KR20010106220A - 자기전사방법 및 자기기록매체 - Google Patents

자기전사방법 및 자기기록매체 Download PDF

Info

Publication number
KR20010106220A
KR20010106220A KR1020010025098A KR20010025098A KR20010106220A KR 20010106220 A KR20010106220 A KR 20010106220A KR 1020010025098 A KR1020010025098 A KR 1020010025098A KR 20010025098 A KR20010025098 A KR 20010025098A KR 20010106220 A KR20010106220 A KR 20010106220A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
magnetic
transfer
transferred
master carrier
slave medium
Prior art date
Application number
KR1020010025098A
Other languages
English (en)
Inventor
니시키와마사카주
Original Assignee
무네유키 가코우
후지 샤신 필름 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 무네유키 가코우, 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 filed Critical 무네유키 가코우
Publication of KR20010106220A publication Critical patent/KR20010106220A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/86—Re-recording, i.e. transcribing information from one magnetisable record carrier on to one or more similar or dissimilar record carriers
    • G11B5/865—Re-recording, i.e. transcribing information from one magnetisable record carrier on to one or more similar or dissimilar record carriers by contact "printing"
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
    • G11B5/58—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
    • G11B5/596—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following for track following on disks
    • G11B5/59633—Servo formatting
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B2220/00—Record carriers by type
    • G11B2220/20—Disc-shaped record carriers

Landscapes

  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

슬레이브매체의 양면에 품위가 높은 전사패턴을 자기전사에 의해서 전사한다.
자기전사용 마스터담체와 슬레이브매체를 밀착시켜서 전사용 자계를 인가하여 자기기록매체에 편면마다 자기전사법을 행하는 방법에 있어서, 슬레이브매체의 앞에 자기전사되는 면으로의 자기전사에 사용되는 자기전사용 마스터담체의 자성층의 포화자화(Ms1)와 막두께(δ1)의 곱(Ms1δ1)과, 슬레이브매체의 뒤에서부터 전사되는 면으로의 전사에 사용하는 마스터담체 자성층의 포화자화(Ms2)와 막두께(δ2)의 곱(Ms2δ2)이, 1.5〈(Ms2δ2)/(Ms1δ1)〈10의 관계에 있고, 앞에 자기전사되는 면으로의 전사자계(Hdu1)와 뒤에서부터 전사되는 매체면의 전사자계(Hdu2)가 0.2≤Hdu2/Hdu1≤0.9의 관계인 자기전사방법.

Description

자기전사방법 및 자기기록매체{MAGNETIC TRANSFER METHOD AND MAGNETIC RECORDING MEDIA}
본 발명은, 자기기록매체에 많은 정보를 한번에 기록하는 방법에 관한 것이며, 특히 대용량, 고기록밀도의 자기기록매체로의 기록정보의 전사방법에 관한 것이다.
디지털 면상의 이용의 진전 등으로, 퍼스컴 등에서 취급하는 정보량이 비약적으로 증가하고 있다. 정보량의 증가에 따라서, 정보를 기록하는 대용량이고 싼가격이며, 또한 기록, 판독시간이 짧은 자기기록매체가 요구되고 있다.
하드디스크 등의 고밀도 기록매체나, ZIP(아이오메가사)으로 대표되는 고밀도의 플로피디스크형의 자기기록매체에서는, 일반 플로피디스크에 비해서 정보기록영역은 좁은 트랙으로 구성되어 있고, 좁은 트랙폭을 정확하게 자기헤드를 주사하고, 신호의 기록과 재생을 고S/N비로 행하기 위해서는, 트래킹 서보기술을 이용하여 정확한 주사를 행하는 것이 필요하다.
그래서, 하드디스크, 리무버블형 자기기록매체와 같은 대용량의 자기기록매체에서는, 디스크의 한바퀴 내의 간격으로 트래킹용 서보신호나 어드레스 정보신호, 재생신호 등이 기록된, 소위 프리포맷이 이루어져 있다.
자기헤드는 이 프리포맷의 신호를 읽으므로써 자신의 위치를 수정하는 것이므로 정확하게 트랙 상을 주행하는 것이 가능하게 되어 있다.
현재의 프리포맷은 디스크를 전용 서보기록장치를 이용하여, 1장씩, 1트랙씩 기록하여 제작된다. 서보기록장치는 고가이고, 프리포맷제작에 장시간을 필요로 하기 때문에 제조에 장시간이 필요하고, 제조비용에도 영향을 미친다라는 문제가 있다.
그래서, 1트랙씩 프리포맷을 행하지 않고 자기전사로 행하는 방식도 제안되고 있다. 예컨대, 일본 특개소63-183623호 공보, 일본 특개평10-40544호 공보, 및 일본 특개평10-269566호 공보에 전사기술이 소개되어 있다. 그러나, 자기전사방법에 있어서 전사 시에 인가하는 자계의 조건 및 그 자계를 발생하기 위한 구체적인 수단을 비롯해서, 실제에 입각한 제안은 행해져 오고 있지 않다.
또한, 이러한 종래의 문제점을 해결하는 기록방법으로서, 일본 특개소63-183623호 공보나 일본 특개평10-40544호 공보에 있어서, 기본체의 표면에 정보신호에 대응하는 요철형상이 형성되고, 요철형상의 적어도 볼록부 표면에 강자성 박막이 형성된 자기전사용 마스터담체의 표면을, 강자성 박막 또는 강자성 분말도포층이 형성된 시트형상 또는 디스크형상 자기기록매체의 표면에 접촉, 또는 교류바이어스자계, 또는 직류자계를 인가하여 볼록부 표면을 구성하는 강자성 재료를 여자하므로써, 요철형상에 대응하는 자화패턴을 자기기록매체에 기록하는 방법이 제안되어 있다.
이 방법에서는, 자기전사용 마스터담체의 볼록부 표면을 프리포맷해야할 자기기록매체, 즉 슬레이브매체에 밀착시켜서 동시에 볼록부를 구성하는 강자성 재료를 여자함으로써, 슬레이브매체에 소정의 프리포맷을 형성하는 전사에 의한 방법이고, 자기전사용 마스터담체와 슬레이브매체와의 상대적인 위치를 변화시킴이 없이 정적으로 기록을 행할 수 있고, 정확한 프리포맷기록이 가능하다라는 특징을 가지고 있다. 게다가 기록에 필요한 시간도 극히 단시간이라는 특징으로 가지고 있다. 즉, 상기 자기헤드로부터 기록하는 방법에서는, 통상 수분에서 수십분은 필요하고, 또한 기록용량에 비례해서 전사에 필요한 시간은 더욱 길게 된다라는 문제가 있다. 이 자기전사법이면, 기록용량이나 기록밀도에 관계없이 1초이하에서 전사를 완료시킬 수 있다라는 특징을 가지고 있다.
또한, 이 방법에서는, 자기전사용 마스터담체의 볼록표면을 프리포맷해야할 자기기록매체, 즉 슬레이브매체에 밀착시켜서 동시에 볼록부를 구성하는 강자성 재료를 여자함으로써, 슬레이브매체에 소정의 포맷을 형성하는 전사방법이고, 자기전사용 마스터담체와 슬레이브매체와의 상대적인 위치를 변화시킴이 없이, 정적으로 기록을 행할 수 있고, 정확한 프리포맷기록이 가능하고, 또한 기록에 요하는 시간도 극히 단시간이라는 특징으로 가지고 있다.
그런데, 슬레이브매체에 사용하는 기판에는 수㎛정도의 휘어짐이 생기는 것은 피할 수 없다. 그 때문에 양면 동시에 자기전사를 행하기 위해서는, 슬레이브매체의 양면으로부터 자기전사용 마스터담체를 접촉시키고, 슬레이브매체와의 밀착성을 확보하기 위해서, 큰 힘으로 압축할 필요가 있다.
그 결과, 반복해서 자기전사를 행하면 자기전사용 마스터담체와 슬레이브매체의 밀착공정에서 자기전사용 마스터담체가 파손하는 경우도 있다. 그래서 자기전사용 마스터담체의 내구성을 향상시키기 위해서, 편면씩 자기전사를 하는 것이 행해지고 있다.
그런데, 편면씩 자기전사를 행하는 경우, 슬레이브매체의 앞에 자기전사를 행한 면의 반대측의 면에 자계를 인가하여 자기전사를 행하면, 앞에 기록한 자기기록신호가 소거, 또는 부족해지는 경우도 있다.
본 발명은, 자기전사용 마스터담체와 슬레이브매체를 편면씩 밀착시켜서, 외부자계를 인가하여 프리포맷 패턴의 전사에 의해서 제작한 슬레이브매체의 서보동작이 부정확하게 되는 것을 방지하고 안정한 전사방법을 제공하는 것을 과제로 하는 것이다.
본 발명의 과제는, 자기전사용 마스터담체와 슬레이브매체를 밀착시켜서 전사용 자계를 인가하여 자기기록매체에 편면씩 자기전사법을 행하는 방법에 있어서, 슬레이브매체에 앞에 자기전사되는 면으로의 자기전사에 사용되는 자기전사용 마스터담체의 자성층의 포화자화(Ms1)와 막두께(δ1)의 곱(Ms1δ1)과, 슬레이브매체의 뒤에서부터 전사되는 면으로의 전사에 사용하는 자기전사용 마스터담체의 자성층의 포화자화(Ms2)와 막두께(δ2)의 곱(Ms2δ2)이, 1.5〈(Ms2δ2)/(Ms1δ1)〈10의 관계에 있고, 앞에 자기전사되는 면으로의 전사자계(Hdu1)와 뒤에서부터 전사되는 슬레이브 매체면의 전사자계(Hdu2)가 0.2≤Hdu2/Hdu1≤0.9의 관계인 자기전사방법에 의해서 해결할 수 있다.
또한, 자기전사가, 기판의 표면의 정보신호에 대응하는 부분에 자성층이 형성된 자기전사용 마스터담체와 전사를 받는 슬레이브인 자기기록매체를 사용하고, 미리 슬레이브매체의 자화를 트랙방향으로 초기직류자화한 후, 자기전사용 마스터담체와 초기직류자화한 슬레이브매체를 밀착시켜 슬레이브면의 초기직류자화방향과 역방향으로 전사용 자계를 인가하여 자기전사를 행하는 상기 자기전사방법이다.
서보신호를 기록한 자기기록매체에 있어서, 서보신호를 상기의 방법에 의해서 기록한 자기기록매체이다.
본 발명자들은, 자기전사용 마스터담체와 슬레이브매체를 편면씩 밀착시켜서 외부로부터 자기전사용 자계를 인가함으로써, 슬레이브매체로의 양면에 서보신호 등을 기록하였을 때에, 신호품위가 저하한 부분이 생기는 것은, 앞에 자기전사를 행한 면으로의 자기전사에 사용하는 자기전사용 마스터담체와 뒤에서 자기전사에 사용하는 자기전사용 마스터담체의 포화자화, 그 두께, 전사 시에 인가하는 자계가 적절하지 않기 때문에, 뒤에 자기전사를 행한 때에 앞에 기록한 신호를 소거, 또는 부족하게 하는 것이 원인인 것을 보고 본 발명을 이르렀다.
즉, 자기전사용 마스터담체와 슬레이브매체를 밀착시켜서 전사용 자계를 인가하여 자기기록매체에 편면씩 자기전사법을 행하는 방법에 있어서, 슬레이브매체의 앞에 자기전사되는 면으로의 자기전사에 사용되는 자기전사용 마스터담체의 자성층의 포화자화(Ms1)와 막두께(δ1)의 곱(Ms1δ1)과, 슬레이브매체의 뒤에서부터전사되는 면으로의 전사에 사용하는 자기전사용 마스터담체 자성층의 포화자화 (Ms2)와 막두께(δ2)의 곱(Ms2δ2)이, 1.5〈(Ms2δ2)/(Ms1δ1)〈10의 관계에 있고, 앞에 자기전사되는 면으로의 전사자계(Hdu1)와 뒤에서부터 전사되는 매체면의 전사자계(Hdu2)가 0.2≤Hdu2/Hdu1≤0.9의 관계인 자기전사방법이다.
슬레이브매체에 사용하는 기판은, 일반적으로는 합성수지제의 재료에 의해서 제작되기 때문에, 수㎛의 휘어짐이 생기는 것을 피할 수 없었다. 그 때문에 슬레이브매체면에 양면 동시에 자기전사용 마스터담체를 밀착하여 자기전사를 행하면, 양면에 접촉한 자기전사용 마스터담체와 슬레이브매체의 밀착성을 확보하기 위하여, 강한 힘으로 압축할 필요가 있다.
그런데, 반복해서 자기전사를 행하면 자기전사용 마스터담체와 슬레이브매체의 밀착공정에서 자기전사용 마스터담체가 파손하는 경우도 있다. 그래서 자기전사용 마스터담체의 내구성을 향상시키기 위하여, 편면씩 자기전사를 행해야만 한다.
편면씩 자기전사를 행하면, 앞에 자기전사를 행한 슬레이브매체와 반대측의 슬레이브매체면에 전사를 행하할 때에 인가한 자계에 의해, 앞에 기록한 자기기록신호가 소거, 또는 부족해지는 경우가 있었다.
한편, 전사자계의 강도를 작게 하면, 고품질의 기록신호의 전사가 불가능하게 되지만, 전사신호의 크기와 자기전사용 마스터담체의 자성층의 특성 및 크기의 조정에 의해서, 앞에 전사된 기록신호의 소거 또는 부족함을 생기게 함이 없이, 고품질의 기록이 가능한 것을 찾아낸 것이다.
자기전사용 마스터담체와 슬레이브매체를 밀착하여 전사용 자계를 인가한 경우에, 자성층의 포화자화(Ms1)와 막두께(δ1)의 곱(Ms1δ1)을 소정의 크기로 함으로써, 전사신호의 품질, 전사자계폭이 향상한다.
이것은 자성층의 포화자화(Ms1)와 막두께(δ1)의 곱(Ms1δ1)을 조정하는 것이므로, 전사자계를 조정할 수 있다는 것을 의미하고 있다. 즉, 자기전사용 마스터담체의 자성층의 Msδ을 크게 하면 전사자계가 작더라도 전사가 가능한 것을 나타낸다.
그러나, 편면씩 자기전사를 행하는 경우, 한쪽의 면의 자기기록신호의 전사가 끝난 자기기록매체의 다른쪽의 면에 자기전사를 행하는 경우에, 자기전사용 마스터담체의 자성층의 Msδ을 크게 하는 것이므로 전사자계를 작게 하고, 전사자계의 크기를 슬레이브매체의 보자력보다도 낮은 값으로 함으로써, 이미 전사된 자기전사면의 신호품위의 저하를 방지하는 것이다.
(Ms2δ2)/(Ms1δ1)가 1.5보다 작은 경우에는, 전사에 필요한 자기전사자계는 앞 자기전사면과 동일하거나, 또는 크기 때문에, 앞에 자기전사면의 신호 열화가 일어난다.
한편, (Ms2δ2)/(Ms1δ1)가 10보다도 큰 경우, 자기전사 후에 자기전사용 마스터담체와 슬레이브매체를 떼어놓을 때에 자계인가에 사용하는 전자석 등의 잔류자계에 의해 전사가 일어나는 것으로 보여지고, 뒤에 자기전사한 면의 신호품위의 저하가 일어나는 것을 알았다.
그래서, (Ms2δ2)/(Ms1δ1)의 관계를 만족한 상에서 앞에 자기전사를 행한 면과, 뒤에 자기전사를 행한 면의 전사자계강도의 관계를 조정한 결과, 앞에 자기전사를 행한 면의 전사자계(Hdu1)와 반대측의 매체면의 자기전사(Hdu2)가 0.2≤Hdu2/Hdu1≤0.9의 관계로 유지하는 것에서 양면의 자기전사 신호품위를 확보할 수 있는 것을 알았다.
Hdu2/Hdu1〈0.2에서는, 뒤 자기전사면에 충분한 전사가 일어나지 않고 신호품위가 실용상 문제가 없는 레벨로 유지되지 않는다. 또한, Hdu2/Hdu1〉0.9에서는, 앞 자기전사면의 기록신호가 흐트러지고, 신호품위가 저하하는 것을 알았다.
따라서 자기전사면에 사용하는 마스터담체의 자성층의 포화자화(Ms1)와 막두께(δ1)의 곱(Ms1δ1)과 반대의 매체면에 전사에 사용하는 자기전사용 마스터담체의 자성층의 포화자화(Ms2)와 막두께(δ2)의 곱(Ms2δ2)을 1.5〈(Ms2δ2)/(Ms1δ1)〈10의 범위로 설정하고, 앞에 전사하는 자기전사면에 인가하는 전사자계(Hdu1)와 슬레이브매체의 반대면으로의 전사자계(Hdu2)가 0.2≤Hdu2/Hdu1≤0.9의 관계를 만족하는 것이므로, 편면씩의 자기전사에 있어서의 신호품위저하를 방지하는 자기전사방법이다.
본 발명의 자기전사에 사용하는 자기전사용 마스터담체의 제조방법에 관해서 설명한다.
기판은 실리콘, 알루미늄, 유리, 고분자재료 등이 가능하지만, 표면이 평활한 것이 필요하다. 기판 상에 포토레지스트를 도포하고, 마스크를 이용하여 일괄 노광, 또는 직접 스크래칭에 의해 패턴화한다.
일괄 노광의 경우는 반응성 에칭, 또는 아르곤 등에 의한 물리적 에칭, 또는 에칭액에 의해 기판을 에칭한다.
다음에서, 스패터링에 의해 자성층을 에칭된 두께, 또는 원하는 두께로 성막한다. 또한, 포토레지스트를 리프트오프법으로 제거한다. 또한, 자성층만의 볼록부를 포토어플리케이션에 의해서 제작하여도 좋다.
미세가공을 행하는 방법으로서 스탬퍼에 의한 제조방법, 사출성형에 의한 방법 등을 이용하여도 좋다. 찌꺼기가 있는 경우는 바니시 또는 폴리시에 의해 제거한다.
자성재료로서는, 자속밀도가 크고, 슬레이브매체와 동일한 방향(면내 기록이면 면내방향, 수직이면 수직방향)의 자기이방성을 보유하고 있는 것이 명확한 전사가 행해지기 위해 바람직하다. 구체적으로는, Co, Co합금(CoNi, CoNiZr, CoNbTaZr 등), Fe, Fe합금(FeCo, FeCoNi, FeNiMo, FeAlSi, FeAl, FeTaN), Ni, Ni합금(NiFe) 등이 이용될 수 있다.
이들 중에서도 특히 바람직하게는 FeCo, FeCoNi 이다.
또한, 자성재료의 하층, 즉 기판측에 원하는 자기이방성을 형성하기 위하여 비자성의 하지층을 설치하는 것이 바람직하고, 결정구조와 격자상수를 자성층의 이것에 일치시키는 것이 필요하다.
Cr, CrTi, CoCr, CrTa, CrMo, NiAl, Ru 등을 이용한다.
또한, 자성층 상에 다이아몬드형상 탄소 등의 보호막을 설치하여도 좋다. 윤활제층을 설치하여도 좋다. 보호막으로서 5 내지 30nm의 다이아몬드형상 탄소막과 윤활제가 존재하는 것이 더욱 바람직하다. 윤활제를 설치되어 있으면, 슬레이브매체와의 접촉과정에서 생기는 분산을 보정할 때에 마찰이 생기고, 윤활제층이 형성되어 있지 않는 경우에는, 내상성, 내구성이 부족하기 때문이다.
자기전사면에 밀착하여 자기전사를 행하는 마스터담체 자성층의 포화자화 (Ms1)와 막두께(δ1)의 곱(Ms1δ1)은, 그 슬레이브매체면에 전사에 사용하는 마스터담체 자성층의 포화자화(Ms2)와 막두께(δ2)의 곱(Ms2δ2)이 1.5〈(Ms2δ2)/(Ms1δ1)〈10의 범위인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 2.5〈(Ms2δ2)/(Ms1δ1)〈7의 범위이다.
또한, 앞에 자기전사면에 적용하고 사용하는 마스터담체 자성층의 포화자화 (Ms1)와 자성층두께(δ1)의 곱(Ms1ㆍδ1)이 0.025Tㆍ㎛(20Gㆍ㎛)이상, 2.3Tㆍ㎛ (1830Gㆍ㎛)이하인 것이 바람직하다. 이것은 앞에 전사하는 자기전사면의 신호품위를 확보하기 위해서이다.
자기전사용 마스터 자서층의 Msㆍδ의 조정은 자성층 재료, 자성층두께, 제작온도, 스패터링시간, 스패터링시의 분위기에서 사용하는 기체의 종류의 조정 등에 의해서 행한다.
또한, Cr, Ti 등의 비자성원소의 첨가량을 바꿈으로써 Ms를 조정하거나, 작성온도를 조정하는 것에서, 자기전사용 마스터담체의 자성층의 균일성을 조정하고, Ms를 조정하여도 좋다.
또한, FeCo(65:35원소비) 등에 있어서는 제작온도를 실온 ~ 200℃의 사이로 설정하는 것이므로, 2.0 내지 2.3T의 범위에서 Ms를 조정할 수 있다.
또한, 자성층을 아르곤과 산소, 질소 등의 혼합분위기 중에서 제작함으로써 자성층을 산화, 질화시켜서, 자성층의 Ms를 조정하는 것도 가능하다. Ms의 크기는산소, 및 질소의 분압으로 조정할 수 있다.
자기전사용 마스터담체의 바람직한 자성층 두께는 50nm이상, 800nm이하, 더욱 바람직하게는 100nm이상, 500nm이하이다.
슬레이브매체로서는 도포형 자기기록매체, 또는 금속박막형 자기기록매체를 이용할 수 있다. 도포형 자기기록매체로서는, Zip(아이오메가사)용 Zip100, Zip250 등이나, HiFD 등의 플로피디스크형상의 자기기록매체를 들 수 있다.
금속박막형 자기기록매체로서는, 자성재료로서는 Co, Co합금(CoPtCr, CoCr, CoPtCrTa, CoPtCrNbTa, CoCrB, CoNi 등), Fe, Fe합금(FeCo, FePt, FeCoNi)을 이용할 수 있다.
슬레이브매체로서는, 자속밀도가 크고, 슬레이브매체와 동일한 방향(면내 기록인 면내방향, 수직인 수직방향)의 자기이방성을 보유하고 있는 것이 명확한 전사가 행해지기 위하여 바람직하다.
이 때문에, 자성층의 하부, 즉 기판측에 원하는 자기이방성을 형성하기 위하여 비자성의 하지층을 설치하는 것이 바람직하다. 또한, 결정구조와 격자상수를 자성층에 합치시키는 것이 필요하고, Cr, CrTi, CoCr, CrTa, CrMo, NiAl, Ru 등에 의해서 층형성하는 것이 바람직하다.
또한, 앞에 자기전사하는 면의 전사자계(Hdu1)와 반대측의 슬레이브매체면의 전사자계(Hdu2)가 0.2≤Hdu2/Hdu1≤0.9의 관계에 있는 것이 바람직하다. 특히 바람직하게는 0.3≤Hdu2/Hdu1≤0.7의 범위이다.
슬레이브매체의 보자력(HC)dms 79.8kA/m(1000Ｏe)이상, 398kA/m(5000Ｏe)이하가 바람직하다. 더욱 바람직하게는 119kA/m(1500Ｏe)이상, 358kA/m(4500Ｏe)이하의 범위이다.
또한, 앞에 자기전사하는 면의 전사자계(Hdu1)와 슬레이브(Hc)와의 관계는 0.4≤(Hdu1/Hc)≤2.0의 범위에 있는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 0.7≤(Hdu1/Hc)≤1.7이다.
(실시예)
이하에 실시예를 나타내고, 본 발명을 설명한다.
실시예1
앞에 전사하는 3.5형 자기전사용 마스터담체에는, 실리콘웨어 원반을 기판으로 하고 FeCo(원자비 Fe:Co = 50:50)으로 이루어지는 두께 150nm의 자성층을 형성하였다. 패턴은 원반중심으로부터 반경방향 20mm 내지 40mm의 위치까지 폭 1.5㎛ 간격으로 하였다.
또한, 뒤에서부터의 전사에 사용하는 3.5형 자기전사용 마스터담체에는, 실린콘웨어 원반을 기판으로하여 FeCo(원자비 Fe:Co = 50:50)으로 이루어지는 두께 300nm의 자성층을 형성하고, 앞에 전사에 사용하는 자기전사용 마스터담체의 자성층과 마찬가지로 패턴을 형성하였다.
어떠한 자기전사용 마스터담체의 자성층도, 스패터링장치(어넬버사 제작 730H 스패터링 장치)에서 직류 스패터링법에 의해서, 형성온도는 25℃, 압력1.0×10-3Pa(0.72mTorr), 투입전력2.8ＯW/㎠로 하였다.
막두께의 조정은, 마킹을 실시한 실리콘기판 상에 자성재료를 10분간 성막한다. 이 시료를 아세톤으로 세정하고, 마킹부를 제거한다. 이 부분에 발생한 막두께 단차를 접촉식 단차계로 막두께를 측정하고, 막두께와 스패터링 시간의 관계로부터 스패터링 속도를 산출한다. 다음으로, 목표 막두께에 필요한 시간을 스패터링 속도로부터 계산하고, 필요시간 성막한다.
슬레이브매체에는, 시판의 아이오메가사 Zip250용 도포형 자기기록매체(후지 샤신 필름제작)를 사용하였다. 슬레이브매체의 보자력(Hc)은 199kA/m(2500Ｏe)이었다.
피크 자계강도가 398kA/m(5000Ｏe), 즉 슬레이브매체의 보자력(Hc)의 2배로 되도록 전자석장치를 이용하여, 슬레이브매체의 초기직류자화를 행하고, 다음에 초기직류자화한 슬레이브매체와 앞의 자기전사용 마스터담체를 밀착시켜, 전자석 장치를 이용하여 199kA/m(2500Ｏe)의 자계를 인가함으로써 자기전사를 행하였다.
다음에, 한편의 자기기록매체면으로의 전사완료 후, 자기전사면으로부터 마스터담체를 제거하고, 뒤에서부터의 전사에 사용하는 자기전사용 마스터담체를, 슬레이브매체면의 앞에 전사한 면과는 역측에 자기전사면에 마스터담체를 밀착시켜, 전자석 장치를 이용하여 앞에 자기전사를 행한 방향과 동 방향으로 99.5kA/m(1250Ｏe)의 자계를 인가하여 전사를 행하였다.
얻어진 슬레이브매체를 이하의 평가방법에 의해서, 자기전사정보의 평가를행하고, 그 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예2
실시예1에 기재된 뒤로부터의 자기전사의 전사자계의 강도를 159kA/m (2000Ｏe)로 한 점을 제외하고 실시예1과 마찬가지로 하여 자기전사를 행하고, 자기전사한 슬레이브매체를 제작한 후, 실시예1과 마찬가지로 평가를 행하여 그 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예4
실시예1에 기재된 앞의 자기전사에 사용하는 자기전사용 마스터담체의 자성층을 아르곤:산소 = 2.0×10-3Pa(1.44mTorr):3.0×10-3Pa(2.16mTorr)의 조건으로 제작한 점을 제외하고 실시예1과 마찬가지로 하여 자기전사를 행하고, 자기전사한 슬레이브매체를 제작한 후, 실시예1과 마찬가지로 평가를 행하여 그 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예5
실시예4에 기재된, 뒤의 자기전사용 마스터담체의 자성층의 두께를 800nm로 변경한 점을 제외하고, 실시예4와 마찬가지로 자기전사를 행하고, 자기전사한 슬레이브매체를 제작하고, 실시예1과 마찬가지로 평가를 행하여 그 결과를 표 1에 나타낸다.
비교예1
실시예1에 기재된 뒤로부터의 자기전사의 전사자계의 강도를 199kA/m (2500Ｏe)으로 한 점을 제외하고 실시예1과 마찬가지로 하여 자기전사를 행하고, 자기전사한 슬레이브매체를 제작한 후, 실시예1과 마찬가지로 평가를 행하고 그 결과를 표 1에 나타낸다.
비교예2
실시예1에 기재된 뒤로부터의 자기전사강도를 199kA/m(2500Ｏe)로 한 점을 제외하고 실시예1과 마찬가지로 하여 자기전사를 행하고, 자기전사한 슬레이브매체를 제작한 후, 실시예1과 마찬가지로 평가를 행하고 그 결과를 표 1에 나타낸다.
비교예3
실시예1에 기재된 앞의 자기전사용 마스터담체와, 뒤의 자기전사용 마스터담체를 교환한 점을 제외하고 실시예1과 마찬가지로 하여 자기전사를 행하고, 자기전사한 슬레이브매체를 제작한 후, 실시예1과 마찬가지로 평가를 행하고 그 결과를 표 1에 나타낸다.
비교예4
실시예1에 기재된 앞의 자기전사강도와 뒤의 자기전사강도를 교환한 점을 제외하고 실시예1과 마찬가지로 하여 자기전사를 행하고, 실시예1과 마찬가지로 평가를 행하고 그 결과를 표 1에 나타낸다.
비교예5
실시예1에 기재된 뒤의 자기전사용 마스터담체를 Fe:Co = 70:30(원자비), 막두께 1500nm로 변경한 점을 제외하고 실시예1과 마찬가지로 하여 자기전사를 행하고, 실시예1과 마찬가지로 평가를 행하여 그 결과를 표 1에 나타낸다.
1. 포화자화의 측정과 Msㆍδ의 연산
자성층의 포화자화(Ms)는 시료진동형 자력계(VSM)에 의해 측정을 행한다. 또한, 시료를 8mm×6mm의 크기로 잘라내고, 이 면적과 스패터링 속도로부터 계산한 자성층두께(δ)로부터 체적, 포화자화를 산출한다.
상기 방법에 의해 구해진 Ms 및 δ의 곱으로부터 Ms1δ1 및 Ms2δ2를 산출하였다.
2. 신호품위의 평가방법
슬레이브매체의 신호품위의 평가에는 전자특성 측정장치(교도덴시 제작:SS-60)를 사용하고, 전사후의 슬레이브매체를, 헤드간극0.40㎛, 트랙폭 3.9㎛인 유도 헤드에 의해 신호를 재생한다. 앞 자기전사면의 전사 직후의 재생출력(TAS)을 관측한다. 그 후, 뒤 자기전사면의 자기전사를 행하고 신호를 기록한다.
(a) 앞 자기전사면 신호품위 평가방법
앞 자기전사면에 기록한 신호와 동일 위치에서, 두번째 신호출력을 측정하여 TAF로 하였다.
TAF의 TAS에 대한 비를 % 표시하고, 94% 이상이면 우수, 80 내지 94%이면 양호, 80%이하이면 불량으로 하였다.
(b) 뒤 자기전사면 신호품위 평가방법
양면 자기전사 후, 뒤면의 재생출력을 두번째 측정하여 TFF로 하였다.
TAF의 TAS에 대한 비를 % 표시하고, 94%이상이면 우수, 80 내지 94%이면 양호, 80%이하이면 불량으로 하였다.
자기전사용 마스터담체로부터, 슬레이브매체로의 자기전사에 있어서, 슬레이브매체의 편면에 앞에 자기전사하기 위하여 사용하는 자기전사용 마스터담체의 자성층과, 남은 편면에 뒤에서부터 자기전사하기 위하여 사용하는 자기전사용 마스터담체의 자성층 및, 전사자계강도를 조정함으로써 어떠한 면에서도 고품위의 전사패턴을 보유하는 슬레이브매체를 얻을 수 있다.

Claims (3)

  1. 자기전사용 마스터담체와 슬레이브매체를 밀착시켜서 전사용 자계를 인가하여 슬레이브매체에 편면씩 자기전사를 행하는 방법에 있어서, 슬레이브매체의 앞에 자기전사되는 면으로의 자기전사에 사용되는 자기전사용 마스터담체의 자성층의 포화자화(Ms1)와 막두께(δ1)의 곱(Ms1δ1)과, 슬레이브매체의 뒤에서부터 전사되는 면으로의 전사에 사용하는 자기전사용 마스터담체의 자성층의 포화자화(Ms2)와 막두께(δ2)의 곱(Ms2δ2)이, 1.5〈(Ms2δ2)/(Ms1δ1)〈10의 관계에 있고, 앞에 자기전사되는 면으로의 전사자계(Hdu1)와 뒤에서부터 전사되는 슬레이브 매체면의 전사자계(Hdu2)가 0.2≤Hdu2/Hdu1≤0.9의 관계에 있는 것을 특징으로 하는 자기전사방법.
  2. 제 1항에 있어서, 자기전사가, 기판의 표면의 정보신호에 대응하는 부분에 자성층이 형성된 자기전사용 마스터담체와 전사를 받는 슬레이브인 자기기록매체를 사용하고, 미리 슬레이브매체의 자화를 트랙방향으로 초기직류자화한 후, 자기전사용 마스터담체와 초기직류자화한 슬레이브매체를 밀착시켜 슬레이브면의 초기직류자화방향과 역방향으로 전사용 자계를 인가하여 자기전사를 행하는 것을 특징으로 하는 자기전사방법.
  3. 서보신호를 기록한 자기기록매체에 있어서, 서보신호를 제 1항 또는 제 2항에 기재된 방법에 의해서 기록한 것을 특징으로 하는 자기기록매체.
KR1020010025098A 2000-05-16 2001-05-09 자기전사방법 및 자기기록매체 KR20010106220A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000143279A JP2001325724A (ja) 2000-05-16 2000-05-16 磁気転写方法および磁気記録媒体
JP2000-143279 2000-05-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010106220A true KR20010106220A (ko) 2001-11-29

Family

ID=18650122

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010025098A KR20010106220A (ko) 2000-05-16 2001-05-09 자기전사방법 및 자기기록매체

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6819511B2 (ko)
EP (1) EP1156480A3 (ko)
JP (1) JP2001325724A (ko)
KR (1) KR20010106220A (ko)
CN (1) CN1215468C (ko)
MY (1) MY124880A (ko)
SG (1) SG96217A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030001315A (ko) * 2001-06-25 2003-01-06 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 자기전사용 마스터담체
KR20030051281A (ko) * 2001-12-14 2003-06-25 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 자기전사용 마스터 담체
US7094484B2 (en) * 2003-07-22 2006-08-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Master carrier for magnetic transfer, inspecting method thereof, and magnetic recording medium producing method
US7294251B2 (en) * 2003-08-19 2007-11-13 Fujifilm Corporation Process of producing master carrier for magnetic transfer
JP2011018426A (ja) * 2009-07-10 2011-01-27 Wd Media Singapore Pte Ltd 垂直磁気記録媒体の評価方法及び垂直磁気記録媒体の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3869711A (en) * 1973-09-24 1975-03-04 Ibm Magnetic pattern recording
JPS6166215A (ja) * 1984-09-10 1986-04-05 Victor Co Of Japan Ltd 磁気記録媒体円盤に対するトラツキング参照信号の記録方式
JPS63183623A (ja) 1987-01-23 1988-07-29 Sony Corp 可撓性デイスクへの接触磁界転写方法
JP2751535B2 (ja) * 1990-03-06 1998-05-18 ソニー株式会社 磁気転写方法
US5075801A (en) * 1991-08-12 1991-12-24 Eastman Kodak Company Electromagnetic drive circuitry for anhysteretic duplication of a flexible magnetic disk
JP3343326B2 (ja) 1997-03-27 2002-11-11 松下電器産業株式会社 マスター情報担体
TW342495B (en) * 1996-07-22 1998-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Master information carrier, method of producing the same, and method for recording master information signal on magnetic recording medium
JP3323743B2 (ja) 1996-07-22 2002-09-09 松下電器産業株式会社 マスター情報担体および磁気記録媒体の製造方法
US5991104A (en) * 1996-11-27 1999-11-23 Seagate Technology, Inc. Using servowriter medium for quickly written servo-patterns on magnetic media
DE19756764A1 (de) 1997-12-19 1999-06-24 Fischer Artur Werke Gmbh Steckdübel
US6577459B1 (en) * 1999-06-11 2003-06-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method and apparatus for magnetic transfer
JP3973187B2 (ja) * 2000-04-28 2007-09-12 富士フイルム株式会社 磁気転写方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6819511B2 (en) 2004-11-16
EP1156480A3 (en) 2007-01-17
US20010055168A1 (en) 2001-12-27
SG96217A1 (en) 2003-05-23
CN1326185A (zh) 2001-12-12
EP1156480A2 (en) 2001-11-21
CN1215468C (zh) 2005-08-17
MY124880A (en) 2006-07-31
JP2001325724A (ja) 2001-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3999436B2 (ja) 磁気転写用マスター担体
US20040209037A1 (en) Magnetic transfer master medium, magnetic transfer method, and magnetic transfer master medium forming method
JP3963637B2 (ja) 磁気転写方法
KR100665001B1 (ko) 자기전사방법
KR20030043747A (ko) 자기전사용 마스터 담체 및 자기전사방법
KR20020018956A (ko) 자기전사방법
KR20010106220A (ko) 자기전사방법 및 자기기록매체
JP3973187B2 (ja) 磁気転写方法
US7105238B2 (en) Master information carrier for magnetic transfer
JP4046480B2 (ja) 磁気転写方法および磁気転写装置
US20070217047A1 (en) Master medium for perpendicular magnetic transfer, method of perpendicular magnetic transfer, perpendicular magnetic recording medium and perpendicular magnetic recording apparatus
KR20010093638A (ko) 자기전사방법 및 자기전사장치
JP3986951B2 (ja) 磁気転写用マスター担体および磁気転写方法
JP2007012143A (ja) 磁気記録媒体の直流消磁方法、装置、及び磁気転写方法
JP3964452B2 (ja) 磁気転写用マスター担体
JP2001273632A (ja) 磁気転写方法
JP4014189B2 (ja) 磁気転写方法
JP2002008229A (ja) 磁気転写方法
KR20010093637A (ko) 자기전사방법 및 자기전사장치
JP2001195738A (ja) 磁気転写方法
JP2002117533A (ja) 磁気転写用マスター担体
JP2002342921A (ja) 磁気転写用マスター担体
KR20010093636A (ko) 자기전사방법 및 자기전사장치
KR20010093639A (ko) 자기전사방법 및 자기전사장치
JP2006120266A (ja) 磁気転写方法、磁気記録媒体、及び磁気記録装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application