KR20010087286A - 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물 및 이를이용한 박막 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

본원에는, (A) 규소 원자-결합된 수소 원자 또는 규소 원자-결합된 알케닐 그룹을 갖는 전기 절연성 유기 수지 및 (B) 용매를 포함하는 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물, 및 이를 이용하여 가교 박막을 형성시키는 방법을 기술되어 있다.

Description

전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물 및 이를 이용한 박막 형성 방법{Electrically insulating crosslinked thin-film-forming organic resin composition and method for forming thin film therefrom}
본 발명은 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물 및 전기 절연성 가교 박막을 형성시키는 방법에 관한 것이다. 보다 상세히, 본 발명은, 우수한 내열성, 저유전율, 및 전자장치 표면에의 탁월한 밀착성을 갖는 가교 박막을 형성시키는 것이 가능한 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물, 및 우수한 내열성, 저유전율, 및 전자장치 표면에의 탁월한 밀착성을 갖는 박막을 전자장치 표면상에 효율적으로 형성시키는 방법에 관한 것이다.
전기 절연성 가교 박막을 전자장치의 표면상에 형성시키는 방법의 예로는, 전자장치의 표면을 수소 실세스퀴녹산 수지 용액으로 도포하고, 당해 용매를 증발시킨 다음, 당해 표면을 150 내지 1000℃로 가열시키는 방법(일본 공개 특허원 제 S63-144525호), 및 전자장치의 표면을 수소 실세스퀴녹산 수지 및 백금 또는 로듐 촉매 용액으로 도포하고, 당해 용매를 증발시킨 다음, 당해 표면을 150 내지 1000℃로 가열시키는 방법(일본 공개 특허원 제 S63-144524호)이 포함된다.
최근, 전자장치가 미세화 및 집적화됨에 따라, 저유전율을 갖는 전기 절연층을 형성시키는 방법이 요구되고 있다. 보다 상세히, 차세대 설계 원칙에 따라 0.15㎛ 이하의 고집적 회로중에 저유전율(2.5 미만의 비유전율)을 갖는 전기 절연층을 형성시키는 방법이 요구되고 있다. 따라서, 일본 공개 특허원 제H10-279687호는, 전자장치의 표면을 수소 실세스퀴녹산 수지 및 상이한 비점 및 수지에 대한 친화성을 갖는 두 종류의 용매로 구성된 용액으로 도포한 후, 용매의 일부를 제거하고, 수지의 가교 중 또는 후에 표면을 가열시켜 용매를 증발시킴으로써, 다공질의 전기 절연성 가교 박막을 형성시키는 방법을 제안한다.
그러나, 다공질의 전기 절연성 가교 박막은 일반적으로 기계적 강도가 약하고, 각종 화학약품에 의해 침입 및 공격을 받기 쉬우므로, 차세대 다층 배선 공정 및 특히 구리 이중 다마스커스(dual damascene) 방법에 충분히 견딜 수 없기 때문에, 이러한 박막은 실용적이지 못하다. 또한, 저유전율을 갖는 전기 절연성 가교 박막을 형성하기 위하여는, 비교적 다량의 규소 원자-결합된 수소 원자가 수소 실세스퀴녹산 수지중에 잔존하여야 하고, 이 결과, 당해 박막중의 실리콘 원자-결합된 수소 원자가 박막 형성 후 전자장치의 다층 배선 등과 같은 각종 단계에서 발생되는 열, 각종 화학약품, 또는 플라즈마로 인하여 반응하여, 박막의 밀도가 상승되고 유전율이 크게 증가된다.
비교적 저유전율을 갖는 전기 절연성 박막을 형성하는 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물에 대한 수 많은 제안이 있어왔으나, 이러한 전기 절연성 박막의 문제는 이들의 내열성이 부족하고, 이들을 전자장치의 제조 공정중에 400℃ 이상으로 가열하는 경우 막의 질 또는 양이 감소된다는 점이다. 더우기, 이러한 전자 절연성 박막은 전자장치 표면에 대한 밀착성이 떨어지고 상기와 같은 전자장치의 제조공정중에 박리되는 문제가 있다.
구체적으로, 본 발명의 목적은 우수한 내열성, 저유전율, 및 전자장치 표면에의 탁월한 밀착성을 갖는 가교 박막을 형성시키는 것이 가능한 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물, 및 우수한 내열성, 저유전율, 및 전자장치 표면에의 탁월한 밀착성을 갖는 전기 절연성 가교 박막을 전자장치 표면상에 효율적으로 형성시키는 방법을 제공하는 것이다.
발명의 요약
본 발명은, (A) 규소 원자-결합된 수소 원자 또는 규소 원자-결합된 알케닐 그룹을 갖는 전기 절연성 유기 수지 및 (B) 용매를 포함하는 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물, 및 이를 이용하여 가교 박막을 형성시키는 방법이다.
발명의 상세한 설명
본 발명은, (A) 규소 원자-결합된 수소 원자 또는 규소 원자-결합된 알케닐그룹을 갖는 전기 절연성 유기 수지 및 (B) 용매를 포함하는 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물, 및 이를 이용하여 가교 박막을 형성시키는 방법이다.
먼저, 본 발명의 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물이 상세히 기술될 것이다. 성분 (A)의 전기 절연성 유기 수지의 예로는, 폴리이미드 수지; 폴리테트라플루오로에틸렌 수지 및 다른 플루오로카본 수지; 벤조사이클로부텐 수지; 플루오르화 폴리알릴 에테르 수지; 폴리에틸렌 수지 및 다른 폴리올레핀 수지; 및 폴리아크릴레이트, 폴리카보네이트 수지, 폴리아미드 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에테르 케톤 수지, 폴리에테르 니트릴 수지, 폴리스티렌 수지, 및 ABS 수지가 포함된다. 바람직하게는, 당해 수지는 유기 수지 블록 및 오가노폴리실록산 블록으로 구성된 실리콘 변성 유기 수지이다. 폴리이미드 수지 블록 및 오가노폴리실록산 블록으로 구성된 실리콘 변성 폴리이미드 수지가 가장 바람직하다. 바람직하게는, 규소 원자-결합된 수소 원자 또는 알케닐 그룹이 성분 (A)의 전기 절연성 유기 수지에서 오가노폴리실록산 블록중의 규소 원자에 결합된다. 이들이 실리콘 변성 폴리이미드 수지에서 오가노폴리실록산 블록중의 규소 원자에 결합된다면, 특히 바람직할 것이다. 이와 같은 규소 원자-결합된 수소 원자를 갖는 실리콘 변성 폴리이미드 수지는 아래와 같은 화학식을 갖는다:
상기식에서, R1은 알킬 그룹 또는 아릴 그룹이다. R1의 알킬 그룹의 예로는 메틸, 에틸 및 프로필이 포함되며, R1의 아릴 그룹의 예로는 페닐 및 톨릴이 포함된다. 상기식에서, R2는 알킬렌 그룹 또는 아릴렌 그룹이다. R2의 알킬렌 그룹의 예로는 메틸렌, 에틸렌, 및 프로필렌이 포함되며, R2의 아릴렌 그룹의 예로는 페닐렌이 포함된다. 상기식에서, 아래첨자 a는 1 이상의 정수이고, b는 0 이상의 정수이고, c는 1 이상의 정수이고, n은 1 이상의 정수이다. 이와 같은 실리콘 변성 폴리이미드 수지의 예는 아래와 같은 화학식을 갖는다:
상기식에서, Me는 메틸 그룹이고, n은 1 이상의 정수이다.
규소 원자-결합된 알케닐 그룹을 갖는 실리콘 변성 폴리이미드 수지의 예는 아래와 같은 화학식을 갖는다:
상기식에서, R1은 알킬 그룹 또는 아릴 그룹이다. R1의 알킬 그룹의 예로는 메틸, 에틸 및 프로필이 포함되며, R1의 아릴 그룹의 예로는 페닐 및 톨릴이 포함된다. 상기식에서, R2는 알킬렌 그룹 또는 아릴렌 그룹이다. R2의 알킬렌 그룹의 예로는 에틸렌 및 프로필렌이 포함되며, R2의 아릴렌 그룹의 예로는 페닐렌이 포함된다. 상기식에서, R3는 알킬렌 그룹이고, 이의 예로는 에틸렌 및 프로필렌이 포함된다. 상기식에서, R4는 알케닐 그룹이고, 이의 예로는 비닐, 알릴 및 부테닐이 포함된다. 상기식에서, 아래첨자 a는 1 이상의 정수이고, b는 0 이상의 정수이고, c는 1 이상의 정수이고, d는 1 이상의 정수이고, n은 1 이상의 정수이다. 이와 같은 실리콘 변성 폴리이미드 수지의 예는 아래와 같은 화학식을 갖는다:
상기식에서, Me는 메틸 그룹이고, n은 1 이상의 정수이다.
2종 이상의 전기 절연성 유기 수지를 본 조성물중의 성분 A와 함께 사용하는 경우, (i) 규소 원자-결합된 수소 원자를 갖는 전기 절연성 유기 수지 및 (ii) 규소 원자-결합된 알케닐 그룹을 갖는 전기 절연성 유기 수지의 배합이 바람직하다. 성분 (i)의 전기 절연성 유기 수지의 예는 위에서 기재한 것들과 동일하며, 유기 수지 볼록과 오가노폴리실록산 블록으로 구성된 실리콘 변성 유기 수지가 바람직하고, 폴리이미드 블록과 오가노폴리실록산 블록으로 구성된 실리콘 변성 폴리이미드 수지가 특히 바람직하다. 이러한 실리콘 변성 폴리이미드 수지의 예는 위에서 기재한 것들과 동일하다. 성분 (ii)의 전기 절연성 유기 수지의 예는 위에서 기재한 것들과 동일하며, 유기 수지 블록과 오가노폴리실록산 블록으로 구성된 실리콘 변성 유기 수지가 바람직하고, 폴리이미드 블록과 오가노폴리실록산 블록으로 구성된 실리콘 변성 폴리이미드 수지가 특히 바람직하다. 이러한 실리콘 변성 폴리이미드 수지의 예는 위에서 기재한 것들과 동일하다. 성분 (i)과 성분 (ii)가 함께 사용되는 경우, 성분 (ii)의 양은 성분 (ii)중의 알케닐 그룹의 양이 성분 (i)중의 규소 원자-결합된 수소 원자의 몰당 0.1 내지 10mol을 이루는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 성분 (ii)의 함량이 상기 범위를 벗어나는 경우 수득된 조성물이 단지 실온에서 방치하거나 가열함으로써 충분히 가교되지 않을 수 있는 위험이 있기 때문이다.
성분 (B)의 용매에 대해서는 이것이 성분 (A)를 변질시키지 않으면서 위에서 언급한 성분 (A)를 용해시킬 수 있는 한, 특별한 제한이 없다. 유용한 용매의 예로는 톨루엔, 크실렌, 등의 방향족 용매; 헥산, 헵탄, 옥탄, 등의 지방족 용매; 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 등의 케톤계 용매; 부틸 아세테이트, 이소아밀 아세테이트, 등의 지방족 에스테르계 용매; N,N'-디메틸포름아미드, N,N'-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸 설폭사이드, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디부틸 에테르, 부티로락톤; 헥사메틸디실록산, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 등의 직쇄상 메틸실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7-옥타메틸테트라사이클로실록산, 1,3,5,7-테트라메틸테트라사이클로실록산, 등의 환상 실록산; 및 실란 화합물(예: 테트라메틸실란 및 디메틸디에틸실란)의 규소계 용매가 포함된다. 본 조성물중에 함유되는 성분 (B)의 양에 대해서는 제한이 없으나, 통상적으로 성분 (A) 100 중량부당 50 중량부 이상의 양이 바람직하다. 왜냐하면, 성분 (B)의 함량이 상기 범위에 못미치는 경우, 수득된 전기 절연성 유기 수지를 전자장치와 같은 기재의 표면상에 얇게 도포하는 것이 곤란한 경향이 있기 때문이다.
본 조성물중의 임의의 성분으로서 하이드로실릴화 반응용 촉매 (C)가 포함될 수 있다. 특히, (i) 규소 원자-결합된 수소 원자를 갖는 전기 절연성 유기 수지 및 (ii) 규소 원자-결합된 알케닐 그룹을 갖는 전기 절연성 유기 수지가 성분 (A)의 전기 절연성 유기 수지로서 함께 사용되는 경우, 이러한 촉매가 성분 (i)중의 규소 원자-결합된 수소 원자와 성분 (ii)중의 알케닐 그룹간의 하이드로실릴화 반응을 촉진할 것이다. 성분 (C)의 하이드로실릴화 반응용 촉매의 예로는 백금 촉매, 로듐 촉매, 및 팔라듐 촉매가 포함되며, 백금 촉매가 특히 바람직하다. 백금 촉매의 예로는 염화백금산, 염화백금산의 알코올 용액, 백금의 올레핀 착물, 백금의 알케닐실록산 착물, 및 백금의 카보닐 착물이 포함된다. 본 조성물중에 함유된 성분 (C)의 양에 대하여는, 당해 양이 위에서 언급한 반응을 촉진하는 한 제한이 없으나, 성분 (C)중의 촉매 금속이 성분 (A)의 백만 중량부당 1 내지 1000 중량부를 이루는 양이 바람직하다. 본 조성물이 단지 고-에너지-선을 조사함으로써 가교된다면 증감제를 첨가할 수 있다.
이제, 전기 절연성 가교 박막을 형성시키는 본 발명의 방법이 상세히 기술될 것이다. 전기 절연성 가교 박막을 형성시키는 본 발명의 방법은, 전자장치의 표면을 상기한 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물로 도포시키고, 용매의 전부 또는 일부를 증발시킨 후, 본 조성물중에 함유된 전기 절연성 유기 수지를 가열하고/하거나 고-에너지-선을 조사하여 가교시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 방법에서, 제1단계는 전자장치의 표면을 상기한 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물로 도포하는 것이다. 도포 방법의 예로는 스핀 코팅법, 침적 코팅법, 스프레이 코팅법, 플로우(flow) 코팅법이 포함된다. 도포 후, 용매의 전부 또는 일부를 증발시킨 다음, 표면을 가열하고/하거나 고-에너지-선으로 조사한다. 수득된 전기 절연성 가교 박막을 평탄화할 필요가 있는 경우, 이를 성분 (A)의 융점 보다 높은 온도로 가열하는 것이 바람직하다. 가열 방법의 예로는 가열로 또는 열판을 사용하는 방법이 포함된다. 고-에너지-선 조사법을 사용하는 경우, 사용될 수 있는 고-에너지-선으로는 자외선, 적외선, X-선, 및 전자선이 포함되며, 전자선을 사용하는 것이 성분 (A)가 십분 가교될 수 있기 때문에 특히 바람직하다.
상기 방법에 의해 박막(2.5㎛ 미만)이 전자장치상에 생성된다. 바람직하게는, 도막의 두께는 0.3 내지 1.2㎛이다.
실시예
이제, 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물 및 본 발명의 전기 절연성 가교 박막을 형성시키는 방법이 실시예를 통하여 상세히 설명될 것이다. 화학식중의 Me는 메틸 그룹을 나타내고, n은 반복 단위를 가리키는 양의 정수이다. 전기 절연성 가교 박막의 비유전율은, 10-2Ω·㎝의 저항치를 갖는 실리콘 웨이퍼상에 형성된 시료를 사용하여 25℃ 및 1MHz의 조건하에서 측정한다. 당해 측정은 임피던스 분석기를 사용하여 수행한다.
참조 실시예 1
피로멜리트산 이무수물 6.4g, 및 N,N'-디메틸아세트아미드 및 크실렌(중량비 95:5)의 혼합물 31.5g을, 교반기, 적하 깔대기, 및 온도계가 장착된 4구 플라스크에 넣고, 질소기류하에 교반한다. 화학식의 디아미노 관능성 실록산 화합물 9.4g, 및 N,N'-디메틸아세트아미드 및 크실렌(중량비 95:5)의 혼합물 31.5g을 약 15분간에 걸쳐 26 내지 33℃의 반응 온도에서 적하 깔대기를 통해 적가한다.
이어서, 수득된 혼합물을 25 내지 33℃의 온도에서 3시간 동안 교반한다. 다음, Dean-Stark 관을 부착시키고, 140 내지 144℃에서 13분간 공비탈수를 수행한다. 이 후, 당해 혼합물을 실온으로 냉각시키고 여과하여, 아래와 같은 화학식의 실리콘 변성 폴리이미드 수지 용액 64.6g을 수득한다:
참조 실시예 2
피로멜리트산 이무수물 3.6g, 및 N,N'-디메틸아세트아미드 및 크실렌(중량비 95:5)의 혼합물 34.8g을, 교반기, 적하 깔대기, 및 온도계가 장착된 4구 플라스크에 넣고, 질소기류하에 교반한다. 화학식
의 디아미노 관능성 실록산 화합물 11.1g, 및 N,N'-디메틸아세트아미드 및 크실렌(중량비 95:5)의 혼합물 34.8g을 약 30분간에 걸쳐 29 내지 37℃의 반응 온도에서 적하 깔대기를 통해 적가한다.
이어서, 수득된 혼합물을 26 내지 37℃의 온도에서 3.5시간 동안 교반한다. 다음, Dean-Stark 관을 부착시키고, 144 내지 146℃에서 8분간 공비탈수를 수행한다. 이 후, 당해 혼합물을 실온으로 냉각시키고 여과하여, 아래와 같은 화학식의 실리콘 변성 폴리이미드 수지 용액 77.3g을 수득한다:
참조 실시예 3
피로멜리트산 이무수물 3.6g, 및 N,N'-디메틸아세트아미드 및 크실렌(중량비 95:5)의 혼합물 35.0g을, 교반기, 적하 깔대기 및 온도계가 장착된 4구 플라스크에넣고, 질소기류하에 교반한다. 화학식
의 디아미노 관능성 실록산 화합물 16.5g, 및 N,N'-디메틸아세트아미드 및 크실렌(중량비 95:5)의 혼합물 34.8g을 약 30분간에 걸쳐 29 내지 37℃의 반응 온도에서 적하 깔대기를 통해 적가한다.
이어서, 수득된 혼합물을 26 내지 37℃의 온도에서 3.5시간 동안 교반한다. 다음, Dean-Stark 관을 부착시키고, 144 내지 146℃에서 8분간 공비탈수를 수행한다. 이 후, 당해 혼합물을 실온으로 냉각시키고 여과하여, 아래와 같은 화학식의 실리콘 변성 폴리이미드 수지 용액 81g을 수득한다:
실시예 1
전기 절연성 가교 박막-형성성 수지 조성물을, 참조 실시예 2에서 제조된 실리콘 변성 폴리이미드 수지 용액 50g, 참조 실시예 3에서 제조된 실리콘 변성 폴리이미드 수지 용액 50g, 및 염화백금산의 1,3-디비닐테트라메틸실록산 착물(반응 혼합물 전체에 대한 백금 금속 5ppm(중량)이 존재하는 양)으로 부터 제조한다. 이러한 조성물을 회전수 3000rpm의 스핀 코팅법으로 실리콘 웨이퍼상에 적용하고, 용매를 증발시키고, 당해 웨이퍼를 150℃의 열판상에서 1분간 가열한다. 이어서, 도포된 웨이퍼를 질소 기류하에 석영로(360℃)에서 3시간 동안 가열하면, 두께가 520nm이고 비유전율이 2.4인 전기 절연성 가교 박막이 형성된다. 질소 기류하에 석영로(420℃)에서 1시간 동안, 수득된 전기 절연성 가교 박막을 대상으로 어닐링 시험을 수행한다. 표 1은 어닐링 전 및 후의 막 두께를 보여준다.
실시예 2
참조 실시예 2에서 제조된 실리콘 변성 폴리이미드 수지 용액을 회전수 3000rpm의 스핀 코팅법으로 실리콘 웨이퍼상에 적용하고, 용매를 증발시킨 후, 165kV으로 가속한 전자선(300Mrad)을 도막에 조사한 다음, 질소 기류하에 석영로(360℃)에서 3시간 동안 가열하면, 두께가 510nm이고 비유전율이 2.4인 전기 절연성 가교 박막이 형성된다. 이러한 박막은 실리콘 웨이퍼에 대한 밀착성이 양호하다. 질소 기류하에 석영로(420℃)에서 1시간 동안, 수득된 전기 절연성 가교 박막을 대상으로 어닐링 시험을 수행한다. 표 1은 어닐링 전 및 후의 막 두께를보여준다.
실시예 3
참조 실시예 3에서 제조된 실리콘 변성 폴리이미드 수지 용액을 회전수 3000rpm의 스핀 코팅법으로 실리콘 웨이퍼상에 적용하고, 용매를 증발시킨 후, 165kV으로 가속한 전자선(300Mrad)을 도막에 조사한 다음, 질소 기류하에 석영로(360℃)에서 3시간 동안 가열하면, 두께가 510nm이고 비유전율이 2.4인 전기 절연성 가교 박막이 형성된다. 이러한 박막은 실리콘 웨이퍼에 대한 밀착성이 양호하다. 질소 기류하에 석영로(420℃)에서 1시간 동안, 수득된 전기 절연성 가교 박막을 대상으로 어닐링 시험을 수행한다. 표 1은 어닐링 전 및 후의 막 두께를 보여준다.
비교 실시예 1
참조 실시예 1에서 제조된 실리콘 변성 폴리이미드 수지 용액을 회전수 3000rpm의 스핀 코팅법으로 실리콘 웨이퍼상에 적용하고, 용매를 증발시킨 후, 웨이퍼를 질소 기류하에 석영로(360℃)에서 3시간 동안 가열하면, 두께가 500nm이고 비유전율이 2.4인 전기 절연성 가교 박막이 형성된다. 질소 기류하에 석영로(420℃)에서 1시간 동안, 수득된 전기 절연성 가교 박막을 대상으로 어닐링 시험을 수행한다. 표 1은 어닐링 전 및 후의 막 두께를 보여준다. 어닐링 후, 막 두께가 감소됨이 관찰된다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교 실시예 1
어닐링 전 막 두께 520 510 510 500
어닐링 후 막 두께 520 510 510 330
본 발명의 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물을 이용하여, 우수한 내열성, 저유전율, 및 표면에의 탁월한 밀착성을 갖는 박막을 전자장치의 표면상에 효율적으로 형성시킬 수 있다.

Claims (18)

  1. (A) 규소 원자-결합된 수소 원자 또는 규소 원자-결합된 알케닐 그룹을 갖는 전기 절연성 유기 수지 및 (B) 용매를 포함하는, 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 성분 (A)가 유기 수지 블록 및 오가노폴리실록산 블록을 포함하는 실리콘 변성 유기 수지이고, 규소 원자-결합된 수소 원자 또는 규소 원자-결합된 알케닐 그룹이 오가노폴리실록산 블록중의 규소 원자에 결합되는 것을 특징으로 하는, 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 성분 (A)가 폴리이미드 수지 블록 및 오가노폴리실록산 블록를 포함하는 실리콘 변성 폴리이미드 수지인 것을 특징으로 하는, 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 성분 (A)가 하기 화학식의 실리콘 변성 폴리이미드 수지인 것을 특징으로 하는, 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물.
    상기식에서,
    R1은 알킬 그룹 또는 아릴 그룹이고,
    R2는 알킬렌 그룹 또는 아릴렌 그룹이고,
    a는 1 이상의 정수이고, b는 0 이상의 정수이고, c는 1 이상의 정수이고, n은 1 이상의 정수이다.
  5. 제3항에 있어서, 성분 (A)가 하기 화학식의 실리콘 변성 폴리이미드 수지인 것을 특징으로 하는, 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물.
    상기식에서,
    R1은 알킬 그룹 또는 아릴 그룹이고,
    R2는 알킬렌 그룹 또는 아릴렌 그룹이고,
    R3는 알킬렌 그룹이고,
    R4는 알케닐 그룹이고,
    a는 1 이상의 정수이고, b는 0 이상의 정수이고, c는 1 이상의 정수이고, d는 1 이상의 정수이고, n은 1 이상의 정수이다.
  6. 제1항에 있어서, 성분 (A)가 (i) 규소 원자-결합된 수소 원자를 갖는 전기 절연성 유기 수지 및 (ii) 규소 원자-결합된 알케닐 그룹을 갖는 전기 절연성 유기 수지를 포함하고; 추가로 하이드로실릴화 반응용 촉매 (C)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 성분 (i)이 유기 수지 블록 및 오가노폴리실록산 블록을 포함하는 실리콘 변성 유기 수지이고, 규소 원자-결합된 수소 원자가 오가노폴리실록산 블록중의 규소 원자에 결합되는 것을 특징으로 하는, 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물.
  8. 제6항에 있어서, 성분 (i)이 폴리이미드 수지 블록 및 오가노폴리실록산 블록을 포함하는 실리콘 변성 폴리이미드 수지인 것을 특징으로 하는, 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물.
  9. 제8항에 있어서, 성분 (i)이 하기 화학식의 실리콘 변성 폴리이미드 수지인 것을 특징으로 하는, 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물.
    상기식에서,
    R1은 알킬 그룹 또는 아릴 그룹이고,
    R2는 알킬렌 그룹 또는 아릴렌 그룹이고,
    a는 1 이상의 정수이고, b는 0 이상의 정수이고, c는 1 이상의 정수이고, n은 1 이상의 정수이다.
  10. 제6항에 있어서, 성분 (ii)가 유기 수지 블록 및 오가노폴리실록산 블록을 포함하는 실리콘 변성 유기 수지이고, 알케닐 그룹이 오가노폴리실록산 블록중의 규소 원자에 결합되는 것을 특징으로 하는, 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물.
  11. 제10항에 있어서, 성분 (i)이 폴리이미드 수지 블록 및 오가노폴리실록산 블록을 포함하는 실리콘 변성 폴리이미드 수지인 것을 특징으로 하는, 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물.
  12. 제11항에 있어서, 성분 (ii)가 하기 화학식의 실리콘 변성 폴리이미드 수지인 것을 특징으로 하는, 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물.
    상기식에서,
    R1은 알킬 그룹 또는 아릴 그룹이고,
    R2는 알킬렌 그룹 또는 아릴렌 그룹이고,
    R3는 알킬렌 그룹이고,
    R4는 알케닐 그룹이고,
    a는 1 이상의 정수이고, b는 0 이상의 정수이고, c는 1 이상의 정수이고, d는 1 이상의 정수이고, n은 1 이상의 정수이다.
  13. 전자장치의 표면을, (A) 규소 원자-결합된 수소 원자 또는 규소 원자-결합된알케닐 그룹을 갖는 전기 절연성 유기 수지 및 (B) 용매를 포함하는 전기 절연성 가교 박막-형성성 유기 수지 조성물로 도포시키는 단계;
    용매의 전부 또는 일부를 증발시키는 단계; 및
    가열 및 고-에너지-선에 의한 조사중에서 선택된 방법으로 전기 절연성 유기 수지를 가교시키는 단계를 포함하여, 전기 절연성 가교 박막을 형성시키는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 성분 (A)가 유기 수지 블록 및 오가노폴리실록산 블록을 포함하는 실리콘 변성 유기 수지이고, 규소 원자-결합된 수소 원자 또는 규소 원자-결합된 알케닐 그룹이 오가노폴리실록산 블록중의 규소 원자에 결합되는 것을 특징으로 하는, 전기 절연성 가교 박막을 형성시키는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 성분 (A)가 폴리이미드 수지 블록 및 오가노폴리실록산 블록를 포함하는 실리콘 변성 폴리이미드 수지인 것을 특징으로 하는, 전기 절연성 가교 박막을 형성시키는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 성분 (A)가 하기 화학식의 실리콘 변성 폴리이미드 수지인 것을 특징으로 하는, 전기 절연성 가교 박막을 형성시키는 방법.
    상기식에서,
    R1은 알킬 그룹 또는 아릴 그룹이고,
    R2는 알킬렌 그룹 또는 아릴렌 그룹이고,
    a는 1 이상의 정수이고, b는 0 이상의 정수이고, c는 1 이상의 정수이고, n은 1 이상의 정수이다.
  17. 제15항에 있어서, 성분 (A)가 하기 화학식의 실리콘 변성 폴리이미드 수지인 것을 특징으로 하는, 전기 절연성 가교 박막을 형성시키는 방법.
    상기식에서,
    R1은 알킬 그룹 또는 아릴 그룹이고,
    R2는 알킬렌 그룹 또는 아릴렌 그룹이고,
    R3는 알킬렌 그룹이고,
    R4는 알케닐 그룹이고,
    a는 1 이상의 정수이고, b는 0 이상의 정수이고, c는 1 이상의 정수이고, d는 1 이상의 정수이고, n은 1 이상의 정수이다.
  18. 제13항에 있어서, 성분 (A)가 (i) 규소 원자-결합된 수소 원자를 갖는 전기 절연성 유기 수지 및 (ii) 규소 원자-결합된 알케닐 그룹을 갖는 전기 절연성 유기 수지를 포함하고; 추가로 하이드로실릴화 반응용 촉매(C)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 절연성 가교 박막을 형성시키는 방법.
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