KR20010083475A - 미세패턴 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 미세패턴 형성방법에 관한 것으로서 특히, 0.15㎛ 이하의 선폭(CD, critical dimension)을 갖는 패턴형성을 위한 식각마스크로 사용되는 포토레지스트패턴을 에너지를 스플릿(energy split)시킨 단계별 노광으로 포토레지스트를 감광시킨 다음 건식 현상(dry development)으로 형성하여 포토레지스트패턴의 구조를 보호하고 미세선폭을 정의할 수 있는 반도체장치의 미세패턴을 형성하도록 한 배선형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 미세패턴 형성방법은 기판 상에 제 1 층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 층 위에 포토레지스트막을 형성하는 단계와, 소정의 패턴을 정의하는 노광마스크와 고에너지를 갖는 광원으로 상기 포토레지트막을 제 1 선폭과 소정 깊이 까지 노광시켜 제 1 변성막을 형성하는 제 1 노광단계와, 상기 노광마스크와 저에너지를 갖는 광원으로 상기 제 1 변성막 하부의 감광되지 않은 나머지 상기 포토레지스트막의 일부를 노광시켜 상기 제 1 선폭보다 좁은 제 2 선폭을 갖는 제 2 변성막을 형성하는 제 2 노광단계와, 상기 제 1 및 제 2 변성막을 건식현상으로 제거하여 상기 제 1 층의 표면을 노출시키는 잔류한 상기 포토레지스트막으로 이루어진 포토레지스트패턴을 형성하는 현상단계와, 상기 포토레지스트패턴으로 보호되지 않는 상기 제 1 층의 소정 부위를 제거하여 상기 기판의 소정부위를 노출시키는 미세패턴을 형성하는 단계와,
상기 포토레지스트패턴을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진다.

Description

미세패턴 형성방법{Method of defining micropatterns}
본 발명은 미세패턴 형성방법에 관한 것으로서 특히, 0.15㎛ 이하의 선폭(CD, critical dimension)을 갖는 패턴형성을 위한 식각마스크로 사용되는 포토레지스트패턴을 에너지를 스플릿(energy split)시킨 단계별 노광으로 포토레지스트를 감광시킨 다음 건식 현상(dry development)으로 형성하여 포토레지스트패턴의 구조를 보호하고 미세선폭을 정의할 수 있는 반도체장치의 미세패턴을 형성하도록 한 배선형성방법에 관한 것이다.
종래의 반도체장치 배선 형성방법은 현재의 노광 한계까지 노광 및 현상하여 식각마스크를 형성하기 위한 포토레지스트패턴을 사진공정을 사용하여 정의한다. 그리고 포토레지스트패턴을 다시 부분적으로 식각하여 축소된 포토레지스트패턴을 형성한 다음 이를 이용하여 배선용 식각마스크를 형성한다.
그러나, 선폭이 더욱 미세화되면서 패턴형성용 식각마스크로 사용되는 포토레지스트패턴 형성마진이 패턴이 부서지기 쉽고, 취약지점에서 회로 선폭의 단선 또는 노칭(notching) 등이 유발되어 감소하고, 특히, 피식각층이 빛을 반사시키는 성질을 갖는 금속 등으로 이루어진 경우에는 금속표면에 의한 난반사로 미세회로 형성에 한계가 있다.
도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따른 반도체장치의 미세 배선 형성방법을 도시한 공정단면도이다.
도 1a를 참조하면, 반도체기판(10) 상에 알루미늄 등의 도전 물질을 스퍼터링 방법 또는 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition : 이하, CVD라 칭함) 방법으로 증착하여 피식각층(11)을 형성한다. 상기에서 기판(10)은 불순물 확산영역 또는 하부 배선을 덮는 층간절연막이다.
그리고 피식각층(11) 상에 포토레지스트막(120)을 도포한 후, 요구 선폭과 타이트한 마진을 갖는 노광마스크를 사용하여 포토레지스트를 노광하여 노광된 포토레지스트막인 변성막(121)을 형성한다.
도 1b를 참조하면, 현상액(development chemical)을 사용하여 변성막을 제거하므로서 잔류한 포토레지스트막(120)으로 이루어진 배선패턴 등의 형성을 위한 피식각층(11)의 소정 부분을 노출시키는 포토레지스트 패턴(120)을 형성한다. 이때, 포토레지스트의 하지층인 피식각층(11)이 알루미늄 등으로 이루어져서 빛을 반사하는 성질을 가지면 노광시 빛의 난반사가 발생하여 정확하게 포토레지스트를노광시키지 못한다. 즉, 포토레지스트 패턴의 측면 프로파일이 흐트러진다.
따라서, 현상된 포토레지스트패턴(120)의 표면이 균일하지 못하여 피식각층(11) 후속 식각공정에서 형성되는 미세패턴이 정밀하지 못하다.
또한, 0.15㎛ 이하의 미세패턴을 형성하기 위한 포토레지스트패턴(120)에서 단선 또는 노칭(notching)을 유발하게 된다.
도 1c를 참조하면, 포토레지스트패턴을 식각마스크로 이용하여 이로 부터 보호되지 아니하는 부위의 피식각층을 반응성 이온 식각 등의 이방성 식각 방법으로 기판(10) 표면이 노출되도록 제거하여 잔류한 피식각층으로 이루어진 미세패턴(110)을 형성한다.
그러나, 상술한 종래의 배선 형성방법은 노광장비인 스텝퍼의 해상력 한계에 따라 정확한 패턴을 정의하기 곤란하고, 포토레지스트패턴 형성마진이 패턴이 부서지기 쉬우며, 취약지점에서 회로 선폭의 단선 또는 노칭(notching) 등이 유발되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 0.15㎛ 이하의 선폭(CD, critical dimension)을 갖는 패턴형성을 위한 식각마스크로 사용되는 포토레지스트패턴을 에너지를 스플릿(energy split)시킨 단계별 노광으로 포토레지스트를 감광시킨 다음 건식 현상(dry development)으로 형성하여 포토레지스트패턴의 구조를 보호하고 미세선폭을 정의할 수 있는 반도체장치의 미세패턴을 형성하도록 한 배선형성방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 미세패턴 형성방법은 기판 상에 제 1 층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 층 위에 포토레지스트막을 형성하는 단계와, 소정의 패턴을 정의하는 노광마스크와 고에너지를 갖는 광원으로 상기 포토레지트막을 제 1 선폭과 소정 깊이 까지 노광시켜 제 1 변성막을 형성하는 제 1 노광단계와, 상기 노광마스크와 저에너지를 갖는 광원으로 상기 제 1 변성막 하부의 감광되지 않은 나머지 상기 포토레지스트막의 일부를 노광시켜 상기 제 1 선폭보다 좁은 제 2 선폭을 갖는 제 2 변성막을 형성하는 제 2 노광단계와, 상기 제 1 및 제 2 변성막을 건식현상으로 제거하여 상기 제 1 층의 표면을 노출시키는 잔류한 상기 포토레지스트막으로 이루어진 포토레지스트패턴을 형성하는 현상단계와, 상기 포토레지스트패턴으로 보호되지 않는 상기 제 1 층의 소정 부위를 제거하여 상기 기판의 소정부위를 노출시키는 미세패턴을 형성하는 단계와,
상기 포토레지스트패턴을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진다. 바람직하게, 본 발명은 상기 미세패턴을 상기 기판에 형성된 피식각층을 패터닝하기 위한 식각마스크로 이용하는 것을 더 포함하여 이루어진다.
도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따른 반도체장치의 미세 배선 형성방법을 도시한 공정단면도
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 반도체장치의 미세 배선 형성방법을 도시한 공정단면도
본 발명은 반도체 고집적회로의 0.15㎛급 이하의 선폭을 갖는 패턴형성시 포토리쏘그래피(photolithography)에서의 노광능력의 한계 및 미세 선폭을 갖는 포토레지스트패턴의 구조적 안정성의 결여를 해결하고자 노광시 노광단계를 에너지가 스플릿된 다단계 노광으로 포토레지스트를 감광시킨 후 건식현상을 실시한다.
본 발명은 리쏘그래피공정에서 피식각막의 표면에 포토레지스트막을 도포한 다음,소정의 패턴을 정의하는 다단계의 노광에서 제 1 노광단계를 고에너지로 노광을 실시하여 제 1 변성막을 형성하고 제 2 노광단계에서 저에너지로 노광을 실시하여 제 2 변성막을 실시하여 하부에 위치한 제 2 변성막의 선폭이 상부에 위치한 제 1 변성막의 선폭보다 좁게 형성한다.
그리고, SiH4계열의 가스를 이용하여 제 1 및 제 2 변성막을 제거하기 위한 현상공정을 실시하여 피식각층에 대한 식각마스크로 사용되는 포토레지스트패턴을 형성한다. 이때, 두단계에 걸쳐 실시된 노광단계에 의하여 노광지역의 폭 및 노광 프로파일의 변형으로 하부에 위치한 제 2 변성막의 선폭이 0.15㎛ 이하가 되도록 제어한다.
건식현상으로 포토레지스트패턴이 완성되면, 포토레지스트패턴을 식각마스크로 이용하는 동일 장치에서 인-라인 스텝(in-line step)으로 건식식각을 실시하여 노광장비 해상력 한계 이하의 미세선폭을 갖는 피식각막을 패터닝한다.
따라서, 단게별 노광으로 포토레지스트패턴의 저부 선폭이 미세화되며, 피식각막 패터닝시 미세화된 저부 선폭을 갖는 포토레지스트패턴으로 0.15㎛ 이하의 선폭을 갖는 피식각층패턴을 형성할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 반도체장치의 미세 배선 형성방법을 도시한 공정단면도이다.
도 2a를 참조하면, 반도체기판(20) 상에 알루미늄 등의 도전 물질을 스퍼터링 방법 또는 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition : 이하, CVD라 칭함) 방법으로 증착하여 피식각층(21)을 형성한다. 상기에서 기판(20)은 불순물 확산영역 또는 하부 배선을 덮는 층간절연막이다.
그리고 피식각층(21) 상에 포토레지스트막(220)을 도포한 후, 노광장비의 한계에 가까운 선폭을 갖는 노광마스크와 고에너지를 갖는 광원을 사용하여 포토레지스트를 노광하는 제 1 노광단계를 포토레지스트막에 실시하여 제 1 변성막(221)을 형성한다. 이때, 제 1 변성막(221)은 소정의 제 1 선폭(d1)을 가지며 포토레지스트막(220)의 소정 깊이 까지 형성되며, 그 형성 깊이는 전체 포토레지스트막(220)의 50-70% 정도 깊이를 갖도록 형성한다.
도 2b를 참조하면, 동일한 노광마스크와 저에너지를 갖는 광원을 사용하여 포토레지스트를 재노광하는 제 2 노광단계를 포토레지스트막에 실시하여 제 1 변성막(221) 하부에 제 2 변성막(222)을 형성한다. 이때, 제 2 변성막(222)은 제 1 선폭(d1)보다 좁은 제 2 선폭(d2)을 가지며 감광되지 않은 포토레지스트막(220)의 나머지 깊이 까지 형성된다. 즉, 제 2 변성막(222)은 로우 파워(low power)에 의한 언더 노광(under exposure)개념으로 실시한다.
도 2c를 참조하면, 감광된 제 1 및 제 2 변성막을 제거하기 위하여 기판을 식각장비에 로딩시킨 다음 포토레지스트막에 SiH4계열의 가스를 사용하는 건식현상을 실시한다.
따라서, 제 1 및 제 2 변성막이 제거되어 피식각층(21)의 표면이 노출되며, 노출된 피식각층(21)의 선폭은 제 1 변성막의 선폭과 같은 'd2'가 되고, 잔류한 포토레지스트막으로 이루어진 포토레지스트패턴(220)이 형성된다.
도 2d를 참조하면, 포토레지스트패턴을 식각마스크로 이용하여 이로 부터 보호되지 아니하는 부위의 피식각층을 반응성 이온 식각 등의 이방성 식각 방법으로 기판(20) 표면이 노출되도록 제거하여 잔류한 피식각층으로 이루어진 미세패턴(210)을 형성한다. 이후, 도시되지는 않았지만, 잔류한 피식각층(210)을 그대로 미세회로선폭으로 이용할 수 있고, 또는, 잔류한 피식각층(210)을 식각마스크로 이용하여 하부층을 패터닝할 수 있다.
그리고, 포토레지스트패턴을 산소애슁 등의 방법으로 제거하여 미세패턴(210)의 상부 표면을 노출시킨다.
따라서, 최종 형성된 미세패턴(210) 간격의 선폭(d2)은 0.15㎛ 이하가 된다.
따라서, 본 발명은 현재의 노광기술로서 차세대소자에 필요한 최소선폭을 구현할 수 있으며, 포토레지스트패턴의 선폭마진을 증가시키므로서 안정적인 공정제어가 가능하고, 포토레지스트패턴의 구조적 안정성을 개선하는 장점이 있다.

Claims (5)

  1. 기판 상에 제 1 층을 형성하는 단계와,
    상기 제 1 층 위에 포토레지스트막을 형성하는 단계와,
    소정의 패턴을 정의하는 노광마스크와 고에너지를 갖는 광원으로 상기 포토레지트막을 제 1 선폭과 소정 깊이 까지 노광시켜 제 1 변성막을 형성하는 제 1 노광단계와,
    상기 노광마스크와 저에너지를 갖는 광원으로 상기 제 1 변성막 하부의 감광되지 않은 나머지 상기 포토레지스트막의 일부를 노광시켜 상기 제 1 선폭보다 좁은 제 2 선폭을 갖는 제 2 변성막을 형성하는 제 2 노광단계와,
    상기 제 1 및 제 2 변성막을 건식현상으로 제거하여 상기 제 1 층의 표면을 노출시키는 잔류한 상기 포토레지스트막으로 이루어진 포토레지스트패턴을 형성하는 현상단계와,
    상기 포토레지스트패턴으로 보호되지 않는 상기 제 1 층의 소정 부위를 제거하여 상기 기판의 소정부위를 노출시키는 미세패턴을 형성하는 단계와,
    상기 포토레지스트패턴을 제거하는 단계로 이루어진 미세패턴 형성방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판의 상부 표면에 불순물 확산영역 또는 하부 배선을 덮는 층간절연막이 형성된 것이 특징인 미세패턴 형성방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 현상단계와 상기 미세패턴을 형성하는 단계는 동일한 식각장비에서 실시하는 것이 특징인 미세패턴 형성방법.
  4. 청구항 1 에 있어서,
    상기 건식현상은 SiH4계열의 가스를 사용하는 것이 특징인 미세패턴 형성방법.
  5. 청구항 1 에 있어서,
    상기 미세패턴을 상기 기판에 형성된 피식각층을 패터닝하기 위한 식각마스크로 이용하는 것이 특징인 미세패턴 형성방법.
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