KR20010053155A - 클로로-메틸벤조트리아졸의 이성질체를 사용한 부식 억제방법 - Google Patents
클로로-메틸벤조트리아졸의 이성질체를 사용한 부식 억제방법 Download PDFInfo
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- Y10S585/949—Miscellaneous considerations
- Y10S585/95—Prevention or removal of corrosion or solid deposits
Abstract
수성계에서의 부식 억제제로서 할로-벤조트리아졸의 용도가 개시된다. 클로로-메틸벤조트리아졸의 특정 이성질체가 염소 존재하에서 톨릴트리아졸보다 더욱 효과적인 부식 억제제인 것으로 밝혀졌다.
Description
넓은 다양한 수성 및 비수성계에서의 구리 및 철 합금의 부식을 억제하기 위한 트리아졸의 용도는 공지되어 있다. 산업용 냉각수 시스템에서, 벤조트리아졸 및 톨릴트리아졸이 가장 빈번히 사용된다. 톨릴트리아졸은 일반적으로 그 낮은 비용 때문에 바람직하다. 트리아졸은 시스템에서의 금속 또는 금속 산화물 표면의 충분한 피복을 제공하여 수성계에 존재하는 부식 원소에 대한 보호를 제공하는 필름 형성 물질이다. 다양한 아졸은 필름 형성 경향 이외에, 또한 가용성의 이가 구리이온을 침전시킨다. 침전은 구리 이온 및 철 원자 사이의 갈바니 반응으로 제일철 금속의 공식 (pitting corrosion)을 초래하는 제일철의 표면으로의 구리 이온의 수송을 방지한다.
부식 억제를 위한 아졸의 용도는 광범위한 반면, 그 용도, 특히 톨릴트리아졸의 경우 결점이 있다. 가장 중요한 결점은 아졸을 산화 할로겐과 배합하여 사용할 때 경험된다. 냉각수 시스템에서 미생물 증식을 방제하는 데 사용되는 가장 일반적인 물질은 원소 염소, 브롬, 이들의 차아할로산, 또는 이들의 알칼리 용액 (즉, 차아염소산염 또는 차아브롬산염 이온의 용액)과 같은 산화 할로겐이다. 앞서 아졸로 보호된 구리 또는 철 합금이 산화 할로겐에 노출될 때, 부식 보호는 중단된다. 중단 후, 염소화될, 특히 연속적으로 염소화될 톨릴트리아졸 처리된 냉각 시스템 중에 새로운 보호 필름을 형성하는 것이 어렵다. 성능을 개선하기 위한 시도로 자주 매우 높은 투여량의 톨릴트리아졸이 적용되지만 종종 제한된 성공만이 있을 뿐이다.
산화 할로겐의 존재하에 아졸 보호 필름의 분해는 문헌에 잘 기록되어 있다. 예를 들면, 홀름 (R. Holm) 등은 차아염소산염이 완전한 트리아졸 필름에 침투하여 높은 부식 속도를 초래하고, 부차적으로 예비필름화된 트리아졸 표면을 공격하여 필름을 파괴 또는 분해한다고 결론짓고 있다 (53rd Annual Meeting of the International Water Conference, Paper No. IWC-92-40, 1992). 류 (Lu) 등은 또한 구리 및 구리 합금 표면 상에서 트리아졸 필름과 차아염소산염의 상호작용을 연구하였다 ("Effects of Halogenation on Yellow Metal Corrosion: Inhibition by Triazoles", Corrosion, 50, 422 (1994)). 류 등은 다음과 같이 결론 지었다.
(a) 구리 및 황동 표면 상의 예비필름화된 톨릴트리아졸은 염소화동안 분해를 진행한다.
(b) NaOCl에 대한 구리 및 황동 표면 상의 예비필름화된 톨릴트리아졸의 안정성은 톨릴트리아졸이 차아염소산염 용액에 첨가될 때 개선되었다.
(c) 깨끗한 (즉, 비-예비필름화된) 구리 표면은 톨릴트리아졸 및 NaOCl의 혼합물을 함유하는 용액 중에 두었을 때 우수한 보호 필름을 생성하지 않았다.
따라서, 톨릴트리아졸과 NaOCl의 배합물은 효과적인 필름 형성과 부식을 억제할 수 있는 조성물을 생성하지 않았다.
냉각수 시스템에서 아졸이 산화 할로겐에 노출될 때의 반응 산물의 성질은 명확하지 않다. 본 문헌은 염소 및 톨릴트리아졸이 냉각수 중에 배합될 때 화합물이 형성되며, 이것이 염소에 대한 분석학적 실험에 반응한다고 교시하고 있다. 예를 들면, 반더풀 (Vanderpool) 등은 염소가 가역적으로 톨릴트리아졸과 반응하여 N-클로로-톨릴트리아졸을 생성한다고 설명하고 있다. 이들은 구체적으로 "이러한 화합물은 그 자체가 억제제가 아닐 것이다"라고 설명하고 있다. 오히려, 이들은 이것이 원래의 톨릴트리아졸 및 차아염소산으로 용이하게 가수분해되어, 유리된 톨릴트리아졸이 부식 억제에 이용되게 된다고 교시한다 ("Improving the Corrosion Inhibitor Efficiency of Tolyltriazole in the Presence of Chlorine and Bromine", NACE Corrosion/87, Paper No. 157 (1987)). 홀렌더 (Hollander) 및 메이 (May)는 저장된 더욱 고도의 농축된 용액으로부터 1-클로로-톨릴트리아졸을 단리할 수 있었다고 설명하고 있지만, 또한 "저농도 (10 mg/L 미만)에서 신속한 가수분해가 클로로 부가생성물을 단리하는 것을 불가능하게 만든다고 교시한다. 양성자 NMR 분석을 기초로, 홀렌더 및 메이가 단리한 물질은 클로로-톨릴트리아졸이었다.
또 다른 관찰은 톨릴트리아졸 및 염소를 냉각수에서 배합할 때 마다 매우 특징적인 냄새가 존재한다는 것이다.
이와는 달리, 클로로-톨릴트리아졸은 연장된 비등에도 불구하고 염소에 대한 분석학적 실험에 반응하지 않는다. 그리고, 클로로-톨릴트리아졸의 용액은 놀랍게도 특징적인 냄새를 생성하지 않는다. 따라서, 클로로-톨릴트리아졸은 냉각수 시스템의 반응계 내에서 형성되는 톨릴트리아졸-염소 반응 생성물과는 분명히 다르다.
또한, 5-클로로벤조트리아졸에 대한 참조가 문헌에 있다 (즉, CAS 번호 [94-97-3]). 문헌 ("The Water Drop", Volume 1 No. 2, 1985, Puckorius ＆ Associates)에서 염소화된 톨릴트리아졸이 부식 억제제로서 효과적이라고 설명하고 있으며, 참고문헌으로서 칼 (R. P. Carr)의 문헌을 언급하고 있다. 칼은 공개된 작업의 논평에서 실제 톨릴트리아졸 및 염소사이의 반응이 냉각수 조건에서 일어나지 않는다고 교시하고 있다 ("The Performance of Tolyltriazole in the Presence of Sodium Hypochlorite Under Simulated Field Conditions", NACE Corrosion/83 Paper No. 283, 1983). 이 문헌 (Corrosion/83 문헌)에서 칼은 클로로-아졸의 억제 작용을 논의하고 있으나, 이는 앞서의 문헌, 구체적으로 황산 용액 중의 5-클로로벤조트리아졸 및 관련된 아릴 치환된 아졸의 작용에 관해 참고로 들고 있다 ("Effects of Substituted Benzotriazole on the Electrochemical Behavior of Copper in H2SO4", Wu et al., Corrosion, Volume 37, No. 4, 223 (1981)). 1985년의 푸코리우스 (Puckorius) 문헌 이후로, 염소화된 냉각 시스템에서 잘 구축된 성능의 난점과 함께 톨릴트리아졸이 광범위하게 사용되었으며, 이는 당분야에서의 계속되는 미해결 문제를 가리킨다.
톨릴트리아졸 및 산화 할로겐이 냉각수에서 배합될 때의 다른 문제도 잘 알려져 있다. 이들에는 개선된 수송 및 갈바니 부식을 초래하는 구리와 같은 전이 금속 이온의 침전 정도의 손실, 부주의한 과공급 및 상기 언급된 불유쾌한 냄새를 초래하는 톨릴트리아졸에 대한 표준 분광광도계 실험의 반응에서의 변화가 포함된다. 이러한 냄새는 냉각수가 원래 1 ppm 이하의 톨릴트리아졸을 함유하는 경우에 조차 지각될 수 있다. 종종 냉각수는 냉각탑을 통과하므로, 국소적 환경에 대하여 불유쾌한 냄새가 증발 및 부유한다.
냄새 물질은 N-클로로-톨릴트리아졸로 생각되며, 이는 희석 용액에서 톨릴트리아졸과 함께 가역적으로 OCl-을 형성하며, 반응이 농축 용액에서 진행할 때, 즉 톨릴트리아졸 + OCl-→ N-클로로-톨릴트리아졸-(중간체) → 클로로-톨릴트리아졸에서 최종 산물에 존재하지 않는다고 생각된다. 클로로-톨릴트리아졸이 냄새나는 중간체 또는 톨릴트리아졸로 전환되는 증거는 없다. 또한 희석 수용액에서 차아염소산염 및 클로로-톨릴트리아졸 사이의 반응에 대한 어떠한 증거도 없다.
＜발명의 요약＞
본 발명자들은 수성계에서의 부식 억제에 있어서 클로로-메틸벤조트리아졸의 특정 이성질체가 클로로-톨릴트리아졸의 다른 이성질체보다 더욱 효과적이라는 것을 발견하였다. 특정 클로로-메틸벤조트리아졸 이성질체는 염소 존재하에서 클로로-톨릴트리아졸의 다른 이성질체보다 실질적으로 더욱 효과적인 부식 억제제이다. 더욱이, 특정 클로로-메틸벤조트리아졸 이성질체가 염소에 노출될 때, 불유쾌한 냄새가 생성되지 않는다.
본 발명은 수성계의 부식 방지에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 본 발명은 수성계에 클로로-메틸벤조트리아졸을 적용하여 수성계에서의 강철 및 구리 합금의 부식을 억제하는 것에 관한 것이다.
도 1은 부식 속도 (mpy) 대 시간의 그래프.
도 2는 6-클로로-5-메틸벤조트리아졸의 제조를 위한 반응 순서도.
도 3은 4-클로로-5-메틸벤조트리아졸의 제조를 위한 반응 순서도.
도 4는 5-클로로-4-메틸벤조트리아졸의 제조를 위한 반응 순서도.
본 발명자들은 수성계에서의 부식 억제에 있어서 클로로-메틸벤조트리아졸의 특정 이성질체가 클로로-톨릴트리아졸의 다른 이성질체보다 더욱 효과적이라는 것을 발견하였다. 특정 클로로-메틸벤조트리아졸 이성질체는 염소 존재하에서 클로로-톨릴트리아졸의 다른 이성질체보다 실질적으로 더욱 효과적인 부식 억제제이다. 특정 클로로-메틸벤조트리아졸의 효능은 놀라운 것이다. 더욱이, 본 발명의 특정 클로로-메틸벤조트리아졸 이성질체는 염소에 노출될 때 톨릴트리아졸에서와 같은 불유쾌한 냄새를 생성하지 않는다.
4-클로로-5-메틸벤조트리아졸, 5-클로로-4-메틸벤조트리아졸 및 6-클로로-5-메틸벤조트리아졸의 반응계외 제조는 클로로-톨릴트리아졸의 다른 이성질체를 포함하는 처리와 비교할 때 놀랍고 예기치 못한 활성을 나타내는 부식 억제제를 제공한다는 것을 발견하였다. 본 발명의 연구의 결과는 4-클로로-5-메틸벤조트리아졸, 5-클로로-4-메틸벤조트리아졸 및 6-클로로-5-메틸벤조트리아졸이 클로로-톨릴트리아졸의 다른 이성질체보다 더욱 효과적인 부식 억제제임을 명확히 보여준다.
6-클로로-5-메틸벤조트리아졸은 적절한 수단으로 제조될 수 있다. 하기 실시예에서, 6-클로로-5-메틸벤조트리아졸은 도 2에 기재된 반응 순서도에 따라 제조되었다.
도 2에 기재된 반응 순서도는 다음과 같다: 수성 메탄올 용액 중에서 아세트산 무수물로 아닐린을 아세틸화시켜 3-클로로-4-메틸아닐린으로부터 3-클로로-4-메틸아세트아닐리드를 제조하였다. 그 후, 아세트아닐리드를 황산 및 질산으로 질산화시켜 클로로-메틸니트로아세트아닐리드 이성질체의 혼합물을 형성하였다. 에탄올로 재결정하여 목적의 이성질체 (3-클로로-4-메틸-6-니트로아세트아닐리드)를 정제하였다. 아세트아닐리드를 에탄올 용액 중의 수산화칼륨으로 탈보호하여 3-클로로-4-메틸-6-니트로아닐린을 제조하였다. 3-클로로-4-메틸-6-니트로아닐린 상의 니트로기의 환원은 에탄올 중의 아연 분진을 사용하여 달성하였다. 4-클로로-5-메틸-1,2-벤젠-디아민을 아세트산 중의 아질산나트륨과 반응시켜 6-클로로-5-메틸벤조트리아졸을 생성하였다.
4-클로로-5-메틸벤조트리아졸은 임의의 적절한 수단으로 제조될 수 있다. 하기 실시예에서, 4-클로로-5-메틸벤조트리아졸은 도 3에 기재된 반응 순서도에 따라 제조하였다.
도 3에 기재된 반응 순서도는 다음과 같다: 수성 메탄올 용액 중에서 아세트산 무수물로 아닐린을 아세틸화시켜 3-클로로-4-메틸아닐린으로부터 3-클로로-4-메틸아세트아닐리드를 제조하였다. 그 후, 아세트아닐리드를 황산 및 질산으로 질산화시켜 클로로-메틸니트로아세트아닐리드 이성질체의 혼합물을 형성하였다. 에탄올로 재결정하여 목적의 이성질체 (3-클로로-4-메틸-2-니트로아닐리드)를 정제하였다. 아세트아닐리드를 에탄올 용액 중의 수산화칼륨으로 탈보호하여 3-클로로-4-메틸-2-니트로아닐린을 제조하였다. 3-클로로-4-메틸-2-니트로아닐린 상의 니트로기의 환원은 에탄올 중의 아연 분진을 사용하여 달성하였다. 3-클로로-4-메틸-1,2-벤젠-디아민을 아세트산 중의 아질산나트륨과 반응시켜 4-클로로-5-메틸벤조트리아졸을 생성하였다.
5-클로로-4-메틸벤조트리아졸은 임의의 적절한 수단으로 제조될 수 있다. 하기 실시예에서, 5-클로로-4-메틸벤조트리아졸은 도 4에 기재된 반응 순서도에 따라 제조하였다.
도 4에 기재된 반응 순서도는 다음과 같다: 수성 메탄올 용액 중에서 아세트산 무수물로 아닐린을 아세틸화시켜 3-클로로-2-메틸아닐린으로부터 3-클로로-2-메틸아세트아닐리드를 제조하였다. 그 후, 아세트아닐리드를 황산 및 질산으로 질산화시켜 클로로-메틸니트로아세트아닐리드 이성질체의 혼합물을 형성하였다. 에탄올 중의 이성질체의 혼합물에 수산화칼륨을 첨가한 후에 침전시켜 3-클로로-2-메틸-4-니트로 이성질체를 제거하였다. 3-클로로-2-메틸-6-니트로아세트아닐리드를 수산화나트륨 수용액 중에서 가열 환류하였다. 생성된 고체는 3-클로로-2-메틸-6-니트로아닐린이었다. 염산 중의 염화제1주석 용액과의 반응으로 4-클로로-3-메틸-1,2-벤젠디아민의 침전물을 수득하였다. 아세트산 중의 아질산나트륨과의 반응으로 고체 5-클로로-4-메틸벤조트리아졸을 수득하였다.
본 발명에 따른 수성계의 처리에서, 6-클로로-5-메틸벤조트리아졸, 4-클로로-5-메틸벤조트리아졸 또는 5-클로로-4-메틸벤조트리아졸은 바람직하게는 물에 연속적으로 공급된다. 바람직한 처리 농도는 약 0.2 내지 10 ppm의 범위이다. 그러나, 연속 공급이 필수적인 것은 아니다. 클로로-메틸벤조트리아졸 이성질체는 보호 필름을 형성하기에 충분한 농도로 공급된 후, 연장된 시간 기간 동안 불연속적으로 공급될 수 있다.
본 발명의 특정 클로로-메틸벤조트리아졸 이성질체 처리는 인산염, 포스폰산염, 아크릴 동종 및 공중합체, 킬레이팅제 및 옥심을 포함하나, 이들에 제한되지 않는 당 분야에 공지된 다른 부식 및(또는) 증착 억제 처리와 조합하여 사용될 수 있다.
이제, 본 발명은 단지 서술적 목적이며, 본 발명의 범위를 제한하는 것이 아닌 많은 구체적인 실시예를 참고로 하여 더 설명된다.
＜실시예 1＞
본 발명의 처리에 의한 부식 억제 활성은 비이커 부식 실험 장치 (BCTA)를 사용하여 평가하였다. BCTA는 공기/CO2살포기, 구리 전기화학 탐식자 및 자성 교반기가 장착된 비이커로 이루어진다. 실험 용액은 1.9 리터였다. 실험동안 공기/CO2살포를 계속하였다. 대조 전극 및 반대 전극을 하스텔로이 (Hastelloy) C22로 제작하였다. 온도 조절을 위하여 비이커를 수조에 침적시켰다. 분극 저항 기술을 사용하여 실험동안 주기적으로 탐식자 상의 전기화학 부식 데이터를 수득하였다. 모든 실험은 400 rpm의 교반 속도를 사용하여 120 ℉ (48.9 ℃)에서 수행하였다.
모든 실험의 경우, 500 ppm의 Ca (CaCO3으로), 250 ppm의 Mg (CaCO3으로), 354 ppm의 염화물, 및 240 ppm의 황산염으로 이루어진 물을 사용하였다. 시스템의 pH는 7.2이고, CaCO3으로서 해당 M 알칼리도는 15 ppm 이었다. 또한, 하기 수성계 처리물질을 사용하였다. 15 ppm의 오르토-PO4(PO4); 3 ppm의 P207 (PO4로서); 및 10 ppm의 HPS-1 (아크릴산 및 알릴히드록시프로필술포네이트 에테르 나트륨염의 공중합체).
실험 방법은 할로겐화 반응하에서 구리 부식 억제에 대한 클로로-톨릴트리아졸을 평가하도록 고안되었다. 구리 탐식자를 다양한 아졸 이성질체를 함유하는 실험수에 약 15 시간 동안 침적시켰다. 부식 속도가 안정화되면서, 표백 용액 (NaOCl, 염소원)을 실험수에 충전 공급하였다. 실험을 25 시간 더 계속하였다. 구리의 부식 속도는 40 시간 실험 동안 주기적으로 측정하였다. 염소화 반응하에서 다양한 아졸의 효능에 대한 지시자로서 표백 공급 후의 부식 속도 변화를 사용하였다.
표 1 및 도 1에 3 ppm의 활성물로서 톨릴트리아졸 및 다양한 클로로-톨릴트리아졸 이성질체 처리에 대한 결과를 요약하였다.
| 시료 | 0 내지 15 시간의 평균 부식 속도 (mpy) | 16 내지 40 시간의 평균 부식 속도 (mpy) |
| 3 ppm의 톨릴트리아졸3 ppm의 4-클로로-5-메틸벤조트리아졸3 ppm의 6-클로로-5-메틸벤조트리아졸3 ppm의 5-클로로-4-메틸벤조트리아졸3 ppm의 7-클로로-4-메틸벤조트리아졸 | 0.01790.01130.01220.0090.0177 | 2.36880.6490.04690.48534.3564 |
상기 결과로 알 수 있는 바와 같이, 모든 아졸은 염소의 존재없이 우수한 구리 부식 보호능을 나타내었다. 처음 15 시간 동안의 평균 부식 속도는 표 1에 나타낸 바와 같이 0.02 mpy 미만이었다. 2.5 ppm의 NaOCl의 충전공급 후에 톨릴트리아졸로 처리된 물에서 구리 부식 속도의 급격한 증가가 관찰되었다. 도 1에서 4-클로로-5-메틸벤조트리아졸 및 5-클로로-4-메틸벤조트리아졸의 경우 부식 속도의 다소간의 변화가 나타났으나, 6-클로로-5-메틸벤조트라졸로 처리된 물의 경우 구리 부식 속도는 기본적으로 변화하지 않은 상태로 남아있었다.
본 발명은 그의 특정 구현예와 관련하여 설명되었지만, 본 발명의 다양한 다른 형태 및 변형이 당업자의 숙련자에게는 자명할 것이라는 것은 분명하다. 첨부된 청구범위 및 본 발명은 일반적으로 본 발명의 진정한 정신 및 범위 내에 있는 이러한 자명한 형태 및 변형 모두를 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
Claims (27)
- 할로겐으로 처리되는 수성계에 부식 억제 목적에 유효한 양의 6-클로로-5-메틸벤조트리아졸을 첨가하는 것을 포함하는, 할로겐으로 처리되는 수성계에 접촉되는 금속 표면의 부식을 억제하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 6-클로로-5-메틸-벤조트리아졸이 약 0.2 ppm을 초과하는 농도로 상기 수성계에 첨가되는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 6-클로로-5-메틸-벤조트리아졸이 약 0.2 ppm 내지 약 10 ppm의 농도로 상기 수성계에 첨가되는 방법.
- 할로겐으로 처리되는 수성계에 부식 억제 목적에 유효한 양의 6-클로로-5-메틸벤조트리아졸을 첨가하는 것을 포함하는, 할로겐으로 처리되는 수성계와 접촉되는 금속 표면상에 부식 억제층을 형성하는 방법.
- 염소로 처리되는 수성계에 염소 요구량의 감소 목적에 유효한 양의 6-클로로-5-메틸벤조트리아졸을 첨가하는 것을 포함하는, 상기 수성계에서의 미생물 증식을 억제하기 위한 염소 요구량을 감소시키는 방법.
- 할로겐으로 처리되는 수성계에 구리 이온 수송의 억제 목적에 유효한 양의 6-클로로-5-메틸벤조트리아졸을 첨가하는 것을 포함하는, 구리를 포함하는 금속 표면과 접촉되는 상기 수성계에서의 구리 이온 수송을 억제하는 방법.
- 할로겐으로 처리되는 수성계에 부식 억제 목적에 유효한 양의 6-클로로-5-메틸벤조트리아졸을 하나 이상의 다른 수성계 처리물질과 배합하여 첨가하는 것을 포함하는, 할로겐으로 처리되는 수성계에 접촉되는 금속 표면의 부식을 억제하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 다른 수성계 처리물질이 부식 억제 처리물질, 증착 억제 처리물질 및 이들의 혼합물을 포함하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 부식 억제 처리물질, 증착 억제 처리물질 및 이들의 혼합물이 인산염, 포스폰산염, 아크릴 동종중합체, 아크릴 공중합체, 킬레이팅제, 옥심, 살균제, 및 이들의 혼합물을 포함하는 방법.
- 할로겐으로 처리되는 수성계에 부식 억제 목적에 유효한 양의 4-클로로-5-메틸벤조트리아졸을 첨가하는 것을 포함하는, 할로겐으로 처리되는 수성계에 접촉되는 금속 표면의 부식을 억제하는 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 4-클로로-5-메틸-벤조트리아졸이 약 0.2 ppm을 초과하는 농도로 상기 수성계에 첨가되는 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 4-클로로-5-메틸-벤조트리아졸이 약 0.2 ppm 내지 약 10 ppm의 농도로 상기 수성계에 첨가되는 방법.
- 할로겐으로 처리되는 수성계에 부식 억제 목적에 유효한 양의 4-클로로-5-메틸벤조트리아졸을 첨가하는 것을 포함하는, 할로겐으로 처리되는 수성계와 접촉되는 금속 표면상에 부식 억제층을 형성하는 방법.
- 염소로 처리되는 수성계에 염소 요구량의 감소 목적에 유효한 양의 4-클로로-5-메틸벤조트리아졸을 첨가하는 것을 포함하는, 상기 수성계에서의 미생물 증식을 억제하기 위한 염소 요구량을 감소시키는 방법.
- 할로겐으로 처리되는 수성계에 구리 이온 수송의 억제 목적에 유효한 양의 4-클로로-5-메틸벤조트리아졸을 첨가하는 것을 포함하는, 구리를 포함하는 금속 표면과 접촉되는 상기 수성계에서의 구리 이온 수송을 억제하는 방법.
- 할로겐으로 처리되는 수성계에 부식 억제 목적에 유효한 양의 4-클로로-5-메틸벤조트리아졸을 하나 이상의 다른 수성계 처리물질과 배합하여 첨가하는 것을 포함하는, 할로겐으로 처리되는 수성계에 접촉되는 금속 표면의 부식을 억제하는 방법.
- 제16항에 있어서, 상기 다른 수성계 처리물질이 부식 억제 처리물질, 증착 억제 처리물질 및 이들의 혼합물을 포함하는 방법.
- 제16항에 있어서, 상기 부식 억제 처리물질, 증착 억제 처리물질 및 이들의 혼합물이 인산염, 포스폰산염, 아크릴 동종중합체, 아크릴 공중합체, 킬레이팅제, 옥심, 살균제, 및 이들의 혼합물을 포함하는 방법.
- 할로겐으로 처리되는 수성계에 부식 억제 목적에 유효한 양의 5-클로로-4-메틸벤조트리아졸을 첨가하는 것을 포함하는, 할로겐으로 처리되는 수성계에 접촉되는 금속 표면의 부식을 억제하는 방법.
- 제19항에 있어서, 상기 5-클로로-4-메틸-벤조트리아졸이 약 0.2 ppm을 초과하는 농도로 상기 수성계에 첨가되는 방법.
- 제19항에 있어서, 상기 5-클로로-4-메틸-벤조트리아졸이 약 0.2 ppm 내지 약 10 ppm의 농도로 상기 수성계에 첨가되는 방법.
- 할로겐으로 처리되는 수성계에 부식 억제 목적에 유효한 양의 5-클로로-4-메틸벤조트리아졸을 첨가하는 것을 포함하는, 할로겐으로 처리되는 수성계와 접촉되는 금속 표면상에 부식 억제층을 형성하는 방법.
- 염소로 처리되는 수성계에 염소 요구량의 감소 목적에 유효한 양의 5-클로로-4-메틸벤조트리아졸을 첨가하는 것을 포함하는, 상기 수성계에서의 미생물 증식을 억제하기 위한 염소 요구량을 감소시키는 방법.
- 할로겐으로 처리되는 수성계에 구리 이온 수성의 억제 목적에 유효한 양의 5-클로로-4-메틸벤조트리아졸을 첨가하는 것을 포함하는, 구리를 포함하는 금속 표면과 접촉되는 상기 수성계에서의 구리 이온 수송을 억제하는 방법.
- 할로겐으로 처리되는 수성계에 부식 억제 목적에 유효한 양의 5-클로로-4-메틸벤조트리아졸을 하나 이상의 다른 수성계 처리물질과 배합하여 첨가하는 것을 포함하는, 할로겐으로 처리되는 수성계에 접촉되는 금속 표면의 부식을 억제하는 방법.
- 제25항에 있어서, 상기 다른 수성계 처리물질이 부식 억제 처리물질, 증착 억제 처리물질 및 이들의 혼합물을 포함하는 방법.
- 제25항에 있어서, 상기 부식 억제 처리물질, 증착 억제 처리물질 및 이들의 혼합물이 인산염, 포스폰산염, 아크릴 동종중합체, 아크릴 공중합체, 킬레이팅제, 옥심, 살균제, 및 이들의 혼합물을 포함하는 방법.
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