KR20010061305A - 강유전체 메모리 소자의 보호막 식각 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 강유전체 메모리 소자의 패드 오픈을 위한 보호막 식각 방법에 관한 것으로, 금속배선이 형성된 반도체기판 상부에 보호막으로서 제1산화막, 메탈커버층, 제2산화막, 질화막을 차례로 적층형성하는 제 1 단계, 상기 질화막 상부에 상기 메탈커버층에 대해 식각선택비를 갖는 식각방지막을 형성하는 제 2 단계, 상기 식각방지막 상부에 감광막패턴을 형성하는 제 3 단계, 상기 감광막패턴을 마스크로 하여 상기 절연막식각방지막을 포함한 질화막, 제2산화막을 식각하는 제 4 단계, 상기 식각방지막을 마스크로 하여 상기 메탈커버층을 식각하는 제 5 단계, 상기 제 5 단계 후 남은 상기 식각방지막을 마스크로 하여 상기 제1산화막을 식각하는 제 6 단계를 포함하여 이루어진다.

Description

강유전체 메모리 소자의 보호막 식각 방법{METHOD FOR ETCHING PASSIVATION IN FERROELECTRIC MEMORY DEVICE}
본 발명은 강유전체 메모리 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 적층 보호막 하부의 메탈커버층에 대한 과도식각 시간을 감소시키도록 한 강유전체 메모리 소자의 보호막 식각 방법에 관한 것이다.
일반적으로 강유전체 메모리(Ferroelectric RAM; FeRAM) 소자에서 보호막 (Passivation)은 DRAM에서와 동일하게 산화막(Oxide)과 나이트라이드(Nitride)의 2층 절연막을 이용한다. 그러나, 수소 효과(Hydrogen effect)등의 이유로 인하여 캐패시턴스(Capacitance)가 심하게 열화되는 현상이 발생하였다.
그래서 상기의 캐패시턴스 열화 현상을 방지하기 위해 절연막 중간에 메탈커버층(Metal cover layer)을 삽입하고 있다. 이 때 메탈커버층으로 티타늄(Ti)이 가장 많이 사용되고 있다.
종래의 메탈커버층이 없는 보호막은 절연막 식각장비에서 한번에 식각했다. 그러나 절연막 사이에 메탈커버층이 있는 경우는, 보호막에 대한 식각공정을 한번에 실시하지 못하는 문제가 발생한다. 즉, 절연막 식각장비에서 티타늄을 식각하지 못하는 문제가 발생한 것이다. 따라서 현재까지는 산화막과 메탈커버층을 증착한 후에 감광막(Photoresist)을 이용하여 메탈커버층을 식각하고, 다시 산화막과 나이트라이드를 증착한 후 동일한 감광막을 다시 이용하여 식각하는 방법을 이용하고 있다.
상기와 같이 감광막을 두 번 이용해야하므로 공정이 복잡할 뿐만아니라 공정 시간이 많이 소요되는 문제점이 있다.
도 1a 내지 도 1e는 종래기술의 강유전체 메모리 소자의 보호막 식각 방법을나타낸 도면으로 금속배선(11)을 입출력패드와 전기적으로 연결하기 위한 보호막콘택식각 방법을 나타낸 도면이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 금속배선(11)이 형성된 강유전체 메모리 소자의 보호막 형성에 있어서, 상기 금속배선(11) 상부에 하부산화막(12)을 형성하고 상기 하부산화막(12) 상부에 메탈커버층(13)을 형성한다. 이어 상기 메탈커버층(13) 상부에 감광막을 도포하고 노광 및 현상공정으로 패터닝하여 제1감광막패턴(14)을 형성한다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 제1감광막패턴(14)을 마스크로 하여 상기 메탈커버층(13)을 식각한 다음, 상기 제1감광막패턴(14)을 제거한다.
도 1c에 도시된 바와 같이, 상기 식각된 메탈커버층(13)을 포함한 전면에 상부산화막(15)을 형성하고, 이어 상기 상부산화막(15) 상부에 나이드라이드막(16)을 형성한다. 이어 상기 나이트라이드막(16) 상부에 감광막을 도포하고 노광 및 현상 공정으로 패터닝하여 제2감광막패턴(17)을 형성한다.
도 1d에 도시된 바와 같이, 상기 제2감광막패턴(17)을 마스크로 하여 상기 나이트라이드막(14)과 상부산화막(13)을 식각하여 금속배선(11)을 노출시킨다.
이와 같이, 종래기술은 감광막을 2번 이용하여 보호막을 식각해야하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 보호막의 최상층에 형성된 나이트라이드막상에 산화막식각방지막을 형성하여 한 번의 감광막 공정으로 보호막을 식각하는데 적합한 강유전체 메모리 소자의 보호막 식각 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
도 1a 내지 도 1d는 종래기술에 따른 강유전체 메모리 소자의 보호막 식각 방법을 나타낸 도면,
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 강유전체 메모리 소자의 보호막 식각 방법을 나타낸 도면.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
21 : 금속배선 22 : 하부산화막
23 : 메탈커버층 24 : 상부산화막
25 : 나이트라이드막 26 : 산화막식각방지막
27 : 감광막패턴
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명은 금속배선이 형성된 반도체기판 상부에 보호막으로서 제1산화막, 메탈커버층, 제2산화막, 질화막을 차례로 적층형성하는 제 1 단계, 상기 질화막 상부에 상기 메탈커버층에 대해 식각선택비를 갖는 식각방지막을 형성하는 제 2 단계, 상기 식각방지막 상부에 감광막패턴을 형성하는 제 3 단계, 상기 감광막패턴을 마스크로 하여 상기 절연막식각방지막을 포함한 질화막, 제2산화막을 식각하는 제 4 단계, 상기 식각방지막을 마스크로 하여 상기 메탈커버층을 식각하는 제 5 단계, 상기 제 5 단계 후 남은 상기 식각방지막을 마스크로 하여 상기 제1산화막을 식각하는 제 6 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 강유전체 메모리 소자의 보호막 식각방법을 나타낸 도면이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 금속배선(21)이 형성된 강유전체 메모리 소자에있어서, 패드오픈을 위한 보호막으로서 상기 금속배선(21) 상부에 하부산화막(22), 메탈커버층(23), 상부산화막(24), 나이트라이드막(25), 산화막식각방지막(Oxide etch barrier layer)(26)을 적층형성한다. 이 때, 상기 메탈커버층(23)으로 티타늄을 이용한다.
이어 상기 산화막식각방지막(26) 상부에 감광막을 도포하고 노광 및 현상 공정으로 패터닝하여 감광막패턴(27)을 형성한다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 감광막패턴(27)을 마스크로 하여 절연막식각 장치에서 상기 산화막식각방지막(26), 나이트라이드막(25), 상부산화막(24)을 식각한 다음, 상기 감광막패턴(27)을 제거하고 세정공정(Cleaning)을 실시한다.
도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 산화막식각방지막(26)을 마스크로 하여 메탈식각 장치에서 상기 메탈커버층(23)을 식각한 다음, 세정공정을 실시한다. 이 때 산화막식각방지막(26a)에 대한 메탈커버층(23)의 식각선택비(Etch selectivity)가 좋다. 이 때 상기 산화막식각방지막(26)은 일정 두께 식각된다(26a).
도 2d에 도시된 바와 같이, 다시 절연막식각 장치에서 상기 메탈커버층(23)을 식각하고 남은 산화막식각방지막(26a)을 마스크로 하여 상기 메탈커버층(23) 하측의 하부산화막(22)을 식각하고 세정공정을 실시한다. 그리고 상기 산화막식각방지막(26a)를 제거한다. 이 때 나이트라이드막(25)에 대한 하부산화막(22)의 식각선택비가 좋다.
이와 같이 보호막 식각 공정을 진행할 경우, 보호막 적층막 하부에 형성된 메탈커버층(23)에 대한 과도식각(Over etch) 시간을 줄일수 있다. 또한 하부산화막(22)에 대한 60~70% 과도식각 시간을 감소시킬 수 있다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 강유전체 메모리 소자의 보호막 식각 공정시 한 번의 감광막패턴을 이용하여 절연막을 식각하고, 산화막식각방지막을 이용하여 메탈커버층과 하부 산화막을 식각하므로써 감광막 도포 공정을 감소시킬 수 있다.
또한 하부산화막의 과도식각 시간을 감소시키므로 하부막질의 어택(Attack)을 감소시키어 소자의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (4)

  1. 강유전체 메모리 소자의 패드 오픈을 위한 제조 방법에 있어서,
    금속배선이 형성된 반도체기판 상부에 보호막으로서 제1산화막, 메탈커버층, 제2산화막, 질화막을 차례로 적층형성하는 제 1 단계;
    상기 질화막 상부에 상기 메탈커버층에 대해 식각선택비를 갖는 식각방지막을 형성하는 제 2 단계;
    상기 식각방지막 상부에 감광막패턴을 형성하는 제 3 단계;
    상기 감광막패턴을 마스크로 하여 상기 절연막식각방지막을 포함한 질화막, 제2산화막을 식각하는 제 4 단계;
    상기 식각방지막을 마스크로 하여 상기 메탈커버층을 식각하는 제 5 단계; 및
    상기 제 5 단계 후 남은 상기 식각방지막을 마스크로 하여 상기 제1산화막을 식각하는 제 6 단계
    를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자의 보호막 식각 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 메탈커버층은 티타늄을 이용하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리소자의 보호막 식각 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 6 단계후 세정공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자의 보호막 식각 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 6 단계는,
    상기 제1산화막의 60∼70% 과도식각 시간을 감소시키는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자의 보호막 식각 방법.
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