KR20010051135A - 표면 탄성파 장치 - Google Patents

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KR20010051135A
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Abstract

본 발명의 표면 탄성파 장치는 한 쌍의 기판 단면 및 이 기판 단면들 사이에 있는 상면을 가지고 있는 압전기판을 포함하고 있다. 상기 압전기판은 주 영역과 접촉해 있고 한쪽의 기판 단면의 내부에서 압전기판의 상면으로부터 바닥면쪽으로 연장하고 있는 적어도 1개의 내부 단면을 가지고 있다. 상기 압전기판의 주 영역에는 인터디지털 트랜스듀서(interdigital transducer: IDT)가 형성되어, 이 인터디지털 트랜스듀서에 의해 여진되고 파장 λ를 가지고 있는 SH(shear horizontal) 타입의 표면 탄성파가 적어도 1개의 내부 단면에 의해 반사된다. 적어도 1개의 내부 단면과 이에 대응하는 기판 단면 사이의 거리 L은 실질적으로 약 8λ 이하로 설정된다.

Description

표면 탄성파 장치{Surface Acoustic Wave Device}
본 발명은 SH(shear horizontal) 타입의 표면 탄성파를 이용하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치에 관한 것이다.
SH 타입의 표면 탄성파를 이용하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치는 널리 인지되어 있다. SH 타입의 표면 탄성파는, BGS(Bleustein-Gulyaev-Shimizu)파 또는 러브파(Love wave) 등과 같은 표면 탄성파의 전파 방향에 수직한 변위를 가지고 있고, 기판 표면에 평행한 구성성분을 주성분으로 포함하고 있는 표면 탄성파를 말한다. 이러한 단면 반사형 표면 탄성파 장치들 중에서, 벌크파(bulk wave)를 억제하고 또는 제조를 용이하게 하기 위해서, 일부는 기판 단면에 단차(step) 또는 기판에 홈이 형성되고, 기판 단면의 상부 또는 홈의 내면을 반사 단면으로 구성하는 구조를 가지고 있다(일본 무심사 특허 출원 공개공보 4-82315호 및 7-263998호 참조). 예를 들어, 일본 무심사 특허 출원 공개공보 4-82315호에서는, 기판 단면에 기판 표면보다 수직 치수가 큰 단차를 SH파 에너지의 적어도 80%가 이 단차에 집중되는 기판 표면으로부터 간격을 두고 떨어져서 형성함으로써, SH파 공진에 대한 벌크파 공진의 영향을 방지할 수 있고, 벌크파 공진에 의해 발생하는 원하지 않는 스퓨리어스 응답(spurious response)을 효과적으로 억압할 수 있다고 설명되어 있다.
그러나, 상술한 바와 같이 반사 단면의 수직 치수가 소정치 이상으로 설정되더라도, 어떤 경우에는, 원하는 공진 특성 또는 통과대역 특성을 얻을 수 없다. 즉, 상술한 바와 같이 단차 또는 홈이 되는 반사 단면을 구비하고 있는 종래의 표면 탄성파 장치에서는, 반사 단면의 높이를 적당한 값으로 설정하더라도, 기판 단면과 반사 단면 사이의 거리가 클 때에는, 통과대역 내에 리플(ripple)이 발생하는 등의 문제점이 있다. 또한, 반사 단면의 수직 치수가 커짐에 따라서 리플이 또 발생하는 문제점이 있다.
상술한 문제점들을 극복하기 위해서, 본 발명의 바람직한 실시형태들은 벌크파에 의해 발생하는 리플을 저하시킴으로써, 원하는 공진 특성 및 통과대역 특성을 확실하게 얻는 표면 탄성파 장치를 제공한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 제 1 실시형태에 따른 표면 탄성파 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 제 1 실시형태에 따른 표면 탄성파 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 제 2 실시형태에 따른 표면 탄성파 장치의 단면도이다.
도 4는 기판 단면과 반사 단면 사이의 거리와 대역 내의 GDT(group delay time: 군지연 시간) 편차의 변화량간의 관계를 도시하는 그래프이다.
도 5는 반사 단면의 높이와 대역 내의 특성(GDT 편차, 최소 삽입 손실)간의 관계를 도시하는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 바람직한 제 3 실시형태에 따른 통신장치의 블록 선도이다.
〈도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명〉
2 압전기판
21, 22 기판 단면
21a, 22a 반사 단면
23, 24 홈
23a, 24a 반사 단면
3, 4 인터디지털 트랜스듀서
본 발명의 한 바람직한 실시형태에 따르면, 본 발명은 한 쌍의 기판 단면(substrate edges) 및 이 기판 단면들 사이에 있는 상면을 가지고 있는 압전기판을 포함하고 있다. 상기 압전기판은 한쪽의 상기 기판 단면의 내부에서 압전기판의 상면으로부터 바닥면쪽으로 연장하고 주 영역(main region)과 접촉해 있도록 배열되어 있는 적어도 1개의 내부 단면(inner edge)을 가지고 있다. 상기 압전기판의 주 영역에는 인터디지털 트랜스듀서(interdigital transducer: IDT)가 형성되어, 이 인터디지털 트랜스듀서에 의해 여진되고 파장 λ를 가지고 있는 SH 타입의 표면 탄성파가 상기 적어도 1개의 내부 단면에 의해 반사된다. 적어도 1개의 내부 단면과 이에 대응하는 기판 단면 사이의 거리 L은 실질적으로 약 8λ 이하로 설정하는 것이 바람직하다.
적어도 1개의 내부 단면은 약 2λ∼약 6λ의 범위에 있는 높이 H를 가지는 것이 바람직하다.
표면 탄성파 장치는 상술한 바와 같이 구성되어, 통신장치에 포함될 수 있는 기능이 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 각종 실시형태들에 따른 표면 탄성파 장치에서는, 기판 단면과 반사 단면 사이의 거리를 약 8λ 미만으로 설정함으로써, 벌크파에 의해 발생하는 통과대역 내의 리플이 최소화되고, 우수한 공진 특성 및 통과대역 특성을 얻게 된다. 또한, 반사 단면의 높이를 약 2λ∼약 6λ의 범위 내로 설정함으로써, 통과대역 내의 리플이 최소화되고, 우수한 공진 특성 및 통과대역 특성을 얻게 된다.
또한, 본 발명의 다른 바람직한 실시형태에 따른 통신장치에 표면 탄성파 장치를 실장함으로써, 특성이 우수한 통신장치를 얻을 수 있다.
본 발명의 그 외의 특징, 소자, 특성 및 이점은 첨부된 도면을 참조하여 하기의 바람직한 실시형태들의 상세한 기술을 통해서 확실해질 것이다.
본 발명의 바람직한 실시형태들에는 본 발명의 기술을 위해서 바람직한 여러 형태의 도면들이 도시되어 있지만, 본 발명은 첨부된 도면의 배열 및 구성으로만 한정되는 것은 아니다.
후술할 실험 결과로부터 명확해질 것이지만, 본 발명의 발명자들은, 반사 단면과 이에 대응하는 기판 단면 사이의 거리를 소정치 이하로 설정하고 반사 단면의 높이를 소정 범위 내의 값으로 설정하도록 기판 단면 내부에 반사 단면을 형성함으로써, 통과대역 내의 리플을 최소화시킬 수 있다는 것을 발견하였다. 따라서, 원하는 우수한 공진 특성 및 통과대역 특성을 얻을 수 있다.
기판 단면과 반사 단면 사이의 거리가 적당하지 않으면 기판 단면에 반사되는 벌크파는 통과대역 특성에 강하게 영향을 주고, 반사 단면의 높이가 일정치를 초과하면 벌크파는 또한 반사 단면에 의해 반사되어, 이들 반사된 벌크파는 통과대역 특성에 강하게 영향을 준다.
본 발명의 바람직한 실시형태들에 따른 표면 탄성파 장치는 표면 탄성파 공진자, 종결합형 공진자 필터, 횡결합형 공진자 필터, 사다리형 필터 등의 SH 타입의 표면 탄성파를 이용하는 장치를 일반적으로 포함하고 있다. 이들 장치들은, 적어도 1개의 인터디지털 트랜스듀서가 압전기판 상에 형성되고, 상기 인터디지털 트랜스듀서의 적어도 한측에 표면 탄성파를 반사하는 반사 단면이 위치되는 구성을 가지고 있다.
아울러, 본 발명의 바람직한 한 실시형태에 따른 통신장치는 본 발명의 바람직한 실시형태들에 따른 적어도 1개의 표면 탄성파 장치를 포함하고 있다. 이에 의해, 우수한 특성을 가지고 있는 통신장치를 얻을 수 있다.
본 발명의 바람직한 제 1 실시형태에 따른 표면 탄성파 장치를 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다. 상기 도면들에서 전극지의 폭이 넓게 도시되어 있지만, 실제 표면 탄성파 장치의 전극지는 매우 미세한 폭을 가지고 있다.
본 바람직한 실시형태에 따른 표면 탄성파 장치는 단면 반사형 종결합형 공진자 필터이고, 평면 형상의 대략 직사각형의 압전기판 2를 구비하고 있다. 압전기판 2는 바람직하게 예를 들어 티탄지르콘산납계세라믹 등의 압전 세라믹, 또는 LiNbO3, LiTaO3등의 압전 단결정을 포함하고 있다. 압전기판 2는 서로 대향하고 있는 기판 단면 21, 22를 구비하고 있고, 이 기판 단면 21, 22의 양 단면의 내부 상면(한쪽 주면)에는 홈 23, 24가 대응하는 기판 단면 21, 22에 실질적으로 평행하게 그리고 압전기판의 상면으로부터 바닥면쪽으로 연장하고 있게 배치되어 있다. 홈 23, 24의 내면 23a, 24a는 상면의 주 영역과 접촉해 있고, 주 영역용의 새로운 내부 단면이 된다. 후술할 것이지만, 주 영역에 SH 타입의 표면 탄성파가 여진되므로, 내부 단면 23a, 24a는 반사 단면 23a, 24a로서의 기능을 가지고 있다.
2개의 IDT 3, 4는 압전기판 2의 상면 상에 홈 23과 24 사이에 배치되어 있다. IDT 3은 바람직하게 한 쌍의 빗형상 전극 3a, 3b를 가지고 있고, 이 빗형상 전극 3a, 3b는 각각 복수개의 전극지를 가지고 있으며, 빗형상 전극 3a, 3b의 전극지는 서로 교차하도록 배열되어 있다. 유사하게, IDT 4도 바람직하게 한 쌍의 빗형상 전극 4a, 4b를 가지고 있고, 이 빗형상 전극 4a, 4b는 상기 빗형상 전극 3a, 3b와 동일한 양태로 구성되어 있다. 각 전극지는 홈 23, 24에 실질적으로 평행하게 배열되어 있고, IDT 3, 4의 최외측 전극지 3c, 4c는 IDT의 외부 단면이 내면 23a, 24a와 접촉하도록 배열되어 있다. 표면 탄성파의 파장을 λ로 표현하면, IDT 3, 4의 최외측 전극지의 폭은 대략 8λ 이고, 그 외의 전극지의 폭은 모드 대략 4λ 이다.
대부분 통상의 단면 반사형 표면 탄성파 장치는, 최외측 전극지가 압전기판의 각 단면과 동일 평면상에 있는 적어도 1개의 IDT를 포함하고 있고, 이 최외측 전극지는 본 발명의 바람직한 각종 실시형태들에서 단면들과 간격을 두고 떨어져 있어도 된다.
본 발명의 바람직한 실시형태들의 이 독특한 구성에서, 한 IDT에 입력 전압을 인가할 때에, SH 타입의 표면 탄성파가 여진된다. 여진된 표면 탄성파는 반사 단면 23a와 24a 사이의 방향으로 전파되어, 단면 23a, 24a에서 반사되므로, 기본파 및 고차 모드파가 발생한다. 그 결과, 기본파와 고차 모드파가 조합하고, 단면 23a와 24a 사이에서 정재파가 발생한다. 이 정재파를 기초로한 출력은 다른 IDT에 의해 출력되고, 따라서 종결합형 공진자 필터로서 작동한다.
이 표면 탄성파 장치에서, 반사 단면 23a, 24a와 기판 단면 21, 22 사이의 거리는 각각 약 8λ 이하이다. 또한, 반사 단면 23a, 24a의 높이, 즉 홈 23, 24의 깊이는 약 2λ∼약 6λ의 범위 내에 있다.
다음으로, 본 발명의 바람직한 제 2 실시형태에 따른 표면 탄성파 장치의 구성은 도 3에 도시되어 있다. 본 바람직한 실시형태에 따른 표면 탄성파 장치에서는, 기판 단면에 단차가 형성되어 반사 단면을 형성한다. 즉, 이 표면 탄성파 장치에서, 압전기판 2의 2개의 대향하는 단면 21, 22 상에 단차 25, 26이 각각 형성된다. 단차 25, 26은 압전기판 2의 상면을 대략 직사각형 형상으로 절단함으로써 형성되며, 단차 25, 26의 상방측의 서로 대향하는 단면 21a, 22a를 반사 단면으로서 구성한다. 이 반사 단면 21a, 22a의 구성 소자 이외의 소자들은 상기 바람직한 제 1 실시형태의 구성과 동일하며, 그의 설명은 생략한다.
이 표면 탄성파 장치에서, 반사 단면 21a, 22a와 기판 단면 21, 22 사이의 거리는 각각 약 8λ 이하이고, 반사 단면 21a, 22a의 높이, 즉 압전기판 2의 상면으로부터 단차 25, 26까지의 거리 H는 약 2λ∼약 6λ의 범위 내에 있다.
바람직한 제 1 및 제 2 실시형태의 표면 탄성파 장치는 바람직하게 하기의 방법에 의해 제조된다. 먼저, 표면 탄성파 장치를 구성하는 다수의 IDT가 압전기판 상에 형성된다. 다음으로, 압전기판의 상면에 반사 단면을 형성하는 홈(도 1 및 도 2에서 참조번호 23, 24)이 다이서(dicer) 또는 그 외의 적당한 절단 장치 또는 방법을 사용하여 형성된다. 이 홈은 최외측 전극지 3c, 4c가 소정의 폭을 가지고 있으며 클리핑(clipping) 또는 그 외의 문제점들이 발생하지 않도록 정밀하게 형성된다. 홈의 한 측면은 반사 단면 21a, 22a, 23a, 24a가 되고, 홈의 깊이(반사 단면의 높이)는 바람직하게 약 2λ∼약 6λ의 범위 내에 있다. 다음으로, 홈의 외측 또는 내측은 다이서 또는 그 외의 적당한 절단 장치 또는 방법에 의해 절단되어, 각각의 표면 탄성파 장치를 분리시킨다. 이 절단면은 압전기판 2의 단면 21, 22를 동시에 형성하고, 이 절단면은 각 홈의 내측으로부터 약 8λ 이하로 설정된다. 상기 홈의 외측을 절단하면 바람직한 제 1 실시형태의 표면 탄성파 장치가 제작되며, 상기 홈의 내측을 절단하면 바람직한 제 2 실시형태의 표면 탄성파 장치가 제작되고 기판 단면에 단차가 형성된다. 상술한 바와 같이, 반사 단면을 구성하도록 홈을 형성한 후에 반사 단면과는 다른 위치에서 압전기판 2를 절단함으로써, 클리핑 등의 문제점들이 없고 정밀도가 높은 단면이 형성된다.
이어서, 기판 단면과 반사 단면 사이의 거리 L 및 반사 단면의 높이 H를 한정하는 이유를 실험 결과를 토대로하여 설명한다. 이러한 표면 탄성파 장치가 절단되어 분리되기 전의 상태에 있다면 또는 거리가 실제적으로 무한하다면(실제적으로는, 거리 L이 약 500λ 이상이면), 기판 단면에서의 벌크파의 반사가 발생하지 않고 리플 또는 삽입 손실도 최소화된다. 부가하여, 삽입 손실-주파수 특성의 통과대역에서의 리플은 통과대역 내의 GDT(group delay time: 군지연 시간) 편차에 대응한다. 따라서, 대역내의 리플은 GDT 편차로 평가된다.
도 4는 상기 바람직한 제 1 및 제 2 실시형태의 표면 탄성파 장치에서, 압전기판을 절단하기 전을 기준으로 하여, 압전기판의 절단 후에 상기 거리 L과 통과대역 내의 GDT 편차의 변화량간의 관계를 도시한다. 이것은, IDT 3, 4의 전극지의 쌍의 개수를 34쌍, 표면 탄성파의 파장 λ를 20㎛, 반사 단면의 높이를 3λ로 구성하여, 중심 주파수 190㎒, 통과대역의 폭 5㎒를 가지고 있는 휴대 전화용 1st IF 필터가 된다. 도 4에 도시된 바와 같이, 기판 단면과 반사 단면 사이의 거리 L이 약 8λ를 초과할 때에 대역 내의 GDT 편차는 급격하게 변화하고, 상기 거리 L이 약 8λ 이하일 때에 GDT 편차의 변화량은 감소하고, 상기 거리 L이 약 8λ를 초과할 때에 GDT 편차의 변화량은 증가한다. 즉, 상기 거리 L을 약 8λ 미만으로 설정함으로써 통과대역 내의 리플을 저하시킬 수 있다.
아울러, 반사 단면에 클리핑 등의 결점이 발생하지 않도록 정밀도가 높은 반사 단면을 형성하는 단차가 구성된다. 거리 L은 약 λ/10 이상으로 설정되는 것이 바람직하다.
도 5는 본 발명의 바람직한 각종 실시형태들에 따른 표면 탄성파 장치에서 반사 단면의 높이 H와 대역내의 GDT 편차 및 최소 삽입손실간의 관계를 도시한다. 이것은 기판 단면과 반사 단면 사이의 거리 L을 λ로 설정할 때의 데이터이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 대역내의 GDT 편차는 반사 단면의 높이 H가 약 2λ∼약 6λ의 범위 내에 있을 때에 저하되고, 실제적으로 GDT 편차는 약 0.125㎲ 이하이다. 반사 단면의 높이 H가 약 2λ 미만이면, 표면 탄성파 에너지를 반사시킬 수 없고 최소 삽입 손실은 높아진다. 즉, 반사 단면의 높이 H가 약 2λ∼약 6λ의 범위 내로 설정되면, 통과대역 내의 리플 및 삽입 손실은 최소화되어, 우수한 통과대역 특성을 얻게 된다. 또한, 도 5로부터 알 수 있는 바와 같이, 반사 단면의 높이 H를 약 2λ∼약 4λ의 범위 내로 설정할 때에는, 대역내의 GDT 편차는 0.10㎲ 이하이고, 이에 의해 보다 우수한 통과대역 특성을 얻을 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태들은 한 쌍의 반사 단면을 포함하고 있는 종결합형 공진자 필터의 구성을 예로 들어 설명하였지만, 반사 단면을 IDT의 양측에 형성하는 구성으로만 제한되지 않는다. 다른 구성으로, 표면 탄성파 장치를 구성하는 IDT의 한 측에는 반사 단면을 다른 측에는 반사기를 형성하는 장치를 사용하여도 된다. 예를 들어, 복수개의 표면 탄성파 공진자를 동일한 압전기판 상에 배열하여 사다리형 필터를 구성하는 경우, 반사 단면의 단면 반사와 반사기에 의한 반사를 이용하는 구성을 사용하는 것이 바람직하다.
아울러, 본 발명의 표면 탄성파 장치를 횡결합형 공진자 필터, 사다리형 필터 등에 적용하여도 된다.
다음으로, 본 발명의 바람직한 제 3 실시형태에 따른 통신장치의 구성을 도 6에 도시한다. 이 통신장치는, 송신 필터 Tx 및 수신 필터 Rx를 포함하고 있는 듀플렉서(duplexer) DPX의 안테나 단자에 안테나 ANT가 접속되고, 송신 필터 Tx의 입력단자에 송신회로가 접속되고, 수신 필터 Rx의 출력단자에 수신회로가 접속되는 구성이다. 송신회로로부터의 송신신호는 송신 필터 Tx를 통해서 안테나 ANT로부터 송신된다. 또한, 안테나 ANT에 의해 수신된 수신신호는 수신 필터 Rx를 통해서 수신회로에 입력된다.
여기에서, 본 발명의 본 바람직한 실시형태에 따른 표면 탄성파 장치는 수신 필터 Rx, 수신회로의 1st IF 필터, 통신장치의 각종의 단간 필터(interstage filter) 또는 공진 소자로서의 기능을 가질 수 있다. 본 발명의 바람직한 각종 실시형태들에 따른 표면 탄성파 장치를 사용함으로써, 특성이 우수한 통신장치를 얻을 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 표면 탄성파 장치에서는, 기판 단면과 반사 단면 사이의 거리를 약 8λ 미만으로 설정함으로써, 벌크파에 의해 발생하는 통과대역 내의 리플이 최소화되고, 우수한 공진 특성 및 통과대역 특성을 얻게 된다. 또한, 반사 단면의 높이를 약 2λ∼약 6λ의 범위 내로 설정함으로써, 통과대역 내의 리플이 최소화되고, 우수한 공진 특성 및 통과대역 특성을 얻게 된다.
또한, 본 발명에 따른 통신장치에 표면 탄성파 장치를 실장함으로써, 특성이 우수한 통신장치를 얻을 수 있다.
이제까지 본 발명의 바람직한 실시 형태들에 대해서 기술하였지만, 본 발명은 이로써만 한정되지 않는다. 당업자들에게는 본 발명이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 각종 변형 및 변화가 가능하다는 것이 명확하게 이해될 것이다.

Claims (18)

  1. 한 쌍의 기판 단면(substrate edges), 이 기판 단면들 사이의 상면, 주 영역(main region) 및 바닥면을 가지고 있는 압전기판으로서, 상기 압전기판은 상기 주 영역에 접촉해 있고 한쪽의 상기 기판 단면의 내부에서 압전기판의 상면으로부터 바닥면쪽으로 연장하게 배열되어 있는 적어도 1개의 내부 단면(inner edge)을 가지고 있는 압전기판; 및
    상기 압전기판의 주 영역에 형성된 인터디지털 트랜스듀서(interdigital transducer: IDT)로서, 이 인터디지털 트랜스듀서에 의해 여진되고 파장 λ를 가지고 있는 SH(shear horizontal) 타입의 표면 탄성파는 상기 적어도 1개의 내부 단면에 의해 반사되는 인터디지털 트랜스듀서를 포함하고 있는 표면 탄성파 장치로서,
    상기 적어도 1개의 내부 단면과 이에 대응하는 상기 기판 단면 사이의 거리 L은 실질적으로 약 8λ 이하가 되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 적어도 1개의 내부 단면은 약 2λ∼약 6λ의 범위에 있는 높이 H를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 표면 탄성파 장치는 표면 탄성파 공진자, 종결합형 공진자 필터, 횡결합형 공진자 필터 및 사다리형 필터 중의 하나를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 압전기판은 압전 세라믹 및 압전 단결정 중의 적어도 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 압전기판의 상면에는 상기 기판 단면에 실질적으로 평행하게 그리고 상기 압전기판의 상면으로부터 바닥면쪽으로 연장하게 배열된 한 쌍의 홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 한 쌍의 홈은 상기 상면의 주 영역과 접촉해 있도록 배열되어 상기 주 영역용 내부 단면을 구성하는 내면을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 내면은 SH 타입의 표면 탄성파를 반사하기 위한 반사 단면을 구성하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 압전기판의 상면 상의 상기 홈들 사이에 적어도 2개의 IDT가 배치되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 적어도 2개의 IDT는 복수개의 전극지를 포함하고 있고, 상기 표면 탄성파의 파장을 λ로 표현하면, 상기 적어도 2개의 IDT의 최외측 전극지의 폭은 대략 8λ 이고, 그 외의 전극지의 폭은 모두 대략 4λ가 되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  10. 한 쌍의 기판 단면, 이 기판 단면들 사이의 상면, 주 영역 및 바닥면을 가지고 있는 압전기판으로서, 상기 압전기판은 상기 주 영역에 접촉해 있고 한쪽의 상기 기판 단면의 내부에서 압전기판의 상면으로부터 바닥면쪽으로 연장하게 배열되어 있는 적어도 1개의 내부 단면을 가지고 있는 압전기판; 및
    상기 압전기판의 주 영역에 형성된 인터디지털 트랜스듀서로서, 이 인터디지털 트랜스듀서에 의해 여진되고 파장 λ를 가지고 있는 SH 타입의 표면 탄성파는 상기 적어도 1개의 내부 단면에 의해 반사되는 인터디지털 트랜스듀서를 구비하고 있는 적어도 1개의 표면 탄성파 장치를 포함하고 있는 통신장치로서,
    상기 적어도 1개의 내부 단면과 이에 대응하는 상기 기판 단면 사이의 거리 L은 실질적으로 약 8λ 이하가 되는 것을 특징으로 하는 통신장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 적어도 1개의 내부 단면은 약 2λ∼약 6λ의 범위에 있는 높이 H를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 통신장치.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 표면 탄성파 장치는 표면 탄성파 공진자, 종결합형 공진자 필터, 횡결합형 공진자 필터 및 사다리형 필터 중의 하나를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 통신장치.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 압전기판은 압전 세라믹 및 압전 단결정 중의 적어도 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 통신장치.
  14. 제 10 항에 있어서, 상기 압전기판의 상면에는 상기 기판 단면에 실질적으로 평행하게 그리고 상기 압전기판의 상면으로부터 바닥면쪽으로 연장하게 배열된 한 쌍의 홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 통신장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 한 쌍의 홈은 상기 상면의 주 영역과 접촉해 있도록 배열되어 상기 주 영역용 내부 단면을 구성하는 내면을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 통신장치.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 내면은 SH 타입의 표면 탄성파를 반사하기 위한 반사 단면을 구성하는 것을 특징으로 하는 통신장치.
  17. 제 14 항에 있어서, 상기 압전기판의 상면 상의 상기 홈들 사이에 적어도 2개의 IDT가 배치되는 것을 특징으로 하는 통신장치.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 적어도 2개의 IDT는 복수개의 전극지를 포함하고 있고, 상기 표면 탄성파의 파장을 λ로 표현하면, 상기 적어도 2개의 IDT의 최외측 전극지의 폭은 대략 8λ 이고, 그 외의 전극지의 폭은 모두 대략 4λ가 되는 것을 특징으로 하는 통신장치.
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