KR20010091882A - 고체촬상장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 목적은 본딩에 있어서의 공정수의 저감, 본딩품질의 향상 및 주변기기에의 집적을 용이하게 할 수 있는 고체촬상장치 및 그 제조방법을 제공하는 것에 있다. 본 발명의 고체촬상장치는, 돌기전극접속용 전극단자를 구비한 투명기판과, 돌기전극접속용 전극단자에 대응하는 각 제 1 돌기전극을 각 전기신호 입출력단자에 형성한 고체촬상소자가 페이스다운(face-down) 실장되어 접합된다. 돌기전극접속용 전극단자와 각 제 1 돌기전극은 초음파본딩에 의해 접속되어 있다. 투명기판의 각 전극단자에는 제 2 돌기전극이 각각 형성된다. 투명기판에는, 고체촬상소자의 크기의 프레임개구를 갖고 핀이 없는 형의 리드단자구조를 갖는 인쇄기판이, 각 제 2 돌기전극에 대하여 전기적으로 접속되고 열경화성수지에 의해서 고체촬상소자의 수광면을 용접 밀봉하여 접합되어 있다.

Description

고체촬상장치 및 그 제조방법{SOLID-STATE IMAGE PICKUP APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 고체촬상소자의 실장에 페이스다운 실장(페이스다운 본딩)을 채택한 고체촬상장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
종래, 고체촬상장치(100)는, 도13에 나타낸 바와 같이, 패키지(101)에 고체촬상소자(102)를 고정하고, 고체촬상소자(102)와 패키지(101)를 Au 와이어선(103···)에 의해서 배선하여, 유리 또는 광학필터등의 투명기판(104)으로 고체촬상소자(102)의 수광부를 밀봉한 구조를 갖는다. 이 구조는 일반적으로 "와이어 본딩구조"라고 칭해지고 있다.
그러나, 이 와이어 본딩구조의 고체촬상장치(100)에서는, 패키지(101)의 전극단자(105)와 고체촬상소자(102)의 전극단자(106)를 접속하는 Au 와이어선(103···)의 단락불량을 막기 위해서, 와이어루프에 높이 방향의 공간을 갖게 하거나, 패키지(101)의 인접하는 전극단자(105)들의 간격을 넓게 실장하여, 소형 및 박형화가 어렵게 되었다. 상기 구조의 고체촬상장치(100)로는 소형 및 박형화에 한계가 있기 때문에, 예컨대, 일본국 공개특허공보 제6-204442호(1994년 7월22일 공개)에개시된 고체촬상장치는 이하의 구조를 채용하고 있다. 즉, 도14에 나타낸 바와 같이, 고체촬상장치(110)는, 고체촬상소자(112)의 표면을 투명기판(111)의 표면에 대향시켜 실장하는 페이스다운 실장을 채용하여, 투명기판(111)에 직접 고체촬상소자(112)를 실장함으로써, 소형 및 박형을 실현하기 위해 노력하고 있다.
이와 같이, 상기 종래의 투명기판(111)에 고체촬상소자(112)를 직접 페이스다운 실장한 고체촬상장치(110)는, 소형 및 박형화에 있어서는 대단히 유리하다. 그러나, 투명기판(111)에 있어서의 전기신호의 외부입출력단자(113···)가 고체촬상소자(112)의 수광면측을 향하고 있기 때문에, 고체촬상장치(110)를 주변기기에 집적할 때, 고도의 조립기술이 필요하게 되는 문제점을 종래의 고체촬상장치(110)는 갖고 있다.
즉, 상기 고체촬상장치(110)는, 소형 및 박형화되어 있지만, 너무 작아서 작업성이 나쁘다. 따라서, 대규모의 장치를 사용하여, 이와 같이 작은 실장부품을 기재로 인식시켜 실장하고, 위치결정 등을 해야 한다. 그 결과, 실장을 위한 장치가 고도화 즉 복잡화, 고가격화하는 문제점을 갖고 있다. 구체적으로는, 상기의 상태에서는, 소자들을 장치로 조립하기 위해, 인력을 증가시키거나 조립을 자동기계화 할 필요가 있다.
그러나, 인력을 증가시키는 것은 어렵고, 자동기계화를 하기 위해서는 대규모의 위치인식장치 등이 필요하게 된다. 즉, 상기 어느 방식을 채용하더라도, 대폭적인 비용상승요인이 되어 문제가 된다.
또한, 일반적으로, 고체촬상소자는 통상의 반도체소자와는 달리 광신호, 즉화상을 취급한다. 또한, 고체촬상소자 표면에는 유기물로 이루어지는 칼라필터나 마이크로렌즈 등이 형성된다. 따라서, 고체촬상소자 표면은 먼지 등의 부착을 방지하기 위해서 용접 밀봉되는 것이 바람직하다. 또한, 본딩 및 실장조립의 제조공정에는 세심한 주의를 해야한다.
따라서, 이들 제조공정에서는, 먼지, 상처, 및 범프나 수지가 수광부에 없게 해야한다.
이 점에 관해서, 도14에 나타낸 종래의 고체촬상장치(110)는, 상기 전극(114···)의 본딩, 고체촬상소자(112)의 페이스다운 실장시에 있어서의 수지경화, 페이스다운 실장시에 있어서의 먼지처리에 관한 이하의 문제점을 갖고 있다.
우선, 돌기전극(114···)의 본딩에 관해서는, 도14에 나타낸 바와 같이, 고체촬상소자(112)의 페이스다운 실장시에, 도전성접착제(116)를 사용하여, 고체촬상소자(112)의 돌기전극(114···)을 투명기판(111)의 내부배선 금속층(115)에 접합한다. 이 경우, 도전성접착제(116)는 돌기전극(114···)에 점상태로 도포된다. 이 때문에, 돌기전극(114···)의 본딩에 관해서 공정이 복잡하게 되는 문제점을 갖고 있다.
또한, 고체촬상소자(112)의 페이스다운 실장시에 있어서의 수지경화에 관해서는, 밀봉수지(117)와는 다른 돌기프레임수지(118···)를 돌기전극(114···)의 안쪽에 경화시키지 않은 채로 남기고 있다. 이 돌기프레임수지(118···)는, 다음 공정에서 상기 밀봉수지(117)를 도포하여 밀봉할 때, 상기 밀봉수지(117)가 나오는 것을 방지하기 위한 스토퍼로서의 역할을 한다. 또한, 상기고체촬상장치(110)에서는, 도전성접착제(116) 및 돌기프레임수지(118···)는, 밀봉수지(117)를 경화시킬 때에 함께 가열경화 된다. 이 때문에, 페이스다운 실장시에 있어서의 제조공정이 복잡하고, 공정수가 증가하는 문제점을 갖고 있다.
다음에, 페이스다운 실장시에 있어서의 먼지의 문제에 관해서는, 고체촬상장치(110)에서는, 페이스다운 실장과 동시에 고체촬상소자(112)의 표면은 밀폐된다.
따라서, 수지도포 공정이 많기 때문에 먼지가 부착하는 확률도 높은 것에 부가하여, 먼지가 부착하더라도 간단히 제거할 수 없다. 또한, 각 수지가 경화되지 않고 있으면, 수지가 수광면 내측에 대해 밀려나오는 문제점을 갖고 있다.
본 발명의 목적은 본딩에 있어서의 공정수의 감소, 본딩품질의 향상 및 주변기기에의 집적을 용이하게 할 수 있는 고체촬상장치 및 그 제조방법을 제공하는 것에 있다.
상기의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 고체촬상장치는, 내부배선 금속층 및 외부에 전기신호를 출력하기 위한 전극단자군을 갖는 투명기판, 상기 투명기판의 상기 내부배선 금속층에 대응하는 각 제 1 돌기전극을 각 표면전극상에 형성한 고체촬상소자, 및 상기 고체촬상소자의 크기의 개구를 갖는 핀이 없는 형의 리드단자구조의 인쇄기판을 포함하는 고체촬상장치로서, 상기 투명기판은 상기 전극단자군의 각 전극단자에 각각 형성되는 제 2 돌기전극을 포함하고, 상기 투명기판과 상기 고체촬상소자가 페이스다운 실장에 의해 접합되고, 또한 상기 투명기판의 상기 내부배선 금속층과 상기 고체촬상소자의 상기 각 제 1 돌기전극은 초음파본딩에 의해 접속되며, 상기 투명기판과 상기 인쇄기판은, 상기 투명기판의 상기 각 제 2 돌기전극에서 전기적으로 접속되며, 열경화성수지에 의해서 상기 고체촬상소자의 수광면을 용접 밀봉하도록 접합되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 발명에 의하면, 내부배선 금속층과 외부에 전기신호를 출력하기위한 전극단자군을 구비한 투명기판과, 상기의 투명기판의 내부배선 금속층에 대응하는 각 제 1 돌기전극을 각 표면전극에 형성한 고체촬상소자가 페이스다운 실장되어 접합되어 있다. 이 때문에, 와이어본딩을 채택한 고체촬상장치의 사이즈보다는, 고체촬상소자의 외형치수에 가까운 소형 및 박형화된 고체촬상장치의 실현이 가능해진다. 또, 상기 내부배선 금속층은, 예컨대 절연성의 박막과 도전성의 박막을 적층하여 형성할 수 있다.
여기서, 본 발명에서는, 상기 투명기판의 내부배선 금속층과 고체촬상소자의 각 제 1 돌기전극과의 접속은 초음파본딩에 의해 행해지고 있다.
즉, 종래의 고체촬상소자와 투명기판과의 페이스다운 실장에서는, 고체촬상소자에 있어서의 제 1 돌기전극과 투명기판의 내부배선 금속층과의 전기적 접속에 있어서는, 도전성접착제를 각 제 1 돌기전극에 점을 찍어 행하고 있다. 이 때문에, 공정이 복잡하고 공정수가 증가하는 문제점을 갖고 있다.
그러나, 본 발명에서는, 투명기판의 내부배선 금속층과 고체촬상소자의 각 제 1 돌기전극과의 접속은 초음파본딩에 의해 행해지고 있다. 이 초음파본딩에서는, 내부배선 금속층과 제 1 돌기전극 사이의 접합부에 가압과 초음파의 인가를 하여, 양자를 고체상태로 용접하는 방법이고, 접합이 간단하고 또한 확실하다.
또한, 본 발명에서는, 투명기판에 있어서의 전극단자군의 각 전극단자에는 제 2 돌기전극이 각각 형성되는 한편, 상기 투명기판에는 고체촬상소자의 크기의 개구를 갖고 핀이 없는 형의 리드단자구조를 갖는 인쇄기판이, 투명기판의 각 제 2 돌기전극에 대하여 전기적으로 접합되고, 열경화성수지에 의해서 고체촬상소자의 수광면을 용접 밀봉함으로써 접합되어 있다.
즉, 종래에는, 고체촬상소자와 투명기판을 페이스다운 실장에 의해 단순히 접합하였을 뿐이기 때문에, 투명기판의 전극단자군이 고체촬상소자측을 향하고 있고, 또한 그 부분은 작은 영역이기 때문에, 그 전극단자군으로부터 외부로부터의 전기신호를 출력하는 접속이 어렵다는 문제점을 갖고 있었다.
그러나, 본 발명에서는, 투명기판의 전극단자군은, 이 전극단자군에 형성된 각 제 2 돌기전극을 통해 핀이 없는 형의 리드단자구조를 갖는 인쇄기판에 접속되어 있다.
따라서, 외부에의 신호의 출력은, 이 인쇄기판에 형성된 핀이 없는 형의 리드단자를 통해 할 수 있고, 그 결과, 고체촬상소자와 떨어진 곳에서 할 수 있다.
따라서, 투명기판으로부터의 출력, 즉 고체촬상소자로부터의 출력을 용이하게 얻을 수 있기 때문에, 외부주변기기에 본 고체촬상장치를 집적할 때, 특별한 조립기술을 필요로 하지 않고, 또한 취급이 용이한 고체촬상장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 인쇄기판과 투명기판과의 접합은 열경화성수지에 의해서 행해지고, 또한 그 경우, 인쇄기판과 투명기판의 각 제 2 돌기전극 사이의 전기적 접합이 확보되어 있다.
또한, 인쇄기판과 투명기판은 열경화성수지에 의해서 고체촬상소자의 수광면을 용접 밀봉하는 것에 의해 접합되어 있다.
이 결과, 열경화성수지의 한번의 도포로써 용접 밀봉을 할 수 있기 때문에, 공정수를 감소시킬 수 있다. 또한, 그 결과, 페이스다운 실장공정을 단시간에 할 수 있기 때문에, 고체촬상소자와 투명기판 사이에 먼지가 들어가거나, 그 먼지에 의해서 고체촬상소자의 수광부가 손상되기도 하는 가능성을 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 열경화성수지에 있어서의 고체촬상소자의 수광부에의 침출을 방지하기 위해 미경화의 열경화성수지를 미리 도포하고 있지 않기 때문에, 미경화의 열경화성수지가 수광부에 침출하는 것을 막을 수 있다.
이 결과, 본딩에 있어서의 공정수의 저감, 본딩품질의 향상 및 주변기기에의 집적을 용이하게 할 수 있는 고체촬상장치를 제공할 수 있다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 이러한 고체촬상장치의 제조방법은, (i) 투명기판의 내부배선 금속층면과 고체촬상소자의 표면전극면을 대향시켜 페이스다운 실장을 하여, 상기 표면전극면상의 각 제 1 돌기전극과 상기 투명기판의 상기 내부배선 금속층을 초음파본딩에 의해 접속하는 공정; (ii) 상기 투명기판상의 전극단자군에 형성되는 각 제 2 돌기전극 및 상기 고체촬상소자의 주위에 열경화성수지를 도포하는 공정; (iii) 상기 고체촬상소자의 크기의 개구를 갖고, 또한 핀이 없는 형의 리드단자구조를 갖는 인쇄기판을 상기 투명기판에 압착고정시키고, 상기 투명기판의 각 제 2 돌기전극과 상기 인쇄기판의 핀이 없는 형의 리드단자를 접속하고, 동시에, 상기 고체촬상소자의 표면부를 열경화성수지로 밀봉하는공정, 및 (iv) 상기 열경화성수지를 가열하여 경화시키는 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 방법에 의하면, 상기 투명기판의 내부배선 금속층면과 상기 고체촬상소자의 표면전극면을 대향시켜 페이스다운 실장을 한다. 페이스다운 실장에 있어서는, 고체촬상소자의 각 제 1 돌기전극과 투명기판의 내부배선 금속층을 초음파본딩에 의해 접속한다.
이어서, 상기 투명기판의 각 제 2 돌기전극 및 고체촬상소자의 주위에 열경화성수지를 도포하고, 이어서, 상기 고체촬상소자의 크기의 개구를 갖고 핀이 없는 형의 리드단자구조를 갖는 인쇄기판을 투명기판에 압착고정시켜 투명기판의 각 제 2 돌기전극과 상기 인쇄기판의 핀이 없는 형의 리드단자를 접속하고, 이 때 동시에, 고체촬상소자의 표면부를 열경화성수지로 밀봉하여, 가열에 의해서 상기 열경화성수지를 경화시킨다.
이 결과, 고체촬상장치를 단시간에 제조할 수 있음과 동시에, 작업내용도 간단하다. 또한, 완성한 고체촬상장치는, 본딩품질이 높고, 주변기기에의 집적도 핀이 없는 형의 리드단자구조를 갖는 인쇄기판을 통해 용이하게 할 수 있다.
따라서, 본딩에 있어서의 공정수의 저감, 본딩품질의 향상 및 주변기기에의 집적을 용이하게 할 수 있는 고체촬상장치의 제조방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 다른 목적, 특징, 및 우수한 점은 이하에 나타낸 기재에 의해 충분히 이해될 것이다. 또한, 본 발명의 이익은 첨부도면을 참조한 다음 설명으로 명백하게 될 것이다.
도1a는 본 발명에 있어서의 고체촬상장치의 실시예 1을 나타낸 사시도이다.
도1b는 상기 고체촬상장치의 단면도이다.
도2는 상기 고체촬상장치의 고체촬상소자에 제 1 돌기전극을 형성하는 공정을 나타낸 단면도이다.
도3은 상기 고체촬상장치의 투명기판에 제 2 돌기전극을 형성하는 공정을 나타낸 단면도이다.
도4는 상기 고체촬상장치의 고체촬상소자를 투명기판에 페이스다운 실장하는 공정을 나타낸 단면도이다.
도5는 상기 고체촬상장치의 투명기판에 페이스다운 실장된 상기 고체촬상소자의 측면에 열경화성수지를 도포하는 공정을 나타낸 단면도이다.
도6은 상기 고체촬상소자가 페이스다운 실장된 투명기판을 인쇄기판에 접합하는 상태를 나타낸 단면도이다.
도7a는 상기 고체촬상장치의 제조에 사용되는 이방성도전재로 이루어지는 열경화성수지를 상기 투명기판의 제 2 돌기전극과 인쇄기판의 핀이 없는 형의 리드단자와의 사이에 도포한 상태를 나타낸 단면도이다.
도7b는 상기 투명기판의 제 2 돌기전극과 인쇄기판의 핀이 없는 형의 리드단자를, 상기 열경화성수지에 포함되는 도전입자를 통해 접합한 상태를 나타낸 단면도이다.
도8a는 상기 고체촬상장치의 제조에 사용되는 격자프레임의 인쇄기판을 나타낸 평면도이다.
도8b는 상기 인쇄기판을 확대하여 나타낸 평면도이다.
도9는 상기 고체촬상소자와 투명기판을 페이스다운 실장한 것을 인쇄기판에 접합한 상태를 나타낸 단면도이다.
도10a는 상기 인쇄기판의 각 핀이 없는 형의 리드단자에 접속되는 복수의 외부장치접속단자를 배치한 상태의 사시도이다.
도10b는 한 개의 상기 외부장치접속단자를 나타낸 사시도이다.
도11a는 상기 인쇄기판의 각 핀이 없는 형의 리드단자에 접속되는 외부장치접속단자를 상기 고체촬상소자와 투명기판을 페이스다운 실장하여 장착한 인쇄기판에 접속하기 직전의 상태를 나타낸 사시도이다.
도11b는 상기 인쇄기판의 일부를 확대하여 나타낸 주요부 사시도이다.
도12a는 상기 인쇄기판의 각 핀이 없는 형의 리드단자에 접속되는 외부장치접속단자를 상기 고체촬상소자와 투명기판을 페이스다운 실장하여 장착한 인쇄기판에 접속한 상태를 나타낸 사시도이다.
도12b는 상기 외부장치접속단자와 상기 인쇄기판과의 접속상태를 상세히 나타낸 주요부 사시도이다.
도12c는 상기 외부장치접속단자와 상기 인쇄기판과의 접속상태를 상세히 나타낸 단면도이다.
도13은 종래의 고체촬상장치를 나타낸 단면도이다.
도14는 종래의 다른 고체촬상장치를 나타낸 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 관해서 도면을 참조하여 설명하면 이하와 같다. 또, 본 실시예에 있어서 적용되는 고체촬상소자는, 예컨대, CCD(Charge Coupled Device)등과 같이, 광학적인 화상정보를 검출하여 상기 정보를 전기신호로 변환하여 넣은 장치, 즉 인간의 눈에 대응하는 고체화상센서이다. 이 고체촬상소자는, 촬상관에 없다는 특징 때문에, 다방면에 걸친 분야에서 사용되고 있다.
본 실시예의 고체촬상장치는, 도1a 및 도1b에 나타낸 바와 같이, 투명기판(10)과 고체촬상소자(20)가 페이스다운 실장(페이스다운 본딩)되어 있다. 투명기판(10)은, 예컨대 유리로 이루어져, 도시하지 않은 절연성의 박막과 도전성의 박막을 적층하여 형성된 내부배선 금속층으로서의 돌기전극접속용 전극단자(11···), 및 외부에 전기신호를 출력하도록 외측에 형성된 전극단자군(12)을 포함하고 있다. 고체촬상소자(20)는, 투명기판(10)의 돌기전극접속용 전극단자(11···)에 대응하는 각 제 1 돌기전극(21···)을 각 표면전극으로서의 전기신호 입출력단자(22···)에 형성함으로써 구성되어 있다.
또, "페이스다운 실장"은, 일반적으로 고체촬상소자(20)등의 집적회로용반도체칩에 미리 제공된 표면전극 또는 배선리드, 및 절연용기판상에 형성된 배선용 전극을 표면끼리 서로 대향시켜 밀착시킴으로써, 전기적으로 접속하는 것을 말한다.
상기의 투명기판(10)의 돌기전극접속용 전극단자(11···)와 고체촬상소자(20)의 각 제 1 돌기전극(21···)은, 본 실시예에서는, 초음파본딩에 의해 접속되어 있다.
이 초음파본딩은, 일반적으로, 접합부에 대한 가압과 초음파의 인가에 의해, 전극패드와 범프등을 고체 상태로 용접하는 방법이다. 구체적으로는, 접합부에 일정한 양의 압력을 가하는 동시에 초음파를 인가하면, 고온하에서 가압하는 경우와 같이, 범프 등에 소성유동이 생긴다. 이 소성유동은 거시적인 범프등의 변형과 동시에 초음파진동에 의한 파동적 유동을 따른다. 이 때문에, 양 금속계면의 산화막이 파괴되어, 새로운 방면의 접촉에 의한 접합이 생긴다. 또한, 초음파본딩에서는, 가압의 중심부가 아니라 가압 중심의 주변의 도넛 형태로 용접이 행해진다. 이 초음파본딩에 의해, 전기적 및 기계적 접속이 보다 확실하게 된다.
한편, 투명기판(10)에 있어서의 전극단자군(12)의 각 전극단자(13···)에는 제 2 돌기전극(14···)이 각각 형성된다. 또한, 투명기판(10)에는, 고체촬상소자(20)의 크기(정확하게는 조금 더 큰)의 프레임개구(31)를 갖는 인쇄기판(30)이, 투명기판(10)의 각 제 2 돌기전극(14···)에 전기적으로 접속하고 열경화성수지(40)에 의해서 고체촬상소자(20)의 수광부를 밀봉함으로써, 접합되어 있다.
상기 인쇄기판(30)은, 핀이 없는 형의 리드단자구조(LCC 구조: Leadless Chip Carrier 구조)를 갖고 있다. 도1b에 나타낸 바와 같이, 인쇄기판(30)에 있어서의 단면직사각형의 격자프레임(32)에는, 상기 격자프레임(32)의 프레임개구(31)를 형성하는 측면을 제외하고, 모든 면을 거의 덮도록 핀이 없는 형의 리드단자(33···)가 형성되어 있다. 이에 의해, 리드단자(33···)는, 핀의 형태를 가짐으로써 인쇄기판(30)으로부터 연장되지 않은 것으로 구성된다. 또, 상기 격자프레임(32)의 격자의 의미는 후에 설명한다.
또한, 핀이 없는 형의 리드단자(33···)는, 상기의 구성에 한정되지 않고, 제 2 돌기전극(14)으로부터 격자프레임(32)의 외측까지 격자프레임(32)의 측면을 덮도록 연장되어, 제 2 돌기전극(14)과 외부장치를 전기적으로 접속하는 구성일 수 있다. 또한, 인쇄기판(30)과 고체촬상소자(20) 사이에는 소자용필렛(43)이 형성됨과 동시에, 인쇄기판(30)과 투명기판(10) 사이에는 기판용필렛(44)이 형성되어 있다. 여기서, 필렛(Fillet)이란, 일반적으로, 부착될 두 재료가 접합되는 장소에 형성되는 우(nook) 또는 각(corner)을 채우는 접착부분을 말한다. 본 실시예에서는, 도1b에 나타낸 바와 같이, 소자용필렛(43)이 고체촬상소자(20)의 측면을 덮고, 기판용필렛(44)이 인쇄기판(30)의 측면을 조금 덮고 있다.
상기의 고체촬상소자(20)에서, 피사체 등을 촬영한 경우의 입사광은, 투명기판(10)을 통과하고, 도시하지 않은 고체촬상소자(20)의 수광영역에 입사한다. 이 수광영역에는, 예컨대, 20만∼40만개의 포토다이오드라고 불리는 수광부가 형성되어 있다. 또, 상기 수광부 자체가 미세한 사실로부터, 수광감도가 저하할 위험이 있다. 따라서, 최근에는, 수광감도를 높이기 위해서 수광부상에 수지에 의한 마이크로렌즈를 형성하는 것이 많다.
따라서, 수광영역에 입사한 입사광은, 고체촬상소자(20)의 표면에 제공된 도시하지 않은 마이크로렌즈에서 집광되고 나서 수광부에 입사한 후, 전기신호로 변환되고, 전극단자군(12)에 의해 출력되어 화상데이터로서 처리된다.
또한, 고체촬상소자(20)와 투명기판(10) 사이의 공간은 수지로 밀봉되지 않는다. 따라서, 수광시, 고체촬상소자(20)의 수광영역상에 형성된 마이크로렌즈는그 기능을 잃지 않고 입사광을 수광부에 집광시킬 수 있다.
다음에, 상기 구성을 갖는 고체촬상장치의 제조방법 및 외부기기로의 접속방법에 관해 설명한다.
우선, 도2에 나타낸 바와 같이, 고체촬상소자(20)의 전기신호 입출력단자(22···)에 대하여 범프로서 제 1 돌기전극(21···)을 형성한다. 이 제 1 돌기전극(21···)의 형성은, 예컨대, 볼(ball)범프법을 쓰는 것에 의해 한다. 구체적으로, 와이어본딩용의 캐필러리(51)를 사용하여, Au 와이어의 첨단을 방전하여 전기신호 입출력단자(22···)상에 열압착되는 볼(52)을 형성한다. 계속해서, Au 와이어를 고정한 채로 캐필러리(51)를 상부로 끌어당겨 Au 와이어를 볼(52)의 상단부에서 절단하여 형성한다.
또, 웨이퍼제조 프로세스의 도금공정을 통해서, 전기도금법에 의해 미리 제 1 돌기전극(21···)이 형성된 고체촬상소자(20)를 사용하는 경우에는, 본 공정은 필요하지 않다.
다음에, 도3에 나타낸 바와 같이, 고체촬상소자(20)를 페이스다운 실장하는 대상인 투명기판(10)에 제공된 외부에의 전기신호입력단자인 각 전극단자(13···)에 대하여, 동일한 방식으로, 제 2 돌기전극(14···)을 형성한다. 또, 본 제조공정은 미리 제 2 돌기전극(14···)이 준비된 투명기판(10)을 사용하는 경우에는 필요하지 않다.
다음에, 도4에 나타낸 바와 같이, 이전 공정으로 고체촬상소자(20)에 형성된 제 1 돌기전극(21···) 및 투명기판(10)에 형성되어 있는 돌기전극접속용 전극단자(11···)를 초음파본딩에 의해 페이스다운 실장한다.
상기 고체촬상소자(20)를 투명기판(10)에 초음파본딩할 때에는, 고체촬상소자(20)와 투명기판(10) 사이의 공간을 확보해야 한다. 본 실시예에 있어서는, 이 공간의 제어에 관해서, 제 1 돌기전극(21···)이 투명기판(10)의 돌기전극접속용 전극단자(11···)에 접촉하고 나서, 몇 미크론을 이동, 즉 침출하는지 제어하는 것으로 되어 있다.
다음에, 도5에 나타낸 바와 같이, 고체촬상소자(20)가 페이스다운 실장된 투명기판(10)의 제 2 돌기전극(14···)의 위치에 이방성 도전재료(ACP: Anisotropic Conductive Paste)등의 열경화성수지(40)를 도포한다. 도포방법에 관해서는, 스탬프방식이나 인쇄방식을 사용할 수 있다. 또한, 주사와 같이 주입하는 투여방법을 사용할 수도 있다.
마지막 공정으로, 도6에 나타낸 바와 같이, 인쇄기판(30)에 있어서 고체촬상소자(20)의 형태로 자른 프레임개구(31)에, 도1a 및 도1b에 나타낸 바와 같이, 고체촬상소자(20)를 삽입한다. 다음에, 열경화성수지(40)가 도포된 투명기판(10)을 인쇄기판(30)에 압착하는 것에 의해, 투명기판(10)의 제 2 돌기전극(14···)과 인쇄기판(30)에 형성된 리드단자(33···)를 전기적으로 접속한다. 또한, 동시에, 고체촬상소자(20)와 인쇄기판(30) 사이의 틈을 채우도록 고체촬상소자(20)의 주변에는, 열경화성수지(40)를 사용하여 소자용필렛(43)을 형성한다. 이와 같이, 인쇄기판(30)과 투명기판(10) 사이의 틈을 채우도록 투명기판(10)의 주변에는, 열경화성수지(40)를 사용하여 기판용필렛(44)을 형성한다. 이들 소자용필렛(43) 및 기판용필렛(44)에 의해서, 고체촬상소자(20)와 인쇄기판(30) 사이의 접착강도 및 투명기판(10)과 인쇄기판(30) 사이의 접착강도가 향상한다. 이에 따라, 고체촬상소자(20)와 투명기판(10) 사이의 접착강도가 증가한다.
또한, 인쇄기판(30)에 대해 투명기판(10)을 압착함으로써, 이 열경화성수지(40)를 사용하여 투명기판(10)과 인쇄기판(30)과의 고정 및 고체촬상소자(20)의 용접 밀봉을 동시에 행한다.
여기서, 본 실시예에서는, 제 2 돌기전극(14···)과 리드단자(33···)와의 전기적 접속은, 이방성도전재로 이루어지는 열경화성수지(40)를 통해 행해진다. 이 이방성도전재로 이루어지는 열경화성수지(40)는, 예컨대 Ag재 등의 금속만으로 이루어지고 있는 도전재와는 달리, 도7a에 나타낸 바와 같이, 수지(41)중에 도전입자(42···)를 혼재시킨 것으로 이루어지고 있다. 따라서, 상기 인쇄기판(30)에 투명기판(10)을 압착함으로써, 투명기판(10)측의 제 2 돌기전극(14···)과 인쇄기판(30)측의 리드단자(33···)는 서로 근접하게 이동하여, 이들 도전성입자(42···)를 개재한 상태로 접합된다. 즉, 투명기판(10)측의 제 2 돌기전극(14···)과 인쇄기판(30)측의 리드단자(33···)는 도전성입자(42···)를 통해 전기적으로 접속된다.
이 결과, 이방성도전재로 이루어지는 열경화성수지(40)를 사용한 경우에는, 투명기판(10)과 인쇄기판(30)을 압착할 때의 접합방향에 따라 전기적 접속이 이루어질 수 있다. 한편, 접합방향과 수직인 투명기판(10)과 인쇄기판(30)의 표면은 절연된다. 따라서, 인접한 제 2 돌기전극(14···)간이나 각 리드단자(33···)간의 전기적 단락결함은 발생하지 않는다.
그 후, 열경화성수지(40)에 경화온도의 열을 가하여, 수지성분(41)을 경화시키는 것에 의해, 고체촬상소자(20)의 수광표면을 밀봉하면서, 고체촬상소자(20), 투명기판(10) 및 인쇄기판(30) 사이의 접합강도를 향상시킨다.
반면, 본 실시예의 고체촬상장치의 제조방법에서는, 상기한 바와 같이, 고체촬상소자(20)를 페이스다운 실장한 투명기판(10)을 인쇄기판(30)에 장착한다. 이 인쇄기판(30)은, 도8a에 나타낸 바와 같이, 격자프레임(32)으로 이루어진다. 또한, 격자프레임(32)의 각 격자의 사이가 프레임개구(31)로 되어있다.
또한, 이 격자프레임(32)에는, 도8b에 나타낸 바와 같이, 이 격자에 따라, 복수의 상기 핀이 없는 형의 리드단자(33···)가 매트릭스 형태로 배치되어 있다. 또한, 상기 각 리드단자(33···)에는, 중앙위치에 스루홀(34···)이 각각 제공되고 있다.
즉, 본 실시예의 고체촬상장치의 제조방법에서는, 도9에 나타낸 바와 같이, 이 격자프레임(32)으로 이루어지는 인쇄기판(30)에 대하여, 복수개의 고체촬상소자(20···)를 장착할 수 있다.
따라서, 본 실시예의 고체촬상장치의 제조방법에 있어서는, 이 격자프레임(32)의 각 프레임개구(31···)에, 페이스다운 실장된 각 고체촬상소자(20···)를 삽입하여 이 인쇄기판(30)과 투명기판(10)을 접합한 후, 다이싱(dicing)에 의해, 격자프레임(32)으로 이루어지는 인쇄기판(30)을 각 스루홀(34···)의 위치에 각 고체촬상소자(20···)마다 나누도록 구성되고 있다.
또, 다이싱은, 일반적으로, 다이아몬드 연마용 그레인을 매립한 그라인더를 고속으로 회전시키면서, 웨이퍼를 절삭하여, 상기 웨이퍼를 반도체소자(칩)로 분할하는 것을 말한다.
이와 같이 제조된 고체촬상장치의 리드단자(33···)에 외부장치를 접속할 때에는, 도10a 및 도10b에 나타낸 바와 같이, 각 외부장치접속단자(61···)의 첨단에 납땜재(62)를 도포한 외부장치 접속단자군(60) 사각 형상으로 배치한다.
이어서, 도11a, 도11b에 나타낸 바와 같이, 상기 외부장치접속단자군(60)의 상측에 고체촬상소자(20)를 실장한 인쇄기판(30)을 배치한다. 그리고, 도12a, 도12b, 도12c에 나타낸 바와 같이, 각 외부장치접속단자(61···)를 인쇄기판(30)에 있어서의 스루홀(34···)을 절단하여 반원통 모양이 된 각 리드단자(33···)의 측면벽에, 납땜재(62)를 납땜 인두 등으로 가열하여 증착한다. 이에 의해, 각 리드단자(33···)와 각 외부장치접속단자(61···)가 각각 접속된다.
또, 이밖에 외부장치 접속단자(61···)의 접속에 있어서는, 고체촬상소자(20)의 수광면에 빛이 들어가지 않도록 마스크를 하여, 근적외선으로 가열하는 것도 가능하다.
이 결과, 본 실시예의 고체촬상장치에는, 납땜 접속공법을 그대로 적용할 수 있다. 따라서, 고정밀도의 화상인식기구를 갖는 실장장치 등을 필요로 하지 않고서, 용이하게 외부장치에 접속할 수 있다.
이 결과, 본 실시예의 고체촬상장치는, 각종 기기나 장치에의 부품으로서 적용범위가 넓고, 조립을 하는 작업면에서도 유리하고, 간편한 조립장치로써 사용할 수 있다.
여기서, 본 실시예에서는, 투명기판(10)으로서 유리를 사용하고 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되지 않고, 예컨대 광학필터를 사용하는 것도 가능하다.
즉, 고체촬상소자(20)는, 예컨대, 카메라에 실장하였을 때에는, 영상광이 입사될 때에 렌즈 등의 광학계를 지나서 입력된다. 이 때, 광의 상태에 따라, 카메라의 광학입력계에 유리 재료로 이루어지는 광학필터를 사용하면, 카메라의 사용이 용이해진다. 또, 앞으로, 광학필터는 유리 재료뿐만 아니라 아크릴수지 등의 플라스틱 재료도 사용할 수 있다.
이와 같이, 본 실시예의 고체촬상장치로는, 절연성의 박막과 도전성의 박막을 적층하여 형성된 돌기전극접속용 전극단자(11···) 및 외부에 전기신호를 출력하도록 외측에 형성된 전극단자군(12)을 구비한 투명기판(10)과, 이 투명기판(10)의 돌기전극접속용 전극단자(11···)에 대응하는 각 제 1 돌기전극(21···)을 각 전기신호 입출력단자(22···)에 형성한 고체촬상소자(20)가 페이스다운 실장에 의해 본딩되어 있다.
이 때문에, 와이어본딩을 채택한 고체촬상장치와 비교하여, 고체촬상소자(20)의 외형치수에 가까운 소형 및 박형화된 고체촬상장치의 실현이 가능해진다.
여기서, 본 실시예에서는, 투명기판(10)의 돌기전극접속용 전극단자(11···)와 고체촬상소자(20)의 각 제 1 돌기전극(21···)과의 접속은, 초음파본딩에의해 행해지고 있다.
즉, 종래의 고체촬상소자(20)와 투명기판(10)과의 페이스다운 실장의 경우에는, 도전성접착제를 각 제 1 돌기전극(21···)에 점을 찍어, 고체촬상소자(20)의 제 1 돌기전극(21···)과 투명기판(10)의 돌기전극접속용 전극단자(11···)를 전기적으로 접속하고 있었다. 이 때문에, 공정이 복잡하고 공정수가 증가하는 문제점을 갖고 있었다.
그러나, 본 실시예에서는, 투명기판(10)의 돌기전극접속용 전극단자(11···)와 고체촬상소자(20)의 각 제 1 돌기전극(21···)과의 접속은, 초음파본딩에 의해 행해지고 있다. 이 초음파본딩에서는, 돌기전극접속용 전극단자(11···)와 제 1 돌기전극(21···)과의 접합부를 가압하여, 초음파를 인가하는 것에 의해 양자를 고체상태로 용접하는 방법이고, 접합이 간단하고 또한 확실하다.
이 결과, 본딩에 있어서의 공정수의 저감 및 본딩품질의 향상을 할 수 있는 고체촬상장치를 제공할 수 있다.
한편, 종래에는, 고체촬상소자(20)와 투명기판(10)을 단순히 페이스다운 실장하여 접합한 것이기 때문에, 투명기판(10)의 전극단자군(12)이 고체촬상소자(20)측을 향하고 있다. 또한, 전극단자군(12)의 형성부분은 작은 영역이기 때문에, 그 전극단자군(12)으로부터 외부에 전기신호를 출력하기 위한 접속이 어렵다는 문제점을 갖고 있다.
그러나, 본 실시예에서는, 투명기판(10)의 전극단자군(12)은, 이 전극단자군(12)의 각 전극단자(13···)에 형성된 각 제 2 돌기전극(14···)을통해, 핀이 없는 형의 리드단자구조를 갖는 인쇄기판(30)에 접속되어 있다.
따라서, 외부에의 신호의 출력은, 이 인쇄기판(30)에 형성된 핀이 없는 형의 리드단자(33···)를 통해 인쇄기판(30)의 이면에서 할 수 있다. 이 결과, 투명기판(10)으로부터의 출력, 즉 고체촬상소자(20)로부터의 출력을 용이하게 얻을 수 있기 때문에, 외부주변기기에 본 고체촬상장치를 집적할 때에, 특별한 조립기술을 필요로 하지 않고, 또한 취급이 용이한 고체촬상장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 실시예의 고체촬상장치로는, 고체촬상소자(20)의 아래쪽에 있는 공간을 유효하게 사용할 수 있다. 즉, 이 공간에 다른 전자부품 등을 실장할 수 있기 때문에, 고체촬상장치 전체의 고밀도 실장에 기여할 수 있다.
즉, 고체촬상장치를 실장하는 경우, 인쇄기판(30)이 존재함으로써 작업성이 향상하여, 대규모의 실장장치가 불필요하고, 또한 그 응용범위도 다양한 범위에 대응하도록 변할 수 있다.
또한, 본 실시예에서, 인쇄기판(30)과 투명기판(10)과의 접합은 열경화성수지(40)에 의해 행해지고, 인쇄기판(30)과 투명기판(10)의 각 제 2 돌기전극(14···) 사이의 전기적 접속을 확실히 유지할 수 있다.
또한, 인쇄기판(30)과 투명기판(10)은 열경화성수지(40)에 의해 고체촬상소자(20)의 수광부를 용접 밀봉하도록 접합되어 있다.
이 결과, 열경화성수지(40)의 한번의 도포로써 영접 밀봉을 할 수 있기 때문에, 공정수의 삭감을 꾀할 수 있다. 또한, 그 결과, 페이스다운 실장공정을 단시간에 할 수 있기 때문에, 고체촬상소자(20)와 투명기판(10) 사이에 먼지가 들어가거나, 그 먼지에 의해 고체촬상소자(20)의 수광부가 손상되는 것을 감소시킬 수 있다. 특히, 본 실시예에서, 페이스다운 실장시에는 열경화성수지(40)를 사용하지 않고 공정이 간결하다는 사실로부터, 먼지가 부착할 가능성이 작다는 것을 알 수 있다. 가령, 먼지가 부착하더라도, 열경화성수지(40)의 도포이전이면, 공기총 등으로 제거가 가능하다.
또한, 본 실시예에서는, 고체촬상소자(20)의 수광부에의 침출을 방지하기 위해 미리 도포되는 열경화성수지의 도포를 하고 있지 않기 때문에, 미경화의 열경화성수지가 수광부에 침출하는 것을 막는다.
이 결과, 본딩에 있어서의 공정수의 저감, 본딩품질의 향상 및 주변기기에의 집적을 용이하게 할 수 있는 고체촬상장치를 제공할 수가 있다.
또한, 본 실시예의 고체촬상장치로는, 인쇄기판(30)과 고체촬상소자(20) 사이 및 인쇄기판(30)과 투명기판(10) 사이에는, 열경화성수지에 의한 소자용필렛(43) 및 기판용필렛(44)이 각각 형성되어 있다.
이 때문에, 인쇄기판(30)과 고체촬상소자(20) 사이 및 인쇄기판(30)과 투명기판(10) 사이의 공간을 열경화성수지(40)에 의한 소자용필렛(43) 및 기판용필렛(44)에 의해 각각 보강할 수 있다. 즉, 고체촬상소자(20)와 투명기판(10)과의 접속강도를 향상할 수 있다.
이 결과, 본딩품질을 개선하여, 고체촬상장치의 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시예의 고체촬상장치에서, 투명기판(10)은 유리 또는 광학필터로 이루어지고 있다.
이 때문에, 일반적으로 사용되는 기판인 가시광을 투과하는 유리를 사용함으로써, 염가에 기판을 형성할 수 있다. 또한, 광학필터를 사용할 때에는, 예컨대, 카메라 등에 의한 영상광의 수광에 적합한 기판으로 할 수 있다.
또한, 본 실시예의 고체촬상장치의 제조방법으로, 고체촬상장치를 제조할 때에는, 우선, 고체촬상소자(20)의 각 전기신호 입출력단자(22···)에 각 제 1 돌기전극(21···)을 형성하는 한편, 절연성의 박막과 도전성의 박막을 적층하여 형성한 돌기전극접속용 전극단자(11···)와 외부에 전기신호를 출력하는 전극단자군(12)이 외측에 형성된 투명기판(10)의 상기 전극단자군(12)에 제 2 돌기전극(14···)을 형성한다.
이어서, 투명기판(10)의 돌기전극접속용 전극단자(11···)면과 고체촬상소자(20)의 전기신호 입출력단자(22···)면을 대향시켜 페이스다운 실장을 한다. 페이스다운 실장에 있어서는, 고체촬상소자(20)의 각 제 1 돌기전극(21···)과 투명기판(10)의 돌기전극접속용 전극단자(11···)를 초음파본딩에 의해 접속한다.
이어서, 투명기판(10)의 각 제 2 돌기전극(14···) 및 고체촬상소자(20)의 주위에 열경화성수지(40)를 도포한다. 그리고, 고체촬상소자(20)의 크기의 프레임개구(31)를 갖고 핀이 없는 형의 리드단자구조를 갖는 인쇄기판(30)에 투명기판(10)을 압착고정시켜, 투명기판(10)의 각 제 2 돌기전극(14···)과 인쇄기판(30)의 리드단자(33···)를 접속한다. 이 때 동시에, 고체촬상소자(20)의 표면부를 열경화성수지(40)로 용접 밀봉하여, 가열에 의해서 열경화성수지(40)를 경화시킨다.
이 결과, 고체촬상장치를 단시간에서 제조할 수 있음과 동시에, 작업내용도 간단하다. 또한, 완성한 고체촬상장치는, 본딩품질이 높고, 주변기기에의 집적도 인쇄기판(30)을 통해 용이하게 할 수 있다.
따라서, 본딩에 있어서의 공정수의 저감, 본딩품질의 향상 및 주변기기에의 집적을 용이하게 할 수 있는 고체촬상장치의 제조방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 실시예의 고체촬상장치의 제조방법으로서는, 열경화성수지(40)로서, 수지(41)중에 도전입자(42)를 산재시킨 이방성도전재로 이루어지는 열경화성수지를 사용한다.
즉, 열경화성수지(40)로서, 수지(41)중에 도전입자(42···)를 산재시킨 이방성도전재로 이루어지는 열경화성수지를 사용한 경우에는, 투명기판(10)의 전극단자군(12)의 각 전극단자(13···)에 형성된 각 제 2 돌기전극(14···)과 인쇄기판(30)의 리드단자(33···)를 접합할 경우에는, 우선, 접합방향에서는, 수지(41)중에 산재된 도전입자(42···)를 포함하는 상태로 접합되기 때문에, 전기적 접속이 얻어진다. 한편, 접합방향에 수직으로 교차하는 면에서는, 도전입자(42···)가 수지(41)중에 산재한 상태로 되어 있기 때문에, 전기적 접속이 행해지지 않는다.
이 결과, 이 수지(41)중에 도전입자(42···)를 산재시킨 이방성도전재로 이루어지는 열경화성수지(40)를 사용하는 경우에는, 이 열경화성수지(40)를 투명기판(10)의 전극단자군(12)의 각 전극단자(13···)에 형성된 모든 제 2돌기전극(14···)을 포함해서 전면에 도포하는 것이 가능해진다. 즉, 이와 같이 하더라도 각 제 2 돌기전극(14···) 사이의 단락은 생기지 않는다.
이 결과, 열경화성수지(40)를 접을 찍어 도포하는 것보다 용이하게 도포할 수 있어 단시간에 도포할 수 있다. 또한, 이에 의해, 고체촬상소자(20)의 수광부를 용접 밀봉하는 것과 동시에 수지도포를 할 수 있다.
따라서, 확실히 공정수를 삭감할 수 있다.
또한, 본 실시예의 고체촬상장치의 제조방법으로서는, 복수의 리드단자(33···)가 매트릭스상에 배치된 격자프레임(32)에 핀이 없는 형의 리드단자구조를 갖는 인쇄기판(30)을 형성한다. 그리고, 그 격자프레임(32)으로 이루어지는 인쇄기판(30)의 각 프레임개구(31···)에 각 고체촬상소자(20···)를 삽입하여 이 인쇄기판(30)과 투명기판(10)을 접합한 후, 다이싱에 의해, 격자프레임(32)으로 이루어지는 인쇄기판(30)을 각 고체촬상소자(20···)마다 나눈다.
이 결과, 복수개의 고체촬상장치를 효율적으로 형성할 수 있다.
또, 본 실시예에 있어서는 이방성도전재로 이루어지는 열경화성수지(40)를 사용하고 있다. 그러나, 본 발명에 있어서는 열경화성수지(40)가 반드시 이방성도전재일 필요는 없다.
즉, 상기한 바와 같이, 이방성도전재로 이루어지는 열경화성수지(40)를 사용하면, 투명기판(10)의 제 2 돌기전극(14···)과 인쇄기판(30)의 프린트배선(33···)에 있어서의 리드단자(33···)를 전기적 접합할 때에 확실성이 증가한다. 또한, 이방성도전재가 아닌 열경화성수지(NCP: Non-Conductive adhesive Paste)를사용하더라도, 인쇄기판(30)을 투명기판(10)측에 충분히 가압함으로써, 양자의 전기적 접합은 확보된다.
또한, 본 실시예에서는, 고체촬상소자(20)를 우선 투명기판(10)에 페이스다운 실장하여 접합한 후, 이 투명기판(10)을 인쇄기판(30)에 실장하고 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되지 않고, 도1b에 나타낸 구조로부터 알 수 있듯이, 예컨대, 실장설비를 개량하는 것에 의해 이 소자들을 한번에 실장하는 것이 가능하다. 고체촬상소자(20) 및 투명기판(10)을 인쇄기판(30)에 한번에 실장함으로써, 더욱 공정수를 감소시킬 수 있다.
이상과 같이, 본 발명의 고체촬상장치는, 절연성의 박막과 도전성의 박막을 적층하여 형성된 내부배선 금속층과, 외부에 전기신호를 출력하도록 외측에 형성된 전극단자군을 구비한 투명기판; 및 상기의 투명기판의 내부배선 금속층에 대응하는 각 제 1 돌기전극을 각 표면전극에 형성한 고체촬상소자가 페이스다운 실장되어 접합되고: 또한 상기 투명기판의 내부배선 금속층과 고체촬상소자의 각 제 1 돌기전극은 초음파본딩에 의해 접속되어 있음과 동시에, 투명기판에 있어서의 전극단자군의 각 전극단자에는 제 2 돌기전극이 각각 형성되는 한편, 상기 투명기판에는, 고체촬상소자의 크기의 개구를 갖고 핀이 없는 형의 리드단자구조를 갖는 인쇄기판이 투명기판의 각 제 2 돌기전극에 대하여 전기적 접속을 얻고 열경화성수지로 고체촬상소자의 수광면을 용접 밀봉함으로써 접합되어 있는 구성일 수 있다.
또한, 본 발명의 고체촬상장치는, 상기 기재의 고체촬상장치에 있어서, 인쇄기판과 고체촬상소자 사이 및 인쇄기판과 투명기판 사이에는, 열경화성수지로 이루어지는 필렛이 각각 형성되어 있는 구성일 수 있다.
상기의 발명에 의하면, 인쇄기판과 고체촬상소자 사이 및 인쇄기판과 투명기판 사이에는, 열경화성수지에 의한 필렛이 각각 형성되어 있다.
따라서, 인쇄기판과 고체촬상소자 사이 및 인쇄기판과 투명기판 사이의 공간을 열경화성수지에 의한 필렛으로 각각 보강할 수 있기 때문에, 고체촬상소자와 투명기판 사이의 접속강도를 향상할 수 있다.
이 결과, 본딩품질을 개선함으로써 고체촬상장치의 품질을 개선할 수 있다.
또한, 본 발명의 고체촬상장치는, 상기 기재의 고체촬상장치에 있어서, 투명기판이 유리 또는 광학필터로 이루어지고 있는 구성일 수 있다.
상기의 발명에 의하면, 투명기판은 유리 또는 광학필터로 이루어지고 있다.
이 때문에, 일반적으로 사용되는 기판인 유리를 사용함으로써, 염가에 기판을 형성할 수 있다. 한편, 광학필터를 사용할 때에는, 예컨대, 카메라 등에 의한 영상광의 수광에 있어서 알맞은 기판으로 할 수 있다.
또한, 본 발명의 고체촬상장치의 제조방법은, 고체촬상소자의 각 표면전극에 각 제 1 돌기전극을 형성하고, 절연성의 박막과 도전성의 박막을 적층하여 형성한 내부배선 금속층, 및 외부에 전기신호를 출력하는 전극단자군이 외측에 형성된 투명기판의 상기 전극단자군에 제 2 돌기전극을 형성하는 공정; 상기 투명기판의 내부배선 금속층면과, 상기 고체촬상소자의 표면전극면을 대향시켜 페이스다운 실장을 하고, 고체촬상소자의 각 제 1 돌기전극과 투명기판의 내부배선 금속층을 초음파본딩에 의해 접속하여 상기 투명기판의 각 제 2 돌기전극 및 고체촬상소자의 주위에 열경화성수지를 도포하는 공정; 상기 고체촬상소자의 크기의 개구를 갖고 또한 핀이 없는 형의 리드단자구조를 갖는 인쇄기판을 투명기판에 압착고정시켜 투명기판의 각 제 2 돌기전극과 상기 인쇄기판의 핀이 없는 형의 리드단자를 접속하고, 동시에 고체촬상소자의 표면부를 열경화성수지로써 밀봉시키는 공정, 및 가열에 의해서 상기 열경화성수지를 경화시키는 공정을 포함하는 구성을 가질 수 있다.
또한, 본 발명의 고체촬상장치의 제조방법은, 상기 열경화성수지로서, 수지중에 도전입자를 산재시킨 이방성도전재로 이루어지는 열경화성수지를 사용하는 구성을 가질 수 있다.
상기 발명에 의하면, 열경화성수지로서, 수지중에 도전입자를 산재시킨 이방성도전재로 이루어지는 열경화성수지를 사용한다.
즉, 열경화성수지로서, 수지중에 도전입자를 산재시킨 이방성도전재로 이루어지는 열경화성수지를 사용한 경우에는, 투명기판의 전극단자군에 형성된 각 제 2 돌기전극과 인쇄기판의 핀이 없는 형의 리드단자를 접합할 때에, 우선, 접합방향에서는, 수지중에 산재된 도전입자를 협장하는 상태로 접합되기 때문에, 전기적 접속이 얻어진다. 한편, 접합방향에 수직으로 교차하는 면내에서는, 도전입자가 수지중에 산재한 상태로 되어있기 때문에, 전기적 접속이 행해지지 않는다.
이 결과, 이 수지중에 도전입자를 산재시킨 이방성도전재로 이루어지는 열경화성수지를 사용하는 경우에는, 이 열경화성수지를 투명기판의 전극단자군에 형성된 각 제 2 돌기전극의 전면에 도포하는 것이 가능해진다. 즉, 그와 같게 하더라도각 제 2 돌기전극 사이의 단락은 생기지 않는다.
이 결과, 열경화성수지를 점을 찍어 도포하는 것보다 용이하게 도포할 수 있어, 단시간에 도포할 수 있다. 또한, 이에 의해, 고체촬상소자의 수광부를 용접 밀봉하는 것과 수지도포를 동시에 할 수 있다.
따라서, 확실히 공정수를 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 고체촬상장치의 제조방법은, 상기 기재의 고체촬상장치의 제조방법에 있어서, 복수의 핀이 없는 형의 리드단자가 매트릭스 형태로 배치된 격자프레임에 핀이 없는 형의 리드단자구조를 갖는 인쇄기판을 형성하고, 그 격자프레임으로 이루어지는 인쇄기판의 각 프레임개구에 각 고체촬상소자를 삽입하여 이 인쇄기판과 투명기판을 접합한 후, 다이싱에 의해 격자프레임으로 이루어지는 인쇄기판을 각 고체촬상소자마다 나누는 방법이더라도 좋다.
상기 발명에 의하면, 복수의 핀이 없는 형의 리드단자가 매트릭스 형태로 배치된 격자프레임에 핀이 없는 형의 리드단자구조를 갖는 인쇄기판을 형성한다. 그리고, 그 격자프레임으로 이루어지는 인쇄기판의 각 프레임개구에 각 고체촬상소자를 삽입하여 이 인쇄기판과 투명기판을 접합한 후, 다이싱에 의해 격자프레임으로 이루어지는 인쇄기판을 각 고체촬상소자마다 나눈다.
이 결과, 복수개의 고체촬상장치를 효율적으로 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 고체촬상장치는: 수광면측에 형성되는 복수의 표면전극 및 각 표면전극상에 형성되는 제 1 돌기전극을 포함하는 고체촬상소자; 상기 수광면과 대향하는 면측에 상기 제 1 돌기전극과 초음파본딩에 의해 접속되는 복수의 금속층, 및 상기 금속층과 전기적으로 접속되는 제 2 돌기전극을 포함하는 투명기판; 상기 고체촬상소자가 삽입되는 프레임개구부, 및 상기 제 2 돌기전극과 외부장치를 전기적으로 접속하기 위한 핀이 없는 형의 리드단자를 포함하는 인쇄기판, 및 상기 고체촬상소자의 상기 수광면을 용접 밀봉하는 밀봉수지를 포함하며, 상기 인쇄기판과 상기 투명기판 사이의 공간을 밀봉한다. 또한, 상기 밀봉수지는 열가소성수지로 이루어지고 있더라도 좋다.
또한, 상기 밀봉수지는 수지중에 도전입자를 산재시킨 이방성도전재로 이루어지고, 상기 제 2 돌기전극과 상기 핀이 없는 형의 리드단자는 상기 이방성도전재를 통해 전기적으로 접속되어 있더라도 좋다.
발명의 상세한 설명의 항에 있어서 한 구체적인 실시태양 또는 실시예는, 어디까지나, 본 발명의 기술내용을 밝히는 것으로, 그와 같은 구체예에만 한정하여 협의에 해석되는 것이 아니라, 본 발명의 정신과 다음에 기재하는 특허청구사항의 범위내에서, 여러가지로 변경하여 실시할 수 있는 것이다.

Claims (14)

  1. 내부배선 금속층 및 외부에 전기신호를 출력하기 위한 전극단자군을 갖는 투명기판;
    상기 투명기판의 상기 내부배선 금속층에 대응하는 각 제 1 돌기전극을 각 표면전극상에 형성한 고체촬상소자; 및
    상기 고체촬상소자의 크기의 개구를 갖는 핀이 없는 형의 리드단자구조의 인쇄기판을 포함하는 고체촬상장치로서,
    상기 투명기판은 상기 전극단자군의 각 전극단자에 각각 형성되는 제 2 돌기전극을 포함하고,
    상기 투명기판과 상기 고체촬상소자가 페이스다운 실장에 의해 접합되고, 또한 상기 투명기판의 상기 내부배선 금속층과 상기 고체촬상소자의 상기 각 제 1 돌기전극은 초음파본딩에 의해 접속되며,
    상기 투명기판과 상기 인쇄기판은, 상기 투명기판의 상기 각 제 2 돌기전극에서 전기적으로 접속되며, 열경화성수지에 의해 상기 고체촬상소자의 수광면을 용접 밀봉하도록 접합되어 있는 고체촬상장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투명기판의 내부배선 금속층이, 절연성의 박막과 도전성의 박막을 적층하여 형성되는 고체촬상장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 인쇄기판과 상기 고체촬상소자 사이 및 상기 인쇄기판과 상기 투명기판 사이에는, 열경화성수지에 의한 필렛이 각각 형성되어 있는 고체촬상장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 투명기판은 유리로 이루어지고 있는 고체촬상장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 투명기판은 광학필터로 이루어지고 있는 고체촬상장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 열경화성수지가 수지중에 도전입자를 산재시킨 이방성도전재인 고체촬상장치의 제조방법.
  7. 수광면측에 형성되는 복수의 표면전극 및 각 표면전극상에 형성되는 제 1 돌기전극을 포함하는 고체촬상소자;
    상기 수광면과 대향하는 면측에 상기 제 1 돌기전극과 초음파본딩에 의해 접속되는 복수의 금속층, 및 상기 금속층과 전기적으로 접속되는 제 2 돌기전극을 포함하는 투명기판;
    상기 고체촬상소자가 삽입되는 프레임개구부, 및 상기 제 2 돌기전극과 외부장치를 전기적으로 접속하기 위한 핀이 없는 형의 리드단자를 포함하는 인쇄기판; 및
    상기 고체촬상소자의 상기 수광면을 용접 밀봉하는 반면 상기 인쇄기판과 상기 투명기판 사이의 공간을 밀봉하는 밀봉수지를 포함하는 고체촬상장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 밀봉수지가 열가소성수지로 이루어지고 있는 고체촬상장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 밀봉수지는 수지중에 도전입자를 산재시킨 이방성도전재로 이루어지며,
    상기 제 2 돌기전극과 상기 핀이 없는 형의 리드단자는, 상기 이방성도전재를 통해 전기적으로 접속되어 있는 고체촬상장치.
  10. (i) 투명기판의 내부배선 금속층면과 고체촬상소자의 표면전극면을 대향시켜 페이스다운 실장을 하여, 상기 표면전극면상의 각 제 1 돌기전극과 상기 투명기판의 상기 내부배선 금속층을 초음파본딩에 의해 접속하는 공정;
    (ii) 상기 투명기판상의 전극단자군에 형성되는 각 제 2 돌기전극 및 상기 고체촬상소자의 주위에 열경화성수지를 도포하는 공정;
    (iii) 상기 고체촬상소자의 크기의 개구를 갖고, 또한 핀이 없는 형의 리드단자구조를 갖는 인쇄기판을 상기 투명기판에 압착고정시켜, 상기 투명기판의 각 제 2 돌기전극과 상기 인쇄기판의 핀이 없는 형의 리드단자를 접속하고, 동시에, 상기 고체촬상소자의 표면부를 열경화성수지로 밀봉하는 공정; 및
    (iv) 상기 열경화성수지를 가열하여 경화시키는 공정을 포함하고 있는 고체촬상장치의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 고체촬상소자의 각 표면전극에 상기 각 제 1 돌기전극을 형성하는 공정을 더 포함하고 있는 고체촬상장치의 제조방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 내부배선 금속층과 외부에 전기신호를 출력하는 전극단자군이 형성된 투명기판의 상기 전극단자군에 상기 제 2 돌기전극을 형성하는 공정을 더 포함하고 있는 고체촬상장치의 제조방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 열경화성수지로서, 수지중에 도전입자를 산재시킨 이방성도전재로 이루어지는 열경화성수지를 사용하는 고체촬상장치의 제조방법.
  14. 제10항에 있어서, 복수의 핀이 없는 형의 리드단자가 매트릭스 형태로 배치된 격자프레임에 핀이 없는 형의 리드단자구조를 갖는 상기 인쇄기판을 형성하는 공정;
    그 격자프레임으로 이루어지는 상기 인쇄기판의 각 프레임개구에 각 고체촬상소자를 삽입하여 이 인쇄기판과 투명기판을 접합한 후, 다이싱에 의해 격자프레임으로 이루어지는 상기 인쇄기판을 각 고체촬상소자마다 나누는 공정을 더 포함하는 고체촬상장치의 제조방법.
KR10-2001-0003394A 2000-03-15 2001-01-20 고체촬상장치 및 그 제조방법 KR100366934B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020032027A (ko) * 2000-10-25 2002-05-03 듀흐 마리 에스. Ｃｃｄ 이미징 칩용 패키징 구조

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231918A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
US20030007117A1 (en) * 2001-06-01 2003-01-09 Mcknight Douglas J. Channel to control seal width in optical devices
JP2003163342A (ja) * 2001-11-29 2003-06-06 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
JP4012751B2 (ja) * 2002-03-22 2007-11-21 株式会社リコー 半導体装置、画像読取ユニット及び画像形成装置
US7127793B2 (en) * 2002-04-24 2006-10-31 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method of producing solid state pickup device
DE10227544B4 (de) * 2002-06-17 2007-08-02 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zur optischen Datenübertragung
JP4443865B2 (ja) * 2002-06-24 2010-03-31 富士フイルム株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US6744109B2 (en) * 2002-06-26 2004-06-01 Agilent Technologies, Inc. Glass attachment over micro-lens arrays
US6885107B2 (en) * 2002-08-29 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Flip-chip image sensor packages and methods of fabrication
JP4542768B2 (ja) * 2003-11-25 2010-09-15 富士フイルム株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP2005217322A (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Toshiba Corp 固体撮像装置用半導体素子とそれを用いた固体撮像装置
TW200611350A (en) * 2004-09-21 2006-04-01 Advanced Semiconductor Eng Sensitive flip-chip bonding structure
US7419565B2 (en) * 2005-02-01 2008-09-02 Eastman Kodak Company Method for encapsulating
KR100744925B1 (ko) * 2005-12-27 2007-08-01 삼성전기주식회사 카메라 모듈 패키지
US20080191333A1 (en) * 2007-02-08 2008-08-14 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Image sensor package with die receiving opening and method of the same
US8138027B2 (en) 2008-03-07 2012-03-20 Stats Chippac, Ltd. Optical semiconductor device having pre-molded leadframe with window and method therefor
JP2009277950A (ja) * 2008-05-16 2009-11-26 Panasonic Corp 光学半導体装置
US9293350B2 (en) * 2008-10-28 2016-03-22 Stats Chippac Ltd. Semiconductor package system with cavity substrate and manufacturing method therefor
WO2011065485A1 (ja) * 2009-11-26 2011-06-03 京セラ株式会社 配線基板および撮像装置ならびに撮像装置モジュール
TW201138123A (en) * 2010-04-28 2011-11-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Image sensor package structure and camera module using same
JP2017139258A (ja) 2016-02-01 2017-08-10 ソニー株式会社 撮像素子パッケージ及び撮像装置
JP6443494B2 (ja) * 2017-05-25 2018-12-26 株式会社ニコン 撮像ユニット及び撮像装置
CN107948493A (zh) * 2018-01-05 2018-04-20 东莞旺福电子有限公司 一种超薄式高像素影像传感器
KR20210085669A (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품 및 그 실장 기판
CN112888150B (zh) * 2021-01-12 2022-07-01 京东方科技集团股份有限公司 一种电路板、显示装置及可穿戴装置
US20220407987A1 (en) * 2021-06-21 2022-12-22 Meta Platforms Technologies, Llc Camera module with component size based on image sensor

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01214141A (ja) * 1988-02-23 1989-08-28 Nec Corp フリップチップ型半導体装置
JPH04293263A (ja) * 1991-03-22 1992-10-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 完全密着型イメージセンサ
EP0591862B1 (en) * 1992-10-02 1999-05-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. A semiconductor device, an image sensor device, and methods for producing the same
JPH06204442A (ja) 1993-01-07 1994-07-22 Matsushita Electron Corp 固体撮像装置およびその製造方法
US5952714A (en) * 1995-08-02 1999-09-14 Matsushita Electronics Corporation Solid-state image sensing apparatus and manufacturing method thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020032027A (ko) * 2000-10-25 2002-05-03 듀흐 마리 에스. Ｃｃｄ 이미징 칩용 패키징 구조

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Publication number Publication date
JP3527166B2 (ja) 2004-05-17
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