KR20010098846A - Ｔａｂ 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박, 이 동박을사용한 ｔａｂ 용 캐리어 테이프 및 ｔａｂ 용 테이프캐리어 - Google Patents

Ｔａｂ 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박, 이 동박을사용한 ｔａｂ 용 캐리어 테이프 및 ｔａｂ 용 테이프캐리어 Download PDF

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Abstract

본 발명은 동박의 적어도 광택면측에 니켈, 코발트 및 몰리브덴으로 이루어진 합금층을 갖는 TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박; 이 TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박을 매트면측의 표면을 점착면으로 하여 가요성 절연 필름에 점착하여 이루어진 TAB 용 캐리어 테이프; 및 이 TAB 용 캐리어 테이프의 동박을 에칭하여 동리트패턴을 형성한 TAB 용 테이프 캐리어에 관한 것이다.

Description

ＴＡＢ 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박, 이 동박을 사용한 ＴＡＢ 용 캐리어 테이프 및 ＴＡＢ 용 테이프 캐리어 {COPPER FOIL FOR TAB TAPE CARRIER AND TAB CARRIER TAPE AND TAB TAPE CARRIER USING THE COPPER FOIL}
본 발명은 TAB (Tape Automated Bonding) 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박(銅箔) 및 이 동박을 사용한 TAB 용 캐리어 테이프 및 TAB 용 테이프 캐리어에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 우수한 Sn 위스커 억제 효과와 커켄들 공극 (kirkendall void) 억제 효과를 갖는 TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박 및 이 동박을 사용한 TAB 용 캐리어 테이프 및 TAB 용 테이프 캐리어에 관한 것이다.
최근, 반도체 소자의 실장(實裝) 기술의 자동화 및 고속화를 도모하는 것을 목적으로 하여, 길이가 긴 가요성 절연 필름에 동(銅)리드패턴을 형성한 테이프 캐리어에, 무선 결합에 의해 IC 나 LSI 등의 반도체소자를 설치해 가는 TAB 방식이 널리 채택되고 있다.
종래, 우수한 내식성, 납땜성을 갖는 점에서 동 리드패턴에 Au 도금 피막의 대용으로서 Sn 도금 피막이 실시되어 있다. 그러나, Sn 도금 피막은 시간경과와 함께 그 표면에서 Sn 위스커라 불리는 수염과 같은 바늘형상 결정이 발생하는경우가 알려져 있으며, 이 Sn 위스커의 성장은 회로간의 단락원인이 된다. 그 방지를 위하여, Sn 도금후에 100 ∼ 150 ℃에서 1 ∼ 2 hr 의 가열처리가 필요하게 되었다. 그러나, 가열함으로써 Sn 도금 피막과 동박의 Cu 사이에서 급격한 상호 확산이 일어나서, Sn 원자보다 Cu 원자의 확산속도가 빠른 점에서, Sn 도금 피막과 접해 있는 동박측에 커켄들 공극라 불리는 구멍이 생긴다. 따라서, Sn 도금 피막의 밀착성이 저하되어 납땜시에 박리되는 원인이 된다.
특히, 최근에 있어서의 동(銅)리드패턴의 파인피치화에 따라 Sn 위스커 및 커켄들 공극의 억제는 우선 해결해야만 하는 중요한 과제로 되어 있다.
종래부터 Sn 위스커 발생 및 커켄들 공극 발생을 억제하는 여러 대책이 강구되어 있다. 예컨대, Sn 위스커 발생을 억제하는 수단으로서는, 주석 도금욕 중에 인듐이나 납, 비스무트 또는 안티몬의 저융점 금속염을 첨가하고, 그 석출피막중의 저융점 금속의 조성이 0.1 ∼ 3.0 중량% 로 되도록 농도를 조정한 주석 도금욕을 사용하는 것이 제안되어 있다. 또한, 바탕 땜납도금이나 바탕 니켈-동 이층 도금과 같이 주석 도금의 바탕으로서 주석 이외의 금속을 도금하는 방법이 제안되어 있다.
그리고, 커켄들 공극 발생을 억제하는 수단으로서는, 동박의 땜납과 접합되는 부분에 Zn 층 또는 Zn 을 10 중량% 이상 함유하는 동합금층을 형성함으로써, Cu 와 Sn 의 상호 확산을 억제하는 것이 제안되어 있다.
그러나, 이들 방법에 있어서는 ① Sn 도금 공정 전에 새로운 공정이 더해져서 비용상승 및 생산성의 저하가 문제로 되고, ② 동박 그 자체는 개선되지 않는등의 문제가 있었다.
본 발명의 목적은 동(銅)리드패턴 작성 후의 공정 증가나 변경을 필요로 하지 않고, 신뢰성이 높은 Sn 위스커 및 커켄들 공극의 억제 효과를 갖는 TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박 및 이 동박을 사용한 TAB 용 캐리어 테이프 및 TAB 용 테이프 캐리어를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 동리드의 형성에 필요한 내열성, 땜납 습성 등의 특성을 양호하게 유지할 수 있는 TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박을 제공하는 것이다
본 발명자는 상기한 목적을 달성하기 위하여 예의 연구를 거듭한 결과, TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박으로서 동박의 광택면 (S 면) 에 니켈, 코발트 및 몰리브덴으로 이루어진 합금층 (니켈-코발트-몰리브덴층) 을 갖는 동박을 사용하면, 동(銅)리드 형성후의 Sn 도금 피막에 있어서의 Sn 위스커의 발생 및 Cu 와 Sn 의 상호 확산에 의한 커켄들 공극의 발생이 크게 억제되는 점을 발견하고, 이 지견에 의거하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명은 동박의 광택면측 또는 동박의 광택면측 및 매트면측에 니켈, 코발트 및 몰리브덴으로 이루어진 합금층 (니켈-코발트-몰리브덴층) 을 갖는 TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명은 가요성 절연 필름에 상기한 동박을 매트면측의 표면을 점착면으로 하여 점착하여 이루어진 TAB 용 캐리어 테이프를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명은 상기 TAB 용 캐리어 테이프의 동박을 에칭하여 동(銅)리드패턴을 형성한 TAB 용 테이프 캐리어를 제공하는 것이다.
발명의 실시형태
본 발명의 TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박은 동박의 적어도 광택면 (S 면) 측에 니켈, 코발트 및 몰리브덴으로 이루어진 합금층 (니켈-코발트-몰리브덴층) 을 갖는 것을 특징으로 한다. 이 니켈-코발트-몰리브덴층을 갖는 동박의 그 니켈-코발트-몰리브덴층에 대하여 설명하면, 금속니켈, 코발트 및 몰리브덴을 주체로 하는 합금 박막으로서, 바탕의 동박 표면에 견고하게 밀착되어 있다. 이 니켈-코발트-몰리브덴층의 표층부 부근에는 니켈과 코발트 및 몰리브덴의 산화물, 수산화물이 혼재하고 있어도 된다. 이 니켈-코발트-몰리브덴층을 갖는 동박은, 동(銅)리드 패턴을 형성한 후에 Sn 도금을 실시할 때에 문제로 되는 Sn 위스커의 발생 및 커켄들 공극의 발생이 적고, 이것을 원인으로 한 단락사고나 땜납박리사고를 방지할 수 있고 또한 동(銅)리드의 형성이 필요한 에칭성, 내열성, 땜납 습성 등의 특성을 양호하게 유지할 수 있다.
이 니켈-코발트-몰리브덴층을 구성하는 니켈, 코발트 및 몰리브덴의 금속량으로서 환산한 피착량과 그 비율에 대하여 설명하면, 니켈, 코발트 및 몰리브덴의 각 피착량은 모두 30 ∼ 1,000 ㎍/d㎡ 의 범위에 있는 것이 바람직하다. 각각 30 ㎍/d㎡ 미만인 경우에는, 막두께가 얇은 경우도 있어서 Sn 위스커 및 커켄들 공극 억제 효과를 충분히 발휘할 수 없는 경우도 있고, 한편 1,000 ㎍/d㎡ 을 넘는경우에는, Sn 위스커 및 커켄들 공극 억제 효과는 충분히 발휘할 수 있으나, 각각의 비율에 따라 다르기도 하지만, 동(銅)리드패턴 형성시의 에칭성에 영향을 미치는 경우가 있다. 특히, 바람직한 각각의 피착량은 50 ∼ 500 ㎍/d㎡ 이다.
본 발명에 있어서, 동박으로서는 광택면 (S 면) 과 매트면 (M 면) 을 갖는 전해동박이 통상 사용된다. 동박의 두께에 대해서는 특별히 한정은 없고, TAB 용 테이프 캐리어에 통상 사용되는 두께의 동박이 사용되고, 바람직한 두께는 3 ∼ 70 ㎛ 이다. 더욱 바람직하게는 5 ∼ 18 ㎛ 이다.
또한, 동박의 S 면측의 표면 조도는 Ra 로서 0.1 ∼ 0.5 ㎛ 인 것이 바람직하고, M 면측의 표면 조도는 Ra 로서 0.2 ∼ 0.7 ㎛ 인 것이 바람직하다. 단, M 면은 S 면보다 거칠다. 본 발명에 있어서는 M 면측의 표면 조도가 통상의 동박보다 작은 동박을 사용하는 것이 바람직하고, 미세한 동(銅)리드 패턴의 형성이 가능해진다. 보다 바람직한 M 면측의 표면 조도는 Ra 로서 0.2 ∼ 0.4 ㎛ 이다. 또한, 본 발명에 있어서는 TAB 용 테이프캐리어의 핸들링성의 점에서 항장력이 큰 동박을 사용하는 것이 바람직하고, 항장력이 400 ∼ 700 N/㎟ 인 동박이 바람직하게 사용된다. 또한, 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름 등의 가요성 절연 필름에 접착하는 면 (M 면) 의 필름 적층후의 박리강도를 높이기 위하여, M 면을 조면화 처리하여 조면화 처리 층을 형성한 동박을 사용하는 것이 바람직하다. 조면화 처리는, 예컨대 구리이온 및 니켈이온을 함유하는 도금욕을 사용하여 음극전해처리에 의해 미세입자상 조면을 형성하여 실시할 수 있다.
동박상에 니켈-코발트-몰리브덴층을 형성하여 본 발명의 동박을 제조하는 수단으로서는, 공지의 전기도금법, 화학도금법, 진공증착법, 스패터링법 등을 사용할 수 있다. 이들 중에서는 전기도금법에 의해 음극전해처리에 의해 실시하는 것이 대량생산성, 경제성의 점에서 실용상 바람직하다. 전기도금법은 니켈이온, 코발트이온 및 몰리브덴산이온을 함유하는 도금욕을 사용하여 이 도금욕중에서 동박을 음극전해처리하고, 이 동박의 S 면에 니켈-코발트-몰리브덴층을 형성한다.
이어서, 니켈-코발트-몰리브덴층을 형성하는 음극전해처리에 사용되는 도금욕에 대하여 설명하면, 도금욕중에 함유되는 금속 이온은 니켈이온, 코발트이온 및 몰리브덴산이온이다. 니켈이온 공급원으로서 예시하면, NiSO4, NiCl2, NiCO3또는 이들의 수화물 등이 적합하다. 코발트이온 공급원으로서는 CoSO4, CoCl2, 또는 이들의 수화물 등이 적합하다. 몰리브덴산이온 공급원으로서는 Na2MoO4, (NH4)6MO7O24, K2MoO4또는 이들의 수화물 등이 적합하다.
니켈이온 공급원, 코발트이온 공급원 및 몰리브덴산이온 공급원의 적어도 각각 1 종을 물에 용해하여 도금욕이 만들어진다. 도금욕중의 금속 이온의 함유량을 설정할 때에는, 상기 도금금속 피착량과 전류밀도, 통전시간 등을 감안하여 결정되는데, 각 금속 이온 함유량은 통상 각각 0.1 ∼ 50 g/ℓ의 범위에서 선택할 수 있다. 바람직하게는 각각 5.0 ∼ 40 g/ℓ이다. 예컨대, 니켈이온 공급원에 NiSO4·6H2O, 코발트이온 공급원에 CoSO4·7H2O, 몰리브덴산이온 공급원에 Na2MoO4·2H2O 를 사용한 경우, 각각 2.0 ∼ 40 g/ℓ의 범위에서 사용하는 것이 특히바람직하다.
또한, 도금욕의 pH 는 산성에서 알칼리성의 광범위한 영역으로 조정하여 사용할 수도 있는데, 통상은 산성으로 사용하는 것이 바람직하다. 바람직하게는 4.0 ∼ 6.0 이다. 그리고, 이 도금욕중의 금속 이온의 침전을 방지하는 목적으로 술파민산 등의 착화제를 첨가하여도 된다. 또한, 이 도금욕에 통전성을 부여하는 목적으로 황산나트륨, 염화암모늄과 같은 염류를 첨가하여도 된다. 도금욕의 액온에 대해서는 통상 상온이면 된다.
이 도금욕에 동박을 침지하고, 동박의 S 면에 불용성 양극을 대향배치시켜 통전함으로써, 동박의 S 면상에 니켈-코발트-몰리브덴층을 형성한다. 전류밀도 및 통전시간에 대해서는, 상기 금속 이온량, 도금금속 피착량과 그 비율 등 다른 조건에 관계하기 때문에 일괄적으로 규정할 수 없으나, 통상 전류밀도 0.1 ∼ 10 A/d㎡ , 바람직하게는 0.2 ∼ 2.0 A/d㎡, 통전시간 1 ∼ 60 초, 바람직하게는 1 ∼ 30 초의 범위에서 적절하게 선택하는 것이 바람직하다.
또한, 필요에 따라 M 면에 동일한 음극전해처리를 실시함으로써, S 면 및 M 면의 양면에 니켈-코발트-몰리브덴층을 형성하여도 된다.
또한, 필요에 따라 상기한 바와 같이 하여, 니켈-코발트-몰리브덴층을 형성한 동박의 M 면측 또는 양면에 크로메이트 처리 층을 더욱 형성할 수 있으므로, 녹방지성이나 내화학약품성을 높일 수 있다. 또한, 니켈-코발트-몰리브덴층을 형성한 동박 혹은 크로메이트 처리 층을 더욱 형성한 동박의 M 면측 또는 양면에 실란 커플링제 처리 층을 최외층으로서 형성할 수 있으므로, 접착강도특성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 동박을 제조할 때에는, 예컨대 소정 두께와 폭을 갖는 코일 형상으로 감긴 동박을 필요에 따라 설치되는 탈지조, 산세조, 수세조, 조면화 처리조, 수세조에 이어서 니켈-코발트-몰리브덴층을 설치하는 도금조, 수세조, 필요에 따라 형성되는 크로메이트 처리 층, 필요에 따라 설치되는 실란 커플링제 처리조 및 건조장치 등을 연결한 구조로 이루어진 동박 처리 장치내를 정속 주행시켜서 연속적으로 감아 제조하는 것이 바람직하다.
이와 같이 하여 얻어지는 본 발명의 TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박을 가요성 절연 필름에 동박의 M 면을 점착면으로 하여 맞붙임으로써, 본 발명의 TAB 용 캐리어 테이프로 한다. 절연 필름 두께는, 통상 40 ∼ 125 ㎛ 가 바람직하다. 동박을 절연 필름에 점착하는 방법으로서는, 예컨대 접착제를 사용할 수 있고, 또한 접착제가 부착된 절연 필름을 사용하여 점착하여도 된다.
본 발명의 TAB 용 테이프 캐리어는 본 발명의 TAB 용 캐리어 테이프의 동박을 에칭하여 동(銅)리드 패턴을 형성함으로써 얻어진다. 예컨대, 본 발명의 TAB 용 캐리어 테이프에 소정 패턴형상의 포토레지스트층을 형성하고, 이 포토레지스트층을 마스크로 하여 에칭을 실시하여 동(銅)리드 패턴을 형성한다.
본 발명의 TAB 용 테이프 캐리어는 반도체장치를 TAB 방식에 의해 결합할 때에 동리드의 표면에 Sn 도금을 실시하여도, Sn 위스커 및 커켄들 공극의 발생을 억제할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예에 의해 더욱 구체적으로 설명하는데, 본발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
실시예 1 ∼ 4 및 비교예 1 ∼ 9
실시예 1
NiSO4·6H2O 30 g/ℓ와 CoSO4·7H2O 8 g/ℓ와 Na2MoO4·2H2O 3 g/ℓ와 시트르산삼나트륨2수화물 30 g/ℓ를 물에 용해하여 pH 5.0, 액온 30 ℃ 로 조정한 도금욕을 만든다. 이 도금욕을 사용하여 미리 M 면측을 조면화 처리한 두께 18 ㎛ 의 전해동박 (M 면 표면 조도 Ra = 0.55 ㎛, S 면 표면 조도 Ra = 0.2 ㎛, 항장력 = 580 N/㎟) 을 침지하고, 동박의 S 면측을 1.0 A/d㎡, 통전시간 3 초로 음극전해처리하여 니켈-코발트-몰리브덴층을 형성한다. 음극전해처리후, 바로 동박을 도금욕중에서 꺼내서 수세한 후, 온도 100 ℃ 로 유지한 건조기중에서 건조시킨다. 이 니켈-코발트-몰리브덴층의 도금금속 피착량을 ICP (유도결합 플라즈마발광) 분석장치로 정량한 결과, 니켈금속량은 100 ㎍/d㎡, 코발트금속량은 300 ㎍/d㎡, 몰리브덴금속량은 100 ㎍/d㎡ 이었다.
이어서, 하기의 특성 시험을 실시하기 위하여, 얻어진 니켈-코발트-몰리브덴층 부착 동박을, 접착제 부착 폴리이미드 기재 (두께 75 ㎛ 의 폴리이미드 필름, 접착제: 에폭시계 접착제) 에 조면화 처리한 면을 기재면에 접하여 붙이고, 접착제 경화를 위하여 160 ℃, 6 시간의 조건하에서 가열한 후, 세로 100 ㎜, 가로 70 ㎜ 의 시험편을 필요한 개수만큼 제작한다. 하기 특성시험의 결과를 일괄하여 표 1 및 표 1 에 나타낸다.
(1) Sn 위스커 시험
시험편으로 라인폭 30 ㎛, 라인 스페이스 30 ㎛, 길이 1 ㎜ 의 라인 250 개의 테스트회로를 에칭에 의해 제작하고, 10 % 황산으로 10 초간 산세한 후, 욕온 70 ℃ 의 무전해 Sn 도금욕에서 약 1 ㎛ 두께로 도금하고, 계속해서 탕온 80 ℃ 의 온수로 탕세하여 건조시킨다. 이 시험편을 온도 100 ℃ 로 유지한 건조기 안에서 2 시간 가열한 후, 상온에서 약 1 개월 방치하여 라인 250 개 모두를 금속현미경, 배율 500 배로 Sn 위스커의 발생상황을 관찰하고, ○: 5 ㎛ 이상의 Sn 위스커의 발생수가 5 개 미만, △: 5 ∼ 30 개, ×: 31 개 이상으로서 평가한다.
(2) 커켄들 공극 시험
시험편으로 라인폭 50 ㎛, 라인 스페이스 50 ㎛, 길이 1 ㎜ 의 라인 15 개의 테스트회로를 제작하고, 10 % 황산으로 10 초간 산세한 후, 욕온 70 ℃ 의 무전해 Sn 도금욕에서 약 1 ㎛ 두께의 Sn 도금을 실시하고, 계속해서 탕온 80 ℃ 의 온수로 탕세하여 건조시킨다. Sn 도금한 시험편을 온도 125 ℃ 로 유지한 건조기 안에서 2 시간 가열하여 꺼내고 상온으로 되돌린다. 이어서, 얻어진 시험편을 하나의 조건으로서는 온도 160 ℃ 로 유지한 건조기 안에서 2 시간 가열하고, 또 하나의 조건으로서는 온도 170 ℃ 로 유지한 건조기 안에서 2 시간 가열한다. 그 후, 시험편을 매입수지에 매입하고, 단면을 관찰할 수 있도록 연마하여 라인폭 50 ㎛ 의 라인 15 개의 Sn 층과 Cu 층의 경계를 전자현미경, 10000 배로 커켄들 공극의 발생상황을 관찰하고, ○: 발생이 보이지 않는 것, △: 라인의 일부분에 0.1 ㎛ 미만의 커켄들 공극 발생이 보이는 것, ×: 0.1 ㎛ 이상의 커켄들 공극 발생이 보이는 것으로서 평가한다.
(3) 내열성 시험
시험편의 적층직후의 동박면의 변색정도와, 200 ℃ 에서 1 시간, 240 ℃ 에서 10 분간 가열처리하였을 때의 동박면의 변색정도를 육안으로 비교관찰하고, ○: 변색없음, △: 약간 변색, ×: 현저하게 변색으로서 평가한다.
(4) 땜납 습성 시험
시험편을 전처리로서 화학연마에 의해 1 ㎛ 연마한 후, IPC-TM-650.2.4.12 에 준거하여 평가한다.
실시예 2 ∼ 4
실시예 1 과 동일한 동박을 사용하고, 표 1 에 나타낸 도금욕 조성과 전해 조건에 의해 니켈-코발트-몰리브덴층을 형성한 후, 실시예 1 과 동일한 수세, 건조를 실시한다. 얻어진 동박을 시험편으로 하고, 실시예 1 과 동일한 방법으로 금속 함유량 측정 및 특성시험을 실시하여 그 결과를 표 1 및 표 2 에 나타낸다.
비교예 1
실시예 1 과 동일한 동박을 사용하고, 표 1 에 나타낸 조성 농도의 도금욕 및 전해 조건을 사용한 것 외에는 실시예 1 과 동일하게 조작하여, 니켈층을 형성한 후, 실시예 1 과 동일한 수세, 건조를 실시한다. 얻어진 동박을 시험편으로 하여 실시예 1 과 동일한 방법으로 금속 함유량 측정 및 특성시험을 실시하고, 그 결과를 표 1 및 표 2 에 나타낸다.
비교예 2
실시예 1 과 동일한 동박을 사용하고, 표 1 에 나타낸 조성 농도의 도금욕및 전해 조건을 사용한 것 외에는 실시예 1 과 동일하게 조작하여, 코발트층을 형성한 후, 실시예 1 과 동일한 수세, 건조를 실시한다. 얻어진 동박을 시험편으로 하여 실시예 1 과 동일한 방법으로 금속 함유량 측정 및 특성시험을 실시하고, 그 결과를 표 1 및 표 2 에 나타낸다.
비교예 3
실시예 1 과 동일한 동박을 사용하고, 표 1 에 나타낸 조성 농도의 도금욕 및 전해 조건을 사용한 것 외에는 실시예 1 과 동일하게 조작하여, 니켈-코발트층을 형성한 후, 실시예 1 과 동일한 수세, 건조를 실시한다. 얻어진 동박을 시험편으로 하여 실시예 1 과 동일한 방법으로 금속 함유량 측정 및 특성시험을 실시하고, 그 결과를 표 1 및 표 2 에 나타낸다.
비교예 4
실시예 1 과 동일한 동박을 사용하고, 표 1 에 나타낸 조성 농도의 도금욕 및 전해 조건을 사용한 것 외에는 실시예 1 과 동일하게 조작하여, 코발트-몰리브덴층을 형성한 후, 실시예 1 과 동일한 수세, 건조를 실시한다. 얻어진 동박을 시험편으로 하여 실시예 1 과 동일한 방법으로 금속 함유량 측정 및 특성시험을 실시하고, 그 결과를 표 1 및 표 2 에 나타낸다.
비교예 5
실시예 1 과 동일한 동박을 사용하고, 표 1 에 나타낸 조성 농도의 도금욕 및 전해 조건을 사용한 것 외에는 실시예 1 과 동일하게 조작하여, 니켈-몰리브덴층을 형성한 후, 실시예 1 과 동일한 수세, 건조를 실시한다. 얻어진 동박을시험편으로 하여 실시예 1 과 동일한 방법으로 금속 함유량 측정 및 특성시험을 실시하고, 그 결과를 표 1 및 표 2 에 나타낸다.
비교예 6
실시예 1 과 동일한 동박을 사용하고, 표 1 에 나타낸 조성 농도의 도금욕 및 전해 조건을 사용한 것 외에는 실시예 1 과 동일하게 조작하여, 주석층을 형성한 후, 실시예 1 과 동일한 수세, 건조를 실시한다. 얻어진 동박을 시험편으로 하여 실시예 1 과 동일한 방법으로 금속 함유량 측정 및 특성시험을 실시하고, 그 결과를 표 1 및 표 2 에 나타낸다.
비교예 7
실시예 1 과 동일한 동박을 사용하고, 표 1 에 나타낸 조성 농도의 도금욕 및 전해 조건을 사용한 것 외에는 실시예 1 과 동일하게 조작하여, 주석-아연층을 형성한 후, 실시예 1 과 동일한 수세, 건조를 실시한다. 얻어진 동박을 시험편으로 하여 실시예 1 과 동일한 방법으로 금속 함유량 측정 및 특성시험을 실시하고, 그 결과를 표 1 및 표 2 에 나타낸다.
비교예 8
실시예 1 과 동일한 동박을 사용하고, 표 1 에 나타낸 조성 농도의 도금욕 및 전해 조건을 사용한 것 외에는 실시예 1 과 동일하게 조작하여, 인듐-아연층을 형성한 후, 실시예 1 과 동일한 수세, 건조를 실시한다. 얻어진 동박을 시험편으로 하여 실시예 1 과 동일한 방법으로 금속 함유량 측정 및 특성시험을 실시하고, 그 결과를 표 1 및 표 2 에 나타낸다.
비교예 9
실시예 1 과 동일한 동박을 사용하고, 표 1 에 나타낸 조성 농도의 도금욕 및 전해 조건을 사용한 것 외에는 실시예 1 과 동일하게 조작하여, 크롬-아연층을 형성한 후, 실시예 1 과 동일한 수세, 건조를 실시한다. 얻어진 동박을 시험편으로 하여 실시예 1 과 동일한 방법으로 금속 함유량 측정 및 특성시험을 실시하고, 그 결과를 표 1 및 표 2 에 나타낸다.
실시예 1 ∼ 4 는 본 발명의 니켈-코발트-몰리브덴층을 형성한 동박인데, 금속량을 바람직한 범위로 유지함으로써, Sn 위스커의 발생을 억제하고, 커켄들 공극의 발생을 억제할 수 있고, 또한 내열성, 땜납 습성에 대해서도 양호한 결과를 나타낸다. 한편, 비교예 1 은 니켈층을 형성한 동박인데, Sn 위스커의 발생은 억제되었으나, 커켄들 공극의 발생을 억제할 수는 없었다. 비교예 2 는 코발트층을 형성한 동박인데, Sn 위스커의 발생 및 커켄들 공극의 발생을 억제할 수 없었다. 비교예 3 은 니켈-코발트층을 형성한 동박인데, Sn 위스커의 발생 및 커켄들 공극의 발생을 억제하는 경향은 있으나, 완전히 억제하지는 못했다. 비교예 4 는 코발트-몰리브덴층을 형성한 동박인데, 커켄들 공극의 발생은 억제되었으나, Sn 위스커의 발생을 억제할 수는 없었다. 비교예 5 는 니켈-몰리브덴층을 형성한 동박인데, Sn 위스커의 발생은 억제되었으나, 커켄들 공극의 발생을 억제할 수는 없었다. 비교예 6 은 주석층을 형성한 동박인데, 커켄들 공극의 발생을 억제할 수는 없었다. 비교예 7 은 주석-아연층을 형성한 동박이고, 비교예 8 은 인듐-아연층을 형성한 동박인데, 모두 Sn 위스커의 발생 및 커켄들 공극의 발생을억제할 수는 없었다. 비교예 9 는 크롬-아연층을 형성한 동박인데, Sn 위스커의 발생을 억제할 수 없고, 커켄들 공극의 발생의 억제도 불충분하다.
따라서, 상기 본 발명의 니켈-코발트-몰리브덴층을 형성하는 동박은 각 특성시험의 결과에서 우수함이 판명되었다. 이 점은 니켈과 코발트 및 몰리브덴의 상승작용으로부터, 니켈 단독의 층, 코발드 단독의 층을 형성한 경우 및 니켈, 코발트, 몰리브덴 각각의 이성분계의 층을 형성한 경우와는 전혀 다른 성질이 발현되며, 특히 Sn 위스커 발생과 커켄들 공극 발생 쌍방의 억제 효과에 유익함을 가져올 수 있는 것으로 생각된다.
본 발명의 TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박 그리고 이 동박을 사용한 TAB 용 캐리어 테이프 및 TAB 용 테이프 캐리어는, 매우 우수한 Sn 위스커 및 커켄들 공극 발생 쌍방의 억제 효과를 가짐과 동시에, 본 발명의 TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박은 내열성, 땜납 습성 등 동리드 형성에 불가결한 특성도 양호하다. 그리고, Sn 위스커 및 커켄들 공극 발생 쌍방의 억제 효과를 동박에 부여하기 때문에, 나중의 동리드 제작공정의 변경, 증가를 필요로 하지 않기 때문에, 그 공업적 가치는 매우 크다.

Claims (19)

  1. 동박의 광택면측 또는 동박의 광택면측 및 매트면측에 니켈, 코발트 및 몰리브덴으로 이루어진 합금층을 갖는 TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박.
  2. 제 1 항에 있어서, 동박의 광택면측과 매트면측에 니켈, 코발트 및 몰리브덴으로 이루어진 합금층을 갖는 TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박.
  3. 제 1 항에 있어서, 적어도 일측의 상기 합금층 상에 크로메이트 처리 층을 갖는 TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박.
  4. 제 2 항에 있어서, 적어도 일측의 상기 합금층 상에 크로메이트 처리 층을 갖는 TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박.
  5. 제 1 항에 있어서, 매트면 상에 조면화 처리 층을 갖는 TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박.
  6. 제 4 항에 있어서, 매트면과 매트면 상의 상기 합금층의 사이에 조면화 처리 층을 갖는 TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박의 한쪽 면 또는 양면에 최외층으로서 실란 커플링제 처리 층을 갖는 TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박.
  8. 가요성 절연 필름에 제 1 항에 기재된 TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박을 매트면측의 표면을 점착면으로 하여 점착하여 이루어진 TAB 용 캐리어 테이프.
  9. 제 8 항에 있어서, TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박이 적어도 일측의 상기 합금층 상에 크로메이트 처리 층을 갖는 것인 TAB 용 캐리어 테이프.
  10. 제 8 항에 있어서, TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박이 동박의 광택면측과 매트면측에 니켈, 코발트 및 몰리브덴으로 이루어진 합금층을 갖고, 적어도 일측의 상기 합금층 상에 크로메이트 처리 층을 갖는 것인 TAB 용 캐리어 테이프.
  11. 제 8 항에 있어서, TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박이 매트면 상에 조면화 처리 층을 갖는 것인 TAB 용 캐리어 테이프.
  12. 제 10 항에 있어서, TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박이 동박의 매트면과 매트면 상의 상기 합금층의 사이에 조면화 처리 층을 갖는 것인 TAB 용 캐리어테이프.
  13. 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박이 한쪽 면 또는 양면에 최외층으로서 실란 커플링제 처리 층을 갖는 것인 TAB 용 캐리어 테이프.
  14. 제 8 항에 기재된 TAB 용 캐리어 테이프의 TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박을 에칭하여 동(銅)리드 패턴을 형성한 TAB 용 테이프 캐리어.
  15. 제 14 항에 있어서, TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박이 적어도 일측의 상기 합금층 상에 크로메이트 처리 층을 갖는 것인 TAB 용 테이프 캐리어.
  16. 제 14 항에 있어서, TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박이 동박의 광택면측과 매트면측에 니켈, 코발트 및 몰리브덴으로 이루어진 합금층을 갖고, 적어도 일측의 상기 합금층 상에 크로메이트 처리 층을 갖는 것인 TAB 용 테이프 캐리어.
  17. 제 14 항에 있어서, TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박이 매트면 상에 조면화 처리 층을 갖는 것인 TAB 용 테이프 캐리어.
  18. 제 16 항에 있어서, TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박이 동박의 매트면과 매트면 상의 상기 합금층의 사이에 조면화 처리 층을 갖는 것인 TAB 용 테이프 캐리어.
  19. 제 14 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서, TAB 용 테이프 캐리어에 사용하는 동박이 한쪽 면 또는 양면에 최외층으로서 실란 커플링제 처리 층을 갖는 것인 TAB 용 테이프 캐리어.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050249969A1 (en) * 2004-05-04 2005-11-10 Enthone Inc. Preserving solderability and inhibiting whisker growth in tin surfaces of electronic components
US20050249968A1 (en) * 2004-05-04 2005-11-10 Enthone Inc. Whisker inhibition in tin surfaces of electronic components
US7488408B2 (en) * 2004-07-20 2009-02-10 Panasonic Corporation Tin-plated film and method for producing the same
DE102004039056A1 (de) * 2004-08-11 2006-03-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung eines Substrats für Solarzellen, derartige Substrate sowie deren Verwendung
TW200704833A (en) * 2005-06-13 2007-02-01 Mitsui Mining & Smelting Co Surface treated copper foil, process for producing surface treated copper foil, and surface treated copper foil with very thin primer resin layer
TWI414638B (zh) * 2006-06-07 2013-11-11 Furukawa Electric Co Ltd A method for manufacturing a surface-treated electrolytic copper foil, and a circuit board
JP5479668B2 (ja) * 2006-12-26 2014-04-23 古河電気工業株式会社 表面処理銅箔
JP5481577B1 (ja) * 2012-09-11 2014-04-23 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 キャリア付き銅箔
KR102517953B1 (ko) * 2017-10-26 2023-04-03 주식회사 엘지화학 리드 탭 및 이를 구비하는 파우치형 배터리
US10967463B2 (en) * 2018-04-11 2021-04-06 The University Of Toledo Sn whisker growth mitigation using NiO sublayers

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2631061B2 (ja) * 1992-06-25 1997-07-16 日本電解株式会社 プリント回路用銅箔及びその製造方法
JPH06206279A (ja) * 1993-01-11 1994-07-26 Hitachi Chem Co Ltd 銅張り積層板の製造方法
US5622782A (en) * 1993-04-27 1997-04-22 Gould Inc. Foil with adhesion promoting layer derived from silane mixture
TW289900B (ko) * 1994-04-22 1996-11-01 Gould Electronics Inc
JPH08309918A (ja) 1995-05-22 1996-11-26 Nippon Denkai Kk 銅張積層板とそれを用いたプリント回路板およびこれらの製法
JP3982895B2 (ja) * 1997-04-09 2007-09-26 三井化学株式会社 金属ベース半導体回路基板
JPH1187401A (ja) * 1997-09-05 1999-03-30 Haruki Yokono 半導体装置

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