KR20010105249A - 탄성표면파소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 웨이퍼의 평탄도를 향상시키는 것으로 탄성표면파소자의 특성을 향상시킬 수 있는 탄성표면파소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명은, 단결정재료를 절단하여 웨이퍼(11)를 형성하는 절단공정과, 웨이퍼의 양면을 소정의 두께까지 연마하는 연마공정, 웨이퍼 표면(12)을 연삭하는 연삭공정, 웨이퍼 표면(12)을 경면연마하는 경면연마공정 및, 웨이퍼 표면(12)에 금속스트립전극(14)을 형성하는 소자형성공정을 구비하여 이루어진다.
Description
본 발명은 통신용 필터, 지연기, 발신기등에 이용되는 탄성표면파소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 주파수의 고대역화에 대응할 수 있는 탄성표면파소자의 제조방법에 관한 것이다.
도 8a는 탄성표면파소자(1)의 구성을 나타낸 모식도이다. 탄성표면파소자 (1)는 500㎛ 정도의 웨이퍼(2)와, 이 웨이퍼(2)의 표면(2a)상에 설치된 소정 간격으로 형성된 금속스트립전극(3)을 구비하고 있다. 이와 같은 탄성표면파소자(1)에서는 외부로부터의 전파나 음파(4)를 받으면, 웨이퍼(2)에 전파되는 탄성파로서 웨이퍼(2)의 표면(2a)을 따라 전파되는 탄성표면파(5)와, 웨이퍼(2)의 내부를 전파하는 벌크(bulk)파(6)가 발생한다. 벌크파(6)는 더욱이 웨이퍼(2)의 이면(2b)에서 반사하여 반사파(7)로 되는데, 반사파(7)는 탄성표면파(5)에 대한 외란으로 되기 때문에, 웨이퍼 이면을 거칠게 하는 것으로 반사파(7)의 발생을 억제하고 있다.
일반적으로는 웨이퍼(2)로서는 압전성을 나타내는 탄탈산리튬(LiTaO3)이나 니오브산리튬(LiNbO3), 수정등이 이용되고 있다. 이는 금속스트립전극(3)에 전압인가하는 것으로, 탄성표면파(5) 중으로부터 여진된 주파수신호를 취출시키는 필터기능이 얻어지기 때문이다. 도 8b는 탄성표면파소자(1)의 필터기능의 주파수특성을 나타낸 도면이다.
탄성표면파소자(1)는 텔레비전용 튜너등의 신호 필터로서 예전부터 민생 이용되고 있다. 최근에는 휴대전화로 대표되는 이동체 통신용 필터로서의 수요가 현저하여 이용주파수가 고대역화의 방향에 있다.
도 9는 종래의 탄성표면파소자의 제조방법의 일례를 나타낸 도면이다. 본 제조방법에 있어서는 단결정의 잉곳(ingot)을 슬라이스한 후, 베벨(bevel), 양면 연마가공, 표면 경면연마등의 공정을 거쳐 웨이퍼(2)를 형성한다. 그리고, 웨이퍼(2)를 세정한 후, 그 표면(2a)에 금속스트립전극(3)의 형성을 수행한다.
도 10은 탄성표면파소자의 제조방법의 다른 예를 나타낸 도면이다. 본 제조방법에 있어서는 경면연마의 깍음 양을 적게 하기 때문에, 양면 연마가공의 후에 미세 숫돌 입자에 의한 일측면(片面) 연마가공을 수행하고, 그 후 경면연마를 수행하는 경우도 있다.
상기한 탄성표면파소자의 제조방법에는 다음과 같은 문제가 있었다. 즉, 탄성표면파(5)의 주파수가 높아짐에 대해 금속스트립전극(3)의 선폭이 좁아져 미세화되는 것으로 된다. 탄성표면파소자(1)의 설계상, 약 2GHz 이상의 주파수에 대해서는 반도체장치와 동등 레벨의 서브미크론 선폭으로 된다. 더욱이, 금속스트립전극(3)의 선폭의 분포는 탄성표면파(5)의 설계 주파수에 대한 오차를 발생시킨다. 이 때문에, 탄성표면파소자(1)의 제조공정 중에서도 노광공정의 금속스트립전극(3)의 선폭의 미세화와 균일성을 만족할 수 있는 웨이퍼(2)의 평탄평활성이 요구 되고 있다.
웨이퍼(2)는 두께가 약 500㎛ 이하로서, 소자형성면인 표면(2a)의 평탄평활성을 향상시키고자 하면 웨이퍼(2)의 제조방법이 문제로 된다. 특히, 웨이퍼 제조의 최종 공정에 가까운 경면연마공정이 문제로 된다. 경면연마는 웨이퍼(2)의 표면(2a)을 폴리우레탄 소재의 부직포와 입자직경 약 0.1㎛ 이하인 콜로이달 실리카 숫돌 입자를 이용하여 경면연마하는 것인데, 웨이퍼(2)의 가공면에 탄성체를 눌러 붙여 가압하여 행하는 가공방법이기 때문에, 압력의 불균일성에 기인한 형상 붕괴, 즉 웨이퍼(2)의 평탄도가 저하되는 염려가 있었다.
평탄도가 열화되는 웨이퍼(2)를 이용하면, 서브미크론 선폭을 만족하는 탄성표면파소자(1)의 특성과 제조의 장해로 된다. 예컨대, 도 8a에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 평탄도가 열화하고 있으면, 금속스트립전극(3)을 형성하기 위한 노광공정에서 선폭등에 분포가 생겨, 도 8b에 나타낸 바와 같이 주파수특성의 개선, 특히 선택주파수에 대한 오차(Δ)가 커지게 되는 염려가 있었다.
한편, 웨이퍼(2)의 재료로서는 일반적으로 탄탈산리튬, 니오브산리튬, 수정을 이용하고 있는 것으로부터 단단하고 유연하다는 성질이 있다. 이 때문에, 웨이퍼 가공공정 및 소자형성 과정에 있어서 충격이나 열응력이 발생하면, 웨이퍼 갈라짐을 일으키기 쉽다는 문제가 있다. 더욱이, 단결정인 것으로부터, 특히 갈라지는 방향으로의 충격과 열응력에 대한 강도가 약하다.
본 발명은 상기한 점을 감안하여 발명된 것으로, 웨이퍼의 평탄도를 향상시키는 것으로, 탄성표면파소자의 특성을 향상시킬 수 있는 탄성표면파소자의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
또한, 웨이퍼 강도를 향상시키는 것으로 웨이퍼의 갈라짐을 방지하여 제조 수율의 향상을 도모할 수 있는 탄성표면파소자의 제조방법을 제공함에 다른 목적이 있다.
도 1은 본 발명의 제1실시형태에 따른 탄성표면파소자의 제조방법을 나타낸 공정도,
도 2는 동 제조방법에 이용하는 가공장치를 나타낸 도면,
도 3a는 동 제조방법에 의해 제조된 탄성표면파소자의 모식도,
도 3b는 동 탄성표면파소자의 주파수특성을 나타낸 그래프,
도 4는 본 발명의 제2실시형태에 따른 탄성표면파소자의 제조방법을 나타낸 공정도,
도 5는 동 제조방법에 이용하는 가공장치를 나타낸 도면,
도 6은 본 발명의 제3실시형태에 따른 탄성표면파소자의 제조방법을 나타낸 공정도,
도 7은 본 발명의 제4실시형태에 따른 탄성표면파소자의 제조방법을 나타낸 공정도,
도 8a는 종래의 제조방법에 의해 제조된 탄성표면파소자의 모식도,
도 8b는 동 탄성표면파소자의 주파수특성을 나타낸 그래프,
도 9는 종래의 탄성표면파소자의 제조방법의 일례를 나타낸 공정도,
도 10은 종래의 탄성표면파소자의 제조방법의 다른 예를 나타낸 공정도이다.
10 --- 탄성표면파소자
11 --- 웨이퍼
12 --- 표면,
13 --- 이면,
14 --- 금속스트립전극(소자)
20, 30, 40 --- 가공장치
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 탄성표면파소자의 제조방법은 다음과 같이 구성되어 있다.
(1) 단결정재료를 절단하여 웨이퍼를 형성하는 절단공정과, 상기 웨이퍼의 양면을 소정의 두께까지 연마하는 연마공정, 상기 웨이퍼 표면을 연삭하는 연삭공정, 상기 웨이퍼 표면을 경면연마하는 경면연마공정 및, 상기 웨이퍼 표면에 소자를 형성하는 소자형성공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
(2) 상기 (1)에 기재된 탄성표면파소자의 제조방법에 있어서, 상기 연삭공정과 상기 경면연마공정 사이에 상기 웨이퍼 주변 테두리부를 경면연마하는 주변 테두리부 경면연마공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
(3) 단결정재료를 절단하여 웨이퍼를 형성하는 절단공정과, 상기 웨이퍼의 양면을 소정의 두께까지 연마하는 연마공정, 상기 웨이퍼 양면을 경면연마하는 경면연마공정, 상기 웨이퍼 이면을 소정의 면거칠기로 연삭하는 연삭공정 및,상기 웨이퍼 표면에 소자를 형성하는 소자형성공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
(4) 상기 (3)에 기재된 탄성표면파소자의 제조방법에 있어서, 상기 연마공정과 상기 경면연마공정 사이에 상기 웨이퍼 주변 테두리부를 경면연마하는 주변 테두리부 경면연마공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
(5) 단결정재료를 절단하여 웨이퍼를 형성하는 절단공정과, 상기 웨이퍼의 양면을 소정의 두께까지 연마하는 연마공정, 상기 웨이퍼 주변 테두리부를 경면연마하는 주변 테두리부 경면연마공정, 상기 웨이퍼 표면을 경면연마하는 경면연마공정 및, 상기 웨이퍼 표면에 소자를 형성하는 소자형성공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
(6) 단결정재료를 절단하여 웨이퍼를 형성하는 절단공정과, 상기 웨이퍼의 양면을 소정의 두께까지 연마하는 연마공정, 상기 웨이퍼 주변 테두리부를 경면연마하는 주변 테두리부 경면연마공정, 상기 웨이퍼 표면을 연삭하는 연삭공정, 상기 웨이퍼 표면을 경면연마하는 경면연마공정 및, 상기 웨이퍼 표면에 소자를 형성하는 소자형성공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
(7) 상기 (1)∼(6)중 어느 하나에 기재된 탄성표면파소자의 제조방법에 있어서, 상기 단결정재료는 탄탈산리튬인 것을 특징으로 한다.
(8) 상기 (1)∼(6)중 어느 하나에 기재된 탄성표면파소자의 제조방법에 있어서, 상기 단결정재료는 니오브산리튬인 것을 특징으로 한다.
(9) 상기 (1)∼(6)중 어느 하나에 기재된 탄성표면파소자의 제조방법에 있어서, 상기 단결정재료는 수정인 것을 특징으로 한다.
(실시예)
이하, 예시도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1실시형태에 따른 탄성표면파소자(10)의 제조공정을 나타낸 설명도이다. 또한, 도 2a 내지 도 2c는 동 탄성표면파소자(10)의 제조에 이용하는 가공장치(20,30,40)를 나타낸 도면, 도 3은 동 탄성표면파소자(10)의 제조공정을 나타낸 설명도이다. 도 3a는 탄성표면파소자(10)를 나타낸 모식도, 도 3b는 그 주파수 특성을 나타낸 그래프이다.
탄성표면파소자(10)는 도 3a에 나타낸 바와 같이, 예컨대 두께 500㎛의 웨이퍼(11)를 구비하고 있다. 웨이퍼(11)의 표면(12)은 소자형성면이고, 이면(13)은 벌크파의 반사면이다. 웨이퍼(11)의 표면(12)에는 금속스트립전극(14)이 소정 간격으로 병렬 설치되어 있다. 또한, 도 1중 12a 및 13a는 웨이퍼(11)의 주변 테두리부에 설치된 테이퍼면을 나타내고 있다. 또한, 도 3a중는 외부로부터의 전파ㆍ음파,는 탄성표면파,는 벌크파,는 반사파를 나타내고 있다.
가공장치(20)는 도 2a에 나타낸 바와 같이, 에어 스핀들(21; air spindle)과, 이 에어 스핀들(21)에 의해 회전 구동되는 테이퍼 22°의 가공면을 갖춘 숫돌(22)을 구비하고 있다. 숫돌(22)에는 입자 직경 1∼50㎛의 다이아몬드 숫돌입자를 결합체로 고정한 것을 사용한다.
가공장치(30)는 도 2b에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(11)를 탑재함과 더불어 100∼300rpm의 회전속도로 회전하는 회전테이블(31)과, 이 회전테이블(31)에 대향배치된 이송기구(32), 이 이송기구(32)에 의해 0.1㎛의 정밀도로 위치결정되는 에어 스핀들(33) 및, 이 에어 스핀들(33)에 의해 1000∼3000rpm으로 회전 구동되는 숫돌(34)을 구비하고 있다. 숫돌(34)은 직경 200mm의 알루미늄 베이스(35)와, 이 알루미늄 베이스(35)에 설치된 ＃360∼1500의 다이아몬드(직경 1∼50㎛)나 수지ㆍ금속유리질(resinㆍmetal vitrified)등의 숫돌(36)로 형성되어 있다.
가공장치(40)는 도 2c에 나타낸 바와 같이, 에어 스핀들(41)과, 이 에어 스핀들(41)에 의해 회전 구동되는 정반(42; 定盤), 이 정반(42)에 의해 취부된 탄성체인 폴리우레탄 소재의 부직포로 이루어진 패드(43), 웨이퍼(11)를 지지하는 지지부(44), 지지부(44)를 회전 구동하는 에어 스핀들(45) 및, 정반(42)상에 입자 직경 약 0.1㎛ 이하의 콜로이달 실리카 숫돌 입자를 함유하는 연마액을 공급하는 공급 노즐(46)을 구비하고 있다.
본 제1실시형태에 있어서는 다음과 같은 공정에 의해 탄성표면파소자의 제조를 수행한다. 최초로, 탄탈산리튬, 니오브산리튬, 수정등의 단결정 잉곳을 와이어 톱(wire saw)이나 내주칼날 브레이드(內周刃 brade)를 이용하여 판형상으로 절단하여 도 1a에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(11)를 형성한다. 다음에, 가공장치(20)에 의해 도 1b에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(11)의 주변 테두리부를 각도 22°의 테이퍼로 베벨(bevel) 연마가공(면획득가공)을 수행한다.
다음에, 연마장치(도시되지 않았음)에 의해 상하에 배치한 2개의 강체정반(剛體定盤)에서 웨이퍼를 끼워 넣고, 유리(遊離) 숫돌 입자를 공급하면서 웨이퍼(11)를 최종 마무리 두께 보다도 10∼50㎛ 두껍게 될때까지 도 1c에 나타낸 바와 같이 양면 연마가공한다. 이 단계에서 웨이퍼(11)에 남아있던 물결이나 휨이 대부분 제거된다. 또한, 이면(13)은 양면 연마가공에서 얻어진 거칠기(0.1∼2㎛Ra)가 소자형성까지 남아, 반사파()를 약하게 하는 것으로 주파수특성에 대한 영향을 억제할 수 있게 된다.
다음에, 가공장치(30)에 의해 웨이퍼(11)의 표면(12)을 도 1d에 나타낸 바와 같이 연삭가공한다. 숫돌(34)로 웨이퍼(11)를 깍아 넣는 것으로 되기 때문에, 웨이퍼(11)에 과부하가 발생하지 않는 것과 같은 잘라 끼우는 속도, 웨이퍼와 숫돌의 접선찰과속도(接線擦過速度)를 부여하면서 연마액을 공급하면서 가공하여 간다. 예컨대, 잘라 끼우는 속도 0.05∼10㎛/s, 웨이퍼(11)와 숫돌의 접선찰과속도 10∼200m/s의 조건범위로 한다. 웨이퍼(11)의 형상은 회전테이블(31)의 웨이퍼 척(wafer chuck)면의 평면도 및 숫돌의 이송속도 정밀도와 위치 정밀도로 결정되어, 평탄도 1㎛ TTV 이하에서 마무리할 수 있다. 더욱이, 웨이퍼(11)에 대한 부하를 작게하는 가공이기 때문에 랩(wrap) 가공등과 비교하여 가공면의 깊이 방향에 대한 크랙층, 왜곡층의 발생이 극히 작다.
다음에, 가공장치(40)에 의해 도 1e에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(11)의 표면(12)을 경면연마가공을 수행하여 경면을 얻는다. 경면연마가공은 표면(12)을 패드(43) 및 연마액을 이용하여 경면연마한다. 경면연마가공은 가공면에 탄성체를 눌러 붙여 가압하여 수행하는 가공방법이기 때문에, 압력의 불균일성에 기인한 형상 붕괴, 즉 경면연마가공의 제거량에 상응한 웨이퍼(11)의 평탄도 저하를 초래할 염려가 있다. 그러나, 상기한 연삭가공을 이용한 것에 의해 가공면의 깊이 방향의 크랙층, 왜곡층의 발생량이 작기 때문에, 경면연마 가공에서의 깍임 양을 최소화할 수 있게 된다. 즉, 웨이퍼 평탄도를 향상시키는 것이 가능하다.
구체적으로는, 종래의 연마가공 후의 경면연마 제거 필요량은 10∼25㎛이었던 것에 대해, 본 실시형태에 있어서 연삭가공 후의 경면연마 제거 필요량은 3∼10㎛로 적게 할 수 있다. 따라서, 경면연마 가공에 있어서 형상 붕괴가 10%인 경우, 깍임 양 10∼25㎛에 있어서는 1.0∼2.5㎛의 평탄도 저하가 생기지만, 본 실시형태에 있어서 깍임 양은 3∼10㎛로 되어, 0.3∼1.0㎛의 평탄도 저하로 억제될 수 있다.
다음에, 웨이퍼(W)상에 잔류하는 가공 숫돌 입자나 이물을 세정 제거한 후, 소자형성공정에 있어서 웨이퍼(11)의 표면(12)에 도 1f에 나타낸 바와 같이 금속스트립전극(14)을 형성한다. 전파ㆍ음파를 여기시키기 위한 금속스트립전극(14)은 반도체소자와 마찬가지로 레지스트 도포, 노광, 현상, 에칭, 레지스트 제거라고 하는 공정에 의해 형성한다.
상기한 바와 같이, 본 제1실시형태에 따른 탄성표면파소자의 제조방법에 의하면, 연마가공에 비해 가공 대미지가 작은 연삭가공을 이용하여, 보다 목적으로 하는 두께까지 웨이퍼(11)를 깍도록 하고 있기 때문에 경면연마 제거량을 최소한으로 억제할 수 있어, 웨이퍼(11)의 평탄도의 저하를 방지할 수 있다. 이 때문에,소자형성공정에 있어서 평행 평활한 웨이퍼(11)를 이용하는 것이 가능하여, 선폭이 미세하면서 분포가 작은 금속스트립전극(14)을 형성할 수 있다. 따라서, 도 3b에 나타낸 바와 같이 탄성표면파소자(10)의 주파수특성의 개선, 특히 선택주파수에 대한 오차(Δ)를 작게하는 것이 가능하다. 또한, 웨이퍼(11)의 이면(13)에는 연마가공에 있어서 면 거칠기가 남아 있기 때문에 반사파()의 발생을 최소한으로 억제할 수 있다.
도 4는 본 발명의 제2실시형태에 따른 탄성표면파소자의 제조공정을 나타낸 도면, 도 5a,b는 동 탄성표면파소자의 제조에 이용되는 가공장치(50,60)를 나타낸 도면이다. 도 4에 있어서 도 1과 동일한 기능 부분에는 동일한 참조부호를 붙이고, 그에 대한 상세한 설명은 생략한다.
가공장치(50)는 도 5a에 나타낸 바와 같이, 숫돌(51)을 구비하고, 테이퍼면(12a,13a)을 경면연마하는 것이 가능하다. 또한, 도면 중는 데이퍼면(12a,13a)의 각도와 일치하는 각도이다. 또한, 가공장치(60)는 도 5b에 나타낸 바와 같이, 랩핑 테이프(61)를 구비하고, 테이퍼면(12a,13a)을 경면연마하는 것이 가능하다.
본 제2실시형태에 따른 탄성표면파소자의 제조방법에 있어서는, 상기한 제1실시형태와 마찬가지로 도 4a∼도 4d에 나타낸 바와 같이, 절단가공, 베벨 연마가공, 양면 연마가공, 연삭가공을 수행한다. 그 후, 도 4e에 나타낸 바와 같이 테이퍼면(12a,13a)의 베벨 경면연마를 수행하고, 도 4f에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(11) 표면(12)의 경면연마를 수행하도록 하고 있다. 테이퍼면(12a,13a)을경면연마하는 것으로 테이퍼면(12a,13a)을 경면연마하지 않는 경우에 비해 테이퍼면(12a,13a)에 있어서 크랙이 절감된다. 특히, 탄성표면파소자용으로 단단하고 유연한 성질의 단결정 재료인 탄탈산리튬, 니오브산리튬, 수정등에 대해 효과가 있다.
본 제2실시형태에 따른 탄성표면파소자의 제조방법에 있어서는 상기한 제1실시형태와 마찬가지의 효과가 얻어짐과 더불어 이 때문에 충격이나 열응력이 가해진 때의 단단하고 유연한 재료에 특유의 갈라짐을 억제할 수 있도록 되어, 수율을 향상시킬 수 있게 된다.
도 6은 본 발명의 제3실시형태에 따른 탄성표면파소자의 제조방법을 나타낸 도면이다. 도 4에 있어서, 도 1과 동일한 기능 부분에는 동일한 참조부호를 붙이고, 그에 대한 상세한 설명은 생략한다.
상기한 제1실시형태와 마찬가지로 하여 도 6a에 나타낸 바와 같이 절단가공, 도 6b에 나타낸 바와 같이 베벨 연마가공, 도 6c에 나타낸 바와 같이 양면 연마가공을 수행한다. 다음에, 도 6d에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(11)의 표면(12) 및 이면(13)의 양면 경면연마를 수행한다. 양면 경면연마는 상하로 배치한 2개의 강체정반에 폴리우레탄소재의 부직포를 붙여 웨이퍼를 끼워 넣고, 입자 직경 약 0.1㎛의 콜로이달 실리카 숫돌 입자를 공급하면서 웨이퍼(11)의 양면을 동시에 경면가공한다. 웨이퍼(11)를 가압하는 기준면이 운동하고 있기 때문에, 평균 효과에 의해 균일한 가압이 수행된다. 따라서, 한쪽면 만을 경면연마하는 경우에 비해 형상 붕괴가 작아, 보다 평탄 평활한 웨이퍼가 얻어진다.
다음에, 도 6e에 나타낸 바와 같이 소정의 면거칠기로 되도록 웨이퍼(11)의 이면(13)을 가공장치(30)에 의해 연삭가공한다. 가공장치(30)의 조건범위는 제1실시형태와 마찬가지이다. 또한, 면거칠기는 반사파()에 의한 주파수 특성에 대한 영향을 방지할 수 있는 정도의 것으로 한다.
다음에, 가공 숫돌 입자나 이물을 세정 제거한 후, 도 6f에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(11)의 표면(12)에 전극(14)을 형성하고, 탄성표면파소자(10)를 완성한다.
본 제3실시형태에 따른 탄성표면파소자의 제조방법에 있어서도 상기한 제1실시형태와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
도 4는 본 발명의 제4실시형태에 따른 탄성표면파의 제조방법을 나타낸 도면이다. 도 4에 있어서 도 3과 동일한 기능 부분에는 동일한 참조부호를 붙이고, 그에 대한 상세한 설명은 생략한다.
본 제4실시형태에 따른 탄성표면파소자의 제조방법에 있어서는 상기한 제3실시형태와 마찬가지로, 도 7a∼도 7c에 나타낸 웨이퍼(11)의 절단가공, 베벨 연마가공, 양면 연마가공을 수행한다. 그 후 도 7d에 나타낸 바와 같이 테이퍼면 (12a,13a)의 베벨 경면연마를 수행하고, 그 후 도 7e에 나타낸 바와 같이 웨이퍼 (11)의 표면(12) 및 이면(13)의 양면 경면연마를 수행하도록 하고 있다.
테이퍼면(12a,13a)을 경면연마하는 것으로, 테이퍼면(12a,13a)을 경면연마하지 않는 경우에 비해 테이퍼면(12a,13a)에 있어서 크랙이 절감된다. 이 때문에, 충격이나 열응력이 가해진 때의 단단하고 유연한 재료에서 특유의 갈라짐을 억제할수 있도록 되어 수율을 향상시킬 수 있게 된다.
그 후, 도 7f에 나타낸 바와 같이 이면(13)의 연삭가공, 도 7g에 나타낸 바와 같이 소자형성을 수행한다.
본 제4실시형태에 따른 탄성표면파소자의 제조방법에 있어서는 상기한 제3실시형태와 마찬가지의 효과가 얻어짐과 더불어 이 때문에 충격이나 열응력이 가해진 때의 단단하고 유연한 재료에서 특유의 갈라짐을 억제할 수 있도록 되어 수율을 향상시킬 수 있게 된다.
또한, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지를 이탈하지 않는 범위내에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있음은 물론이다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 웨이퍼의 평탄도를 향상시키는 것으로 탄성표면파소자의 특성을 향상시킬 수 있게 된다. 또한, 웨이퍼 강도를 향상시키는 것으로 웨이퍼의 갈라짐을 방지하여 제조 수율의 향상을 도모할 수 있게된다.
Claims (9)
- 단결정재료를 절단하여 웨이퍼를 형성하는 절단공정과,상기 웨이퍼의 양면을 소정의 두께까지 연마하는 연마공정,상기 웨이퍼 표면을 연삭하는 연삭공정,상기 웨이퍼 표면을 경면연마하는 경면연마공정 및,상기 웨이퍼 표면에 소자를 형성하는 소자형성공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 탄성표면파소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 연삭공정과 상기 경면연마공정 사이에 상기 웨이퍼 주변 테두리부를 경면연마하는 주변 테두리부 경면연마공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 탄성표면파소자의 제조방법.
- 단결정재료를 절단하여 웨이퍼를 형성하는 절단공정과,상기 웨이퍼의 양면을 소정의 두께까지 연마하는 연마공정,상기 웨이퍼 양면을 경면연마하는 경면연마공정,상기 웨이퍼 이면을 소정의 면거칠기로 연삭하는 연삭공정 및,상기 웨이퍼 표면에 소자를 형성하는 소자형성공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 탄성표면파소자의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 연마공정과 상기 경면연마공정 사이에 상기 웨이퍼 주변 테두리부를 경면연마하는 주변 테두리부 경면연마공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 탄성표면파소자의 제조방법.
- 단결정재료를 절단하여 웨이퍼를 형성하는 절단공정과,상기 웨이퍼의 양면을 소정의 두께까지 연마하는 연마공정,상기 웨이퍼 주변 테두리부를 경면연마하는 주변 테두리부 경면연마공정,상기 웨이퍼 표면을 경면연마하는 경면연마공정 및,상기 웨이퍼 표면에 소자를 형성하는 소자형성공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 탄성표면파소자의 제조방법.
- 단결정재료를 절단하여 웨이퍼를 형성하는 절단공정과,상기 웨이퍼의 양면을 소정의 두께까지 연마하는 연마공정,상기 웨이퍼 주변 테두리부를 경면연마하는 주변 테두리부 경면연마공정,상기 웨이퍼 표면을 연삭하는 연삭공정,상기 웨이퍼 표면을 경면연마하는 경면연마공정 및,상기 웨이퍼 표면에 소자를 형성하는 소자형성공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 탄성표면파소자의 제조방법.
- 제1항 내지 제6항중 어느 한항에 있어서, 상기 단결정재료는 탄탈산리튬인것을 특징으로 하는 탄성표면파소자의 제조방법.
- 제1항 내지 제6항중 어느 한항에 있어서, 상기 단결정재료는 니오브산리튬인 것을 특징으로 하는 탄성표면파소자의 제조방법.
- 제1항 내지 제6항중 어느 한항에 있어서, 상기 단결정재료는 수정인 것을 특징으로 하는 탄성표면파소자의 제조방법.
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