성분을 ai라 하면, t초 후의 스펙트럼 데이터의 주성분 Z(t)은 다음 식으로 표시되며, 주성분 Z(t)의 수치가 주성분 득점이다.
[수학식]
Z`(t``)``=``a1X1(t``)`+`a2X(`2`)`+``···``+``aXn(t``)
이 식은 발광 스펙트럼의 각 파장 강도에 그 파장의 중량 계수를 곱한 것의 가산치(이하, 스펙트럼 강도라고 함)로 되어 있다. 파장 강도 Xi(t)의 변동이 클수록 에칭 종점 검출에서의 역할이 중요하며, 이와 같은 파장만큼 그 중량 계수ai의 값이 커진다.
따라서, 주성분 득점은 Xi(t)의 중량을 반영한 수치가 되고, 종점 근방에서는 변화가 현저해진다. 이 때문에, 스펙트럼 강도의 시간적 변화가 명료해져, 에칭 종점 검출의 판별이 용이해진다.
주성분을 구하기 위해서는, 우선, 샘플 웨이퍼의 에칭에 의해 얻어진 스펙트럼 데이터의 각 변수의 분산 공분산 행렬을 구한다.
이어서, 분산 공분산 행렬에 근거하여 고유치 및 고유 벡터를 구한다. 고유치는 변수의 수에 대응하여 존재하고, 각 고유치에 대하여, 각각의 고유 벡터가 존재한다.
고유치의 크기 순서에 대응하는 고유 벡터로부터 얻어지는 주성분은 고유치의 크기 순으로, 제 1 주성분, 제 2 주성분, …, 제 n 주성분으로서 얻어진다. 통상, 주성분의 차수가 높을수록(클수록) 기여율이 낮아져, 그 이용 가치가 낮아진다.
그래서, 본 실시예에서는 기여율이 가장 높은 제 1 주성분을 에칭 종점 검출에 이용한다. 제 1 주성분의 고유 벡터(a1, a2, …, an)는 상술한 바와 같이 고유치의 가장 큰 값을 이용하여 산출되고, 샘플 웨이퍼의 각 변수로부터 구할 수 있다.
예컨대, 도 2에 도시한 발광 스펙트럼의 풀 스펙트럼에 대응하는 제 1 주성분의 각 계수는, 도 3에 도시한 바와 같이 마이너스측 및 플러스측에 변동하여 복수의 정점을 생성하여, 제 1 주성분의 각 변수의 중량을 일목 요연하게 알 수 있다.
도 3에서는 복수의 큰 피크가 인지되어, 복수의 계수가 에칭 종점 검출에 이용할 수 있고, 에칭 종점 검출에 이용할 수 있는 특정 파장을 간단히 찾아낼 수 있다. 이 정점에 해당하는 파장을 특정 파장으로서 추적하면, 종래와 동일한 에칭 종점 검출을 실행할 수 있다. 그렇지만, 특정 파장만의 추적을 실행한 경우에는, 전술한 바와 같이 S/N 비가 악화되어 종점을 검출할 수 없는 경우가 있다.
본 실시예에서는, 풀 스펙트럼의 모든 파장 강도를 각각의 중량 계수(고유 벡터)를 가미하여 가산한 스펙트럼 강도를 제 1 주성분 득점으로서 구하고, 제 1 주성분 득점의 변화에 근거하여 에칭 종점 검출을 실행한다.
즉, 실제 반도체 웨이퍼의 에칭에 앞서 샘플 웨이퍼의 스펙트럼 데이터로부터 제 1 주성분 즉, Z(t) 고유 벡터(a1, a2, …, an)를 상술한 바와 같이 구한 후, 실제 에칭시에 폴리크로메이터(l9)에 의해, 풀 스펙트럼을 순차적으로 측정한다. 측정된 풀 스펙트럼의 각 파장 강도를 제 1 주성분 Z(t)의 변수 X1(t), X2(t), …, Xn(t)에 대입하여 매 측정시에 제 1 주성분 득점을 구한다.
통상, 발광 스펙트럼의 노이즈는 에칭의 진척 상황과는 관계없이 발생하지만, 주성분 분석을 이용함으로써, 이와 같은 노이즈가 주는 영향을 경감시킬 수 있다. 따라서 노이즈에 영향받지 않는 에칭 종점 검출을 할 수 있다.
상술한 제 1 주성분 득점은, 에칭 개시 때부터의 시간 경과에 따른 변화를 살펴보면, 예컨대, 도 4에 도시한 바와 같이 변화한다. 이 도 4에 의하면, 제 1 주성분 득점은 에칭 개시후, 화살표(A)의 60초 정도까지는 완만하게 하강하고 있지만, 60초에서 120초 정도 사이에서는 급격히 하강하며, 120초를 넘는 화살표(B)를 경계로 그 후에는 다시 완만하게 하강하고 있다. 이 경우에는, 에칭되고 있는 물질이 전환되었다고 생각되어, 에칭 개시 후 120초 정도에서 에칭이 종료되었다고 간주할 수 있다.
따라서, 에칭 종점 검출 장치(20)는 제 1 주성분 득점 변화의 기울기가 2번 변화되었을 때, 그 2번째의 변화점이 에칭의 종점이라고 판단하여 제어 장치(21)에종점 검출 신호를 출력한다. 이 제어 장치(21)는 고주파 전원(16)의 출력을 정지시켜 에칭을 종료시킨다.
또한, 에칭 중에 제 1 주성분 득점의 일차 미분치를 순차적으로 연산하여 그 연산 결과에 근거하여 종점을 검출할 수 있다.
도 5에서도 명백히 알 수 있듯이, 도 4에 도시한 60 내지 120초에 해당하는 구간에서 일차 미분치가 크게 변동하고, 도 4의 경우보다도 에칭 종점 검출이 용이해졌다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 실시예에 의하면, 미리 샘플 웨이퍼를 이용하여 그 반도체 웨이퍼의 주성분 분석을 실행하여 제 1 주성분의 고유 벡터를 구한다.
그 후, 반도체 웨이퍼를 에칭할 때에는 발광 스펙트럼의 풀 스펙트럼을 순차적으로 측정하고, 풀 스펙트럼의 각 파장 강도를 제 1 주성분의 변수로서 대입하여 제 1 주성분 득점을 산출한다.
이 산출된 제 1 주성분 득점의 변동을 추적하여 에칭의 종점을 검출하도록 했기 때문에, 에칭시에 측정된 순차적 풀 스펙트럼 중, 에칭 종점의 검출에 도움이 되는 복수의 파장을 각각 중량 측정하여 스펙트럼 강도를 구할 수 있고, 저개구의 에칭이라도, 에칭의 종점을 명확히 할 수 있어서, 종점을 간단하고 확실하게 검출할 수 있다(도 4 참조).
또한, 제 1 주성분에서는 풀 스펙트럼 중의 노이즈는 거의 무시되기 때문에, 제 1 성분 득점(스펙트럼 강도)에서는 노이즈를 경감하고 그 영향을 거의 받지 않는 상태에서 에칭 종점 검출을 실행할 수 있다.
또한, 제 1 주성분의 고유 벡터를 구함으로써 에칭 종점 검출에 이용할 수 있는 파장을 간단히 찾아낼 수 있다(도 3 참조).
또한, 본 실시예에 의하면, 제 1 주성분 득점의 일차 미분치를 구함으로써, 에칭의 종점을 보다 확실하고 용이하게 검출할 수 있다(도 5 참조).
또한, 상기 실시예에서는, 주성분 분석을 이용하여 시행하는 반도체 웨이퍼의 에칭 종점 검출에 대해서 설명했지만, 그 밖의 다변량 해석 방법을 이용하여 에칭 종점 검출을 실행할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼 이외의 LCD용 기판 등의 피처리체에 대해서도 본 발명을 적용할 수 있다.
즉, 실제 피처리체의 에칭에 앞서, 샘플을 이용하여 플라즈마의 풀 스펙트럼을 순차적으로 측정하는 공정과, 에칭 종료까지 축적된 각 풀 스펙트럼의 전 파장을 각각의 발광 강도에 의거해 중량 측정하여 중량 계수를 각 파장마다 구하는 공정을 포함하며, 또한, 실제 에칭시에는 순차적으로 측정된 매 풀 스펙트럼 전 파장의 발광 강도를 각각의 중량 계수를 가미하여 가산하는 공정과, 순차적으로 측정된 매 풀 스펙트럼의 발광 강도의 가산치의 실질적인 변화에 근거하여 종점을 검출하는 공정을 포함하는 에칭 종점 검출 방법이면, 본 발명에 포함된다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 풀 스펙트럼을 이용하여 종점을 검출하고 있기 때문에, 에칭 프로세스가 변할 때마다 특정 스펙트럼에 맞추어 분광기를 설정하고 고칠 필요가 없고, 또한, 저개구의 에칭이라도 노이즈의 영향을 거의 받는 일 없이 확실하게 종점을 검출할 수 있는 에칭 종점 검출 방법을 제공할수 있다.
본 발명은 반도체 제조기술에 이용되는 에칭 처리 공정에 있어서의 에칭의 종점 검출에 이용되는 방법이다.
이 에칭 종점 검출 방법은 에칭시 발광 스펙트럼의 변화에 의해 종점을 검출하는 방법이며, 실제 피처리체의 에칭처리에 앞서, 폴리크로메이터에 의해 미리 샘플에서의 플라즈마의 풀 스펙트럼을 순차적으로 측정하고, 모든 풀 스펙트럼 각각의 전 파장의 발광 강도를 이용하여 발광 스펙트럼의 주성분 분석을 시행하여 중량 계수 데이터로서 소유하고, 그 후, 실제 에칭시에는 순차적으로 측정된 매 풀 스펙트럼 각각의 중량 계수 데이터를 가미한 주성분 득점을 구한 후, 이들의 주성분 득점의 변화된 정도에 근거하여 에칭의 종점을 검출한다.

Claims (6)

  1. 피처리체를 플라즈마를 이용하여 에칭할 때 광 검출 수단에 의해 플라즈마의 발광 스펙트럼을 순차적으로 검출하고 발광 스펙트럼의 변화에 근거하여 에칭의 종점을 검출하는 방법에 있어서,
    상기 피처리체의 에칭에 앞서 미리 상기 피처리체의 샘플(동종의 피처리체)을 에칭하고 그 때의 플라즈마의 풀 스펙트럼을 순차적으로 측정하는 단계와,
    상기 샘플의 에칭 종료까지 축적된 각 풀 스펙트럼의 전 파장을 각각의 발광 강도에 따라서 중량 측정을 시행한 중량 계수를 각 파장마다 구하는 단계를 포함하며,
    상기 피처리체의 에칭시에는 순차적으로 측정된 매 풀 스펙트럼 전 파장의 발광 강도를 각각의 상기 중량 계수를 가미하여 가산하는 단계와,
    순차적으로 측정된 매 풀 스펙트럼의 발광 강도의 가산치의 변화의 정도에 근거하여 에칭의 종점을 검출하는 에칭 종점 검출 단계를 갖는 것을 특징으로 하는
    에칭 종점 검출 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 에칭 종점 검출 단계에 있어서의 가산치의 변화의 정도는, 상기 가산치의 미분치에 근거하여 판정하고, 가장 크게 변화되는 시점을 에칭의 종점으로서 검출하는 것을 특징으로 하는
    에칭 종점 검출 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 에칭 종점 검출 단계에 있어서의 가산치의 변화의 정도에 있어서, 상기 가산치의 미분치에 2곳에서 큰 변화가 보여지는 경우에는, 후반의 변화를 에칭의 종점으로서 검출하는 것을 특징으로 하는
    에칭 종점 검출 방법.
  4. 피처리체를 플라즈마를 이용하여 에칭할 때 광 검출 수단에 의해 플라즈마의 발광 스펙트럼을 순차적으로 검출하고, 발광 스펙트럼의 변화에 근거하여 에칭의 종점을 검출하는 방법에 있어서,
    상기 피처리체의 에칭에 앞서 미리 상기 피처리체의 샘플(동종의 피처리체)을 에칭하고 그 때의 플라즈마의 풀 스펙트럼을 순차적으로 측정하는 단계와,
    상기 샘플의 에칭 종료까지 축적된 각 풀 스펙트럼의 전 파장을 각각의 발광 강도를 이용하여 주성분 분석하는 단계를 포함하며,
    상기 피처리체의 에칭시에는 순차적으로 측정된 매 풀 스펙트럼 각각의 전 파장의 발광 강도와 상기 주성분 분석으로 얻어진 주성분식에 근거한 주성분 득점을 구하는 단계와,
    순차적으로 측정된 매 풀 스펙트럼의 주성분 득점의 변화의 정도에 근거하여 종점을 검출하는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는
    에칭 종점 검출 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 주성분 득점은 고유치 및 고유 벡터로부터 구한 제 1 주성분 득점인 것을 특징으로 하는
    에칭 종점 검출 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 종점 검출 단계에 있어서의 가산치의 변화의 정도는, 상기 가산치의 미분치에 근거하여 판정하고 미분치의 기울기가 변화된 시점을 종점으로서 검출하는 것을 특징으로 하는
    에칭 종점 검출 방법.
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